Support Cours - Électronique de Puissance - MIP2

Composants de l’électronique de puissance
Contenu
Introduction
I. La diode de puissance
I.1. Présentation
I.2. Principe de fonctionnement
I.3. Caractéristique I(V) et limites de fonctionnement
I.4. Critères de choix d’une diode
I.5. Puissance électrique dissipée par une diode
I.6. Protection d’une diode
II. Le thyristor (SCR)
II.1. Présentation
UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin
7/05/20 1
Contenu
II.2. Principe de fonctionnement
II.3. Caractéristique I(V) et limites de fonctionnement
II.4. Principe de commande de la gâchette
III. Le transistor bipolaire de puissance
III.1. Présentation
III.2. Principe de fonctionnement
III.3. Limites de fonctionnement du transistor réel
III.4. Critères de choix d’un transistor bipolaire
III.5. Protection d’un transistor bipolaire
III.6. Commutation du transistor bipolaire
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Contenu
IV. Le transistor MOSFET de puissance
IV.1. Présentation
IV.2. Principe de fonctionnement
IV.3. Interface de commande
V. Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
V.1. Présentation
V.2. Propriétés
VI. Réversibilité des composants de puissance
VI.1. Représentation par segments
VI.2. Recherche de la réversibilité en courant du thyristor
VI.3. Recherche de la réversibilité en courant des transistors
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Introduction
L’électronique de puissance étudie les convertisseurs
statiques de l’énergie électrique dont le but est de convertir la
tension ou le courant d’entrée sous la forme appropriée pour
le récepteur.
Convertisseur statique de
Energie entrante Energie sortante
l’énergie électrique
Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique sont des

appareils intercalés entre la source d’énergie et la machine
électrique.

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Introduction
Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique sont
nécessaires dans les cas suivants:
!  Applications où la vitesse variable est une condition
intrinsèque de fonctionnement du procédé
!  Entraînement de pompes et compresseurs
Les entraînements à vitesse variable offrent des intérêts

économiques, à savoir :
!  le gain en énergie
!  la suppression des surintensités au démarrage des
machines
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Introduction
!  l’allongement de la durée de vie des moteurs
!  l’accroissement de la productivité
Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique

présentent quelques inconvénients:
!  Le courant ou la tension de sortie contient des
harmoniques
!  Le courant dans le moteur est déformé
!  Les câbles électriques peuvent rayonner des ondes
électromagnétiques
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Introduction (suite)
Le composant électronique de puissance est parcouru par un
courant élevé, atteignant le kA sous une tension élevée
atteignant le kV.
Pour éviter la détérioration du composant à semi-conducteur,

il est nécessaire de travailler en commutation. Autrement
dit, le composant se comporte comme un interrupteur aussi
parfait que possible.
Certains composants commutent naturellement, mais d’autres

nécessitent une commande électronique.
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Introduction (suite)
Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique sont
constitués des composants électroniques linéaires et des
composants à semi-conducteurs
Le choix des composants d’un convertisseur de l’énergie

électrique est guidé par sa commandabilité en tension ou
en courant à l’ouverture et à la fermeture, et par sa
réversibilité en tension ou en courant.
La commandabilité et la réversibilité des composants de
l’électronique de puissance font l’objet de la présente partie
du cours d’électronique de puissance
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I.1. Présentation
La diode de puissance représentée sur la
Fig.1 est une jonction PN au silicium.
La zone de type P est l’anode (A)
La zone de type N est la cathode (K)
Ce symbole est souvent marqué sur le
boitier, la cathode est marquée par un
anneau. La diode un composant non Fig.1. Symbole d’une diode
commandable ni à la fermeture, ni à
l’ouverture. Elle est passante dans le
sens anode-cathode.

