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Electronique analogique

École Supérieure d’Ingénieurs de Poitiers


1e année

Patrice Remaud et Hubert Romat


Email : nom.prénom@univ-poitiers.fr

Le 8 février 2007
Table des matières

1 Rappels d’électrocinétique 1
1.1 Lois d’ohm pour les systèmes élémentaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Résistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.2 Force-électromotrice idéale (f.e.m.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.3 Générateur de courant idéal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.4 Inductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.1.5 Condensateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Lois de Kirchoff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.1 Loi des mailles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.2 Loi des noeuds . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.3 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.3 Générateurs équivalents à un réseau linéaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Théorème de Thévenin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Théorème de Norton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6 Théorème de Millmann . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.7 Exemple : le diviseur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2 Les composants électroniques : diodes, transistors 9


2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.1 Notions d’atomes et de structures cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1.2 Notions de semi-conducteurs intrinsèques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.1.3 Notions de semi-conducteurs extrinsèques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.2 La diode à jonctions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.2 Caractéristique statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.3 Modèle simplifié . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.3 Le transistor à jonctions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.2 Symbole et grandeurs électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.3 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3.4 Caractéristiques statiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3.5 Modèles du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.6 Applications du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.4 Le transistor à effet de champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4.1 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4.2 Symbole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4.3 Fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
i
ii TABLE DES MATIÈRES

2.4.4 Branchement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4.5 Exemple de caractéristiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.4.6 Modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.4.7 Le transistor MOS (métal-oxyde-semiconducteur) . . . . . . . . . . . . . . 22

3 Un circuit intégré : l’amplificateur opérationnel 25


3.1 L’amplificateur de différence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.1.1 Structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.1.2 Etude statique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.1.3 Etude dynamique qualitative . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.1.4 Etude dynamique quantitative . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1.5 Schéma équivalent de l’amplificateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2 L’amplificateur opérationnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.2.1 Généralités . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.2.2 Caractéristiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3 Le montage amplificateur de base à amplificateur opérationnel . . . . . . . . . . 29
3.3.1 Schéma de l’amplificateur inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3.2 Mise en équations générales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3.3 Calcul simplifié . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3.4 Intérêt de cette structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

4 Les filtres : courbes de réponse en fréquence 31


4.1 Types fondamentaux de filtres parfaits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.1.1 Passe-bas : filtre de bande passante [0; fH ] . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.1.2 Passe-haut : filtre de bande passante [fB ; +∞] . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.1.3 Passe-bande : filtre de bande passante [fB ; fH ] . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.2 Réalisations de filtres passifs simples : passe-bas ; passe-haut ; passe-bande . . . . 33
4.3 Exemples d’application du filtrage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.3.1 Les signaux à filtrer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.3.2 Filtres passe-bas du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.3.3 Filtres passe-haut du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.3.4 Filtres passe-bande . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
4.4 Fonctions de transfert normalisées . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.4.1 Fonctions de transfert du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.4.2 Fonctions de transfert du second ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.5 Réalisations de filtres actifs (avec amplificateurs opérationnels) . . . . . . . . . . 44
4.5.1 Fonctions de transfert du premier ordre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.5.2 Fonctions de transfert du second ordre : exemple des filtres à variables d’état 45

5 La contre réaction 47
5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.2 Définitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.2.1 Symbolisme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.2.2 Amplification en boucle fermée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
5.2.3 Exemple de dispositif à contre-réaction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5.3 Propriétés de la contre-réaction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.3.1 Influence sur le gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
5.3.2 Réduction du bruit et des perturbations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
TABLE DES MATIÈRES iii

5.3.3 Elargissement de la bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51


5.4 Stabilité des dispositifs à contre-réaction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.5 Les oscillateurs sinusoı̈daux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.5.1 Oscillateur à Pont de Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.5.2 Analyse du dispositif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.5.3 Etude de la chaı̂ne de retour . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.5.4 Condition d’oscillation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.5.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Chapitre 1

Rappels d’électrocinétique

1.1 Lois d’ohm pour les systèmes élémentaires


1.1.1 Résistance

A
I
U R

Par définition : U = VA − VB = RI et P = RI 2

1.1.2 Force-électromotrice idéale (f.e.m.)

E U

B
Pour une force-électromotrice idéale : U = VA − VB = +E avec le courant I déterminé par le
reste du circuit.

