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Chapitre IV Transistor bipolaire

Transistors à Effet de Champ

1954 : première radio à transistors

A. EL KISSANI Filière SMP - S4 1


I - Introduction

II- Transistor bipolaire


1. Définition et symboles
2. Montages de base
3. Régimes de fonctionnement
4. Fonctionnement du transistor NPN en mode normal
5. Relations fondamentales entre les courants (IB , IC et IE )
6. Réseaux des caractéristiques statiques du transistor
a- Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN
b- Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
7- Bilan des caractéristiques statiques du transistor NPN

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I - Introduction
Le transistor est un composant électronique utilisé comme: interrupteur
électronique, amplificateur, stabilisateur de tension….
Il existe soit en composant discret soit en circuit intégré.
On distingue le transistor bipolaire et le transistor à effet de champ.

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II- Transistor bipolaire
1. Définition et symboles
Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semi-conducteur dopés, le
niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre on distingue:
 Le transistor NPN (N+, P puis N) (courant dû à un flux d’électrons)
collecteur
IC
IE = IB+IC
IB N base
Transistor NPN P VCE = VCB +VBE
N+
IE
émetteur
 Le transistor PNP (P+, N puis P) (courant dû à un flux de trous).
IC collecteur
IE = IB+IC
Transistor PNP IB P
N VCE = VCB +VBE
P+ base
IE
émetteur
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2. Montages de base
Le transistor est relié au réseau extérieur à travers ses 3 bornes (émetteur, base et
collecteur). Afin de pouvoir considérer le transistor comme un quadripôle, il
faut mettre une de ses bornes en commun entre l’entrée et la sortie. Par
conséquent, il existe trois configurations possibles :

Entrée: base Entrée: Emetteur Entrée: base


Sortie : collecteur Sortie : Collecteur sortie : Emetteur

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3- Régimes de fonctionnement
Selon la polarisation des jonctions JEB et JBC on a trois régimes:
• Mode (ou régime) Actif

• JEB polarisé en directe et JBC est polarisé en inverse.


Pour un NPN: VBE ≥ 0,7V, VCB ≥ -0,5V. Ce mode est très utilisé en amplification

•L’amplification (régime linéaire) : il permet de commander un courant de forte


amplitude (IC) par un courant de faible amplitude (IB).

• Mode (ou régime) Saturé:


• JEB polarisé en directe; JBC en directe Ces deux régimes sont
utilisés en commutation
• Mode (ou régime) Bloqué:

• JEB en inverse; JBC en inverse.


•Commutation (interrupteur électronique) :
le transistor est soit saturé (interrupteur fermé) soit bloqué (interrupteur ouvert) selon la
valeur de IB.
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4- Fonctionnement du transistor NPN en mode normal
En mode linéaire (normale): JBE est polarisée en directe et JBC est polarisée en inverse
 Soit une diode dont l’anode est appelée la Base (B) et la cathode appelée l’Emetteur (E)
 Polarisation directe de la jonction Base-Emetteur produit un courant du aux électrons
plus grand que celui du aux trous lorsque VBE >Vs C (N)
 On place une deuxième diode dont la cathode s’appelle le IC
Collecteur (C) (semi-conducteur de type N moyennement dopé)
 Polarisation en inverse de la jonction Base- Collecteur favorise
le passage des porteurs minoritaires donc le courant d’électrons (P)
est happé par cette deuxième diode et sort par le collecteur. Seule B
ID
une faible portion des électrons va subir des recombinaison avec
les trous de la base V > Vs
BE
 Ce courant de collecteur ne dépend que de la valeur de VBE tant que
h+ e
la diode BC est suffisamment « bloquée » IE
E
 Si cette diode n’est pas suffisamment « bloquée », une partie des électrons
(N+)
sort par la base, on dit que le transistor est saturé
 La tension VCE à partir de laquelle cela arrive est appelée VCEsat

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5- Relations fondamentales entre les courants (IB , IC , et IE)
 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩
 Vu la très faible fraction d’électrons ⟹ 𝑰𝑩 << 𝑰𝑬 ⟹ 𝑰𝑬 ≈ 𝑰𝑪
recombinés dans la base

 Soit 𝛼 la fraction (pourcentage) des 𝑰𝑪


électrons arrivant au collecteur alors : 𝑰𝑪 = 𝛼 𝑰𝑬 ⟹ 𝜶=
𝑰𝑬
𝛼: gain en courant continu du montage BC
Ordre de grandeur de 𝛼 est: 𝟎, 𝟗𝟓 ≤ 𝜶 ≤ 𝟎, 𝟗𝟗

 On définit 𝛽 gain en courant 𝑰𝑪


continu du montage EC:
⟹ 𝜷= ⟹ 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩