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I.1. Présentation
La fig.2. ci-contre montre
les photos de quelques
diodes de puissance.
La diode de puissance se
présente comme une vis.
C’est un dipôle dont la
partie filetée est l’anode
et l’autre, la cathode. Fig.2. Photos de quelques diodes
de puissance
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I.2. Principe de fonctionnement
Le fonctionnement de la diode
est illustré par la caractéristique
courant-tension (Fig.3)
Etat bloqué (OFF): iAK = 0, vAK < 0
Etat passant (ON): vAK = 0, iAK > 0
La diode n’est donc ni réversible
en courant ni réversible en
Fig.3. Caractéristique I(V)
tension. d’une diode parfaite

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I.3. Caractéristique I(V) et limites de fonctionnement
La Fig.4 montre la caractéris-
tique I(V) d’une diode réelle
présentant les limites de
fonctionnement normal
Les valeurs limites IFM, IFRM
et VRRM sont données par le
Fabricant.
Si IAK > IFM, alors la diode crame Fig.4. Caractéristique I(V) d’une
Si VKA < VRRM, alors la diode claque diode réelle
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I.4. Critères de choix d’une diode
Les critères de choix d’une diode de puissance sont basés
les caractéristiques électriques du récepteur
!  Il faut déterminer les valeurs limites: IFM, IFRM et VRRM et
les valeurs admissibles: IFMoy, IFRMS, V0, Tj en utilisant le
catalogue des fabricants. Ces valeurs sont majorées par un
facteur de sécurité de 1,2 à 2.
!  Il faut dimensionner le dissipateur thermique ou radiateur. Le
refroidissement de la diode de puissance pendant peut être: soit
naturel, soit par ventilation forcée, soit par circulation d’un fluide
caloporteur dans le cas des diodes de forte puissance.
7/05/20 13
I.5. Puissance électrique dissipée par une diode
!  Puissance dissipée dans la diode en conduction
V T
rF T
2 2 (eq.1)
Pj = 0 i
∫F Tdt + ∫ i dt=V I
F 0 FM +r I
F FRMS
T 0 0
(V0 et rF : tension de seuil et résistance interne de la diode)
!  Puissance dissipée dans la diode lors du passage de l’état

€ bloqué à l’état passant (commutation à la fermeture)
Une surtension VFP correspondant à la vitesse de croissance
dIF/dt apparaît et décroit vers sa valeur permanente VF pendant
un temps tfr dit "temps de recouvrement direct".
7/05/20 14
L’énergie dissipée dans la diode est:
1
(
WF = VFP + VF .IF .t fr
2
) (eq.2)
L’énergie dissipée dans la diode supposée parfaite est:

W = V .I .t
€
(eq.3)
€ F0 F F fr
La perte d’énergie due à la commutation à la fermeture est:

1
ΔW = WF − WF0 = ( VFP − VF ).IF .t ft (eq.4)
€ 2

7/05/20 15
€
Soit f la fréquence de commutation, la puissance dissipée dans
la diode du fait de la commutation à la fermeture est:
1
( )
PF = .f. VFP − VF .IF .t ft
2 (eq.5)
!  Puissance dissipée dans €

la diode lors du passage de l’état
passant à l’état bloqué (commutation à l’ouverture)
€ Une pointe de courant inverse apparaît et s’annule après un
temps trr dit "temps de recouvrement inverse". Les bonnes
diodes de puissance sont rapides, de sorte que trr est très faible.
La puissance dissipée dans le diode est négligeable.
7/05/20 16
!  Les surtensions VFP dues aux fortes vitesses de
croissance du courant direct dIF/dt pendant la
commutation à la fermeture peuvent augmenter la
tension supportée par d’autres composants du
montage.
!  Un circuit de ralentissement de la montée du courant

direct à la fermeture de la diode est nécessaire. On
utilise généralement des cellules LC.

7/05/20 17
I.6. Protection d’une diode
Fig.5.a. Protection contre les
surintensités par fusible ultra-rapide
Fig.5.b. Protection contre les
surtensions par une cellule RC
Fig.5.c. Protection contre les variations

de tension (dVF/dt) par condensateur C
et protection contre les variations de
courant (dIF/dt) par industance L.
7/05/20 18
II.1. Présentation
Le thyristor représenté sur la Fig.6 a une
structure PNPN au silicium.
La zone de type P est l’anode (A)
La zone intermédiaire de type P est la Fig.6. Symbole
d’un thyristor
gâchette (G).
La zone de type N est la cathode (K)
C’est un composant commandable à la fermeture par
une impulsion de courant de gâchette, mais pas à
l’ouverture. Il est passant dans le sens anode-cathode.
7/05/20 19
II.1. Présentation
La fig.7. ci-contre montre les photos de
quelques thyristors de puissance.
Le thyristor de forte puissance se présente
comme une vis. La partie filetée est
l’anode, la plus longue broche est la
cathode et la plus courte broche est la
gâchette. Le thyristor de faible puissance a
un boitier plastique présentant une surface Fig.7. Photos de
métallique plane. quelques thyristors
7/05/20 20
Le fonctionnement du thyristor est
illustré par la caractéristique courant-
tension (Fig.8)
Etat bloqué (OFF): iAK = 0 et vAK < 0, ou
iAK = 0 et IG = 0 et vAK >= 0 (IG est le
courant de gâchette)
Etat passant (ON): vAK>0 et IG>0, iAK>0
Le thyristor n’est pas réversible en Fig.8. Caractéristique I(V)
courant, mais réversible en tension. Du SCR parfait
7/05/20 21
!  Etat passant (ON):
si VAK >= VR, IG = 0, alors IAK > 0 (VR est la tension de
retournement fournie par le fabricant); Etat à éviter.
si 0 < VAK < VR, IG > 0, alors IAK > 0; Etat normal
!  Etat bloqué (OFF):
si 0 < VAK < VR, IG = 0, alors IAK = 0; Etat normal
si VAK < 0, IG = 0, alors IAK = 0; Etat normal
L’impulsion de courant de gâchette doit avoir une amplitude
et une durée suffisante, sinon le SCR ne peut pas s’amorçer
7/05/20 22
!  Blocage du SCR par commutation
naturelle:
La source fournit une tension sinusoïdale
de période T, la charge est résistive.
0 < t < T/2: VAK > 0, IG > 0
Th est amorcé , IAK > 0 Fig.9. Redresseur
t = T/2: VAK = 0 et IAK = 0, Th se bloque par simple alternance
passage de IAK à 0
T/2 < t <T: VAK < 0, IAK = 0, Th reste bloqué
7/05/20 23
!  Blocage du SCR par
commutation forcée:
Ce blocage est imposée par le
condensateur d’extinction C qui
applique une tension négative
aux bornes du thyristor ThP,
provoquant son extinction. La Fig.10. Circuit d’aide à la
source de tension est continue. commutation du SCR

7/05/20 24
!  Blocage du SCR par
commutation forcée:
Initialement ThP, ThE sont bloqués.
ThP est amorcé, on a:
IAK = IP, Us = E, Uc = E
ThE est amorcé, ThP reste passant,
Us = 2E, C se décharge via ThE et
ThP jusqu’à Uc = -E, IAK = 0, ThP Fig.11. Chronogrammes
se bloque. des tensions et courants
7/05/20 25
II.3. Caractéristique I(V) et limites de fonctionnement
La Fig.12 montre la caractéristique
I(V) d’un thyristor réel. Comme pour
les diodes de puissance, le fabricant
donne les valeurs limites à ne pas
dépasser.
Le thyristor se comporte comme une
diode commandée par une impulsion
IG de courant de gâchette. Tant que le Fig.12. Caractéristique I(V)
courant iAK > IH (courant de maintien), le du SCR réel
thyristor reste passant, même si IG = 0
7/05/20 26
II.4. Principe de commande de la gâchette
Le convertisseur est intercalé entre
le réseau électrique et la charge,
d’où la nécessité de synchroniser la
commande des SCR sur le réseau.
Le début d’une demi-période de la
tension du réseau est détecté et sert
de tension de référence. L’amorçage
des SCR est alors retardé par Fig.13. Schéma synoptique
rapport à cette référence (Fig.13) de commande des SCR
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III.1. Présentation
Il existe deux types de transistor bipolaire:
NPN et PNP. Le transistor bipolaire de
puissance est de type NPN dont le
symbole est représenté sur la Fig.14.
Le transistor bipolaire est commandé en Fig.14. Symbole
courant, à la fermeture et à l’ouverture. du transistor NPN
Le courant de commande est le courant IB de la base du
transistor bipolaire. Si IB >= 0, alors: IC >= 0 et VCE >= 0
7/05/20 28
III.2. Principe de fonctionnement
La Fig.15 ci-contre montre que:
A l’état bloqué (OFF) (état ouvert)
IB = 0, IC = 0, VCE <= VCC (élevée)
A l’état passant (ON) (état fermé)
IB=IBsat, IC=ICsat, VCE=VCEsat (très faible)
Le transistor bipolaire n’est
réversible ni en courant, ni en
tension. C’est un composant à deux Fig.15. Caractéristique
segments. I(V) du transistor parfait
7/05/20 29
III.3. Limites de fonctionnement du transistor réel
A l’état passant (ON):
Puissance limite: Pmax > VCE.IC (courbe d’isopuissance)
Courant maximal moyen de collecteur: Icmax > IC.
Tension de saturation: VCEsat (très faible)
A l’état bloqué (OFF):
Tension collecteur VCEmax < VCC
Courant résiduel de collecteur IC0 très faible
Les valeurs limites sont disponibles dans les catalogues
des fabricants
7/05/20 30
III.4. Critères de choix d’un transistor bipolaire
!  A partie d’un cahier des charges, la puissance
électrique mise en jeu doit être inférieur à la puissance
Pmax du transistor choisi.
!  Il faut calculer les valeurs VCE, IC et appliquer un facteur
de sécurité de 1,2 à 2 pour obtenir les valeurs limites
VCEmax et ICmax.
!  Les transistor bipolaire de puissance sont essentielle-
ment de type NPN.