1.1.3 Générateur de courant idéal

I
- A
I0 6
6

 U

B
1
2 CHAPITRE 1. RAPPELS D’ÉLECTROCINÉTIQUE

Pour un Générateur de courant idéal : I = I0 avec la tension U déterminée par le reste du


circuit.

1.1.4 Inductance
Grandeurs instantannées

i(t) L
-

u(t)

di(t)
u(t) = L
dt

Grandeurs complexes

I L
-

U

π
U = jLωI = Lωej 2 I
avec ZL = jLω

Grandeurs vectorielles

~
u(t) −→ U
i(t) −→ I~

U~
-

+π/2

?I~
1.1. LOIS D’OHM POUR LES SYSTÈMES ÉLÉMENTAIRES 3

1.1.5 Condensateur
Grandeurs instantannées

C
i(t)
-

u(t)

dq(t)
i(t) =
dt
avec q(t) = Cu(t) et donc i(t) = C du(t)
dt

Grandeurs complexes

C
I
-

U

1 1 −j π
U= I= e 2I
jCω Cω
1
avec ZC = jCω

Grandeurs vectorielles

~
u(t) −→ U
i(t) −→ I~

I~ 6

−π/2
6N -
~
U
4 CHAPITRE 1. RAPPELS D’ÉLECTROCINÉTIQUE

1.2 Lois de Kirchoff


1.2.1 Loi des mailles
La loi des mailles exprime la nullité de la somme des tensions le long d’un circuit fermé :
U2 = V B − V C

B C

U1 = V A − V B + U3 = V C − V D

A D

U4 = V D − V A

X
ui = 0
M aille
X
u i = U 1 + U 2 + U3 + U 4
M aille
X
ui = (VA − VB ) + (VB − VC ) + (VC − VD ) + (VD − VA ) = 0
M aille

1.2.2 Loi des noeuds


La loi des noeuds traduit la conservation du courant :

? I1
- u -
I2 N I3
? I4

X X
i= i
Entrant+ Sortant−
X
i=0
Algébrique

I1 + I2 = I3 + I4
1.2. LOIS DE KIRCHOFF 5

1.2.3 Exemple

I4
I3 E1
I1 I5
A
I2 R1 B R5
I6
R2 C
+
R8
E
I10 I8 D I7
E8 E7
I9

Etablir les lois des mailles et des noeuds de ce circuit.


6 CHAPITRE 1. RAPPELS D’ÉLECTROCINÉTIQUE

1.3 Générateurs équivalents à un réseau linéaire


On considère un réseau linéaire :
I
A -
6
Réseau
U
linéaire

En faisant débiter ce réseau sur une charge, on obtient U et I. Comme le réseau est linéaire,
la relation U = f (I) (ou I = f (U )) est une droite :

U I
6 6

U = f (I) I = g(U )

- -
0 I 0 U

On peut écrire :
U = f (I) I = g(U )
Soit U = aI + b Soit I = αU + β
∆U ∆I
a= ∆I = −R α= ∆U = − R1
b = {U }I=0 = U0 = E β = {I}U =0 = I0

R I I
- A - A
6 6
 
E 6 U I0 6 R U
 

B B
U
U = E − RI I = I0 − R
Générateur de Thévenin Générateur de Norton

1.4 Théorème de Thévenin


Un réseau linéaire est équivalent à une force électromotrice E en série avec une résistance
interne R :
– la force électromotrice est égale à la d.d.p. à vide : (UAB )0 ,

– la résistance interne est égale à la résistance entre A et B lorsqu’on effectue Ei = 0 (court-


circuit) et I0i = 0 (on la débranche).
1.5. THÉORÈME DE NORTON 7

1.5 Théorème de Norton


Un réseau linéaire est équivalent à une source de courant I0 en parallèle avec une résistance
interne R :
– la source I0 est égale au courant de court-circuit entre A et B : I0 = (IAB )U =0 ,

– la résistance interne est égale au courant de court-circuit entre A et B lorsqu’on effectue


Ei = 0 (court-circuit) et I0i = 0 (on la débranche).

1.6 Théorème de Millmann


Dans un réseau électrique de branches en parallèle, comprenant chacune un générateur de
tension parfait en série avec un élément linéaire :

Z1 Z2 Z3 Zk ZN
Vm
E1 E2 E3 Ek EN

La tension aux bornes des branches est égale à la somme des forces électromotrices respecti-
vement multipliées par l’admittance de la branche, le tout divisé par la somme des admittances :
PN Ek
k=1 Zk
Vm = PN 1
k=1 Z k

1.7 Exemple : le diviseur de tension


Schéma :

I
-

R1
 A
E 6

R2

Déterminer les caractéristiques des générateurs de Thévenin et de Norton équivalents au


circuit précédent.
Chapitre 2

Les composants électroniques :


diodes, transistors

2.1 Introduction
2.1.1 Notions d’atomes et de structures cristallines
Exemple de l’atome de silicium :

Exemple de la structure cristalline du silicium :

9
10 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.1.2 Notions de semi-conducteurs intrinsèques


2.1. INTRODUCTION 11

2.1.3 Notions de semi-conducteurs extrinsèques


Semi-conducteurs extrinsèques de type N :

Semi-conducteurs extrinsèques de type P :


12 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.2 La diode à jonctions


2.2.1 Principe
Constitution :

La jonction PN non-polarisée :
2.2. LA DIODE À JONCTIONS 13

La jonction PN polarisée :
– la polarisation en sens direct :

– la polarisation en sens inverse :


14 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.2.2 Caractéristique statique

2.2.3 Modèle simplifié


2.3. LE TRANSISTOR À JONCTIONS 15

2.3 Le transistor à jonctions


2.3.1 Constitution
Les deux types de transistor à jonctions, NPN et PNP :

Constitution d’un transistor à jonctions NPN :

2.3.2 Symbole et grandeurs électriques


Symbole et grandeurs électriques du transistor NPN :
16 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.3.3 Fonctionnement
2.3. LE TRANSISTOR À JONCTIONS 17

2.3.4 Caractéristiques statiques

Les quatre quadrants :

Exemple de caractéristiques statiques :


18 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.3.5 Modèles du transistor


Modélisation à partir des caractéristiques statiques
Modèle en fonctionnement dynamique : paramètres hybrides
2.3.6 Applications du transistor
Le transistor en mode de commutation
Objectif : montrer que l’on peut utiliser le transistor dans deux états stables, bloqué et saturé.

Le transistor en mode amplificateur


Objectif : amplifier un signal sinusoı̈dal.

Méthode d’étude :
– polariser l’amplificateur,

– dessiner le modèle équivalent,

– effectuer les calculs à partir du schéma équivalent du montage.

Exemple : amplificateur à transistor bipolaire en émetteur commun

– montage

RC
R2
Cs
Ce C
B
VCC
E
RG
ve (t) R1 Ru vs (t)
RE CE
vG (t)

– étude graphique
2.4. LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP 19
iC (t) + IC

iC (t)
Droite de charge

ICE0
t

iB (t) + IB VCE0
IB0 vCE (t) + VCE
vCE (t)
Droite d’attaque
t
VBE0
t

vBE (t) + VBE


vBE (t)

2.4 Le transistor à effet de champ


2.4.1 Structure

2.4.2 Symbole

2.4.3 Fonctionnement
20 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.4.4 Branchement
2.4. LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP 21

2.4.5 Exemple de caractéristiques


2.4.6 Modèle
22 CHAPITRE 2. LES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES : DIODES, TRANSISTORS

2.4.7 Le transistor MOS (métal-oxyde-semiconducteur)


Symboles schématiques des transistors MOS :

Etats ouvert et fermé d’un transistor MOS :


2.4. LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP 23
Chapitre 3

Un circuit intégré : l’amplificateur


opérationnel

3.1 L’amplificateur de différence


3.1.1 Structure
+VCC

RC RC

IC1 IC2
vs
+ IB1 IB2 −
IE1 IE2
ve1 VBE1 VBE2 ve2
I0

−VCC

IC
Données : VCC = 10V ; RC = 5k ; T1 et T2 sont identiques avec β = IB ; I0 = 2mA

3.1.2 Etude statique


Les deux transistors sont appariés (identiques). On suppose que Ve1 = Ve2 .

Le dispositif est symétrique alors IB1 = IB2 = IB0 et IC1 = IC2 = IC0 donc IE1 = IE2 = IE0 .
I0
Or I0 = IE1 + IE2 = 2IE0 donc I0 = 2(IC0+ IB0 ) = 2(β + 1)IB0 ou IB0 = 2(β+1) .
Comme β >> 1, on en déduit que IC0 >> IB0 et I0 = 2IE0 ∼ = 2IC0 soit
I0
IC0 =
2
Le courant ne dépend pas de Ve1 = Ve2 et
RC I0
Vs = VCC − RC IC0 ∼
= VCC −
2
25
26 CHAPITRE 3. UN CIRCUIT INTÉGRÉ : L’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL

(si on fait varier Ve1 et Ve2 de telle sorte que Ve1 = Ve2 alors le dispositif reste équilibré et
Vs = Const.)
Application numérique : Vs = 5V

3.1.3 Etude dynamique qualitative


Soit Ve1 > Ve2 (Ve1 augmente ou Ve2 diminue)
La base du transistor T1 est donc plus positive que celle du transistor T2 , le transistor T1 est
plus conducteur que le transistor T2 et IB1 > IB2 .
Comme IB1 + IB2 = I0 et
I0 I0
IB1 + IB2 = 2IB0 = 2 = = Const.
2(β + 1) β+1
alors

si IB1 ր alors IB2 ց pour que


I0
IB1 + IB2 = = Const.
β+1
Conclusion : si Ve1 ր alors IB1 ր et IB2 ց et IC2 ց et Vs = VCC − RC IC2 ց (par rapport au
point de repos Vs = 5V )

Soit Ve2 > Ve1 (Ve2 augmente ou Ve1 diminue)


La base du transistor T2 est donc plus positive que celle du transistor T1 , le transistor T2 est
plus conducteur que le transistor T1 et IB2 > IB 1.

Comme IE1 + IE2 = I0 et


I0 I0
IB1 + IB2 = 2IB0 = 2 = = Const.
2(β + 1) β+1
alors

si IB2 ր alors IB1 ց pour que


I0
IB1 + IB2 = = Const.
β+1
Conclusion : si Ve2 ր alors IB2 ր et IB1 ց et IC2 ր et Vs = VCC − RC IC2 ց (par rapport au
point de repos Vs = 5V )

Conclusion
Ce montage n’est sensible qu’à la différence entre Ve1 et Ve2 , mais pas à leur valeur commune.
On dit qu’il s’agit d’un amplificateur de différence :

si Ve1 ր ou Ve2 ց alors VS ր


ou
si Ve1 ց ou Ve2 ր alors VS ց
On dit que Ve1 est l’entrée (+) ou non inverseuse et que Ve2 est l’entrée (−) ou inverseuse.
3.1. L’AMPLIFICATEUR DE DIFFÉRENCE 27

3.1.4 Etude dynamique quantitative


Le modèle des transistors est : VBE = rIB + Vd et IC = βIB .

I0
On a montré que IE1 + IE2 = I0 et donc que IB1 + IB2 = β+1 (1).

Par ailleurs Ve1 − VBE1 + VBE2 − Ve2 = 0 ou Ve1 = VBE1 − VBE2 + Ve2 soit, en utilisant le
modèle des transistors, Ve1 − Ve2 = r(IB1 − IB2 ) ou IB1 − IB2 = Ve1 −V
r
e2
(2).

Soit en utilisant (1) et (2) : IB1 = 12 [ Ve1 −V


r
e2
+ I0
β+1 ] et IB2 = 1 Ve2 −Ve1
2[ r + I0
β+1 ] comme
Vs = VCC − RC IC2 alors Vs = VCC − βRC IB2 et

βRC Ve2 − Ve1 I0


Vs = VCC − [ + ]
2 r β+1
∆VS vS
Définissons Av = ∆(Ve1 −Ve2 ) = ve1 −ve2 (petites variations autour d’un point de repos).
Comme ∆VCC = 0 et ∆I0 = 0, on a alors Vs = − βR
2r (ve2 − ve1 ) ==
C βRC
2r (ve1 − ve2 ) et

βRC
Av =
2r

Application numérique : Rc = 5kΩ ; β = 100 ; I0 = 2mA alors IB0 = I0 ∼


= I0
= 10µA
2(β+1) 2β
C ∼
A T = 300K, r = IeB = 2, 6kΩ soit Av = βR2r = 100.

3.1.5 Schéma équivalent de l’amplificateur


Le circuit d’entrée est généralement passif (une résistance d’entrée Re = viee ) et le circuit de
sortie est actif (générateur de Thévenin vs = Av ve − Rs is avec Av = ( vvse i =0 ) :
s

Ie Rs Is

ve Re Av ve vs

Schéma équivalent

La résistance d’entrée différentielle


On a montré que Ve1 − Ve2 = r(IB1 − IB2 ) et que IB1 + IB2 = 2IB0 = Const. donc ve1 − ve2 =
r(iB1 − iB2 ).
On définit iB1 = IB0 −ib (ib : petite variation autour de IB0 ) et iB2 = IB0 −ib donc iB1 −iB2 = 2ib
(si iB1 ր alors iB2 ց de la même manière). Donc
ve ve1 − ve2
Re = = = 2r
ie ib
28 CHAPITRE 3. UN CIRCUIT INTÉGRÉ : L’AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL

La résistance de sortie

+VCC

RC
Is
IC2
T2 vs

β Ve2 −Ve1 I0
On a Vs = VCC − RC (IC2 + IS ) or IC2 = βIB2 = 2[ r + β+1 ] soit Vs = VCC −
βRC Ve2 −Ve1
2 [ r + I0
β+1 ] − RC IS donc Vs = − βR2 C ( Ve2 −V
r
e1
) − RC IS

βRC
Comme vs = Av ve − Rs is avec Av = 2r , on obtient bien le schéma d’un générateur de
Thévenin où RS = RC .

3.2 L’amplificateur opérationnel


3.2.1 Généralités
L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré sur lequel on a rassemblé sur un même
substrat de silicium :
– un amplificateur de différence

– son générateur de courant

– un étage supplémentaire qui sert à augmenter l’amplification en tension et à décaler les


potentiels de telle sorte que si Ve1 = Ve2 alors VS = 0.

On s’arrange aussi pour que Re −→ ∞ et Rs −→ 0.


+VCC

RC RC
Amplif icateurde
décalage
+ − vs

ve1 ve2

−VCC
3.3. LE MONTAGE AMPLIFICATEUR DE BASE À AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL29

Remarque
Si on analyse le schéma réel d’un circuit intégré amplificateur opérationnel, on constate que
celui-ci est beaucoup plus complexe.

3.2.2 Caractéristiques
Exemples :

– circuit µA 741 (transistors à jonctions) : Re = 2M Ω ; Rs = 75Ω ; Av =⇒ 105

– circuit TL 087 (transistors FET à l’entrée) : Re = 106 M Ω ; Rs = 75Ω ; Av =⇒ 105

3.3 Le montage amplificateur de base à amplificateur opérationnel


3.3.1 Schéma de l’amplificateur inverseur
3.3.2 Mise en équations générales
3.3.3 Calcul simplifié
3.3.4 Intérêt de cette structure
Chapitre 4

Les filtres : courbes de réponse en


fréquence

4.1 Types fondamentaux de filtres parfaits


4.1.1 Passe-bas : filtre de bande passante [0; fH ]

|H|

0 fH f

4.1.2 Passe-haut : filtre de bande passante [fB ; +∞]

|H|

0 fB f

31
32 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

4.1.3 Passe-bande : filtre de bande passante [fB ; fH ]

|H|

0 fB fH f
4.2. RÉALISATIONS DE FILTRES PASSIFS SIMPLES : PASSE-BAS ; PASSE-HAUT ; PASSE-BANDE33

4.2 Réalisations de filtres passifs simples : passe-bas ; passe-


haut ; passe-bande
34 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

4.3 Exemples d’application du filtrage


4.3.1 Les signaux à filtrer
Le filtrage est appliqué aux signaux suivants :

dont l’analyse de Fourier fournie les spectres suivants :


4.3. EXEMPLES D’APPLICATION DU FILTRAGE 35

4.3.2 Filtres passe-bas du premier ordre


Allure des signaux en fonction de la position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe
de Bode du filtre (très inférieure, de l’ordre ou très supérieure à fH ) :
36 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

Interprétation par l’analyse de Fourier : allure des spectres des signaux en fonction de la
position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe de Bode du filtre (très inférieure, de
l’ordre ou très supérieure à fH ) :
4.3. EXEMPLES D’APPLICATION DU FILTRAGE 37

4.3.3 Filtres passe-haut du premier ordre


Allure des signaux en fonction de la position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe
de Bode du filtre (très inférieure, de l’ordre ou très supérieure à fB ) :
38 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

Interprétation par l’analyse de Fourier : allure des spectres des signaux en fonction de la
position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe de Bode du filtre (très inférieure, de
l’ordre ou très supérieure à fB ) :
4.3. EXEMPLES D’APPLICATION DU FILTRAGE 39

4.3.4 Filtres passe-bande


Filtre passe-bande avec Q = 0, 1
Allure des signaux en fonction de la position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe
de Bode du filtre (très inférieure, à l’intérieur ou très supérieure à la bande passante) :
40 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

Interprétation par l’analyse de Fourier : allure des spectres des signaux en fonction de la
position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe de Bode du filtre (très inférieure, à
l’intérieur ou très supérieure à la bande passante) :
4.3. EXEMPLES D’APPLICATION DU FILTRAGE 41

Filtre passe-bande avec Q = 10


Allure des signaux en fonction de la position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe
de Bode du filtre (très inférieure, à l’intérieur ou très supérieure à la bande passante) :
42 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

Interprétation par l’analyse de Fourier : allure des spectres des signaux en fonction de la
position de la fréquence du signal d’entrée dans la courbe de Bode du filtre (très inférieure, à
l’intérieur ou très supérieure à la bande passante) :
4.4. FONCTIONS DE TRANSFERT NORMALISÉES 43

4.4 Fonctions de transfert normalisées


4.4.1 Fonctions de transfert du premier ordre
Filtre passe-bas

1
H(jω) =
(1 + j ωωC )

Filtre passe-haut

j ωωC
H(jω) =
(1 + j ωωC )

4.4.2 Fonctions de transfert du second ordre


Filtre passe-bas

1
H(jω) =
(1 + 2jm ωωC + (j ωωC )2 )

Filtre passe-haut

(j ωωC )2
H(jω) =
(1 + 2jm ωωC + (j ωωC )2 )

Filtre passe-bande

2jm ωωC
H(jω) =
(1 + 2jm ωωC + (j ωωC )2 )
44 CHAPITRE 4. LES FILTRES : COURBES DE RÉPONSE EN FRÉQUENCE

4.5 Réalisations de filtres actifs (avec amplificateurs opérationnels)


4.5.1 Fonctions de transfert du premier ordre
Filtre passe-bas

R

ve + vs

Déterminer la fonction de transfert de ce filtre.

Filtre passe-haut

C
R

ve + vs

Déterminer la fonction de transfert de ce filtre.


4.5. RÉALISATIONS DE FILTRES ACTIFS (AVEC AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS)45

4.5.2 Fonctions de transfert du second ordre : exemple des filtres à variables


d’état
A partir du schéma suivant :
R/c

R
C
C
R
− aR
− R
−ve + vs3 −
+ vs2
+ vs1

bR

R

Montrer que selon les sorties du filtre choisies, vs1 (t), vs2 (t) ou vs3 (t), on obtient un filtre
actif du second ordre de type passe-bas, passe-bande ou passe-haut.
Chapitre 5

La contre réaction

5.1 Introduction
Dans de nombreux montages, on réinjecte volontairement (ou involontairement) une fraction
de la sortie sur l’entrée. On réalise alors une contre-réaction ou feed-back ou régulation.
Ce procédé est très général, on l’étudiera d’abord en électronique (contre-réaction) puis en
automatique (régulation).
La contre-réaction a des effets bénéfiques (amélioration des performances) mais aussi néfastes
(instabilité des montages amplificateurs, effet Larsen) que l’on met à profit dans les oscillateurs
sinusoı̈daux.

5.2 Définitions
5.2.1 Symbolisme
On représente symboliquement les montages à contre-réaction par des schémas unifilaires
comprenant une chaı̂ne directe, une chaı̂ne de retour et un comparateur :
e ǫ s
G0
+

β
βs

– chaı̂ne directe (en général active) :

ǫ s
G0

– chaı̂ne de retour (en général passive) :

βs s
β

– comparateur (en général non explicite) :


47
48 CHAPITRE 5. LA CONTRE RÉACTION
e ǫ = e − βs
+

βs

5.2.2 Amplification en boucle fermée


Cas général :
e ǫ s
G0
+

β
βs

G0
s = G0 ǫ et ǫ = e − βs donc s = 1+βG0 e

G0
On définit l’amplification en boucle fermée par s = Ge et donc G = 1+βG0

e s
G
5.2. DÉFINITIONS 49

5.2.3 Exemple de dispositif à contre-réaction


Amplificateur non-inverseur :
R2 i

R1

+ vs
ve

ve = R1 i et vs = R2 i + ve donc vs = ( R2R+R
1
1
)ve (avec par exemple R1 = 1kΩ et R2 = 9kΩ)

Il s’agit d’un dispositif à contre-réaction si l’on tient compte des imperfections de l’amplifi-
cateur opérationnel (entre autre la tension ) :
R2 i
βǫ
R1

ǫ
+ vs
ve

– chaı̂ne directe :


ǫ
+ vs = Aǫ

A : gain de l’amplificateur opérationnel (A ∼


= 105 )
50 CHAPITRE 5. LA CONTRE RÉACTION

– chaı̂ne de retour :
R2 i
βǫ
R1
vs

R2 +R1 R1
βvs = R 1 vs et β = R1 +R2
– comparateur : ǫ = ve − βvs
G0 R1
On détermine G = vves = 1+βG 0
avec G0 = A et β = R1 +R2 , ce qui donne :

A
G= AR1
1+ R1 +R2

En tenant compte de A ∼
= 105 , retrouvez le résultat G = R1 +R2
R1 =1+ R1
R2 .

5.3 Propriétés de la contre-réaction


5.3.1 Influence sur le gain
Boucle ouverte
En général, la caractéristique entrée-sortie d’un amplificateur est non linéaire ; le gain en
boucle ouverte G0 de cet amplificateur varie selon le point de fonctionnement de l’amplificateur :
s

Le gain G0 peut varier pour d’autres raisons : la température (sensibilité des circuits intégrés
à la température), le changement de composants (le gain β d’un transistor peut varier d’un
transistor à un autre).

Boucle fermée
Le gain en boucle ouverte d’un amplificateur étant G0 , le gain de ce même amplificateur
G0
contre-réactionné par une chaı̂ne de retour de gain β est G = 1+G 0
. Le gain G est donc fonction
de G0 , c’est à dire que G0 = f (G0 ). Par le calcul, la variation de G en fonction de celle de G0
donne :
dG (1+βG0 )−βG0 G0 1 dG0
dG0 = (1+βG0 )2
et dG = (1+βG0 ) (1+βG0 ) G0 soit

dG 1 dG0
=
G 1 + βG0 G0
5.3. PROPRIÉTÉS DE LA CONTRE-RÉACTION 51

Les variations relatives de G0 sont divisées par le facteur F = 1 + βG0 appelé facteur de
contre-réaction ou facteur de régulation. Plus F est élevé et plus G est indépendant des varia-
tions de G0 , on a donc intérêt à utiliser F = 1 + βG0 >> 1 !

C’est effectivement ce qui se passe pour les montages à amplificateur opérationnel (F −→ ∞


car G0 = A −→ ∞). Grâce à la contre-réaction :

– l’amplification devient indépendante de la température


– la caractéristique entrée-sortie est linéarisée
– on peut changer de composant sans problème.

5.3.2 Réduction du bruit et des perturbations


La perturbation qui affecte la chaı̂ne directe (bruit électronique des composants, fluctuation
de la tension d’alimentation, etc.) est représentée par la lettre d sur le schéma suivant :
d

e ǫ + s
G0
+ +

β
βs

G0 1
s = G0 ǫ + d et ǫ = e − βs donc s = 1+βG0 e + 1+βG0 d

La perturbation est divisée par le facteur de régulation F = 1 + βG0 . Pour réduire fortement
les perturbations, on a donc encore intérêt à utiliser F = 1 + βG0 >> 1 !

