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Facultés Des Sciences Département de Physique

Laboratoire de Physique des Couches Minces et Matériaux pour l'Électronique


(LPCMME)

Thèse
Présentée pour obtenir le grade de
Docteur Es Sciences

Spécialité : physique Option: Physique des Matériaux

Par: El-assed Zemallach Ouarri Kada


Intitulé :

Simulation et Modélisation des Caractéristiques


électrique C(V) et I(V) d’une Jonction p-n :
Application à la cellule solaire organique à base
de ITO/MoO3/CuPc/C60/Alq3/MoO3/Al/Se
Soutenue le 07/06/ 2015 devant le jury composé de :

Président A. Khelil Professeur Université d’Oran


Rapporteur K. Benchouk Professeur Université d’Oran
Examinateur D. Boukredimi MCA Université d’Oran
Examinateur J. C. Bernède IR-DE Université de Nantes
Examinateur A. Drici Professeur Université de Annaba
Examinateur R. Khenata Professeur Université de Mascara
REMERCIEMENTS
Ce travail présenté dans ce mémoire a été effectué au sein du laboratoire des couches
minces LPCM2E de la Faculté des Sciences de l’Université d’Oran 1,en collaboration avec
le laboratoire des matériaux Photovoltaïques (LAMP) de la faculté des Sciences et des
techniques de Nantes France.

Je remercie monsieur A. Khelil, Professeur à la Faculté des Sciences exactes et


appliquées de l’Université d’Oran 1, pour m’avoir accepté dans son laboratoire, pour sa
disponibilité et son encouragement pour que ce travail soit mené à bien, et je tiens à le
remercier aussi d’avoir accepté de présider le jury d’examen.

J’exprime ma profonde gratitude à monsieur K. Benchouk professeur à la faculté des


sciences exactes et appliquées de l’Université d’Oran 1, qui m’a offert l’occasion de travailler
sur ce thème et dirigé mon travail. Je tiens aussi à le remercier pour l’aide et les conseils qu’il
n’a cessé de m’apporter au cours de ma formation, malgré ces lourdes taches pédagogiques.

J’exprime mes remerciements à monsieur J. C. Bernede, Directeur de recherche à


l’Université de Nantes, pour m’avoir accueilli dans son laboratoire, durant mes stages. Je tiens
aussi à lui exprimer ma sincère reconnaissance pour son aide et son soutien, sa disponibilité et
surtout ses qualités scientifiques, pédagogiques et Humaines.

J’adresse mes sincères remerciements à Monsieur D. Boukredimi Maitre de


conférence A à la faculté des sciences exactes et appliquées de l’Université d’Oran 1, pour
m’avoir initié au logiciel de calcul, d’avoir accepté de juger ce travail et de participer au jury
d’examen.

Mes remerciements vont aussi à Monsieur le professeur A. Drici, professeur à


l’Université Badji Mokhtar de Annaba, pour l’honneur qu’il ma fait en acceptant de juger ce
travail et de participer au jury.

Je remercie aussi Monsieur R. Khenata, Professeur à l’Université Mustapha


Stambouli de Mascara, pour avoir accepté de juger ce travail et de faire partie du jury.

J’associe à ces remerciements tous les membres du laboratoire des couches minces
(LPCMME) pour leur soutiens et encouragements. Mes sincères remerciements vont aussi à
Mr B. kouskoussa, Mme L. Barkat, Y. Mouchaal, A. Mohammed Krarroubi, A. Lakhdar
Toumi, D. Mohra

Je ne saurais terminer sans remercier du font du cœur, mes sœurs, ma femme, mes
deux enfants et ma belle famille qui m’ont toujours soutenu et apporté l’équilibre nécessaire
dans ma vie. J’exprime spécialement ma profonde gratitude à mes chers parents pour leur
soutien que les mots ne sauraient exprimer.

Je voudrais remercier tous mes amis sahraoui, Ameur, Houidech Boubaker, sedjrari
Mohammed, Belkacem Abdelghani, Benariba AEK, Tati Sadek, Karrour karima, Makha,
fouad Zouhair, Mehdi, hawti et tout ce qui ont participé de prés ou de loin à la réalisation de
ce travail
La liste est longue… Merci à tous…
INTRODUCTION GENERALE 1
CHAPITRE I : Les cellules photovoltaïques et les Matériaux Organique

I-1 Introduction 3

I-2 L’énergie solaire 3

I-3 La conversion photovoltaïque 4

I-4 Contact ohmique d’une jonction Métal / Semiconducteur 5

I-4-1 Contact ohmique 5

I-4-2 Jonction p-n 7

I-5 semi-conducteurs Organique 7


I-5-1 Donneur-Accepteur 8
I-5-2 Diagramme d’énergie 9
I-5-3 Niveaux d’énergie HOMO et LUMO et délocalisation 10
I-5-4 Structure de bande 11
I-6 Processus de la conversion photovoltaïque 12

I-7 Circuit électrique équivalent 13

I-8 Grandeurs caractéristiques des cellules solaires organiques 16

I-8-1 Courant de court-circuit Jsc 16

I-8-2 Tension de circuit ouvert Voc 17

I-8-3 Facteur de forme FF 18

I-8-4 Rendement des cellules 18

I-9 Conclusion 19

I-10 Bibliographies 20

CHAPITRE II : modélisation de la caractéristique électrique capacité -tension de


l’homojonction et hétérojonction p-n

II-1 Introduction 23

II-2 Caractéristique électrique d’une homojonction p-n a l’équilibre 23


II-2-1 Champ électrique 23

II-2-2 Potentiel électrique 26

II-2-3 Epaisseur de zone de déplétion et la capacité de transition 28

II-2-3-a Epaisseur de zone de déplétion 28

II-2-3-b Variation de la capacité de transition 29

II-3 Caractéristique électrique d’une hétérojonction p-n a l’équilibre 31

II-3-1 Champ électrique 31

II-3-2 Potentiel électrique 32

II-3-3 Epaisseur de zone de déplétion et capacité de transition 33

II-3-2-a Epaisseur de zone de déplétion 33

II-3-2-b capacité de transition 34

II-4 Caractéristique électrique d’une hétérojonction isotype à l’équilibre 35

II-4-1 Champ électrique 35

II-4-2 Potentiel électrique 37

II-4-3 Epaisseur de zone de déplétion et capacité de transition 38

II-5 Distribution Réelle 39

II-5-1 Source infini 40

II-5-2 a partir d’une couche limitée 40

II-6 Homojonction 41

II-6-1 Profil de Dopage Gaussienne-Constant 41

II-6-1-a Jonction Métallurgique 41

II-6-1-b Champ Electrique et Barrière de potentiel 41

II-6-1-c Extension des Zone de Charge d’Espace 42


II-6-1-d Modélisation des Extensions 44

II-6-2 Profil Erf 45

II-6-2-a Position de la Jonction 45

II-6-2-b Champ Electrique 47

II-6-2-c Hauteur de Barrière 47

II-6-2-d Modélisation des Extension de charge d’espace 48

II-7 Hétérojonction 49

II-7-1 Profil Gaussienne-Gaussienne 49

II-7-2 Modélisation 50

II-8 Mécanismes de transport dans une structure à jonction p-n 51

II-8-1 Mécanisme de diffusion 51

II-8-2 Mécanismes de génération recombinaison 54

II-8-2-a Mécanisme de recombinaison 54

II-8-2-b Mécanisme de génération 55

II-8-3 Effet tunnel bande à bande 55

II-8-4 Effet tunnel assisté par centres pièges 56

II-9 Conclusion 57

II-10 bibliographies 58

CHAPITRE III : techniques expérimentales de dépôt et présentation des matériaux


utilisent
III -1 Introduction 61

III-2 Réalisation des couches minces 61

III-2-1 Préparation des substrats 61

III-2-1-a Gravure des oxydes transparents conducteurs 61


III-2-1-b nettoyage des substrats 62

III-3 Réalisation d’un dépôt par sublimation 62

III-4 Dispositifs pour l’obtention du vide 62

III-5 Mesure d’épaisseur 66

III-6 Dépôt des Matériaux d’une cellule organique 67

III-6-1 Obtention des films organiques 67

III-6-2 Evaporation des contacts métalliques 68

III-6-3 Dépôt d’aluminium 68

III-6-4. Dépôt du sélénium (encapsulation) 68

III-7 Mesures courant-tension (I-V) 69

III-8 Présentation des matériaux utilisés 71

III-8-1 L’oxyde transparent conducteur 72

III-8-2 Etude des couches minces de Fullerène C 60 72

III-8-3 Couches minces de Phtalocyanine de cuivre CuPc 74

III-8-4 Le tris(8-hydroxyquinoline) aluminium (AlQ 3 ) 76

III-8-5 Le trioxyde de molybdène MoO3 77

III-9 Conclusion 79

III-10 Bibliographies 80

CHAPITRE IV : L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellules
Solaire et Modélisation de ces Courants

IV-1 Introduction 82

IV -2 Elaboration d’une cellule solaire 83


IV-3 Le modèle de Schokley pour la caractéristique courant- tension d’une diode
à jonction p-n 84

IV-3-1 Caractéristique courant tension d’une diode idéale 85

IV-3-2 Caractéristique courant- tension d’une diode réelle 85

IV-3-3 Paramètre d’une diode à jonction p-n 87

IV-3-3-a Le Courant de saturation I s 87

VI-3-3-b Le facteur d’idéalité n 88

IV-3-3-c La résistance série R s 88

IV-3-3-d La résistance de fuites R sh 88

IV-4 Méthodes Analytique d’extraire des paramètres électriques 89

IV-4-1 La méthode classique 89


IV-4-2 La méthode de Norde 91

IV-4-3 ¶La méthode de Werner 93

IV-4-4 La méthode de Ranuarez 97


IV-5 Résultats de l’expérience 98

IV-6 Théorie et discussion 102

IV-7 Conclusion 109

IV-8 bibliographies 110


CONCLUSION GENERALE 114
Introduction générale .

Introduction générale
Depuis de nombreuses années l’Humanité fait face à une demande croissante en énergie.
Cette croissance, qui n’est que la conséquence directe de la croissance démographique mondiale
et le développement progressif de nombreuses économies dans les pays en voie de
développement. Cette demande ainsi élevée de l’énergie entraîne une raréfaction des ressources
naturelles . Une très grande partie de ces ressources sont aujourd’hui fossiles : pétrole, charbon,
gaz naturel. Bien que ces ressources soient diversifiées et très abondantes, elles ne sont pas
inépuisables. Mais la sureté énergétique à long terme des pays du monde est menacée vue le
mode d’utilisation de ces énergies fossiles. Cette consommation génère des quantités
considérables de dioxyde de carbone, gaz en parti responsable de l’effet de serre.
Face à cette consommation, et pour répondre à ces besoins énergétiques, le rythme de
mise en place de nouvelles politiques de consommation et de production de l’énergie s’accélère.
Dans ce sens, plusieurs moyens de production d’énergie souvent qualifiés comme propres,
puisque la génération de gaz à effet de serre est réduite, sont mis en œuvre. Ces productions sont
issues des énergies renouvelables dont les ressources sont inépuisables par nature. L’énergie
photovoltaïque est le résultat d’une technologie consacré à l’utilisation du soleil comme source
d’énergie. Cette énergie est produite par la transformation directe des rayonnements lumineux en
électricité grâce à l’effet photovoltaïque.
Nous avons été amenés à proposer un modèle électrique, circuit équivalents à deux
diodes, qui nous a permis de modéliser nos cellules solaires, et étudier l’effet de l’environnement
sur l’évolution des ces paramètres.

Comme la plupart des chercheurs qui utilisent la simulation numérique pour résoudre
certains problèmes d’ordre mathématiques. L’utilisation de logiciel et codes de calculs permet
d’obtenir des résultats plus ou moins corrects, mais n’accède pas aux lois d’évolution des
grandeurs physiques déterminées. La modélisation est la seule à être capable de prédire ces lois.
Le travail que nous avons effectué se présente dans quatre chapitres.

Le premier chapitre décrit l’état de l’art sur les énergies renouvelables et les cellules
photovoltaïques organiques. Nous abordons les différentes bases, matériaux, architectures, en

1
Introduction générale .

particulier notre choix des cellules à hétérojonction multicouches. Nous passons enfin en revue
les paramètres critiques contribuant aux performances d’une cellule.
Le second chapitre est consacré à une modélisation de capacité d’une homojonction avec
des distributions gaussiennes et Erf des charges. Nous avons utilisé ces résultats pour modéliser
la capacité de l’hétérojonction des mêmes distributions de charges.
Dans le troisième chapitre nous présentons techniques utilisées, que ce soit pour la
réalisation des cellules, leur caractérisation I-V (densité de courant-tension). Nous allons
présenter les principes de ces appareillages utilisés. Par suite nous définissons les matériaux
organiques et inorganiques utilisés dans le dépôt des cellules solaires étudiées.
Le quatrième chapitre sera consacré à la modélisation des courants électriques et nous
donnons une brève définition des techniques d’extraction des paramètres électriques cités en
littérature. Nous décrivons le dépôt par sublimation des différentes matériaux utilisés pour nos
cellules solaires et notamment l’utilité du MoO 3 dans le CBL comme une couche protectrice de
la couche actif de nos cellules. Nous discutons les résultats de la caractérisation I-V et les
rendements de nos cellules solaires

2
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

I-1 Introduction
Notre planète est aujourd’hui dans une face de changement climatique qui risque
d’influencer la qualité de notre vie. L’utilisation d’énergies propres et renouvelables semble
maintenant indispensable afin de remplacer nos anciens modes de production d’énergie et
ainsi éviter un réchauffement significatif de la terre dû à la pollution de son atmosphère.
L’énergie photovoltaïque existe depuis de nombreuses années et ce mode de production
d’énergie se compose de différentes technologies présentant chacune des propriétés distinctes
en fonction des matériaux utilisés.

Ce travail s’intéresse à une nouvelle alternative de production d’énergie solaire qui


consiste à utiliser des matériaux organiques dont le but principal est de sensiblement diminuer
le coût de production et donc d’atteindre un niveau compétitif avec les autres sources
d’énergie que nous utilisons.

I-2 L’énergie solaire


La lumière solaire ou lumière tout cours est transporté par des particules appelées
photons qui peuvent être décrits par l’énergie E. Ces photons peuvent être différenciés par
leur énergie, leur fréquence. Pour évaluer cette énergie de photon nous associons la fréquence
des photons ν à la constante de Planck h ce qui donne l’équation suivante [1]
hc
E =ν h = (I-1)
λ

h constante de Planck h = 6,6 × 10–34 J · s,

c vitesse de la lumière dans le vide 3 × 108 m/s,

λ longueur d'onde.

En traversant l’atmosphère, l’énergie solaire est fortement absorbée par les différentes
particules qui constituent les différentes couches atmosphériques. Afin de quantifier cette
énergie il faut donc tenir compte du concept de masse d’air (AMx) et évaluer cette perte
d’énergie avec la formule donnée par l’équation I-2.
AM = (sin θ )
−1
(I-2)

3
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

L’angle θ est la valeur de l’angle incident du rayonnement solaire sur la terre. Par
définition, AM0 correspond aux conditions hors atmosphère, les caractéristiques des
dispositifs photovoltaïques sont évaluées sous AM 1,5 ce qui correspond à un angle incidence
proche de 48° et une intensité lumineuse globale de 100 mW/cm2 (figure I-1) avec une
température de la cellule de 25°. Au sol, le rayonnement solaire a au moins deux
composantes : une composante directe et une composant diffuse (rayonnement incident
diffusé ou réfléchi par un obstacle : nuages, sol) formant le rayonnement solaire global sous
AM1.5 [2]. Une exposition plein sud représente quand à elle une puissance générée aux
alentours de 1,4 MWh/m2/an.

Figure I-1 L’incidence du rayonnement solaire sur la Terre

I-3 La conversion photovoltaïque


Dans la nature, il existe trois familles de matériaux et qui sont les métaux, les isolants
et les semiconducteurs. Leur interaction avec le rayonnement électromagnétique varie d’une
famille à une autre. De manière général, Quand un électron entre en interaction avec un
photon, il lui transfère son énergie seulement s'il existe un niveau d’énergie final de l'électron
qui soit autorisé et libre.

4
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Dans un métal, tous les niveaux au dessus du niveau de Fermi sont libres mais
l'électron excité revient à son état initial en transformant l'énergie en chaleur. Il n'est pas
possible de convertir l'énergie reçue par l’électron autrement qu’en l’énergie thermique.
Dans un matériau isolant, un photon interagit avec un électron seulement s'il peut lui
donner une énergie supérieure au bande interdite Eg du matériau, pour arriver aux premiers
états libres il lui faut au minimum 5 eV (soit une longueur d'onde inférieure à 250 nm). Le
rayonnement solaire ne peut donc pas être absorbé par ce type de matériaux.
Enfin, pour un semiconducteur, la largeur de bande interdite Eg est entre de 0.5 à 2
eV, un photon d'énergie adéquate pourra projeter un électron de la bande de valence (BV)
vers la bande de conduction (BC).
Cette transition électronique génère deux types de porteurs, les électrons de
conduction et des trous (ou lacunes électroniques) dans la bande de valence (BV). Ces paires
électrons-trous d'énergie Eg pourront générer un courant avant leur recombinaison. L’un des
paramètre essentiel dans le choix d'un semiconducteur (SC) inorganique pour un système de
conversion photovoltaïque est donc la largeur de la bande interdite Eg. En 1956 la courbe
théorique du rendement en fonction de la largeur de la bande interdite est donnée par Loferski
[3]. Selon le matériau, on réalise une homojonction, c'est-à-dire une jonction p-n d'un même
semiconducteur (Silicium, ou Germanium) à caractère p (porteurs majoritaires des trous) ou n
(porteurs majoritaires d'électrons), ou une hétérojonction à partir de deux éléments voir trois
(alliage de binaire ou ternaire…etc) [4].
Nous allons donner quelque rappels sur les cellules photovoltaiques et leurs
fonctionnement qui est basé essentiellement sur la jonction p-n et la jonction métal /
semiconducteur qui sont appliquée au semiconducteurs inorganique, ces même principes sont
appliqués aussi au semiconducteur organique malgré leurs différences [5, 6].

I-4 Contact ohmique d’une jonction Métal / Semiconducteur

I-4-1 Contact ohmique

Pour polariser une jonction p-n, des contacts métalliques (matériau conducteur) sont
nécessaires. Nous allons voir ici le contact entre un semiconducteur et un métal pour faire des
mesures de caractérisation. Le travail de sortie du métal eφ m est l’énergie nécessaire pour
qu’un électron passe de la bande permise du métal au niveau du vide ; il est lié à la position

5
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

du niveau de Fermi du métal E f,m par équation suivante, si on prend le niveau du vide à la
position 0
eφm = E vide – E f,m
Pour un SC, le travail de sortie, eφ sc , est défini par
eφsc = E vide – E f,sc
où E f,sc est le niveau de Fermi du SC.
Le contact Métal / Semi-conducteur est ohmique par définition si sa résistance est
négligeable devant celle du semi-conducteur [7].
Un semi conducteur de type p peut former un contact ohmique avec un métal lorsque
le travail de sortie du SC (eφ SC ) est inférieur au travail de sortie du métal (eφ m ). Après la mise
en contact, les électrons diffusent de la BV du SC vers le métal jusqu’à égalisation des deux
niveaux de Fermi des deux matériaux. Il y a accumulation des trous du le coté du SC qui sont
porteurs majoritaires à l’interface avec le métal. Le SC se charge positivement et le métal se
charge négativement. Comme les charges stockées sont mobiles, la zone d’accumulation dans
le SC a une faible épaisseur (w). Il n’existe presque pas de barrière de potentiel entre les deux
matériaux.
La mise en contact d’un métal avec un SC de type n, pour que ce contact soit
ohmique, il faut que le travail de sortie du SC eΦsc soit supérieur au travail de sortie eΦm du
métal. Il n’y a pas de formation de zone de charges d’espace, les électrons diffusent du métal
vers le SC pour équilibrer les niveaux de Fermi. Cette diffusion des électrons crée une zone
d’accumulation qui est formée dans le SC, près de l’interface. Aucune barrière d’énergie ne
s’élève contre le courant [8].
a) b)

Figure I-2 Contact Métal-Semiconducteur a)type n, b) type p

6
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

I-4-1 Jonction p-n


Par définition la diode à jonction p-n, est un dispositif qui comporte un seul semi-
conducteurs de porteurs de charge différents, la mise en contact de ces deux semi-conducteurs
de dopage p et l’autre de type n, permet de créer un champ électrique dans la structure. En
effet, la mise en contact des ces semi-conducteurs entraîne la diffusion des porteurs
majoritaires des deux matériaux à travers la région d’interface jusqu’à égalisation des niveaux
de Fermi. La diffusion des porteurs engendre la création d’une zone de charge d’espace des
porteurs majoritaires de chaque côté de l’interface, appelée zone de dépeuplement de largeur
W, suivie par une courbure effective des bandes de conduction (Ec) et de valence (Ev). A
l’équilibre les contributions des potentiels des deux côtés de la jonction sont égales. Le
potentiel de diffusion eV bi est alors égal à la différence des travaux de sortie des deux
semiconducteurs. Ce contact entre un semi-conducteur de type -p et un semi -conducteur de
type-n et de structure chimique différente est appelé hétérojonction p-n, se produit alors une
discontinuité des bandes de conduction et de valence à l’interface.

Figure I-3 : Schéma énergétique d’ une jonction p-n à l’ équilibre.

I-5 Les Semi-conducteurs organiques

Après la publication des travaux de A .J. Heeger, A.G. MacDiarmid et H. Shirakawa


en 1977, les systèmes conjugués ont été l'objet de recherches intensives. Les chercheurs ont
montré qu'il était possible de doper ces systèmes et par suite d’augmenter leur conductivité
électrique de plusieurs ordres de grandeurs à voir de 10-5 à 103 S.cm-1. Le premier matériau
qui a été étudié c’est le polyacétylène (PA), en suite d'autres systèmes conjugués ont été
étudiés comme les polyparaphénylènes (PPP), les polypyrroles (PPy), les polythiophènes (PT)
…etc. La démonstration en 1990 des propriétés électroluminescentes d’un matériau

7
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

organique, le PPV par R.H. Friend [9], a été une date important pour la recherche sur les
systèmes conjugués linéaires (SCL).
Le caractère conducteur ou semi-conducteur d’un matériau organique est dû à
la présence d’un système conjugué, c’est à dire à l’alternance de liaisons simples (σ) et
liaisons doubles (σ+π) entre atomes de carbone le long de la chaîne [01]. La propriété liée à
cette conjugaison est que les électrons π sont beaucoup plus mobiles que les électrons σ. Donc
les électrons de la bande π se déplacer par sauts d’un site à un autre. Il sont (électrons π)
responsables de l’absorption (cellule photovoltaïques) au de l’émission de la lumière (diodes
organiques électroluminescentes OLEDs) dans les matériaux organiques conjugués. [11]

I-5-1 Donneur – Accepteur

Les semi-conducteurs organiques ne sont pas toujours dopés, ce qui fait que la
détermination de nature du matériau donneur et matériau accepteur est dû au paramètre dite
électronégativité de ce dernier. Plus celui-ci est électronégatif, plus son caractère accepteur est
affirmé car il a plus de pouvoir d’accepter les électrons.
En utilisont l’analogie avec les matériaux inorganique, le matériau organique
accepteur, qui contient plus d’électrons dans son orbitale LUMO (BC pour un matériau
inorganique) Figure I-4, est dit de type n et pour un matériau qui contient plus de trous dans
son orbital HOMO (BV pour un matériau inorganique) c’est un donneur de trous.

Figure I-4 Semi-conducteur organique : donneur d’électron (ED), accepteur d’électron (EA).

8
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Si deux matériaux de type opposés sont mis en contact pour former une
hétérojonction, le transfert des charges ne se produit pas spontanément, à cause de cela l’un
des deux matériaux doit être excité par un photon. Le transport des charges est indépendante
du type du semi-conducteur, mais elle est due au recouvrement des orbitales entre les
molécules.

π
Les orbitales moléculaires -π* correspondent respectivement
à l’orbitale
moléculaire occupée de plus haute énergie HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) et
π* l’orbital de plus basse énergie non occupée LUMO (Lowest Unoccupied Molecular
Orbital).

I-5-2 Diagramme d'énergie

La différence majeure entre les semi-conducteurs organiques et inorganiques réside


dans la structure atomique des deux types de matériaux. Dans un système de matériau
inorganique, les noyaux atomiques sont disposés de t’elle manière à avoir un réseau
géométrique régulier. Cette périodicité géométrique et avec l’application de la théorie du
groupe sur un électron soumis a des contraintes du réseau, a permis au Bloch d’établir sa
théorie. Il a montre que l'énergie des électrons doit satisfaire des conditions pour définir des
ensembles différents de valeurs autorisées et de valeurs interdites, ces ensembles sont appelés
« bandes » ; les valeurs interdite c’est le gap, les bandes de valence et de conduction
correspondent aux valeurs autorisés [12, 8].

Concernant les systèmes organiques de grande dimension et de plus par manque de


périodicité a grande échelle de la structure atomique, les modèles des systèmes présentent
précédemment ne sont pas applicables. Une autre modélisation été proposé sur des chaînes de
polyacétylène de longueurs infinies par certains auteurs [13]. Ce modèle a été appliqué sur les
composés carbone-hydrogène présentant une bonne régularité le long de la macromolécule.
Plus généralement, le comportement des électrons dans un atome est décrit par les fonctions
propres qui sont les solutions de l'équation de Schrödinger. Ces fonctions mathématiques
déterminent une probabilité de présence donnée d'un électron autour du noyau, sont appelées
« orbitales atomiques ». Seules les orbitales les plus éloignées du noyau de l'atome
participent à la liaison chimique.

9
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Par combinaison linéaire de ces orbitales atomiques, on définit les « orbitales


moléculaires » qui limitent les régions de l'espace dans lesquelles la probabilité d'occupation
des électrons est grande autour d'un système moléculaire [14].

Les électrons des couches périphériques des molécules organiques occupent l'Orbitale
Moléculaire Occupée la plus Haute énergie (HOMO), à température ambiante, l'énergie
thermique modifie la probabilité de présence des électrons et une partie d'entre eux occupent
l'Orbitale Moléculaire inoccupée la plus basse énergie (LUMO). Le niveau de Fermi est situé
entre les deux niveaux HOMO et LUMO ou la probabilité de présence est de 0,5. La position
de niveau de Fermi par rapport aux deux autres niveaux (LUMO et HOMO), indique la nature
du matériau (donneur ou accepteur). Dans un solide moléculaire, un apport d'énergie
suffisant, pour extraire des électrons de la molécule ; la mesure du nombre d'électrons émis en
fonction de la longueur d'onde du rayonnement incident permet de mesurer le seuil d'émission
et ainsi de déterminer la valeur du niveau de Fermi (E F ). Cette grandeur, appelée également
« Travail de sortie », est généralement exprimée par rapport à l'énergie du vide prise comme
référence égale à zéro.

Pour que l’électron puisse faire un saut du niveau HOMO au niveau LUMO, il doit
avoir une énergie suffisante apporté par le photon cette énergie est décrite par l’équation (I-1)
[15]. La différence entre le niveau du vide et le niveau HOMO appelé énergie d’ionisation
(Ei) et entre le vide et le niveau LUMO appelé affinité électronique.

I-5-3 Niveaux d’énergie HOMO et LUMO et délocalisation

Les liaisons liantes sont notées π et σ, et anti-liantes sont notées π* et σ*. La liaison
π nécessite une forte énergie d’extraction et correspond à l’orbitale HOMO alors que la
liaison anti-liante π* nécessite une basse énergie d’extraction et correspond à l’orbitale
LUMO. Le doublet d’électrons est placé dans l’orbitale moléculaire liante π car elle est de
plus basse énergie. Compte tenu du forte recouvrement axial dans le cas des orbitales σ et
σ*, l’écart énergétique est très important entre eux se qui ne correspond pas à des niveaux
d’énergie permettant la conduction. Le recouvrement latéral est moins bon, l’écart
d’énergie entre les orbitales π et π* est plus faible, de ce faite la bande interdite est réduite.
10
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Les matériaux possédant ce type de recouvrement sont classés comme matériaux


semiconducteurs [16]. Nous avons, ainsi, vu comment, les électrons de l’orbitales π
peuvent occuper dans une molécule différents niveaux d’énergie. De ce fait, il est possible
de mettre en évidence la notion de bandes d’énergie dans des solides organiques.

I-5-4 Structure de bandes

Si un matériau organique est formé de 2N atomes nous aurons N niveaux liants et


N niveaux anti liants. Les 2N électrons vont se loger dans les N orbitales π liantes. Ainsi,
les différents niveaux d’énergie des deux liaisons liantes et anti liantes (π et π*) de chaque
molécule qui constitue le matériau, forment des niveaux d’énergie propres à ce matériau.

Par ailleurs on peut considérer dans un matériau organique que chaque molécule est
séparée des molécules suivantes par un niveau d’énergie. Ainsi, le chevauchement des
niveaux d’énergie LUMO entre eux d’une part, et les niveaux d’énergie HOMO entre eux
d’autre part figure I-7, sur l’ensemble du squelette de la molécule laisse naître la notion de
bande. Tout se passe comme si les porteurs appartenaient à une bande d’énergie et non pas
à une seule orbitale moléculaire [10].

* LUMO
* *
LUMO

LUMO

HOMO

HOMO

Butadiène Octatétraène
Ethylène

Figure I-5 Diagramme des orbitales moléculaires π. Evolution du diagramme des bandes en fonction
de la longueur de la chaîne [16]

I-6 Processus de la conversion photovoltaïque


11
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Le processus de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque organique constituée de


deux couches organiques pris en sandwich entre deux électrodes se résume en 4 étapes. Ces
étapes sont schématisées sur la figure I.8 [17]

Figure I-6 Schéma du fonctionnement général d’une cellule solaire organique

a) Absorption des photons et génération des excitons :

Les photons incidents sont absorbés par les matériaux de la couche active. Pour avoir
une efficacité maximum, il faut que le matériau actif ait un spectre d’absorption qui couvre au
mieux le spectre d’irradiation solaire. L’absorption de photons par le matériau provoque
l’excitation des molécules (le passage d’un électron de l’état fondamental à l’état excité).
Dans cet état excité, la molécule peut se désexciter de manière radiative ou non radiative. Si
tel n’est pas le cas, le photon absorbé donne lieu à un exciton, qui correspond à une paire
électron-trou [18].

b) Diffusion des excitons vers l’interface entre les deux matériaux organiques :

L’exciton créé diffuse dans le matériau. Pour pouvoir ensuite générer de l’électricité,
cet exciton va devoir se dissocier à une interface entre le matériau donneur et le matériau
accepteur [19]. La durée de vie d’un exciton est limitée et varie d’un matériau à l’autre. Sa
longueur de diffusion varie de 5 à 20 nm en fonction de la nature du matériau et de la
présence ou non de pièges dans le matériau [20].

12
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

c) dissociation de l’exciton :

La dissociation des excitons en charges libres nécessite un champ électrique fort. Un


tel champ peut être obtenu en appliquant une tension externe ou grâce à la différence de
potentiel rencontrée à l’interface entre le matériau donneur et le matériau accepteur [21]. En
effet, ces deux matériaux possèdent des niveaux énergétiques différents, induisant un champ
électrique local. Si l’exciton atteint cette interface, sa dissociation peut alors être observée
[22].

d) le transport de charges et leur collecte :

Les charges libres créées migrent à travers les matériaux actifs. Lors du transport, les
charges peuvent se recombiner. Les charges ayant atteint les électrodes y sont collectées,
générant ainsi un courant électrique. La mobilité des porteurs de charge doive être importante
pour avoir un bon rendement de la cellule solaire [23]. Dans le cas des matériaux organiques,
la mobilité des porteurs de charge est assez faible ce qui nécessite d’utiliser des dispositifs de
faible épaisseur. L’efficacité de la collecte de charges dépend, entre autres, de la nature de
l’électrode utilisée (adéquation entre les niveaux d’énergie du métal et du semi-conducteur)
[24].

I-7 Circuit électrique équivalent

Les cellules solaires organiques sont considérées comme des composants


électroniques, donc sont modélisées par un circuit électrique. Une cellule photovoltaïque sous
éclairement est modélisée par un circuit électrique constitué d’un générateur de courant Iph
(courant inverse proportionnel à la lumière incidente) en parallèle avec une diode :

13
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Figure I-7 Circuit électrique équivalent d’une jonction PN idéale sous illumination

A l’obscurité, la cellule solaire se comporte comme une diode classique passante ou


bloquante (tout dépend du sens de la tension appliquée). Elle délivre un courant qui suit
l’équation de type Schockley :

  qV  
i = I S  Exp  − 1 (I-2)
  n kT  

Avec : Is: courant de saturation sous polarisation inverse


V: V=Vappliquée-Vbi (Vbi : est la barrière potentiel interne).
Dans les diodes réelles apparaissent des résistances parasites. Ces résistances dues aux
contacts avec les électrodes (résistivité des électrodes et des interfaces métal-matériau
organique) ainsi que les pertes ohmiques dues à la résistivité des couches déposé qui génèrent
une résistance non négligeable par rapport à la résistance de charge. Elle est représenter dans
le schéma équivalent sous forme d’une résistance série Rs.

14
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Figure I-8: Circuit équivalent d’une cellule photovoltaïque: a) cellules idéale sous illumination, b)
cellules réelle sous illumination

Le circuit équivalent comporte une source de photocourant Iph, une diode de jonction
p-n ou Schottky qui rend compte du courant à l’obscurité, une résistance série Rs et une
résistance shunt Rsh. Rs donne une idée sur la conductivité intégrale de la cellule directement
liée à la mobilité interne des charges, et la Rsh représente les pertes de photocourant à cause
des recombinaisons de charges à l’intérieur de la cellule, particulièrement, au niveau des
interfaces entres les différentes couches. Les caractéristiques I(V) des cellules photovoltaïques
sont obtenues en mesurant le courant en fonction de la tension appliquée à l’aide d’un
générateur. L’allure d’une caractéristique I(V) est présentée sur la figure I-9:

Figure I-9 Caractéristique J-V d’une cellule photovoltaïque sous illumination et à l’obscurité

Avec : Voc: Tension de circuit ouvert, Jsc: Courant de court-circuit, P M =V M J M correspond


au produit de la tension et du courant qui donne la puissance maximum délivrée par la cellule,
Rs: Résistance série, Rsh: Résistance parallèle

15
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

La caractéristique J-V représentée dans la figure I-9 peut être analysée par l’équation
de Shockley généralisée correspondant à ce circuit équivalent [25]:

1    q(V − JRS )    V 
J=  J S  Exp  − 1 −  J Ph −  (I-3)
R    n k bT    RSh 
1+ S
RSh
Js : est le courant de saturation sous une polarisation inverse
n :est le facteur d’idéalité de la diode (n>0, mais dans le cas idéal n=1)
K b est la constante de Boltzmann
J ph densité de photocourant et T est la température absolue.
On peut aussi calculer la densité de courant de court circuit et la tension de circuit
ouvert en apportant les valeurs de J et V à 0 respectivement. La résistance série Rs et la
résistance shunt R sh peuvent être aussi calculées à partir de la courbe I-V. Rs est l’inverse de
la pente pour une tension autour de Voc, tandis que R sh égale à l’inverse de la pente à V=0.

I-7 Grandeurs caractéristiques des cellules solaires organiques

Les paramètres importants d’une cellule solaire organique, déduits des caractéristique
J-V des cellules sont : Tension de circuit ouvert Voc, la densité de courant de court-circuit
Jsc, et le facteur de forme FF.

I-7-1 Courant de court-circuit Jsc

J SC , est exprimée en mA/cm2, c’est la densité de courant la plus importante que l'on
puisse obtenir avec une cellule solaire sans application de tension aux bornes de cette
dernière. Elle représente le courant Isc délivré par la cellule divisé par sa surface. La densité
de courant est influencée par plusieurs paramètres. Elle augmente généralement avec
λ du rayonnement incident, la mobilit
l'intensité d'illumination, la longueur d'onde é des
porteurs, la température ainsi que des matériaux absorbeurs utilisés. C’est un paramètre
important pour la détermination de rendement des cellules, qui est donné par l’équation :

neµ E
J SC = (I-4)
S

n la densité de porteurs de charges (positives et négatives)


e la charge élémentaire
16
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

μ la mobilité
E le champ électrique interne
S la surface de la cellule La densité de courant Jsc est un paramètre qui dépend de la mobilité
des porteurs de charges libres dans la couche photo active, des électrodes et des interfaces
entre eux. De ce fait, et pour prendre en considération l’ensemble des couches constituant les
cellules, Jsc est donnée à partir de l’expression générale du courant (équation I-5), lorsque la
tension est nulle :

1    q J SC RS  
J=  J Ph − J S  Exp  − 1 
 (I-5)
R
1+ S    n k bT   
RSh

I-7-2 Tension de circuit ouvert Voc

La tension de circuit ouvert Voc exprimée en Volts, est comme son nom l’indique, la
tension aux bornes de la cellule lorsqu’elle n’est pas connectée à une charge ou lorsqu’elle est
connectée à une charge de résistance infinie. Cette tension apparaît pour créer un courant qui
s’oppose au photocourant (circuit ouvert I=0). Cette tension dépend du photocourant (Iph) de
la manière suivante:

n K T  I ph V 
VOC = Ln  + 1 − OC  (I-6)
q  IS I S Rsh 

Dans les cellules photovoltaïques organiques étudiées avec une structure de type
Métal-Isolant-Métal, ce paramètre dépend principalement de la différence des travaux de
sortie des deux métaux utilisés comme électrodes [26]. Mais lorsque l’on passe au cas des
jonctions de type P/N, la valeur de Voc est non seulement liée à la différence des travaux de
sortie des électrodes, mais aussi à la différence entre le niveau LUMO et HOMO du donneur
et de l’accepteur respectivement [27], par conséquent, des matériaux constituants la couche
active :
e VOC = HOMOD − LUMO A − ∆ (I-7)

e est charge élémentaire, ∆ terme de pertes lié à l'énergie de liaison des excitons [28],
ou des pertes radiative et non radiative dépendante de la température [29, 30] Plusieurs
paramètres peuvent aussi influencer les valeurs de Voc. La modification de l’interface entre
l’anode et l’électrode par des couches tampons semble aussi être un moyen pour l’améliorer,
17
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

puisque ces couches modifient le travail d’extraction des électrodes [31]. Le choix de ces
couches dépend des matériaux (donneur/accepteur) utilisés, ainsi que de leurs niveaux
d’énergie, parmi ces matériaux, le fluorure de lithium LiF [32,33] et le PEDOT PSS [34]. Ces
couches tampons favorisent les contacts des électrodes avec les semi-conducteurs en
diminuant les pertes aux interfaces, améliorent la tension Voc en adaptant les travaux
d’extraction, des électrodes aux matériaux actifs, et parfois en optimisant la morphologie des
couches organiques [35].

I-7-3 Facteur de forme FF

La puissance fournie au circuit extérieur par une cellule photovoltaïque sous


éclairement dépend de la résistance de charge (résistance externe placée aux bornes de la
cellule). Cette puissance est maximale (notée P max ) pour un point de fonctionnement PM
(J max , V max ) de la courbe courant-tension (courant compris entre 0 et J SC et tension comprise
entre 0 et V OC . Ce point P max est obtenue en modifiant la valeur de la résistance externe,
quand l’aire du rectangle défini par les axes Ox, Oy et les droites x=Imax et y=Vmax passe
par un maximum. Le nom «facteur de forme » ou « facteur de remplissage» dérive de la
représentation graphique, Figure I-9. Il est défini par la relation suivante:

Pmax V J
FF = = m m (I-8)
VOC J SC VOC J SC

Jm et Vm représentent la densité et la tension au point de fonctionnement qui permet


d'extraire le maximum de puissance (P max ) de la cellule.
Plus la valeur de FF est grande, plus la caractéristique I = f (V) est analogue à celle d'une
source idéale. Dans le cas limite FF = 1, la puissance extraite de la cellule est maximale.

I-7-4 Rendement des cellules


Le rendement (η) des cellules PV désigne le rendement de conversion en puissance. Il
est défini par le rapport de la puissance maximale (par unité de surface) pouvant être générée
sur la puissance initiale reçue par unité de surface :
Pmax
η= (I-9)
Pin
18
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

Avec P in =0.1 W/cm2 donc

FF VOC J SC
η= (I-10)
0.1

Le rendement maximal de conversion d'une cellule n'a de signification que pour une
distribution spectrale et une intensité donnée. L'irradiation standard la plus communément
utilisée correspond à un nombre de masse d'air AM1.5 [36].

I-8 Conclusion

Dans ce chapitre, on définie la différence entre les matériaux inorganique et


organique. La connaissance des différentes étapes du principe physique permettant de
produire de l’électricité est nécessaire pour comprendre le phénomène de la conversion
photovoltaïque. Nous définissons Les grandeurs physiques associées aux cellules
photovoltaïques.

19
Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

I-9 Bibliographies

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Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

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Chapitre I Les Cellules Photovoltaïques et les Matériaux Organiques.

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22
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-1 Introduction
La mise en contact de deux matériaux semiconducteurs de concentrations différentes
forme une jonction. La jonction p-n présente un cas particulier de dopage, on passe d’une
région p à une région n. Lorsque la jonction est polarisée on modifie la barrière de potentiel et
par suite la diffusion des porteurs d’une région vers l’autre, il faut distinguer la tension de
polarisation V a , qu’est appliquée aux bornes de la diode et qui s’écrit V a =V j +V s , de tension
de polarisation V j de la jonction proprement dite ou il représente la tension appliquée aux
bornes de la zone de charge d’espace (x p <x<x n ) et V s la somme des chutes de tension dans
les régions neutre (x<x p , x>x n ).

En raison de la nature conductrice des régions neutres (dopées) et de la nature isolante


de la zone de charge d’espace (vide des porteurs) vue ces conditions V s est négligeable donc
V a =V j est vérifié toutes les fois que la zone de charge d’espace existe [1].

Le modèle de Schokley n’est q’une approximation de la distribution réelle de charge,


donc c’est une approximation des distributions gaussienne et Erf. Nous allons tenter de
modéliser les variations de la capacité des deux distributions en fonction de la polarisation
inverse.

II-2 Caractéristique électrique d’une homojonction p-n a l’équilibre

II-2-1 Champ électrique

La jonction p-n abrupte est telle que la région de type p est séparée de la région type n
par une discontinuité de dopage le long d’une direction choisi (x=d 1 ).L’origine x=d 1 est
défini telle que pour x<d 1 , le matériau semi-conducteur est dopé uniformément de type p, et
pour x>d 1 , il est dopé uniformément type n.

C’est la différence des nombres volumique des donneurs et accepteurs qui passent
d’une valeur négative à une valeur positive à x=d 1 , qui est le point de jonction métallurgique.
Pour simplifier, on considère du coté de type p que l’excédent d’accepteurs, noté N a et dans

23
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

la région de type n que l’excédent de donneurs, noté N d .Par rapport à une concentration
uniforme d’impuretés qui se compensent électriquement, simple, conduit à des résultats.

La loi de la jonction métallurgique entre les régions de p et n, traduit la compensation


électrique des impuretés ionisées, de sorte que le semi-conducteur est neutre électriquement
ou homogène (la charge totale est nulle). [1, 2].

Couche p Couche n
Na Nd

0 Wp d1 Wn d1+d2

Tout semi-conducteur dopé (extrinsèque) contient des charges mobiles qui sont les
électrons et les trous et des charges fixes qui peuvent être localisées sur des donneurs ou des
accepteurs (les impuretés ionisées). D’après l’approximation de Schokley on peut écrire les
densités de charge. Sous la forme suivante

ρ ( x) = −qN a Pour d1 − x p < x < d1 (II-1-a)

ρ ( x) = qN d Pour d1 + x n > x > d1 (II-1-b)

ρ ( x) = 0 Ailleurs (II-1-c)

Cette charge d’espace est accompagnée d’un champ électrique donné par le théorème
de gauss. D’autre part, le champ électrique dérive d’un potentiel électrique, on utilise la
relation entre le champ électrique et le potentiel électrique dans le théorème de Gauss, on
obtient l’équation de Poisson. Donc l’équation de poisson est donnée par [1, 2]

24
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

d 2V ρ (x )
=− (II-2)
dx 2
ε

La zone de charge d’espace se vide de toute charge libre à cause du champ électrique

E .Cette zone contient uniquement des charge fixe N d du coté n et N a du coté p. on obtient

les variations du champ électrique E . En intégrant l’équation de Poisson des deux cotés de
l’interface (Approximation d’un dopage uniforme et abrupte)

ρ ( x)
xn

E ( x) = − ∫ dx (II-3)
xp
ε

Avec les conditions aux limites suivantes

En (d1 ) = E p (d1 ) = − Emax (II-4-a)

E=
n ( xn ) E=
p (xp ) 0 (II-4-b)


On peut déduire l’expression du champ électrique E ( x ) , soit

E p ( x) = −
qN a
(x − d + x p ) Pour d1 − x p < x < d1 (II-5-a)
ε
1

qN d
E n ( x) = (x − d1 − xn ) Pour d1 + x n > x > d1 (II-5-b)
ε

Les deux équations (II-5-a et b) montrent que les variations du champ électrique sont
linéaires par morceaux dans toute la zone de charge d’espace et à la jonction métallurgique le
champ est maximum.

25
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Champ électrique (V/m)

E(d1)=-Emax

0 d -W d1 d1+Wn d1+d2
1 p
Position X

Figure II-1 : Variation du champ électrique en fonction de x pour une homojonction p-n.

II-2-2 Potentiel électrique

On obtient le potentiel électrique par intégration de l’équation du champ électrique


des deux régions n et p, vu que le champ électrique dérive d’un potentiel V(x) (loi de
Faraday)

qN a
V p ( x) = ( x − d1 + x p ) 2 + V p (II-6-a)

qN d
Vn ( x ) = − ( x − d 1 + x n ) 2 + Vn (II-6-b)

Le potentiel électrique V ( x ) prend les valeurs V n et V p aux frontières des régions n


et p et s’annule à l’interface x=d 1 . Le champ électrique dans la zone dépeuplée suit une
variation linéaire alors que le potentiel électrique suit une variation parabolique comme le
montrent ces équations. En utilisant les conditions aux limites, on obtient V n et V p par suite
le potentiel de diffusion total V d de la jonction. En remplaçant x p et x n par W p et W n . Les
conditions aux limites sur le potentiel V(x) [1, 3] sont données par

Vn ( xn ) = Vn (II-7-a)

26
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Vp ( x p ) = Vp (II-7-b)

Vn (d1 ) = V p (d1 ) (II-7-c)

On obtient finalement

qN a 2
Vp = − Wp (II-8-a)

qN d 2
Vn = Wn (II-8-b)

Par suite on obtient.

Vn − V p =
q

( )
N aW p2 + N d Wn2 = Vd − Va (II-9)

Vd : Potentiel de diffusion
V a : potentiel appliqué
V a >0 pour une polarisation directe
V a <0 pour une polarisation inverse
V a =0 à l’équilibre thermodynamique
N a : densité de charge des accepteurs
N d : densité de charge des donneurs
ρ (x ) : La densité de charge dans la couche du semi-conducteur considérée
ε : La permittivité du semi-conducteur
x : La variable

27
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Potentiel électrique V(x)

0 d1-Wp d1 d1+Wn d1+d2


Position X

Figure II-2 : Variation du potentiel électrique en fonction


de x d’une homojonction p-n.

II-2-3- Epaisseur de zone de déplétion et la capacité de transition

II-2-3-a Epaisseur de zone de dépeuplement

Dans un semi-conducteur homogène et en absence des charges électriques, le potentiel


Vd est constant, l’électrostatique des milieux continus connaît deux causes de la variation du
potentiel électrique en fonction de la coordonnée x. Ces deux sources de gradient de potentiel
différant de zéro sont :

-Les charges d’espace ρ ( x )


-Le champ électrique E ( x )

Si ρ ( x ) = 0 le semi-conducteur est homogène (Les charges mobiles compensent les


charges fixes).

Si ρ ( x ) ≠ 0 la charge volumique est source d’un champ électrique qui dérive d’un
potentiel. Le potentiel est défini par application de l’équation de Poisson.

28
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

En utilisant la continuité en x=d 1 de la composante normale du vecteur déplacement


 
D = εE permet d’établir une relation entre W n et W p Dans le cas de la jonction abrupte en
équilibre thermodynamique [1, 3, 4, 5]

N aW p = N d W n (II-10)

Cette relation traduit simplement le fait que le nombre total des charges négative
développées dans la région du type n est égale au nombre total des charges positives
développées dans la région du type p. D’autre part cette relation montre que la charge s’étend
principalement dans la région la moins dopée.

On obtient l’expression de la zone dépeuplée en écrivant la continuité du potentiel en


x=d 1 , en utilisant la condition de neutralité et à partir de l’équation (II-8-a, b et II-10) on
peut écrire

1
 2ε Nd 2
W p =   Vd + Va (II-11-a)
 qN a N d + N a 

1
 2ε Na 2
Wn =   Vd + Va (II-11-b)
 qN d N a + N d 

La largeur totale de la zone dépeuplée est la somme des deux largeurs W p et W n .


W p : La largeur de la zone de charge du coté dopé p

Wn : La largeur de la zone de charge du coté dopé n

II-2-3-b Variation de la capacité de transition

Si la jonction est polarisée en inverse par une tension V a , nous avons calculé la largeur
de la zone dépeuplée W pour cette polarisation. La variation de la tension de polarisation V a
entraîne une variation de la largeur de la zone dépeuplée et par suite la variation de la charge
d’espace.

29
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Ainsi la variation de la tension de polarisation inverse produit une variation de la


charge de la zone dépeuplée. La jonction p-n polarisée en inverse se comporte comme un
condensateur de capacité dynamique qui s’écrit

εS
C= (II-12)
W

1
 qε N a N d  2 1
Donc C = S   (II-13)
 2( N a + N d )  Vd + Va

Cette relation montre que la capacité varie avec l’inverse de la racine carrée de la
polarisation inverse. On en déduit que [1].

1 2(N + N d )
= 2 a (Vd + Va ) (II-14)
C 2
S ε qN a N d

C : La capacité de transition de la jonction


S : surface de l’interface de la jonction

C(V)
Capacité (F)

0
Vapp (inverse) 1

Figure II-3 : Variation de la capacité d’une homojonction hétérotype


polarisée en inverse entre 0V et 1V

30
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-3 Caractéristique électrique d’une hétérojonction p-n a l’équilibre

II-3-1 Champ électrique

Nous avons une structure à jonction abrupte et un dopage uniforme, donc on peut
utilisé la même équation de poisson et avec deux constantes diélectriques ε( 1 pour le premier
semiconducture et ε 2 pour le second semiconducture) la même méthode d’intégration, les
mêmes conditions au limites et la même origine on obtient le champ électrique pour les deux
régions dopées de manière différente la première région dopée p et la deuxième dopée n.

Couche p Couche n
ε1 N ε2 Nd
a

0 d1- Wp d1 Wn+ d1 d1+d2

N a1
E p ( x) = −q ( x − d1 + W p ) Pour d 1 -W p ≤x≤d 1 (II-18-a)
ε1

Nd2
E n ( x) = q ( x − d 1 − Wn ) Pour d 1 ≤x≤d 1 +W n (II-18-b)
ε2

En utilisant la continuité en x=d 1 de la composante normale du vecteur déplacement


 
D = εE permet d’établir une relation entre W n et W p Dans le cas de la jonction abrupte en
équilibre thermodynamique [1, 3, 4, 5, 6]

N a1W p = N d 2Wn (II-19)

Cette relation traduit simplement le fait que le nombre total des charges négatives
développées dans la région du type n est égale au nombre total des charges positives

31
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

développées dans la région du type p. D’autre part cette relation monte que la charge s’étend
principalement dans la région la moins dopée.

Champ électrique (V/m)

E2(d1)

E1(d1)
0 d1- Wp d1 d1+ Wn d1+d2
Position en x

Figure II-4 : Variation du champ électrique en fonction de x


d’une hétérojonction à l’équilibre

II-3-2 Potentiel électrique

Le champ électrique dérive d’un potentiel électrique donc l’intégrale de ce champ


électrique régnant dans la zone de charge d’espace nous donne le potentiel électrique dans la
même zone de charge, on prend x=d 1 -W p comme origine des potentiels et on obtient pour la
première zone dopée p

N a1
V p ( x) = q ( x − d1 + W p ) 2 + V p (I-20-a)
2ε1
Et pour la deuxième zone dopée n
Nd2
Vn ( x ) = − q ( x − d 1 − Wn ) 2 + V n (I-20-b)
2ε 2

32
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Potentiel électrique V(x)

0 d1- Wp d1 d1+ Wn d1+d2


Position en X

Figure I-5 : Variation du potentiel électrique en fonction de x d’une hétérojonction à


l’équilibre

II-3-3 Epaisseur de la zone de dépeuplement et capacité de transition

II-3-2-a Epaisseur de zone de dépeuplement

Compte tenu de la continuité du potentiel électrique au point de la jonction


métallurgique c’est-à dire au point x=d 1 et la continuité du vecteur de déplacement au même
point on obtient la largeur de la zone de charge d’espace des deux régions de la jonction.

Pour la région dopée p

1
 2ε ε Nd2 2
W p =  1 2  Vd + Va (II-21-a)
 qN a1 ε 2 N d2 + ε 1 N a1 

Pour la région dopée n

1
 2ε ε N a1 2
Wn =  2 2  Vd + Va (II-21-b)
 qN d 2 ε 2 N d 2 + ε 1 N a1 

33
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

La largeur totale de la zone de charge d’espace de la jonction est la somme des deux
largeurs de la zone dopée p et la zone dopée n, qui s’écrit

1
 2ε 1 ε 2  N a1 N d 2  2
W =   +   Vd + Va (II-22)
ε + ε 
 q ( 1 N a1 2 N d2 
) N d2 N a1 

II-3-2-b capacité de transition

L’existence d’un gradient des charges et une zone de charge dépeuplée de porteurs
libres, crée une capacité qui s’exprime en fonction de la largeur totale de zone de charge
d’espace. Puisque la largeur de zone de charge d’espace varie en fonction du potentiel
appliqué donc la capacité varie aussi en fonction du potentiel appliqué, elle s’écrit [7]

1
 q ε 1 ε 2 N a1 N d 2  2
 (Vd − Va )− 2
1
C (V ) = S  (II-23)
 2(ε 1 N a1 + ε 2 N d 2 ) 

C(V)
Capacité (F)

0 Vapp (inverse) 1

Figure II-6 : Variation de la capacité en fonction du polarisation inverse d’une hétérojonction


hétérotype

34
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-4 Caractéristique électrique d’une hétérojonction isotype à l’équilibre

II-4-1 Champ électrique

Dans une jonction isotype (une première région dopée n ou p, la deuxième région est
dopée de même type de porteur mais de concentration différente). On prend les deux
semiconducteurs dopée n et on écrit les densités de charge. On fait le même raisonnement si
les semiconducteurs sont dopée p.

ρ1 ( x) = q(N d 1 − n1 ( x) ) x < d1 (région 1) (II-24-a)

ρ 2 ( x) = q(N d 2 − n2 ( x) ) x > d1 (région 2) (II-24-b)

L’équation de Poisson s’écrit alors

d 2V1 ( x )
= − [N d 1 − n1 ( x )] x < d1
q
(région 1) (II-25-a)
dx 2
ε

d 2V2 ( x )
= − [N d 2 − n2 ( x )] x < d1
q
(région 2) (II-25-b)
dx 2
ε

Les densités n1 ( x) et n2 ( x) sont de la forme [3, 8]

 V ( x) 
n1 ( x) = N d 1 exp 1  (II-26-a)
 uT 

 V ( x) 
n2 ( x) = N d 2 exp 2  (II-26-b)
 uT 

Ces densités vérifient les conditions aux limites suivantes

n1 (−∞) = N d 1

35
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

n1 (+∞) = N d 2

On choisit V1 (− ∞ ) = 0 ce qui entraîne V2 (+ ∞ ) = Vd * = Vd − Va

On trouve

 V ( x) 
n1 ( x) = N d 1 exp  1 
 uT 

 V2 ( x) − Vd* 

n2 ( x) = N d 2 exp 

 u T 

On obtient le champ électrique après intégration de la charge électrique [8]

     
[E1 ( x)]2 = 2qN d 1 uT  exp V1 ( x)  − 1 − V1 ( x) (Région 1) (II-27-a)
ε1    uT   

     
[E 2 ( x)]2 = 2qN d 2 uT  exp V2 ( x) − Vd ( )
*
 − 1 − V2 ( x) − Vd* (Région 2) (II-27-b)
ε2 
   uT   
Champ électrique (V/m)

E1(d1)

E2(d1)

0 d1+ d2
d1- Wp d1 d1+ Wn
Position en X

Figure II-11 : Variation de champ électrique d’une hétérojonction isotype n-n

36
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

kB T
uT = où k B est la constante de Boltzmann, T est la température et q la charge d’un
q
électron.

Vd * Est la hauteur de barrière de potentiel sous polarisation inverse appliquée


En utilisant la continuité du vecteur de déplacement au point x = d 1 , on trouve

ε 12 E12 (d1 − ) = ε 22 E 22 (d1 + )

II-4-2 Potentiel électrique

Dans le cas d’une jonction hétérotype, on intègre le champ électrique pour obtenir le
potentiel électrique ; mais dans le cas d’une jonction isotype ce n’est pas toujours facile
d’obtenir ce potentiel. En utilisant la continuité du vecteur de déplacement au point x=d 1, on
obtient le potentiel de diffusion ders deux régions de la jonction [9, 10].

 V  
u T  exp 0  − 1 − V0

ε 2 Nd2   uT  
= (II-28)
ε 1 N d1   V − V a − V0  
u T  exp d  − 1 + Vd − Va − V0

  uT  

Lorsque ce rapport est égal à 1, on peut écrire la valeur du potentiel électrique pour x=d 1


 V + V 2 + 4u 2 exp Vd  
u 
 d 
d T
 T
V0 = u T Ln  (II-29)
 2u T 
 
 

37
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Potentiel électrique V(x)

0
d1- Wn1 d1 d1+ Wn2 d1+d2
Position en x

Figure II-7 : Variation de potentiel électrique d’une hétérojonction isotype n-n

II-4-3 Epaisseur de zone de dépeuplement et capacité de transition

Après résolution de l’équation de Poisson avec des conditions aux limites appropriées
et l’expression de la charge on obtient la variation de la capacité en fonction de potentiel de
polarisation [10]

1
 V − Va  Vd 1 − Va1   ε N  2
1 1− d −   1 − 1 d 1  
 qε N
C = S  2 d 2
2 
 
uT  uT  ε 2 Nd2 
Vd 2 − Va 2  (II-30)
 2 uT   −1 
 uT 
 

Pour une hétérojonction isotype, on a un travail de sortie pour chaque semiconducteur qui
constitue la jonction, on constate l’établissement de deux zones. Une zone de dépeuplement se
développe dans le semiconducteur qui a un travail de sortie le plus faible et une zone
d’accumulation dans le deuxième semiconducteur [1].

38
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

C(V)

Capacité (F)

0
Vapp (inverse) 1

Figure II-8 : Variation de la capacité en fonction de la polarisation inverse d’une hétérojonction


isotype n-n de 0V a 1V

II-5 Distribution Réelle

Nous avons fait le point pour les distributions classiques ; cette distribution n’est que
l’approximation des distribution gaussien et Erf à partir de la résolution de la loi de Fick. La
diffusion est régie dans le cas unidimensionnel par l’équation suivante [11]
∂N ( x, t ) ∂ ∂N ( x, t )
= (D ) (II-31)
∂t ∂x ∂x
La résolution de cette équation différentielle se fait par la méthode de séparation des
variables [12]. Le calcul est connu par tous les chercheurs donc, nous pouvons écrire la
solution général de l’équation de Fick.
2
1
+∞   z − x 
N ( x, t ) = ∫ f ( z ) Exp −    dz (II-32)
2 π D t −∞  2 D t 
  
Nous distinguons deux solutions de cette intégrale

39
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-5-1 Source infini

Nous posons
N pour x〈0
f ( z) =  s (II-33)
0 pour x〉 0

Donc cette équation devienne


2
Ns 0   z − x 
N ( x, t ) = ∫ Exp −    dz (II-34)
2 π Dt  2 D t 
−∞   
Nous allons faire un changement de variable et nous posons
z−x
y= avec L = 2 D t
2 Dt

Donc l’équation se réduit a


x

( )
L
Ns
N ( x, t ) =
π −∞
∫ Exp − y 2 dy (II-35)

Nous donnons la définition de la fonction Erf [13]

∫ Exp(− y )dy
x
2
Erf ( x) = 2
(II-36)
π 0

A partir de la définition de la fonction Erf nous obtenons l’équation suivante [14]


Ns   x 
N ( x, t ) = 1 − Erf    (II-37)
2   L 

II-5-2 à partir d’une couche limitée

Nous résolvons l’équation différentielle avec une condition que f (z) est une constante
limitée et nous notons par Q la quantité d’impureté déposé sur la surface du cristal ; nous
obtenons une distribution gaussienne qui s’écrit [15].

Q  x2 
N ( x, t ) = Exp −  (II-38)
π Dt  4Dt 

40
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-6 Cas d’une homojonction

II-6-1 Profil de Dopage Gaussienne-Constant

II-6-1-a Jonction Métallurgique

Nous définissons le dopage apparent


 x2 
N ( x ) = N d − N s Exp − 2  (II-39)
 L 
La position de la jonction métallurgique x j correspond à la position ou le dopage
apparent est nul N(x)=0 et défini par

N 
x j = L Ln  s  (II-40)
 Nd 

20

19 NS = 1020 cm-3
Dopage apparent N(x)

18
ND = 1016 cm-3
L = 0,3295 µm
17

16
Jonction métallurgique xj
15

14
0 1 2 3
Position x en µm

Figure I-9 : Variation de part et d’autre de la position de la jonction de la métallurgique N(x) en Log

II-6-1-b Champ Electrique et Barrière de potentiel

Puisque nous avons la forme de la distribution de la charge du dispositif électrique,


l’intégrale simple donne l’équation du champ électrique.

41
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

x
ρ (u )
E1 ( x) = ∫
x j − a1
ε
du (II-41-a)

x j + a2
ρ (u )
E 2 ( x) = ∫x
ε
du (II-41-b)

Dans notre cas et pour des raisons de symétrie nous pouvons écrire aussi le champ électrique
E1 ( x) + E 2 ( x)
E ( x) = (II-42)
2
Nous avons calculé le champ électrique et l’intégrale de ce champ donne le potentiel
électrique en fonction de la position dans la zone de charge d’espace. La tension appliquée
aux deux bornes du dispositif crée une différence entre la hauteur de barrière à l’équilibre et la
hauteur de barrière hors équilibre et nous écrivons [9].
Vapp = Vb 0 − Vb (II-43)

Après une approximation nous donnons la hauteur de barrière à l’équilibre


thermodynamique
N 
Vb 0 ≈ 2 uT Ln  d  (II-44)
 ni 
Le potentiel électrique
x j + a2

Vb = − ∫ E ( x) dx
x j − a1
(II-45)

Après calcul nous trouvons


   x j + a2  2    xj − a1 
2
 

 Exp −    − Exp −    + 
q N s L2 
 
  L  

  L    
Vb =   (II-46)
2 ε  (x − a ) + (x + a ) 
π 2   (x + a 2 )  (x j − a1 ) 
  j  Erf  j −  
1 j
  Erf 
 2  L   L   L  
Pour simplifier cette équation, nous définissons la zone d’extension de charge d’espace.

II-6-1-c Extension des Zone de Charge d’Espace

A partir de l’équation de poissons nous obtenons le champ électrique ensuite le


potentiel électrique. Compte tenu de la théorie de Schokley l’équation de poissons s’écrit :

42
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

d 2V ( x) q    x 2  
=− N d − N Exp −     (II-47)
ε  
s
dx 2   L   
V(x) représente le potentiel électrique en point x , soit W 1 et W 2 les limites de zone de charge
d’espace de part d’autre de la jonction métallurgique x j nous donnons :
 E (W1 ) = 0
 (II-48)
 E (W2 ) = 0
Donc nous pouvons écrire
W2
d 2V ( x)
∫W dx 2 dx = 0 (II-49)
1

donc

q    x 2  
W2

∫W ε  N d − N s Exp −  L    dx = 0 (II-50)


1   
Donc, se qui conduit à établir une relation entre W 1 et W 2 et d’écrire l’équation suivante

π Ns  W  W  
W2 − W1 = L  Erf  2  − Erf  1   (II-51)
2 Nd   L   L 
Nous posons
 W1 = x j − a1
 (II-52)
W2 = x j + a 2

Finalement nous avons établi une première relation entre les extensions de zone de
charge d’espace

π  x j 
2
  x + a2   x j − a1  
a 2 + a1 = L Exp    Erf  j  − Erf    (II-53)
2  L    L   L 

Après cette relation nous écrivons le champ électrique


  2
 
E ( x) =
qN d  2 x − W − W + L π Exp  x j   Erf W1  + Erf W2  − 2 Erf  x    (II-54)
2ε  1 2    L  L   L  
 

2  L       
et le potentiel électrique
 a (2 x j − a1 )   W (2 x j + W − 2a1 )  
Vb =
qN d W (2 x j + W − 2a1 ) − L2 Exp  1  1 − Exp −    (II-55)
2ε  2  2
  L   L  

43
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-6-1-d Modélisation des Extensions

La résolution de l’équation (I-59) est très difficile voir impossible. A partir de


l’équation de la hauteur de barrière, nous remarquons que le terme
 W (2 x j + W − 2a1 )
Exp − 2  est très inférieur à 1 en polarisation inverse. Dans ces conditions la
 L 
hauteur de barrière de potentiel est s’écrit
  a (2 x j − a1 ) 
W (2 x j + W − 2a1 ) − L2 Exp  1
qN d
Vb =    (II-56)
2ε   L2 
Dans le cas où a1 est négligeable devant la largeur totale. La hauteur de barrière
devient :

qN d ε S  εS 2  a1 (2 x j − a1 ) 
Vb = 
 C  2 x j + C  − L Exp    (II-57)
2ε   L2 
D’après cette équation, qui après résolution on obtient a1 et nous avons
εS
C= , avec W la largeur total de la zone de charge d’espace ; à partir de ces conditions
W
nous pouvons avoir les deux largeurs de zone de charge d’espace.
εS
a2 = − a1 (II-58)
C
Les extensions de la zone de charge d’espace ainsi définis en fonction de la
caractéristique capacité tension et L un paramètre technologique. Nous proposons une
équation analytique pour la capacité en fonction de la polarisation inverse dans le cas où a1
est très faible, voir négligeable et nous écrivons.
 2 ε Vb 
ε S  x j + L2 + x 2j + 

 q Nd 
C= (II-69)
2 ε Vb
L +
2

q Nd

44
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

80

70

60

Capacité C en pF
50

40 x j = 1 µm
30

20

10

0
-5 -4 -3 -2 -1 0 1
Tension appliquée Vapp en V

Figure : II-10 Variation de la capacité en fonction de la polarisation d’une homojonction à


base de Silicium

II-6-2 Profil Erf

II-6-2-a Position de la Jonction

La distribution Erf-constant est définie par l’équation suivante [16]


Ns x
N ( x) = N d − Erf   (II-60)
2 L
La position de la jonction métallurgique est définie comme étant le point où le dopage
apparent est nul. Mais la fonction Erf pose problème, ce qui conduit à utiliser un
développement limité au voisinage de l’infini. Nous trouvons l’équation suivante qui révèle la
position de la jonction métallurgique.

 1

 Ns 2 
Pr oductLog 
L 1
xj =   (II-61)
2  2π
  Nd  

45
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

20

19

Dopage apparent N(x)


NS = 1020 cm-3
18 ND = 1016 cm-3
L = 0,3635 µm
17

16

Jonction métallurgique xj
15

14
0 1 2 3
Postion x en µm

Figure II-11 : Variation de part et d’autre de la position de la jonction de la métallurgique N(x) en


Log

A partir de l’intégral de l’équation de poisson


d 2V ( x) q N  x 
= −  N d − s Erf    (II-62)
dx 2
ε 2 L
Nous définissons, comme étant les limites de la zone de charge d’espace W 1 et W 2 de part
d’autre de la jonction métallurgique x j . Nous négligeons le champ électrique des zones quasi-
neutres devant le champ électrique dans la zone de charge d’espace [17]. Le champ électrique
au limite des zones de charge d’espace est nul est nous écrivons

E (W1 ) = E (W2 ) = 0 (II-63)


Cette équation montre que la charge totale développée dans la zone de charge d’espace est
nulle

q  x 
W2
Ns
∫ ε  N
W1
d −
2
Erf    dx = 0
L
(II-64)

Cette intégral mais en évidence une relation entre W 1 et W 2

W1 − W2 N W1 W1  W2  W2  1   W22   W12  


= s  Erf L L− Erf  L  + Exp  − 2 
− Exp − 2  
L 2N d  L     π   L   L  
(II-65)

46
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-6-2-b Champ Electrique

La première intégration de l’équation de poisson en fonction de W 1 du coté 1 et en


fonction de W 2 du coté 2 en tout point x et nous écrivons

q u 
x
Ns
E1 ( x) = ∫ ε  N
W1
d −
2
Erf    du
L
(II-66-a)

q u 
W2
Ns
E 2 ( x) = ∫ ε  N
x
d −
2
Erf    du
L
(II-66-b)

Finalement le champ électrique, peut s’écrire en fonction de W 1 et W 2, se met sous la


forme
E1 ( x) + E 2 ( x)
E ( x) = (II-67)
2
Et donc
  x2  
E (x ) =
q Nd  2 x − W − W + L π Exp  j  Erf W1  + Erf W2  − Erf  x    (II-68)
 2  L  L   L   

1 2
 2  L      

II-6-2-c Hauteur de Barrière

La tension appliquée est supportée par la zone de charge d’espace et crée une
différence entre la hauteur de barrière a l’équilibre et hors équilibre, nous écrivons
Vapp = Vb 0 − Vb (II-69)

Cette équation est valable seulement en régime de faible injection [9]. Le potentiel électrique
hors équilibre c’est l’intégral du champ électrique et nous écrivons
W2

Vb = − ∫ E ( x) dx (II-70)
W1

Finalement nous obtenons


   W12   W22   
  Exp  −  Exp −  
qN s W1W2 L   L   L   L2  W2  W1  
Vd =  −  + W1W2 −  Erfc   − Erfc   
4ε  π  W1 W2   2   L   L  

   
 
(II-71)

47
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-6-2-d Modélisation des Extension de charge d’espace

Nous avons résolu numériquement le système d’équation, ce qui permet d’atteindre la


largeur d’extension de la zone de charge d’espace et la caractéristique capacité tension en
polarisation inverse. Nous écrivons la hauteur de barrière de potentiel

   W2  
  Exp − 2   
  L  − W Erfc W1   − N s L Erfc W1  
2
q W2 N s
Vd =   L   L  (II-72)
2ε  2 π
1

    4  
   
 
Finalement la hauteur de barrière de potentiel s’écrit
 W1  
 Erfc  L 
Vd =
qN d 
W2 (W2 − W1 ) −
L2   (II-73)
2ε  2 xj  
 Erfc   
  L  
Nous utilisons la caractéristique capacité tensions d’un condensateur plan, la hauteur
de barrière en fonction de la capacité s’exprime
 W1  

qN d  S ε  S ε  L2
Erfc  L 
 
Vd =  x j − a1 + − (II-74)
2ε  C  C  2 xj  
 Erfc   
  L  

W 
Erfc  1 
 L  tend vers
2
L
Devant la condition que a1 est très petit devant x j l’équation suivante
2 xj 
Erfc  
L
zéro et la hauteur de barrière devient :
qN d  S ε  Sε 
Vd =  x j − a1 + 
2 ε  C
(II-75)
 C 
Vu la forme de cette équation, nous pouvons écrire les extensions de la zone de charge
d’espace en fonction de la hauteur de barrière
2 C Vd  Sε 
a1 = −xj +  (II-76)
q Nd S  C 

48
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Donc nous pouvons proposer une équation analytique de la capacité en fonction de la hauteur
de barrière
 8 ε Vd 
S ε  x j + 2 L2 + x 2j + 
 qN d 
C=   (II-77)
4 ε Vd
+ L2
qN d

7,0x10-10

6,0x10-10 Capacité
5,0x10-10
Capacité en F

4,0x10-10

3,0x10-10

2,0x10-10

1,0x10-10

-4 -3 -2 -1 0 1
Polarisation en Volts

Figure : II-12 Variation de la capacité en fonction de la polarisation d’une homojonction à base


Silicium

II-7 Hétérojonction

II-7-1 Profil Gaussienne-Gaussienne

L’équation de poisson représenté par la relation suivante

 N s1  x2 
 Exp − 2  cot é 1
d 2V  ε1  L1 
= −q  (II-78)
dx 2  s2
N  x 2

 ε Exp − L2  cot é 2
 2  2
N N
Nous possons s1 = N s' 1 et s 2 = N s' 2 , donc la densité de charge total est nulle ce qui
ε1 ε2
donne la position de la jonction métallurgique

49
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

N' 
Ln  s' 2 
x j = L1 L2  N s1  (II-79)
L1 − L22
2

5x1011
Distibution de Charge cm-3

4x1011
Coté du Si xj
11
3x10

2x1011
Coté du Ge
1x1011

-0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
Position x µm

Figure II-13 : Distribution des charges en profil gaussienne pour les deux cotés

II-7-2 Modélisation

Le champ et le potentiel électriques sont calculés de manière classique ; la


modélisation de cette distribution est très difficile, mais nous allons supposer que chaque coté
de l’hétérojonction est une diode (modèle de Shottky).
Coté 1
 x2 
N ( x) = N d 1 − N s1 Exp − 2 
 L1 
Coté 2
 x2 
N ( x) = N a 2 − N s 2 Exp − 2 
 L2 

Contenu du modèle de Shottky, nous supposons que nous avons deux diodes en série.
Chaque diode se comporte comme une homojonction et nous écrivons l’équation suivante :

1 1 1
= + (II-80)
C eq C1 C 2

50
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

4,0x10-9

3,5x10-9
Capacité
capacité en F 3,0x10-9 L1=0.2235µm
2,5x10-9 L2=0.595µm
2,0x10-9 Ns1=3 1019cm-3
Ns2=1018cm-3
1,5x10-9

1,0x10-9

5,0x10-10

0,0
-4 -3 -2 -1 0 1
Polarisation en Volts

Figure I-13 : variation de la capacité de l’héterojonction

II-8 Mécanismes de transport dans une structure à jonction p-n


Les mécanismes de transport de charges dans une jonction p-n sont liés au type de
structure (homojonction ou hétérojonction) ainsi qu’aux propriétés des matériaux qui la
constituent (types de semiconducteurs, épaisseurs de couches, dopages). Ces mécanismes
peuvent avoir lieu simultanément ou séparément selon la tension appliquée au composant.
Dans ce qui suit, nous décrirons brièvement quelques mécanismes de transport de charges
classiques, généralement observés, dans les dispositifs. D’autres paramètres tels que la
température peuvent influencer le transport et favoriser un mécanisme par rapport aux autres.

II-8-1 Mécanisme de diffusion


Il s’agit d’un courant de porteurs minoritaires, les trous de la région n qui diffusent
vers la région p et les électrons de la région p qui diffusent vers la région n. Dans les
conditions de faible injection (faibles polarisations extérieures) et dans le cas d’un régime
stationnaire (δn/δt = 0, δp/δt = 0), la résolution des équations de continuité pour les électrons
et les trous, fournit pour le courant de diffusion dont les expressions sont [1] :

51
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

2
qDnni 1 (e qVa
Jn = kT −1) (II-81)
Ln Na  dp 
Th 
 Ln 

2
qDpni 1 (e qVa
J p= kT −1) (II-82)
Th dn 
Lp Nd
 Lp 

Jn : Densité de courant d’électrons.


Jp : Densité de courant de trous.
Dn : Coefficient de diffusion des électrons dans la région P.
Dp : Coefficient de diffusion des trous dans la région N.
dn : Epaisseur de la zone neutre, coté N.
dp : Epaisseur de la zone neutre, coté P.
Ln : Longueur de diffusion des électrons dans la région P.
Lp : Longueur de diffusion des trous dans la région N.
ni : Densité intrinsèque du matériau.
Va : Tension extérieure appliquée.
k : Constante de Boltzmann.
T : Température.
Na : Dopage dans la région P.
Nd : Dopage dans la région N.

Les longueurs de diffusion L n et L p peuvent être calculées à partir des équations suivantes :

Ln = Dn .τ n (II-83)

L p = D p .τ p (II-84)

τ n et τ p représentent respectivement les durées de vie des électrons et des trous dans les
régions neutres n et p. Ces quantités sont liées aux mobilités des porteurs µ n et µ p par la
relation d’Einstein :

52
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Dn Dp kT
= = (II-85)
µn µp q

La densité de courant de diffusion totale est donnée par la somme Jn + Jp. Selon les
propriétés physiques du matériau utilisé et les dimensions du dispositif, deux cas peuvent se
présenter :

Diode courte :

Dans le cas ou les longueurs de diffusion L n et L p sont supérieures aux largeurs de


zones neutres d n et d p (L n > dn et L p > dp), les densités de courants d’électrons et de trous
se simplifient et deviennent :
2 qVa
qDn ni
Jn = (e kT − 1) (II-86)
d p Na

2 qVa
qD p ni
Jp = (e kT − 1) (II-87)
d n Nd

La densité de courant de diffusion totale sera donné par :

 kTn 2 µ   kTn 2 µ p  
J d =  i n
 +  i  ×  exp qV  − 1 (II-88)
 
 N a d n   N d d p    kT  

Diode longue :

Si L n et L p sont inférieures aux largeurs des zones neutres (L n < dn et L p < dp), les
densités de courant d’électrons et de trous s’écrivent, cette fois, sous la forme :

2 qVa
qDn ni
Jn = (e kT − 1) (II-89)
Ln Na

53
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

2 qVa
qD p ni
Jp = (e kT
− 1) (II-90)
L p Nd

Dans ce cas le courant total s’écrit, en fonction des mobilités et des durées de vies des
porteurs, sous la forme [18, 19, 20] :

 2 1 1

 µ  2 
µ 
 i    ×  exp qV  
2
qn kT 2 qni  kT
Jd =  e
 +
p
 − 1 (II-91)
N a  q τ e  N d  q τ p     kT  
 

II-8-2 Mécanisme de génération recombinaison

La zone de charge d’espace peut être le siège de mécanismes de génération et de


recombinaison de porteurs de charges sous polarisation extérieure. Le taux de recombinaison
r est donné par la loi de Shockley-Read [1] :

2 qVa
1 ni
r= (e kT − 1) (II-92)
τ 2 ni + p + n
τ : représente la durée de vie de génération recombinaison et n i la densité intrinsèque.

II-8-2-a Mécanisme de recombinaison

Dans le cas d’une polarisation directe, la largeur de la zone de charge d’espace


diminue et les quantités n et p ne sont pas négligeables devant la densité intrinsèque n i . Le
taux r est positif et le courant est un courant de recombinaison. Pour des tensions V a >> kT/q,
la densité de courant de recombinaison sera donnée par [1] :

xn xn
qVa
ni 2 kT qni  2qVa 
Jgr = Jr = q ∫ rdx = q ∫ e dx = X (Va ) e kT 
 (II-93)
xp xp 2τ 2τ  

x p et x n sont les largeurs de dépeuplement dans chaque région. X (V a ) l’épaisseur


totale de la zone de dépeuplement sous polarisation directe.

54
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-8-2-b Mécanisme de génération


Dans le cas d’une polarisation inverse et en négligeant, cette fois, n et p devant n i , le
taux de recombinaison est négatif. La zone de charge d’espace devient le siège d’un
mécanisme de génération de porteurs. La densité de courant de génération s’écrit :

xn q.ni qni
Jgr = Jg = ∫ − dx = − X (Va) (II-94)
xp 2τ 2τ

II-8-3 Effet tunnel bande à bande


Ce mécanisme apparaît à fortes polarisations inverses [21]. L’application d’un champ
électrique intense favorise le passage des électrons à travers les barrières d’énergie par effet
tunnel [22, 23, 24, 25, 26]. Les porteurs qui traversent directement la barrière énergétique sont
responsables du courant tunnel bande à bande [18, 27, 28].

En supposant une interface sans défauts et des dopages importants dans les deux
régions de la jonction, la densité de courant tunnel bande à bande est donnée par l’expression
[10, 29] :

3/ 2
4 2 mbb E g
q 3 E m Va 2mbb (− )
Jt bb = e 3 qEm 
(II-95)
4π  2 Eg 1 / 2

E m : représente le champ électrique maximum à l’interface de la jonction. Il est donné par :

(Vd −V )
1

Em =2q N a N d ⋅
2
(II-96)
 N a + N d ε 

m bb : Masse effective tunnel, qui s’écrit :

(m*c.m*lh )
m bb =2 (II-97)
(m*c + m*lh )

mc : Masse effective des électrons.


m lh : Masse effective des trous légers.

55
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

Eg : Energie de la bande interdite du matériau


h: Constante réduite de Planck h/2π.

II-8-4 Effet tunnel assisté par centres pièges


A forte polarisation et en présence des centres pièges, on peut observer un courant
tunnel assisté qui dépend de la densité de pièges N t et de leur énergie E t . La barrière
énergétique tunnel effective E t est inférieure au gap E g , ce qui fait que la probabilité de
passage est plus grande que pour le mécanisme tunnel bande à bande [30].
La substitution de l’équation (IV-18) dans l’expression (IV-17) et de E t à E g donne
l’expression de ce courant. En tenant compte de N t [10,24, 25, 30, 31, 32] :

2mbb  2qN B  2V (V +Vd ) 12 exp−4 2mbb  2qN B  2 E 32 (V +Vd )−12 


1 1

ITAP = Nt Sq3 1   3q  ε  t


(II-98)
4Π 2 2 Et 2  ε   

Afin de mettre en évidence la dépendance en tension de I TAP, cette expression peut se


mettre sous la forme :

1
[
ITAP =C1V (V +Vd ) 2 exp −C2(V +Vd )
−1
2 ] (II-99)

Où tous les facteurs ne dépendant pas de la tension ont été regroupés dans les
constantes C 1 et C 2 . La constante C 2 est proportionnelle à E t 3/2 et cette dépendance est
utilisée ci-dessous pour évaluer E t :

C1= Nt S 2mbb 1 
2qN B  2
 (II-100)
4Π 2 2 Et 2  ε 

C2 =4 2mbb 
2qN B  2 32
3q  ε  t
E (II-101)

56
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-9 Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons exposé le modèle de Schokley pour l’homojonction et de


l’héterojonction. Nous avons modélisé les extensions de la zone de charge d’espace et les
variations de la capacité des profils de dopage réels (gaussienne-constant et Erf-constant) pour
l’homojonction.
Les résultats obtenus de la modélisation de l’homojonction, ont été utilisés pour
l’hétérojonction. L’étude se fait en polarisation inverse de telle sorte que l’approximation de
dépeuplement reste valable.

57
Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

II-10 Bibliographie

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Thèse de doctorat, Université d’Oran Es sénia (2007)

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Thèse de doctorat d’état, USTL, Montpellier (1989)

[11] Helmut Mehrer


Processes, Springer Verlag Berlin Heidelberg 2007

[12] J. Crank
Clarendon Press Oxford 1975 Second Edition

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Thèse de Doctorat en Informatique, Lyon (2009).

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Chapitre II Modélisation des Caractéristiques Electriques de L’Homojonction et Hétérojonction p-n

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Appl. Phys. Lett. 40, 415 (1982)

60
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III .1. Introduction

Nous allons dans ce chapitre décrire les techniques expérimentales qui nous ont été utiles
à l'élaboration et à la caractérisation électrique des échantillons. Nous parlerons de la préparation
des substrats, du dispositif de réalisation du vide, des procédés utilisés pour la réalisation des
couches minces.

Les matériaux organiques sont relativement stables et faciles à utiliser pour la réalisation
des cellules photovoltaiques organiques. Etant donné que les impuretés altèrent leur
photoconductivité et diminuent leur performance ; la pureté des matériaux organiques est une
condition nécessaire surtout s’ils sont utilisés comme couche active.

III-2 Réalisation des couches minces

III-2-1 Préparation des substrats

III-2-1-a Gravure des oxydes transparents conducteurs

Pour éviter les problèmes de court-circuit lors de la prise de contact électrique de nos
structures, nous avons procédé à la gravure des substrats d’oxyde transparent conducteur (OTC),
une fois gravées, ces dernières ont été nettoyées.

La gravure chimique, qui est une technique simple et efficace a été utilisé pour la préparation
des couches minces d’OTC est décrite selon ce protocole [1]:

• Protection de la surface à conserver, par un ruban adhésif aux dimensions de l’électrode


souhaitée.
• Mettre du zinc en poudre sur la partie non cachée par le ruban adhésif.
• Faire agir avec quelques gouttes d’acide chlorhydrique à température ambiante pendant
quelque secondes.
• Rinçage de l’échantillon avec l’eau distillée.
• Retrait du ruban adhésif et suppression des traces de colle avec un solvant (l’acétone).
• Sélectionner les couches d’OTC dont le bord est bien net.

61
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Le schéma de la gravure d’ITO est présenté sur la figure III-1

OTC
Verre

Figure III-1 : Substrat OTC après gravure

III-2-1-b nettoyage des substrats

Les substrats d’ITO déposé sur verre sont nettoyés préalablement à tout dépôt. Le
nettoyage des substrats consiste en un rinçage à l’eau froide pour enlever toute trace de
substances organiques et minérales. Les substrats sont finalement savonnés et rincés à l'eau
distillée puis séchés sous flux d’argon afin de retirer toute trace d’humidité néfaste au dépôt. Ce
dernier nettoyage permet d’optimiser les propriétés de surface de l’OTC. Après le nettoyage, le
verre enduit par OTC est immédiatement mis dans une enceinte de dépôt sous vide, le même
procédé de nettoyage est utilisé pour les substrats de verre ou substrat de plastique (PET).

III-3 Réalisation d’un dépôt par sublimation:

Pour obtenir une cellule, nous utilisons le dépôt par sublimation thermique sous vide qui
consiste à chauffer un creuset contenant le produit à évaporer. La sublimation thermique sous
vide est basée sur le fait que lorsque la pression est abaissée on abaisse la température de
sublimation de matériau à sublimer, car sa pression de vapeur devient supérieure à la pression
dans l’enceinte. D’autre part une faible pression permet d’éviter la contamination de nos couches.

III-4 Dispositifs pour l’obtention du vide

L’enceinte à vide, qui à été utilisée pour les différentes évaporations, est une chambre
cylindrique en acier inoxydable dont l’ouverture et la fermeture sont assurées grâce à un système

62
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

à palan, permettant leur maintien en position haute ou en position de travail. L’enceinte est
équipée de creusets, ces derniers sont chauffés à l’aide d’un rhéostat branché aux bornes d’un
transformateur de courant relié aux extrémités externes du creuset.

L’enceinte est posée sur un plateau en acier et l’étanchéité est assuré par un joint thorique,
ce plateau inoxydable est muni de multiples traversées étanches grâce à des joints thoriques, Ces
traversées permettent la fixation des creusets et leur chauffage, la fixation des substrats, la
visualisation de l’espace de travail (substrats et creusets), grâce à une balance en quartz, nous
mesurons l’épaisseur de la couche déposée, le vide est mesuré grâce à deux têtes de jauges, l’une
pour le vide primaire, et l’autre pour le secondaire.

L’enceinte décrite précédemment est reliée à deux systèmes de pompages, un pompage


primaire puis un secondaire (Figure. III-2).

Pompage primaire utilisé une pompe mécanique dite à palettes Leybold Trivac. Cette
pompe est constituée d’un rotor contenant deux palettes en contact, sur un stator excentré, par un
ressort. Ainsi les gaz entraînés sont comprimés à une pression supérieure à la pression
atmosphérique pour permettre leur évacuation a travers de la vanne de sortie vers l’atmosphère.
Un bain d’huile assure l’étanchéité de cette pompe. La pression limite est de l’ordre de 10-3
mBar. Elle est utilisée pour effectuer un pré vidage de l’enceinte qui est contrôlé par une jauge de
type Pirani. La jauge primaire est une jauge à fil chaud, son principe est de mesurer la
température d’un conducteur placé dans le gaz, celle-ci dépend de la conduction thermique du
gaz, or il existe une relation entre la température et la pression.

Après le pré vidage il est nécessaire passé au deuxième système de pompage. Il s’agit ici
d’une pompe à diffusion d’huile à plusieurs étages qui permettent de refouler les gaz vers la
pompe primaire qu’est lié à la pompe secondaire. En effet la pression de refoulement d’une
pompe à diffusion est de 10-2 mBar, c’est également la pression d’amorçage. La pression obtenus
par se système de pompage et de l’ordre de 2.5×10-5 à 6.5×10-8 bar, dans l’enceinte. Le contrôle
se fait avec une jauge de type Penning La jauge secondaire crée une décharge entre deux
électrodes et mesure le courant ionique ainsi créé, ce courant est proportionnelle à la pression de

63
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

telle sorte que plus le courant augment plus la pression augment par conséquent le vide est moins
bon.

L’enceinte à vide et son équipement sont représentés, dans la configuration pour le dépôt
des couches minces (Figure. III-2), équipée d’une balance à quartz qui permet la mesure de
l’épaisseur déposée ainsi que la vitesse et la durée de dépôt.

64
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-2. L’enceinte à vide et ses accessoires d’évaporation.

Tous les dépôts sont faits sans casser le vide, Les couches organiques qui composent la
cellule, ont été couvertes d’une couche mince Amorphe de Sélénium pour éviter toute
contamination de l’air.

65
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-5 Mesure d’épaisseur

Pour connaitre les épaisseurs des couches qui constitue la cellule, il à été utilisé une
balance à quartz piézo-électrique, de type Inficon XTC Leybold Heraeus.

La balance à quartz (Figure III-3) est placée dans l’enceinte en face des produits à
évaporer et à coté du substrat, pour contrôler la valeur de l’épaisseur, pendant le dépôt des
couches minces.

Le principal élément de la balance à quartz c’est un monocristal de quartz sous forme de disque
plan, avec les dimensions de 10 mm de diamètre et moins à 1 mm d’épaisseur, une électrode
conductrice, en général une couche mince d’or, est placée sur chacune de ses faces. Cet élément
est inséré dans un circuit oscillateur.

Figure III-3 : Schéma simplifié d’un oscillateur à quartz.

Placé dans un circuit résonnant. Le quartz est alimenté par un courant alternatif, donc il
est soumis a un champ électrique alternatif, induit des fréquences d’oscillations dans le cristal tel
que le carré de cette fréquence propre du quartz F soit inversement proportionnelle à sa masse m,
c représente la force de rappel du monocristal :

c 1
F2 = (III-1)
m 4π 2

Si nous déposons une couche mince sur un substrat et par conséquent sur le quartz, dans le
cas où la force de rappel c est constante, sa masse m augmente de ∆m et la fréquence F varie de

66
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

ΔF cette variation obéit à l’équation suivante.

∆F ∆m
=− (III-2)
F 2m

Cette modification de masse et liée à l’épaisseur déposée, on y a donc accès a l’épaisseur


de la couche déposée en connaissant deux paramètres, le premier est le Z-ratio, étant une
constante liée à l’élasticité du matériau à évaporer, le second paramètre est la densité du même
matériau. Les valeurs de ces deux paramètres sont dans un programme de l’appareil de mesure.
La balance à quartz utilisée mesurer les épaisseurs avec une précision de 1 nm.

III-6 Dépôt des matériaux d’une cellule organique

III-6-1 Obtention des films organiques

Les couches organiques se déposent dans une enceinte identique à celle utilisée pour le
sélénium, voir la même enceinte pour ne pas casser le vide. Le dépôt se fait par évaporation par
effet joule dans un creuset en molybdène dont la forme est représenté dans la Figure III-4 est
faite de façon à éviter toute caléfaction de la poudre lors du chauffage.

a
Figure III-4 : Creusets d’évaporations des matériaux organiques

67
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-6-2 Evaporation des contacts métalliques

Des dépôts de différents métaux ont été réalisés avant ou après les dépôts des matériaux
étudiés afin d’effectuer des caractérisations électriques appropriées telles que la conductivité, les
mesures courant-tension (I-V). Ces métaux sont déposés par évaporation thermique sous vide
(10-5 Pa) à l’aide de creuset en métal réfractaire. Le processus de dépôt et la forme du creuset
diffèrent selon le métal utilisé.

III-6-3 Dépôt d’aluminium


Le creuset utilisé pour l’évaporation de l’aluminium est un filament de tungstène
représenté dans la Figure III-5. Ce dernier est chargé de 3 à 4 cavaliers d’aluminium de 1 cm de
longueur et 1 mm de diamètre. Nous chauffons lentement le creuset pour que l’aluminium puisse
fondre. Lorsque l’aluminium fond, il mouille le filament, il suffit donc d’augmenter rapidement
la tension appliquée pour permettre l’évaporation jusqu'à épuisement de l’aluminium.

Figure III-5 : Creuset d’évaporation d’aluminium

III-6-4. Dépôt du sélénium (encapsulation)

Les couches minces de sélénium amorphe est faciles à obtenir. Elle est obtenue par
évaporation thermique sous vide dans une enceinte en acier inoxydable. Cette méthode consiste à
chauffer un creuset en métal réfractaire représenté sur la figure ci-contre contenant le sélénium
amorphe pur en granulé.

Figure III-6 : Creuset d’évaporation de sélénium

68
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-7 Mesures courant-tension (I-V)

Le principe de mesure est basé sur le montage classique montré dans la figure ci-contre
(figure III-7).

Figure III-7 : Schéma simplifie de la caractéristique I-V

Les caractéristiques courant-tension ont été mesurées à l’aide d’un multimètre Keithley
2601. Ce multimètre est piloté par un ordinateur sous un programme Lab View, nous permettant
de choisir les valeurs maximale et minimale de la tension appliquée, le nombre de points
d’acquisition pour chaque tension, le pas d’incrémentation.

Ce programme nous donne aussi accès aux paramètres photovoltaïques (Voc, Jsc, FF, η,
Rs et Rsh) par un ajustement polynomial des points de mesure (I, V).

Les caractéristiques I-V sont réalisées dans l’obscurité et sous ´éclairement poly
chromatique.

Pour les mesures sous éclairement, nous disposons d’un simulateur solaire (ORIEL)
équipé d’une lampe de 200-500 W aux halogénures métalliques. Le dispositif de mesure I = f (V)
est présenté sur la figure III-8 :

69
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-8 : Schéma de montage des mesures I-V

70
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-9 : Simulateur solaire AM 1,5

III-8 Présentation des matériaux utilisés:

Figure III-10 : présentation d’une cellule photovoltaïque

Pour la réalisation de la couche active des diodes étudiées, nous avons utilisé deux types
de matériaux : les matériaux inorganiques et les matériaux organiques. Les matériaux
inorganiques utilisées sont les OTC (oxyde transparent conducteur) tel que l’ITO, le sélénium,
l’aluminium, le MoO3 trioxyde de molybdène et l’Argent. En ce qui concerne le deuxième type
de matériaux, les plus connus et les plus utilisés sont le tris (8-hydroxyquinoline) aluminium ou

71
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Alq3, la phthalocyanine de cuivre (CuPc) , le Fullerène ou C60, et le poly(N-vinylcarbazole) tous


ces produits, ont été déposés par évaporation ou sublimation thermique.

III-8-1 L’oxyde transparent conducteur

L’oxyde transparent conducteur (OTC) est une fenêtre optique qui laisse passer les photons
incidents, ils sert aussi en même temps comme électrode assurant la collection des porteurs de
charges. Pour que la couche transparente joue le rôle d’une fenêtre optique, elle doit avoir une
largeur bande interdite d’au moins 3.5eV afin de ne pas absorber la lumière dans le domaine du
visible du spectre solaire, elle doit transmettre au moins entre 80%-90% de la lumière dont
l’énergie est inferieure à son seuil d’absorption. La conductivité du matériau qui constitue la
couche transparente conductrice, doit être la plus grande possible σ‹10
( 3
Ω.cm-1) et son contact
avec la couche tampon ou la couche active doit présenter un caractère ohmique [1].

III-8-2 Etude des couches minces de Fullerène C60 :

Les fullerènes sont des molécules organiques composées entièrement d’atomes de


carbone. Ils ont une forme sphérique, ces molécules ont été découvertes en 1985 [2] qui sont
une nouvelle structure du carbone et qui n’ont pas de point commun avec les structures
connues [3].

Le buckminsterfullerène (C60) est le plus petit fullerène stable. Ce composé a la


forme sphérique et a une conductivité isotrope [4], il a fait ses preuves en tant que molécules
accepteur et à cause de sa forte affinité électronique, il s’est imposé dans les dispositifs
photovoltaïques [5].

Les couches minces de C60 absorbent peu dans le visible et le maximum de


l’absorbance se situe à une longueur d’onde d’environ 450 nm [3, 5].

72
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-11 : Structure chimique de la macromolécule C .


60

Figure III-12 : structure de bande de C [4]


60 .

Nous présentons sur la figure III-12 la structure de bande du C60 [6], on remarque que le
fullerène possède une bande interdite électronique égale à 1.7 eV et une affinité électronique de
4.5 eV, ceci lui confère un caractère de semi-conducteur accepteur d’électrons.

73
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-8-3 Couches minces de Phtalocyanine de cuivre CuPc

Le CuPc est une molécule organométallique stable physiquement et chimiquement, le


nom chimique est la phtalocyanine de cuivre ou la formule chimique est C32H16N8Cu avec un
poids moléculaire de 575.5g/mol. Ce matériau organique a un avantage d’avoir un faible coût en
plus des propriétés optoélectroniques. Il est entre autre employée dans les transistors à effet de
champs [7] et les détecteurs moléculaires [8], mais garde ses meilleures perspectives dans
l’optoélectronique comme les OLEDs [9] et les cellules solaires [10].
Le CuPc utilisé dans notre étude a une pureté de 99% et possède une bande
interdite de 1.8 eV. La molécule de CuPc et ses caractéristiques chimiques sont illustrées
sur la figure III-13. On représente sur la figure.III.4 la structure de bande de CuPc [11],
elle est caractérisée par une affinité électronique de 3,5 eV.

Figure III-11. Structure chimique de la Phtalocyanine de cuivre [3, 12]

74
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-14 : Structure de bande de CuPc [11].

La caractérisation optique de la couche mince de CuPc montré dans la figure 15, qui
donne les mesures de densité optique en fonction de la longueur d’onde, les couches minces de
CuPc absorbent dans le domaine du visible d’où son efficacité comme matériau donneur dans les
cellules solaires organiques et le maximum du pic de la bande à 720 nm est attribué à la première
transition π-π* dans le macrocycle phthalocyanine [13], le deuxième pic à 618 nm peut être
expliqué comme étant la deuxième transition π-π* [3].

Figure III-15 Spectre de densité optique d’une couche mince de CuPc [3]

75
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-8-4 Le tris(8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3 )

L’Alq3 est un matériau organique à la base avec un poids moléculaire d’environ


460g/mol, la présence d’aluminium le rend un complexe métallique qui a pour formule
moléculaire 3(C9H7NO) attaché a un ion d’aluminium. La structure chimique de cette molécule
est représentée sur la figure III-16 (b). Eastman-Kodak est à l’origine de la découverte de ce
matériau qui a été synthétisé pour la première fois en 1955 par Freeman et White [14, 15].

Cette couche de par ses propriétés, (largeur de bande interdite) a été dénommée couche
bloqueuse d’exciton [16, 17] ; entre l’accepteur et la cathode, cette interface joue le rôle de
couche tampon [5].

(a)

N
O
Al O
N O
N

(b)
Figure III-16 Structure moléculaire de l’AlQ3

76
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Ce matériau est largement utilisé dés les années 80 [18, 19], à cause de son potentiel
d’ionisation d’environ 5,9 eV et d’une largeur de la bande interdite d’environ 2,8 eV [20]. Il est
utilisé comme une couche pour le transport des électrons dans les diodes électroluminescentes
organiques [15].

III-8-5 Le trioxyde de molybdène MoO3:

Le trioxyde de molybdène est un composé chimique de formule MoO3. Il existe


naturellement sous la forme d'un minéral rare, il existe de forme solide jaune-vert à bleu clair.

La structure cristalline du trioxyde de Molybdène, a été déterminée en 1931,


indépendamment, par Brakken [21] et Wooster [22].

http://fr.wikipedia.org/wiki/Fichier:Molybd%C3%A4n%28VI%29-
oxid_Kristallstruktur.png

Figure III-17 Maille cristalline du trioxyde de molybdène

L’oxyde de molybdène MoOx est l’un des matériaux les plus utilisé à cause de la
multitude de ses structures cristallines. Il se trouve sous forme de deux principaux oxydes : MoO3
et MoO2 [23]. Le MoO3 est un matériau isolant, il existe sous forme de plusieurs variétés
allotropiques : α-MoO3 la plus stable thermodynamiquement, et d’autres phases métastables β-
MoO3, ε-MoO3 et η-MoO3 de structure hexagonale [24]. La phase la plus connue est la variétéα
qui possède la structure de ReO3 [25]. Elle se cristallise dans une structure orthorhombique [26],

77
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

avec des paramètres de maille a= 3.962 Å, b= 13.855 Å et c= 3.699 Å. Cette structure est
constituée d’une série de couches orientées perpendiculairement à la direction de l’axe [010]
comme le montre la Figure III-17, chaque couche est constituée d'octaèdres MoO6 reliés entre
eux par deux sommets opposés, et deux couches adjacentes sont liées à la première par des forces
de Van Der Waals [27, 28, 29, 30]
Grace à sa grande bande interdite (3–3.3 eV), l’oxyde de molybdène est aussi un bon
candidat pour la détection des gaz [31], et des études ont montrés que cet oxyde est efficace pour
la détection des gaz tel que H2 [31, 32], CO [32], NH3 [31].
Sa résistivité a été mesurée par la méthode de Van Der Pauw elle est de l’ordre ρ=4,5.105
Ωcm, c’est la valeur qui a été proposée par matoushima et autre [25, 28], et son travail de sortie
est de l’ordre de 5.4 eV [28].

Masse molaire 143,96 g/mol

T° fusion 795°C

T° ébullition 1155°C

Structure cristalline Orthorhombique

Masse volumique 4,7g/cm3

Travail de sortie 5.4 eV

Résistivité 4,5.105 Ω.cm

Couleur jaune-vert

Tableau III- 1: principales propriétés de trioxyde de molybdène MoO3

78
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

Figure III-18 : Ancien (a) et nouveau (b) schéma de la structure de bande de MoO3 [28, 33]

III-9 Conclusion

Nous avons présenté, au début de ce chapitre, les techniques d’évaporation ou de


sublimation thermique que nous avons utilisée pour l’élaboration des couches minces de semi-
conducteurs organiques. Ensuite, nous avons décrit la technique mise en œuvre pour la mesure de
la caractéristique I-V de ces couches et en fin nous avons définit les matériaux utilisé pour
élaborer ces cellules photovoltaïques.

79
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

III-10 Bibliographie

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80
Chapitre III Techniques Expérimentales de Dépôt et Présentation des Matériaux Utilisés

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Technologie Letter Vol.1, N°2, (2014) 5-17

81
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

IV-1 Introduction

Un dispositif électronique à homojonction ou à hétérojonction p-n est jugé performant


lorsqu’il présent une bonne réponse I-V, sous l’effet d’une polarisation extérieure. En d’autres
termes, il doit avoir un comportement exponentiel. Cette caractéristique, dite caractéristique
courant tension (I-V), n’est jamais parfaite puisqu’elle dépend de la nature des matériaux
constituant le composant ainsi que du procédé technologique de dépôt.
Le développement des dispositifs se base donc sur l’analyse détaillée de cette
caractéristique qui joue un rôle clé dans la compréhension des phénomènes physiques internes
des composants. Dans ce chapitre nous analysons le comportement courant-tension de notre
structure à température ambiante.
Le comportement des cellules solaires organiques basées sur coper-
phthalocyanine/fullerene avec les différentes couches tampon cathodiques étudiées en
fonction de la durée d’exposition à l’air. Nous présentons l'étude de l'effet de MoO 3 sur les
propriétés des cellules solaires photovoltaïques (OPVC) quand, il est présent dans la couche
tampon cathodique (CBL). ¶Des paramètres photovoltaïques ont été mesurés en fonction de la
durée de l'exposition à l’air. ¶Pendant les premiers jours de l'exposition, l'efficacité des
cellules solaires avec MoO 3 dans la couche tampon cathodique (CBL) augmente de manière
significative, alors qu'elle diminue juste après l'exposition dans le cas des cellules référence,
c.-à-d. sans MoO 3 dans le CBL. ¶Néanmoins, la vie des cellules solaires avec MoO 3 dans leur
CBL est autour 60 jours, alors qu'il ¶est seulement 10 jours dans le cas des cellules référence.
¶L'augmentation initiale des performances des cellules solaires avec MoO 3 dans la
couche tampon cathodique (CBL) est attribuée à la diminution lente de la fonction de travail
de MoO 3 dû à la contamination progressive. ¶Puis, la dégradation progressive de l'efficacité
des cellules est due à la contamination des couches organiques avec de la vapeur d'eau et
d'oxygène. ¶L'utilisation d'une double couche de Alq 3 /MoO 3 dans le CBL, permet
d’interrompre la croissance des trous et des défauts. ¶En outre elle peut empêcher la
contamination de la couche organique par l’Al tout ceci a comme conséquence l'augmentation
significative de la durée de vie des cellules.

82
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

IV -2 Elaboration de la cellule solaire organique

¶Les jonctions CuPc/C60 ont été déposées sur un substrat de verre nettoyé revêtu d’une
couche conductrice et transparente de l’oxyde d’indium dopé d’étain (ITO) comme anode.
¶Avant le dépôt organique sous vide, le substrat d'ITO a été couvert d’une couche mince de
MoO 3 d’épaisseur de 3 nm. ¶Il est déjà montré que cette couche augmente de manière
significative l'efficacité de cellules grâce a une bonne adaptation de la structure de bande
d’anode/CuPc [1, 2]. ¶Tous les différents films ont été déposés avec le même processus dans un
vide de 10 -4 Pa. La vitesse et ¶l’épaisseur de dépôt des couches minces ont été estimés in situ
avec un moniteur de quartz. Les vitesses et les¶ épaisseurs finales étaient de 0.05 nm/s et de 35
nm dans le cas de CuPc, 0.05 nm/s et de 40 nm dans le cas de C60.¶ Le matériau utilisé
comme CBL était l'aluminium tris(8-hydroxyquinoline) (Alq 3 ), qui est connu pour son
efficacité [3]. ¶Dans ce travail, nous avons ajouté à Alq 3 une couche de MoO 3 , la totalité de
l’épaisseur de la couche tampon cathodique étant égale à 9 nm comme l’épaisseur d’Alq 3 seul
[4].¶ Après le dépôt de CBL, les électrodes de dessus d'aluminium ont été thermiquement
évaporées sans casser le vide, par un masque avec 2x10 mm2 des zones actifs.¶
Sans couche protectrice les cellules solaires sont instables, à cause de la dégradation
rapide de leurs performances, les dispositifs non encapsulés sont pratiquement morte après un
jour en exposition d’air [5]. ¶Afin d'atténuer cette instabilité, avant de casser le vide, une
couche d'encapsulation de 50 nm de sélénium amorphe (Se), est thermiquement évaporée sur
la cellules solaire. Cette couche est ¶ efficace pour protéger la cellule contre les
contaminations de l'oxygène et de vapeur d'eau [6], au moins pendant les premières heures de
l'exposition d'air ambiante [5, 7]. Par conséquent la protection par une couche Se, augmente la
durée de vie des cellules solaires.
¶Donc, les structures utilisées étaient : verre/ITO (100nm)/MoO 3 (3 nm)/CuPc (35
nm)/C60 (40 nm)/CBL (9 nm)/Al (120 nm)/Se.¶ ¶Les caractérisations électriques ont été
faites avec un appareil de contrôle automatisé de J-V, dans l'obscurité et sous éclairement
avec un simulateur solaire à AM 1.5. Des mesures ont été effectuées à une atmosphère
ambiante. ¶Tous les dispositifs ont été illuminés par des électrodes de TCO.¶
Les échantillons ont été stockés dans une chambre loin de la lumière du jour. ¶Les
paramètres des cellules solaires, la tension de circuit ouvert V oc , la densité de courant de court
circuit J sc , le facteur de forme FF et le rendement η, ont été étudiées à différentes conditions.
¶Des essais multiples sous la lumière AM1.5 à la température ambiante ont été faite à des
temps différents :¶5 minutes à 2 mois.¶

83
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

¶L'influence de l'humidité sur le taux de dégradation des dispositifs a été étudiée en


utilisant différentes conditions de stockage des échantillons. ¶Les mesures caractéristiques J-
V de quelques échantillons qui ont été placés dans la boîte fermée avec des dessiccateurs à
l'intérieur, ce qui a eu comme conséquence une humidité de 25%, alors que d'autres étaient
maintenus dans l'air d’une chambre où l'humidité était 60%. ¶L'humidité a été mesurée par un
émetteur de l'humidité RH 88. ¶La température de la salle était 20C.¶ La vie du dispositif peut
être définie comme vie opérationnelle jusqu'à ce que le rendement soit tombé au-dessous d'un
certain niveau. ¶Dans notre cas, nous choisissons d'employer la demi vie ou la diminution du
rendement est de 50% comme une mesure de la durée de vie de la cellule solaire (Tη0 / 2) [8].

Figure IV-1 Structure de barrière multicouche constituée de Alq 3 /MoO 3 comme couche
amorphe

IV-3 Le modèle de Schokley pour la caractéristique courant-


tension d’une diode à jonction p-n

IV-3-1 Caractéristique courant tension d’une diode idéale

Une diode est dite idéale lorsque sa caractéristique I-V ne présente aucun écart par
rapport aux variations exponentielles, prévues par la loi de Schokley, données par :

qV

I = I S (e nkT − 1) (IV-1)

Où V est la tension de polarisation, n le coefficient d’idéalité et I s le courant de saturation.

84
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

A température fixe, l’équation IV-1 prévoit une augmentation exponentielle du courant


électrique qui traverse la jonction, pour des polarisations directes (V>0) supérieures à
quelques (kT/q). Dans le sens inverse (V<0), la diode est bloquée et les courants sont très
faibles, généralement sur une large gamme de tensions. En échelle semi-logarithmique, la
caractéristique I-V se présente comme le montre la figure IV-2.

polarisations polarisations
inverses directes
diode
I

V
I (A)

Is pente = nkT/q

0
V ( Volts )

Figure IV -2: Caractéristique I-V idéale d’une diode à jonction p-n.

Les paramètres caractéristiques d’une diode sont le coefficient ou facteur d’idéalité n


et le courant de saturation I s . Dans le cas d’un comportement idéal, I s peut être déterminés par
la caractéristique I-V directe par simple extrapolation de la courbe (I-V). Le facteur n, qui fait
référence à un mécanisme de conduction unique, peut être déduit par un calcul de pente de
cette même caractéristique (figure IV-2).

IV-3-2 Caractéristique courant- tension d’une diode réelle

A l’exception des composants basés sur des matériaux dont la technologie est
totalement maîtrisée, tel que le Silicium, les caractéristiques I-V ne présentent jamais le
comportement décrit par la figure IV-2. En effet les dispositifs peuvent comporter des défauts
de structure liés à la croissance des couches ou bien des défauts dus aux procédés de

85
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

fabrication. Ces défauts sont à l’origine des écarts par rapport au comportement idéal, souvent
observés sur les composants.

Même dans le cas ou la technologie d’un dispositif est parfaitement maîtrisée, la


caractéristique I-V peut toujours présenter des déviations par rapport à la loi de Schokley.
Dans ce cas, les écarts peuvent être dus soit au dessin même de la structure (alignement des
bandes d’énergies) soit à l’existence de plusieurs phénomènes de conduction. Ces
phénomènes peuvent avoir lieu simultanément ou séparément ce qui implique différentes
valeurs du facteur d’idéalité n. Une représentation en double exponentielle avec un terme
traduisant les courants de fuites peut être une interprétation des variations du courant en
fonction de la tension de polarisation [9] :

q (V − RsI ) q (V − RsI )
V − Rs I
I = I S 1 (e kT
− 1) + I S 2 (e 2 kT
− 1) + (IV-2)
Rsh

Dans le cas général, la caractéristique I-V d’une diode réelle présente différentes
régions. Aux faibles polarisations, les courants traversant la diode peuvent être importants
(génération thermique ou fuites en volume ou par la surface), dans le sens directe ou inverse.
Sous polarisation directe et pour des tensions intermédiaires, les courants augmentent de
manière exponentielle classique. Lorsque la tension devient importante, une chute de tension
au niveau des zones neutres fait que la caractéristique I-V n’est plus une exponentielle. Il
s’agit de l’effet de la résistance série de la diode R s . La figure IV-3 est une représentation de
la caractéristique courant-tension directe d’une diode réelle.

86
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

(III)

Réelle
(II)
I(A)

Jonction
(I)
rs
Idéale Rsh

V ( Volts )
Figure IV -3 : Caractéristique I-V réelle d’une diode à jonction p-n.
Région I: zone de fuites - Région II: comportement exponentiel - Région III: effet de R s .

IV-3-3 Paramètre d’une diode à jonction p-n

IV-3-3-a Le Courant de saturation I s

Le courant de saturation I s , qui est généralement faible, n’est autre que le courant
observé sous polarisation inverse. L’ordre de grandeur de I s dépend de la nature des
matériaux et donc des propriétés des porteurs de charges, responsables du transport. Il est
également lié à la nature de la structure (simple jonction, hétérojonction, jonction métal
semiconducteur), à la température de fonctionnement du dispositif et même à la géométrie
(dimensions) de la diode. Connaissant I s . Il est possible d’extraire les propriétés des porteurs
de charges dans le matériau constituant la jonction, tels que les longueurs de diffusion, les
mobilités et les durées de vie.

87
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

VI-3-3-b Le facteur d’idéalité n

Le facteur d’idéalité renseigne sur le mécanisme de conduction mis en jeu dans le


dispositif. Il peut prendre plusieurs valeurs ce qui correspond à différentes pentes de la
caractéristique semi-logarithmique I-V. En général n prend la valeur 1 dans le cas d’un
courant de porteurs minoritaires tels que le courant de diffusion [10, 11]. Une valeur de 2 veut
dire qu’il s’agit d’un mécanisme de génération ou de combinaison dans la zone de charge
d’espace [11]. L’existence de différents mécanismes de transport ou de phénomènes plus
complexes donne lieu à des coefficients bien supérieurs à 2.

IV-3-3-c La résistance série R s

La résistance série R s est un paramètre important. Cette résistance est généralement


attribuée aux mauvais contacts métalliques et aux largeurs des régions neutres d’une jonction
[12, 13]. Pour une tension appliquée V a , R s provoque une chute de tension R s I et la jonction
ne supportera que la quantité V a -R s. I.
L’écart entre les caractéristiques idéale et réelle apparaît très tôt en tensions (région III
de la figure IV-3) si la valeur de R s est élevée. Cela peut fausser les valeurs de n et de I s
déduite comme nous l’avons décrit plus haut. Il est donc nécessaire de connaître R s , Les
valeurs de R s sont généralement de quelques ohms.

IV-3-3-d La résistance de fuites R sh

Aux faibles polarisations directes ou inverses, la résistance shunt (R sh ) rend compte des
courants importants qui peuvent traverser une jonction. Il peut s’agir de courants de surface,
généralement dus à la présence de charges électriques à la surface du composant. Ces courants
peuvent aussi apparaître lorsque la structure présente des défauts en volume [12, 14].

Une autre possibilité est que les courants supplémentaires sont des courants de
génération thermiques, particulièrement dans le cas des diodes réalisées à partir de matériaux
à faibles gaps. L’effet des courants supplémentaires ou parasites est modélisé par une
résistance R sh , connectée parallèlement à la jonction p-n [12]. Afin de pouvoir exploiter

88
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

convenablement la caractéristique courant-tension, il est important de s’affranchir de ces


courants supplémentaires [15].

IV-4 Méthodes Analytique d’extraire des paramètres électriques

Il est difficile et important d’évaluer les paramètres Rs, Rp, Is et n,……Vue la


complexité de cette équation et pour extraire ces paramètres de transport, plusieurs méthodes
ont été utilisé.
Nous citons avec explication dans cette partie quelques méthodes pour extraire les
paramètres électriques des diodes.

IV-4-1 La méthode classique


Cette méthode est très utilisée pour extraire les paramètres n et Is d’une diode à
jonction p-n, à partir de l’analyse de la partie linéaire de la courbe I-V [16, 17, 18, 19]. Cette
technique utilise la transformation logarithmique de la caractéristique courant-tension [11] :

qV
ln I = ln I S + (IV-3)
nkT

Le coefficient d’idéalité n est obtenu par un simple calcul de pente de la partie linéaire
et le courant de saturation Is par l’intersection avec l’axe des ordonnées (axe des courants)
[20, 21, 22, 23].

89
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

n.kT/q
I(A)

Is

V ( Volts )
Figure IV-4: Extraction des paramètres de la diode avec la méthode classique.

Cette méthode suppose que le composant ne présente pas de courants de fuites aux
faibles polarisations, ni de chute de tension (RsI) sous polarisations élevées, donc les effets de
la résistance parallèle et la résistance série sont négligés.
De plus, le terme (-1) figurant dans l’équation (IV-1) est négligé. Cette dernière
approximation suppose des tensions appliquées supérieures à quelques kT/q, ce qui rend la
méthode classique parfois aux faibles polarisations non fiable.
La figure IV-5 représente la caractéristique I-V, en supposant un comportement en
double exponentielle. Les courants de saturation choisis sont de 0.6 pA et 100 pA pour des
coefficients d’idéalité de 1 et 2 respectivement. Ces données correspondent à deux
phénomènes de transport différents, la diffusion et la génération recombinaison de porteurs de
charges, à une température ambiante.

90
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

100

-2 I(A) = 0.6.10-12(eqV/kT-1) + 100.10-12(eqV/2kT-1)


10

10-4
I (Ampères)

10-6

10-8

10-10

10-12
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
V (Volts)

Figure IV-5 : Caractéristique courant tension I-V pour une jonction p-n.

IV-4-2 La méthode de Norde


Norde a proposé une méthode simple pour l’extraction de la résistance série R S et du
courant de saturation Is, pour une diode à contact métal-semiconducteur (diode Schottky)
[24]. En considérant l’effet de la résistance série, le courant s’écrit de la même façon que pour
une jonction p-n :

(
I = IS eβ ( V−IRS ) − 1 ) (IV-4)

Pour une diode Schottky, le courant de saturation Is est donné par : Is=A.T²e-βΦb.
A étant la section de la diode, T la température absolue et Φ b la hauteur de barrière dans le
semiconducteur. Le terme β n’est autre que le rapport (q/kT). Pour déterminer Rs et Is,
l’auteur a défini une fonction F(V) dépendant de la tension appliquée. Cette fonction s’écrit :

V 1  I 
¶¶ F(V) = − ln   (IV-5)
2 β  AT 2 

91
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

L’expression (IV-6) est obtenue par une simple combinaison des équations (IV-4) et
(IV-5). En tenant compte de la chute de tension RsI et pour des valeurs de (V- RsI)
supérieures à quelques kT/q, et prend la forme suivante :

F(V)=φB + IRS − 1V (IV-6)


2

L’équation montre que si la diode présente effectivement une résistance série Rs, La
fonction F(V) présente un minimum pour un couple courant-tension (Io,Vo). Sachant que la
hauteur de barrière Φ b est constante, la dérivation de l’équation (IV-6) par rapport à la tension
appliquée donne :

dV
( )
dF = RS dI − 1 = βRS I − 1
dV 2 1+ βRS I 2
(IV-7)

La quantité dF/dV s’annule pour une valeur bien déterminée du courant (Io), qui
correspond à une valeur Vo de la tension. Au minimum de F(V), l’équation (IV-7) donne :

I0 = 1 = kT (IV-8)
βRS qRS
1  I 
V 0 = I 0 Rs + V D = + ln 0 2  (IV-9)
β  AT 

Connaissant F (Vo), Io et Rs, Il est possible de déterminer la hauteur de barrière Φ b et donc le


courant de saturation Is de la diode.

¶¶A partir de la valeur de ce minimum correspondant montré dans la figure IV-6, à un


courant I 0 et une tension Vo, la barrière Schottky ainsi que la résistance série R S sont
obtenues [25]. Pour Rs = 0 Ω, F (V) n’admet aucun minimum.

92
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

0,9

0,8

R = 10 Ω
0,7
F(V)

R=1Ω
0,6
R=0Ω

0,5
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2
V(volt)
Figure IV-6 : Variations de F (V) en fonction de V pour une jonction p-n.

La méthode de Norde est appliquée pour une diode Schottky [26, 27, 28, 29]. Cette
technique ne prend pas en considération l’effet des courants supplémentaires dus à la
résistance de fuite [27].

IV-4-3 ¶La méthode de Werner

Werner a proposé trois courbes différentes pour déterminer le courant de saturation Is,
le facteur d’idéalité n et la résistance série Rs. À partir des mesures simples courant-tension à
faibles polarisations [30]. L’auteur a étudié la caractéristique I-V sur une diode Schottky
fortement affectée par les résistances série et shunt. La courbe I-V est celle d’une diode réelle,
identique à la courbe I-V de la figure IV-2. Rappelons que pour une diode réelle, le courant
total s’écrit sous la forme :

 β  
I = I d + I p = I S  Exp (V − IRS )  − 1 + G p (V − IRS ) (IV-10)
 n  

93
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

I d étant le courant de la diode, I p le courant de fuite et G p la conductance différentielle


de la diode. G p est déduit par interpolation de la partie linéaire de la caractéristique I-V
inverse, à fortes polarisations. Le courant direct mesuré est alors corrigé d’une quantité
I p = G p V. Le courant traversant la jonction est alors : I d = I - G p V. Pour V d = V - IR S >> kT,
le courant de la diode sera donné :
β 
I d = I S Exp (V − IRS )  (IV-11)
n 
A partir de l’équation IV-11 et pour les faibles polarisations, on obtient, ce que
l’auteur appelle courbe A, qui est le rapport de la conductance différentielle au courant
mesuré :

Courbe A : G = β (1−GRS ) (IV-12)


Id n

A partir de l’équation (IV-12) on peut avoir accès à deux autres courbes : La première
courbe est obtenue en remplaçant la conductance différentielle G par 1/R dr . R dr est dite
résistance différentielle. On obtient :

Courbe B : Rdr = n + RS (IV-13)


β Id

Un autre graphe est obtenu à l’aide de la même grandeur R dr =1/G = dV/dI d = (1/I d )dV/dlnI d
En utilisant l’équation (IV-13), on obtient

Courbe C : dV =RS Id + n (IV-14)


d ln Id β

Nous avons simulé une caractéristique courant-tension d’une diode en tenant compte
des effets des résistances de fuite et série figure IV-7. Nous avons, par la suite, corrigé ces
variations en retranchant les courants de fuites figure IV-8.

94
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

10-1

10-2

10-3
I(A)

10-4

I = Is ( e q(V-R I) / kT - 1 ) + (V-RsI) / Rsh


s

-5
10
Is = 10-10A - Rs = 5Ω - Rsh =1 000Ω

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0


V(volt)

Figure IV-7 : Caractéristiques courant – tension simulée.

100

10-2

10-4

10-6
I(A)

10-8

I = Is ( e q(V -R I) / kT - 1 )
D s

-10
10
Is= 10-10 A - Rs= 5 Ω

10-12
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
V(volt)

Figure IV-8 : Caractéristiques courant-tension après correction.

L’équation (IV-12) montre que G/I d en fonction de G est une droite. L’intersection
avec l’axe des abscisses donne 1/R S . L’ordonnée à l’origine donne β n . Pour notre dispositif
simulé, les résultats de la courbe A sont donné sur la figure IV-9.

95
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique
100

Courbe A - G/Id = β (1 − GRS) / n


80
n = 0,97 - Rs = 5,04 Ω

60
β/n
G/Id

40

20
1/Rs

0
0,00 0,04 0,08 0,12 0,16 0,20 0,24
−1
G(Ω )

Figure IV-9 : Variations de G/I d en fonction de G.

Les variations de la résistance différentielle R dr en fonction de l’inverse de courant


mesuré (1/I d ) sont également linéaires. La droite admet comme pente n β et l’intersection
avec l’axe des ordonné fournit la résistance série R S (Figure IV-10). Les résultats pour notre
diode sont donnés sur la figure IV-10.
35

Courbe B : Rdr = n/β.Id + Rs


30
Rdr ( Ω )

25

20
n/β
15

10

n = 0,97 - RS= 5,3 Ω


5 Rs

0 200 400 600 800 1000 1200


1 / Id( A-1 )

Figure IV-10 : Variations de la résistance différentielle R dr en fonction de1/ I d

96
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

D’après l’équation (IV-14), la courbe dV/dlnI d en fonction de I d est une droite de


pente R S et l’intersection avec l’axe des ordonnées donne n β . Les résultats obtenus par cette
courbe représentés dans la figure IV-11.

0,25
Courbe C - Id/G = n/β + RSId
0,20

0,15
Id/G(A.ohm)

RS
0,10
n/β

0,05

n = 0,98 - RS= 5,03 ohm


0,00

0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05


Id(A)

Figure IV-11 : Variations de I d /G en fonction de I d .

IV-4-4 La méthode de Ranuarez


Ranuarez propose une technique basée sur l’intégration numérique des données I - V, en
direct et en inverse et sur tout l’intervalle des tensions [31] :
V

∫ ∫
 qV 
V
nkT
I .dV = I S  e nKT − 1dV = I − V .I S (IV-15)
0   q
0

L’auteur propose le calcul de deux fonctions. Une fonction A équivalente à une tension et une
fonction B correspondant à un courant. Ces deux grandeurs sont données par :
V

A=
∫ .0
I .dV
=
nkT  V 
−  I S (IV-16)
I q I
V

B=
∫.0
I .dV
=
nkT  I 
  − IS (IV-17)
V q V 

La courbe A est une droite de pente -Is, dont l’intersection avec l’axe des ordonnés
donne nkT/q figure (IV-12-a). La courbe B est également linéaire, de pente nkT/q.
L’intersection avec l’axe des ordonnées donne (– I s ) figure (IV-12-b).

97
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique
2,0x10-9
0,05 nkT/q (a) (b)
-9
1,5x10
0,04

B (Ampères)
A (V)

0,03 1,0x10-9
-Is
0,02
5,0x10-10 -Is
n = 1.970 ± 0.001 n = 1.970 ± 0.001
0,01
Is = ( 99,38 ± 0,07) 10-12 0,0 nkT/q Is = ( 99,33 ± 0,07) 10-12
0,00 0,0 1,0x10-8 2,0x10-8 3,0x10-8 4,0x10-8
0 1x108 2x108 3x108 4x108 5x108
I/V (Siemens)
V/I (Ω)

Figure IV-12: a- variations A = f (V/I), b-Variations B = f (I/V).

Appliquée à la diode simulée de la figure IV-5, la méthode de ranuarez fournit des


résultats très corrects. Cette méthode présente certains avantages, à savoir :

- Peu sensible aux bruits dans les mesures.


- Le procédé d’intégration numérique comporte moins d’erreurs.
- Possibilité d’extraction des paramètres en présence de différents mécanismes de
transport.
- Possibilité d’utilisation de cette technique même à faibles polarisations.

IV-5 Résultats de l’expérience


L’évolution de la caractéristique J-V en fonction du temps des différents familles des
cellules solaires les résultats sont présenté dans deux figures, la première avec Alq 3 (6
nm)/MoO 3 (3nm) comme CBL et la deuxième figure avec Alq 3 (9nm) comme CBL.

98
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

4
t durée exposition d'Air
J (mA/cm2) 2

0
t=0
t = 85 Jours
-2
t = 6 Jours

-4 t = 13 Jours

-200 2000 400 600


V (mV)
Figure IV-13 J-V Caracteristiques J-V de ITO (100nm)/MoO 3 (3 nm)/CuPc (35 nm)/C 60 (40
nm)/Alq 3 (6 nm)/MoO 3 (3 nm)/Al après différentes durées d’exposition d’air: (■) t = 0, (●) t = 6
jours, (▲) t = 13 jours et (▼) t = 85 jours

Figure IV-14 J-V Caracteristique J-V de ITO (100nm)/MoO 3 (3 nm)/CuPc (35 nm)/C 60 (40
nm)/Alq 3 (9 nm)/Al après différentes durées d’exposition d’air: (■) t = 0 and (●) t = 6 jours

Les résultats obtenus avec les différentes combinaisons Alq 3 /MoO 3 après les différents
temps d'exposition d'air sont rapportés dans le tableau IV-1.¶ La cellule solaire qui contient du
MoO 3 dans la CBL, l'efficacité augmente pendant les premiers jours de l'exposition d'air
jusqu'à une valeur légèrement plus petit que 1% montré dans le tableau IV-1, alors que dans le
cas de la cellule référence donc Alq 3 seul comme CBL l'efficacité est maximum, légèrement

99
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

supérieure à 1% pour t = 0 , puis le rendement diminue après l’exposition à l’air.¶ Après


plusieurs jours d’exposition à l’air l'efficacité des cellules solaires avec MoO 3 comme CBL
est maximale et est supérieur à celle des cellules de référence pour la même durée d'exposition
à l’air.¶ En fait, si après qu'ils aient atteint leur maximum il diminue en quelques jours, il tend
alors à se stabiliser. La durée de vie de ces cellules est de l'ordre de 60 jours, alors que c'est
seulement 10 jours pour les cellules de références.

CBL t (exposition à l’air par Jsc Voc FF η (%)


jours) (mA/cm2) (V) (%)
Alq 3 (3 nm)/ MoO 3 (6 0 0.13 0.011 24 3.7x10-4
nm) 6 4.65 0.47 36 0.80
10 3.92 0.44 30.5 0.53
Alq 3 (6 nm)/ MoO 3 (3 0 2.86 0.27 22 0.17
nm) 6 4.73 0.49 37 0.85
10 4.13 0.46 35.5 0.67

Tableau IV-1 évolution des paramètres des cellules solaires avec différentes configurations des
CBL en fonction du temps d’exposition à l’air

1,0
0,9 Alq3 (6 nm)/ MoO3 (3 nm)
0,8 Alq3 (9 nm)
rendement normalisée

0,7
0,6
η = η0/2
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 20 40 60
exposition d'Air (Jours)

Figure VI-15: Variation avec le temps du rendement normalisée des cellules solaire avec différentes
CBL: (■) Alq 3 (6 nm)/MoO 3 (3 nm) and (∆) Alq 3 (9 nm).
¶Au sujet de la forme des caractéristiques J-V, La figure IV-13 et IV-14 montre une
variation en fonction de temps de l'exposition à l'air avec la disparition d’aspect de la courbe en

100
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

forme de S.¶ Cette évolution sera discutée avec l'aide des circuits électriques.¶ Toutes les
caractéristiques photovoltaïques sont normalisées à leur valeur maximum et tracées en fonction
du temps d'exposition d'air les figures IV-15 et IV-16.¶
Les courbes des rendements des cellules sont normalisés en fonction du temps pour
des cellules stockées en atmosphère ambiante cette diminution du rendement est dépend de la
nature du CBL.¶ Ainsi, alors dans une première étape tous les cellules solaires ont une
dégradation presque semblables, le taux de dégradation est plus grand dans une deuxième
étape pour des cellules de référence.¶ D'ailleurs on doit noter que, le rendement de la cellule
référence diminue dès qu’elle est mis en contacte avec l’air, alors qu'il diminue seulement
après atteindre son maximum pour les CBL qui contienne le MoO 3 , c'est-à-dire après
plusieurs jours dans le cas des cellules contenant MoO 3 dans la CBL, quand la pente des
courbes de la figure IV-15 change, l'efficacité de cellule référence est beaucoup inférieure.
Puisque les dispositifs diffèrent seulement par la nature des couches tampon utilisées,
les différences de durée de vie sont clairement liées aux propriétés spécifiques du divers
CBLs.¶ Une fois la cellule solaire maintenue dans l'air, le rendement du dispositif diminue
systématiquement, au moins après une semaine d'exposition à l'air dans le cas des cellules
solaires avec MoO 3 dans la CBL, tandis que, une fois maintenus dans le vide pour éliminer
l'effet de l'oxygène et de l'eau, les dispositifs montrent une durée de vie très longue.¶ Afin de
clarifier la cause de la dégradation, nous avons entrepris des études dans différentes
conditions atmosphériques.¶ Quelques échantillons ont été placés dans la boîte fermée avec
les dessiccateurs à l'intérieur, où l'humidité est de 25%, alors que d'autres étaient maintenus
dans l'air où l'humidité était 60%.¶ En comparant l'évolution les rendements des cellules en
présence, ou pas, des dessiccateurs, nous pouvons distinguer entre l'humidité et la
contamination de l'oxygène.¶

101
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

1,0 Chambre d'air avec dessiccators


Chambre d'air
rendement normalisée 0,9

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
exposition d'air (Jours)

Figure IV-16: Variation avec le temps de l’efficacité normalisée des cellules solaires stockées dans
différentes conditions expérimentales
(○): Stocké a l’air ambiant, (■): Stocké en présence de dessiccateur.