7/05/20 31
III.5. Protection d’un transistor bipolaire
Contre les court-circuits
Les fusibles ne sont pas
suffisamment rapides pour
protéger le transistor bipolaire.
On utilise un circuit électronique
(Fig.16) qui mesure le courant Fig.16. Schéma synoptique de
collecteur IC et interrompt la protection du transistor
commande en cas de problème
Protection thermique: On utilise les dissipateurs thermiques
ou radiateurs dûment dimensionnés.
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III.6. Commutation d’un transistor bipolaire
!  A la fermeture: un retard de croissance de IC apparaît à la
saturation. Le fabricant donne le temps de retard (delay time)
noté td et le temps de croissance (rise time) noté tr. La tension
VCE est imposée par l’alimentation ou la charge et par l’allure de
IC. Le temps de fermeture est donné par: ton = td + tr.
!  A l’ouverture: le courant collecteur ne s’annule pas

instantanément. Le fabricant donne le temps de stockage
(storage time), noté ts et le temps de descente (fall time) noté tf.
Le temps d’ouverture est donnée par: toff = ts + tf.
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III.6. Commutation d’un transistor bipolaire
Afin de minimiser les pertes en commutation, on réalise des
interfaces de commande dont les fonctions sont:
"  Amplification de courant de base IB pouvant comporter
plusieurs étages en cascade
"  Polarisation négative de la base ou circuit d’aide à la
commutation à l’instant du blocage du transistor
"  Isolement galvanique par opto-coupleur entre le circuit de
commande le circuit de puissance
"  Circuits intégrés analogiques réalisant toutes les fonctions
des interfaces
7/05/20 34
IV.1. Présentation
Fig.17-a: Symbole MOS canal N Fig.17-b. Symbole MOS canal P
!  Le transistor MOSFET est un tripôle: Drain (D), Gate (G) et

Source (S).
7/05/20 35
IV.1. Présentation
!  Il existe deux types:
MOS canal N: VGS>0, VDS>0, IDS>0
MOS canal P: VGS<0, VDS<0, IDS<0
!  MOS commandé en tension VGS.
!  MOS est Commandé à la fermeture
Fig.18. Photos du Tr. MOS
(ON) et à l’ouverture (OFF)
!  Les MOSFET de puissance sont à canal N
!  Le MOSFET n’est réversible ni en courant, ni tension.