5.3.3 Elargissement de la bande passante


Considérons un amplificateur de gain G0 et de bande passante ω0 , par exemple un filtre
passe-bas du 1er ordre
|GO dB|
G0 dB

ω0 ω

G0
avec comme gain complexe G0 = jω alors
1+ ω
0
G0
jω G0
S G0 1+ ω 1+βG0
G= E = 1+βG0 = 0
βG0 = ω
1+j ω (1+βG
1+ jω 0 0)
1+ ω
0
soit :
G G0
G= 1+j ωω avec G = 1+βG0 et ωC = ω0 (1 + βG0 )
C
52 CHAPITRE 5. LA CONTRE RÉACTION

La bande passante en boucle ouverte (ω0 ) a été multipliée par le facteur de contre-réaction
F = 1 + βG0 : elle a donc été élargie !

5.4 Stabilité des dispositifs à contre-réaction


En pratique, l’amplificateur de gain complexe G0 introduit des déphasages, c’est donc un
filtre représenté par une transmittance complexe G0 . De même, la chaı̂ne de retour est un filtre
β:
E ǫ S
G0
+

β
R

Supposons le système initialement au repos : S = 0 et R = 0. A t = 0 et pendant une durée


∆t très courte, on applique sur l’entrée un bruit électrique qui peut être représenté par une
tension sinusoı̈dale E = Eejωt (ou e(t) = Esin(ωt)) ; les conséquences sont :

– comme initialement S = 0, au moment de l’application du bruit, on a ǫ = E !

– après le bruit (E = 0 ) : R = βG0 et ǫ = E − R = −R


Pour que l’oscillation soit maintenue, il faut aussi que R = βG0 = −ǫ, il faut donc que
βG0 = −1. Cela n’est évidemment possible que pour une valeur particulière de ω, soit ωC telle
que :
β(jωC )G0 (jωC ) = −1 = 1ejπ

Il apparaı̂t donc une oscillation entretenue (instabilité) si :



βG0 ωC = 1 et

arg βG0 ωC = π

Conclusion :
– si G0 est un amplificateur passe-bas du 1er ordre et β réel, le dispositif est toujours stable
(la phase ne dépasse pas π2 ),
– même chose si G0 est un amplificateur passe-bas du 2ème ordre et β réel (la phase ne
dépasse pas π),
– par contre, si G = (1+j ω )(1+jG ω )(1+j ω ) et β réel, alors le dispositif devient instable pour
ω1 ω2 ω3

une valeur du produit βG0 (car la phase a pour limite 3π 2 ; cela se produit lorsque l’on
réalise une contre-réaction sur un dispositif à trois amplificateurs).

5.5 Les oscillateurs sinusoı̈daux


Dans les montages réalisant des oscillateurs sinusoı̈daux, on met à profit la propriété précédente
pour générer des oscillations sinusoı̈dales.
5.5. LES OSCILLATEURS SINUSOÏDAUX 53
R2

R1

+
vs
R

r
R C

5.5.1 Oscillateur à Pont de Wien


5.5.2 Analyse du dispositif
Chaı̂ne directe

R2

R1

+ vs
r

R2
On sait que vs = (1 + R1 )r = Ar

Chaı̂ne de retour

vs C

R C r

R = βVS
54 CHAPITRE 5. LA CONTRE RÉACTION

On remarque que l’on réinjecte directement r sans déphasage de π (ou de signe -1), donc le
montage est équivalent à :
VE = 0 ǫ VS
G0
+

β
R

−1 G0
R VS
β

R2 R2
donc 1 + R1 = −G0 et G0 = −(1 + R1 ) = −A

Condition d’oscillation
Dans le cas général βG0 = −1, mais ici G0 = −A donc βA = 1

5.5.3 Etude de la chaı̂ne de retour


R
On détermine l’expression de β = VS :

R 1 1 1
β= VS = 1
3+j(RCω− RCω )
= ω
3+j( ωω − ω0 )
et ω0 = RC
0

5.5.4 Condition d’oscillation


R
R2 1+ R2
On a montré que β A = 1 avec A = 1 + R1 , on obtient 3+j( ωω −
1
ω0
)
= 1ej 0 ce qui permet
0 ω
d’établir les deux conditions d’oscillation :

ω0
– en phase : arg βA = −arctan( ωω0 −

ω ) = 0 donc ωosc = ω0
R
1+ R2
– en module : 3
1
= 1 donc R2 = 2R1

5.5.5 Conclusion
1
Ce dispositif permet de générer une sinusoı̈de de pulsation ωosc = RC pour c’est à dire pour
R2 = 2R1 .

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