Nous pouvons voir sur la figure IV-16 qu’en présence des dessiccateurs, la période de
diminution rapide et initiale a presque disparu.¶ Ce qui montre l'impact significatif de
l'humidité sur la stabilité des cellules.¶ L’efficacité de cellules solaires exposées des taux
d'humidité relative de 60% diminue plus rapidement que celle exposés à l'humidité relative
de 25%.¶ Il signifie que la diminution rapide initiale de l'efficacité de la cellule solaire est
principalement due à la contamination de vapeur d'eau, alors que le processus de dégradation
lent correspond à la contamination du matériel organique par l’oxygène. ¶Puisque le taux de
dégradation de ce deuxième processus est bien plus petit quand MoO 3 est présent dans le
CBL, il signifie que MoO 3 est plus efficace en limitant la diffusion de l'oxygène que la
diffusion de l'eau.¶

IV-6 Théorie et discussion

La présence ou pas de MoO 3 dans le CBL de nos cellules solaires modifie fortement
leur processus de vieillissement. ¶Un modèle de circuit équivalent pourrait être utile dans la
compréhension de l'évolution du comportement des cellules solaires en fournissant une

102
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

évaluation quantitative pour des pertes de rendement dans les cellules solaires [32]. ¶Le
circuit équivalent généralement utilisé pour interpréter les caractéristiques I-V des cellules
solaires se compose d'un photo-générateur relié parallèlement à une diode, qui représente les
caractéristiques I-V dans l'obscurité. ¶Ceci correspond à un modèle idéal en l'absence des
résistances parasites. ¶Cependant, pour modéliser une vraie cellule solaire organique, une
résistance de série, Rs, et une résistance de shunt, Rsh doivent être présents dans le circuit
équivalent figure IV-17-a. ¶La description mathématique de ce circuit est donnée par
l'équation suivante :¶

 V − I R S   V − I R S
I = I S  Exp   − 1 + − I ph (IV-18)¶
  n K T   R Sh

Les paramètres électriques, Rs, Rsh, n et le Iph peuvent être déterminés en utilisant la
fonction de Lambert W, qui est définie comme solution de l'équation

W (x).¶exp [ W (x) ] = x. (IV-19)



Le problème à résoudre est l'évaluation d'un ensemble de cinq paramètres Rs, Rsh, n, Iph et Is
pour adapter les caractéristiques expérimentales données d’une mesure de I-V à l'aide d'un
circuit de diodes simples.¶
¶Les valeurs de résistances sous l'illumination sont les valeurs plus intéressantes pour
la caractérisation de la cellule solaire et elles seront déterminées soigneusement.¶ ¶Comme
nous allons voir ci-dessous, pour certaines cellules, il est impossible de réaliser une bonne
concordance entre les résultats expérimentaux et théoriques de la caractéristiques J-V,
notamment pour la résistance série et la résistance de shunt. ¶Cela prouve que le circuit
équivalent simple de la figure IV-17-a ne peut pas expliquer ces résultats expérimentaux.
¶Dans les cellules photovoltaïques, le processus de la collection de porteur est l'un des
facteurs qui commande les caractéristiques électriques et l'efficacité des dispositifs. ¶Par
conséquent n'importe quelle modification d'interface peut mener à la variation significative
des rendements des cellules solaires.

103
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

Rs I

Iph Is Rsh V

(a)

Vb
Rs Ib
Im

Iph Vm Rsh1 Rsh2 V

(b)

Figure IV-17 ; Circuit électrique équivalent de ;


a) Une cellule solaire avec une seule diode
b) Une cellule solaire avec deux diodes

La collection de porteur dépend de la taille de la barrière de potentiel aux interfaces,


qui est égale, dans une première approximation et dans le cas du contact de la cathode, à la
différence d'énergie entre la fonction de travail de l’électrode Φ elec et la plus basse orbitale
moléculaire inoccupée de l'accepteur d'électron (LUMO EA ). ¶Quand ces valeurs sont
différentes il y a une barrière à l'interface, suite a une formation d'une couche d'arrêt. La
présence de cette barrière de contact peut être modélisée par la présence d’une deuxième
diode d’une polarité opposée [32, 33]. ¶À la lumière de ces travaux, nous avons présenté la
barrière à l'interface EA/cathode dans la (figure IV-17-b) avec l’équation (IV-21)

  − q Vb  
I = I b S  Exp   − 1 (IV-20)
  n2 K T  

104
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

Avec Ib 0 le courant de saturation, V b la tension à travers le contact arrière, la


constante de k Boltzmann, et la température de T. ¶Le courant est négatif parce que la polarité
de la jonction de C60/cathode inverse vis-à-vis de la jonction principale CuPc/C60. ¶Par
conséquent un effet limitation de courant est prévu de cette jonction et une courbe en forme
de S apparait, parce que le courant est totalement saturé a une valeur de J b0 [33]. ¶La valeur
de J b0 est la valeur où la courbe de J-V commence à montrer le renversement.¶
¶Quand une polarisation directe V est appliquée au circuit, la tension est divisée entre la V m à
travers la jonction principale CuPc/C60, V b à travers la jonction qui forme la barrière
TCO/CuPc et I R S la résistance de série :¶
V = V m + Vb + I R S (IV-21)¶

Les paramètres de la diode principale Rs et I m0 , n 1 , R sh1 sont calculés dans la région


loin du courant. ¶¶Alors l'équation (IV-21) peut être résolue.¶ Les modèles ci-dessus de
circuit ont été employés afin de réaliser un ajustement de précision entre l'expérimental et la
théorie de la caractéristique J-V des cellules étudiés.¶ ¶Premièrement, dans le cas des cellules
avec MoO 3 dans le CBL, l'effet en forme de S diminue progressivement quand la période de
l'exposition d'air augmente, jusqu'à ce qu'elle disparaisse complètement. ¶Alors qu’il
réapparaît et s’amplifie graduellement par la suite. ¶Dans le cas de la cellule référence, l'effet
en forme de S est absent au début de l'exposition à l'air, alors qu'il apparaît progressivement
quand la durée de l'exposition augmente. ¶Nous pouvons voir dans les figures IV-18 et IV-19
et dans les tableaux IV-2 et IV-3 que le schéma électrique classique présent dans la figure IV-
17-a permet de réaliser un bon accord entre la courbe théorique et la courbe expérimentale.
¶Dans les autres cas, c.-à-d., quand l'effet en forme de S est évident, il est nécessaire
d'employer le schéma électrique équivalent présenté dans la figure IV-17-b, c'est-à-dire, deux
diodes, avec une en inverse.

105
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

Exp 2 exposition d'air


exposition d'air Exp
1,5 t = 0 Jour Theo t = 4 Jours Theo

0
0,0

J(mA/cm2)
J(mA/cm2)

-1,5
-2

-3,0
-4
-4,5

-300 -150 0 150 300 450 -300 -150 0 150 300 450
V(mV) V(mV)

6 3
exposition d'air Exp
4 t = 6 Jours Exp 2 théo
Theo exposition d'air
1 t = 13 Jours
2
0

J(mA/cm2)
J(mA/cm2)

0
-1
-2 -2

-4 -3
-4
-6
-5
-400 -200 0 200 400 600 800 1000 -400 -200 0 200 400 600 800
V(mV) V(mV)

0,5 Exp 0,5


Theo 0,0
0,0 Exp
-0,5 exposition d'air Theo
-0,5 exposition d'air t = 71 Jours
t = 26 Jours -1,0
J(mA/Cm2)

J(mA/cm2)

-1,0 -1,5
-1,5 -2,0
-2,0 -2,5

-2,5 -3,0
-3,5
-3,0
-400 -200 0 200 400 600 800 1000 -400 -200 0 200 400 600 800
V(mV) V(mV)

Figure IV-18: Caractéristique J-V sous éclairement de AM1.5 d’une cellule solaire avec Alq 3 (6
nm)/MoO 3 (3 nm) comme CBL pour des durées différentes d’exposition d’air,

courbes expérimentaux (----) et courbes théoriques ( ____ ).

106
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

50 Exp
Exp 1 Theo
40 exposition d'air Theo
t = 0 Jour
0
30
J(mA/cm2)

J(mA/cm2)
-1 exposition d'air
20 t = 6 Jours

10 -2

0
-3
0 150 300 450 600 -400 -200 0 200 400 600 800 1000
V(mV) V(mV)

Figure IV-19: Caracteristique J-V sous éclairement de AM1.5 d’une cellule solaire avec Alq 3 (9 nm)
comme CBL pour des durées différentes d’exposition d’air,

courbes expérimentaux (----) et courbes théoriques ( ____ ).

Nombre Diode 1 Diode 2


des J ph (mA/cm2) J s1 (mA/cm2) R s1 R sh1 n1 J s2 R s2 R sh2 n2
jours (Ω) (Ω) (mA/cm2) (Ω) (Ω)
-4
0 Jour 4.57 7x10 35 360 1.2 4.2x10-2 15 70 1.0
6 heures 4.55 2.5x10-3 20 350 1.6 1.2x10-1 20 50 1.3
-5 -1
4 Jours 4.82 9x10 20 250 1.6 8x10 20 40 1.3
6 Jours 5.50 4x10-5 60 349 1.7 / / / /
-5 -1
13 Jours 4.07 5x10 30 450 1.6 5x10 20 130 1.3
18 Jours 3.60 7x10-6 33 450 1.4 9x10-2 24 400 1.3
-6 -2
26 Jours 2.70 9x10 33 450 1.4 7x10 24 1600 1.3
31 Jours 3.63 6x10-5 30 500 1.7 4x10-2 20 1100 1.3
50 Jours 3.90 4x10-5 35 650 1.6 4x10-2 42 1600 1.3
-5 -2
71 Jours 3.35 6x10 40 720 1.7 3x10 30 1500 1.3
85 Jours 3.03 9x10-5 40 420 1.8 3x10-2 2 1600 1.2

Table IV-2: Variations des paramètres en fonction du temps de la cellule solaire avec Alq 3 (6
nm)/MoO 3 (3 nm) comme CBL.

107
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

Diode 1 Diode 2
Nombre des J ph (mA/cm2) J s1 (mA/cm2) R s1 R sh1 n1 J s2 R s2 R sh2 n2
jours (Ω) (Ω) (mA/cm2) (Ω) (Ω)
-4
0 3.528 2.7 10 2.2 1020 1.7
6 3.015 2.0 10-4 12 1020 1.8 5.0 10-4 20 40 1.2
-5
10 2.580 2.5 10 50 1020 1.4 1.7 10-4 20 350 1.2
15 2.091 2.5 10-4 45 1080 1.5 2.5 10-4 30 1050 1.2

Table IV-3: Variations des paramètres en fonction du temps de la cellule solaire avec Alq 3 (9 nm)
comme CBL.

Dans le cas de la présence de MoO 3 dans CBL, une courbe en forme de S est obtenue
juste après l'exposition d'air, et puis, elle disparaît progressivement pendant les 5-6 premiers
jours. ¶L'effet en forme de S est dû à la présence de MoO 3 dans le CBL puisqu'il n'est pas
présent dans le cas de la cellule de référence.¶ La formation de cette barrière peut être
expliquée par le travail de sortie très élevé du MoO 3 . ¶Il a été montré que le travail de sortie
du MoO 3 après dépôt par sublimation sous ultra vide est de l’ordre de 6.9 eV [34], alors que
dans le vide classique (10 -4 Pa) est autour de 6.2 eV [35]. Avec cette valeur de W f du MoO 3 ,
la structure de bande à l'interface de C60 / Alq 3 /MoO 3 /Al, facilite le passage des trous, mais
pas celui des électrons (la figure IV-20) [34].

3eV
4.5 eV 4.3 eV
Al
6.1 eV 5.9eV 6 eV
C60 Alq3
6.2 eV

9 eV
MoO3

Figure VI-20: Structure de bande des interfaces C 6O /Alq 3 /MoO 3 /Al juste après dépôt.

¶D'autre part, on a également montré que l'exposition d'air de MoO 3 induit une diminution
progressive de W f d'environ 1 eV [35]. ¶Dans notre cas, le travail de sortie de nos couches
mince du MoO 3 est d’environ 5.1 eV après l’exposition à l’air voir le tableau 2 [36], qui
diminue la barrière d'électron à l'interface et facilite le transfert d'électrons.¶ Par conséquent
l'évolution des caractéristiques de J-V de nos cellules solaires avec la durée de temps

108
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

d'exposition à air correspond à une contamination progressive par air de ces cellules. ¶En
raison de cette contamination progressive de la couche du MoO3, le W f de MoO3 diminuera
graduellement jusqu'à ce qu'il atteigne sa valeur minimale de 5.1 eV. ¶En parallèle la taille de
la barrière actuelle à l'interface C60 / cathode diminue, qui justifie l'amélioration progressive
de l’efficacité de nos cellules, pendant les 6 premiers jours de l'exposition d'air la figure IV-
18-a et c.¶
La forme en S de la caractéristique J-V indique une formation d'une barrière à l'interface
C60/cathode. ¶En fait, les pièges formés dans la couche C60 par absorption de H 2 O/Oxygen
pourraient établir une charge d’espace, qui induit une formation de diode et diminuerait Jsc et
FF. ¶Le courant réduit (tableau IV-2 et IV-3) résulte d'une augmentation de la barrière
d'énergie à l'interface.¶ ¶Dans ce travail, C60 est déposé au dessus d'une couche de CuPc, la
couche C60 est ainsi la première à s’exposer à l'eau et l'oxygène, qui pourraient nettement
détériorer la couche C60, ayant pour résultat une augmentation de la résistance série et d'une
réduction de FF [3].

IV-7 Conclusion

Nous avons prouvé que le faite d'introduction une couche mince du MoO 3 dans le CBL
n’améliore pas l'efficacité de nos cellules, mais elle a amélioré fortement sa durée de vie.¶ Cet
écart d’efficacité initiale des cellules solaires, entre nos résultats et ceux des références [37] et
[38] peut être attribué au travail de sortie (W f ) de la couche MoO 3 . ¶En effet, les films
employés par Vasilopoulou et autres [37] sont fortement contaminés par l'oxygène, qui induit
une diminution significative de W f de MoO 3 .¶ Nous avons montré par des études
expérimentales que la variation initiale des performances des cellules avec MoO 3 dans le CBL
est due à la variation de la valeur de W f de MoO 3 .¶ Puis, en comparant les résultats des
différents dispositifs, il est évident que la présence de MoO 3 dans le CBL est bénéfique à la
durée de vie des cellules solaires. ¶Les figures IV-15 et IV-16 montrent la dégradation de
l'efficacité des cellules. On note deux régimes différents, soit une diminution rapide suivie
d’une autre plus lente.¶ ¶La diminution rapide est due à la contamination de l'eau des couches
organiques, alors que la diminution lente est due à la contamination de l'oxygène.
¶L’amélioration de la durée de vie des cellules solaires en présence de MoO 3 dans le CBL est
dû au fait que MoO 3 est amorphe.¶

109
Chapitre IV L’effet d’une Couche Mince MoO3 sur le Vieillissement d’une Cellule Solaire et Modélisation
électrique

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112
Conclusion générale .

Conclusion générale

La première partie de ce travail développe un modèle qui permet d’estimer les extensions
de la zone de charge d’espace à des profils de dopages réels obtenus en technologie de physique
des semiconducteurs.

Un modèle analytique a été mis au point. Ce modèle est valide seulement en polarisation
inverse du fait que dans ce cas la jonction pn se comporte comme un condensateur plan.

Ce travail est complété par une étude expérimentale sur l’élaboration et la caractérisation
électrique des cellules solaires organiques à base de ITO/MoO3/CuPc/C60/Alq3/MoO3/Al. La
forme S de caractéristique J-V de nos cellules solaires organiques peut être modélisée par la
présence d’une deuxième diode de polarité opposée. Les simulations analytiques nous ont permit
de calculer les valeurs des différents paramètres.

Nous avons montré que l’utilisation d’une couche trio-oxyde de molybdène MoO3 dans la
couche tampon cathodique associée à Alq3 dans des cellules à base CuPc/C60 a permis
l’amélioration les performances pendant les premiers jours, cette amélioration est due aux
propriétés électroniques des couches de MoO3. L’effet de la vapeur et de l’oxygène fait diminuer
les performances de nos cellules jusqu'à 50% de leur rendement maximal. La variation de
l’allure de La caractéristique électrique J-V à travers le temps (le vieillissement) est modélisée
avec un model de deux diodes, la deuxième diode est placée en inverse.

Nous avons étudié l’effet de l’environnement sur des cellules solaires qui ont une couche
tampon de Alq3 seul et des cellules solaires qui ont une bicouche de MoO3 en plus de Alq3
comme couche tampon. Les cellules solaires sans la couche du MoO3 perdent rapidement leurs
performances à travers le temps, mais les cellules solaires avec la couche du MoO3 protègent
bien la couche active CuPc/C60 puisque le rendement énergétique reste à 50% de sa valeur
maximale après deux mois d’exposition à l’air libre. Ce qui fait que la durée de vie des cellules
est nettement améliorée avec l’utilisation d’une couche de MoO3 dans la couche tampon
cathodique des cellules solaires.

113
Conclusion générale .

Pour améliorer le rendement des cellules solaires, en perspective, nous étudions les
différents types des cellules notamment les cellules inverses avec différents matériaux
organiques.

114
Résumé
Ce travail de recherche est consacré à une modélisation de capacité d’une
homojonction avec des distributions gaussienne et Erf des charges. Nous avons utilisé ces
résultats pour modéliser la capacité de l’hétérojonction des mêmes distributions de charges.
Le comportement des cellules solaires organiques basées sur cuivre-
phthalocyanine/fullerène avec les différentes couches tampontes cathodiques étudiée en
fonction de la durée d’exposition en air. Nous présentons l'étude de l'effet de MoO 3 sur les
propriétés des cellules solaires photovoltaïques (OPVCs) quand, il est présent dans la couche
tamponte cathodique (CBL). Des paramètres photovoltaïques ont été mesurées en fonction de
la duré de l'exposition en air. Pendant les premiers jours de l'exposition en air, l'efficacité de
l'OPVC avec MoO 3 dans leur couche tamponte cathodique (CBL) augmente de manière
significative, alors qu'elle diminue juste après l'exposition en air dans le cas de la référence
OPVC, c.-à-d. sans MoO 3 dans le CBL. Néanmoins, la vie de l'OPVC avec MoO 3 dans leur
CBL est autour 60 jours, alors qu'il est seulement 10 jours dans le cas de la référence OPVC.
L'augmentation initiale de l'OPVC avec MoO 3 dans la couche tamponte de CBL est attribuée
à la diminution lente de la fonction de travail de MoO 3 dû à la contamination progressive.
Puis, la dégradation progressive de l'efficacité d'OPVCs est due à la contamination des
couches organiques avec de la vapeur d'eau et d'oxygène. En outre elle peut empêcher la
contamination de la couche organique par Al tout ceci a comme.

Mots clés : distribution gaussienne, distribution Erf, cellule photovoltaïque, cellule


photovoltaïque organique, évaporation sous vide, caractéristique J(V), l’orbital de plus basse
énergie non occupée LUMO, couche tampon cathodique, l’orbitale moléculaire occupée de
plus haute énergie HOMO, Donneur organique, Accepteur organique.

1- Structure properties of buffer films based Upon CuAlTe 2


K . Benchouk; K . Zamallach; A. K helil 1; J.C. Ber nede2

IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 13 (2010) 012024

2- Effect of MoO 3 in the cathode buffer layers on the behaviour of layered organic solar
cells
K. El Assad Zemallach Ouari , Z. El Jouad, K. Benchouk, B. Kouskoussa, L.
Cattin, M. Makha, A. Khelil, M. Morsli, M. Addou, J.C. Bernède.
Indian Journal of Pure & Applied Physics ,Vol. 50, August 2012, pp. 609-612

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