7/05/20 36
IV.2. Principe de fonctionnement
Le MOSFET est constitué de trois couches :
le substrat, le canal, l’isolant (SIO2). La grille
G est séparée du canal par l’isolant.
!  Etat bloqué (OFF)
VGS = 0: Le canal présente une résistivité
élevée, ID = 0, VDS est élevée
!  Etat passant (ON)
VGS > 0: Le canal est enrichi des porteur de
charge négatifs et présente une résistivité Fig. 19. Caractéristique
faible, ID > 0, VDS = 0 I(V) du MOSFET
7/05/20 37
IV.3. Interface de commande
!  Fonctions réalisées par l’interface de commande:
-  adaptation de tension de commande de la grille VGS.
-  isolement galvanique par opto-coupleur
!  Avantages
-  le contrôle en tension VGS rend la commande plus facile
-  la grille - source se comporte comme un condensateur
-  le canal se comporte comme une résistance variable
!  Inconvénient
- Faible fréquence de commutation
7/05/20 38
V.1. Présentation
!  Association transistor bipolaire et
MOSFET (Fig.20) :
-  MOSFET pour la partie commande
Fig.20. Symbole
-  Transistor bipolaire pour la partie
puissance
!  Peut supporter des tensions élevées à
l’état bloqué, plus de 1kV
!  Peut supporter des courants forts à l’état
passant, plus de 1kA Fig.21. Photo IGBT

7/05/20 39
V.2. Propriétés des IGBT
!  Commande en tension à la fermeture et à l’ouverture

!  Non réversible en courant et en tension
!  Facile à commander en tension
!  Bonnes performances dynamiques
!  Haute fréquence de commutation
!  Faible dissipation thermique

7/05/20 40
VI.1. Représentation par segments
La représentation par segments de la caractéristique I(V)

d’un composant électronique de puissance permet :
!  de décrire sa réversibilité en courant ou en tension
!  de définir sa fonction
!  de le classifier
!  d’obtenir un composant hybride par assemblage des
composants élémentaires

7/05/20 41
VI.2. Recherche de la réversibilité en courant du thyristor

7/05/20 42
VI.3. Recherche de la réversibilité en courant des transistors

7/05/20 43
Gammes de puissance des composants

électroniques de puissance
Transistor MOS
Transistor bipolaire
IGBT
Thyristor
Puissance (VA) 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M

7/05/20 44
Quelques domaines d’applications des composants
électroniques de puissance
!  Diodes: Electrolyse, chargeur de batteries de stockage
!  Thyristors: Transformation de l’énergie électrique HTA,
alimentation électrique des moteurs DC ou AC, projecteurs
!  IGBT: Alimentation électrique des moteurs de traction; des
machines à laver; des fours micro-onde; des UPS
! Transistors bipolaires: Automobiles; four micro-onde;
réfrigérateur; machine à laver; climatiseur; télécom; lampe à
ballast; appareils vidéo, audio, TV
!  Transistor MOS: Automobiles; four micro-onde; télécom;
lampe à ballast; appareils vidéo, audio, TV
7/05/20 45

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Composants de l’électronique de puissance

Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique sont des

UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

Les entraînements à vitesse variable offrent des intérêts

Les convertisseurs statiques de l’énergie électrique

Pour éviter la détérioration du composant à semi-conducteur,

Certains composants commutent naturellement, mais d’autres

Le choix des composants d’un convertisseur de l’énergie

UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

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! Puissance dissipée dans la diode lors du passage de l’état

L’énergie dissipée dans la diode supposée parfaite est:

La perte d’énergie due à la commutation à la fermeture est:

UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

! Puissance dissipée dans €

! Un circuit de ralentissement de la montée du courant

UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

Fig.5.c. Protection contre les variations

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! A l’ouverture: le courant collecteur ne s’annule pas

Fig.17-a: Symbole MOS canal N Fig.17-b. Symbole MOS canal P

! Le transistor MOSFET est un tripôle: Drain (D), Gate (G) et

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UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

! Commande en tension à la fermeture et à l’ouverture

UN/ENSAI/MIP2/Support du cours d’électronique de puissance/Pr. Kamta Martin

La représentation par segments de la caractéristique I(V)

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Gammes de puissance des composants

Puissance (VA) 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M

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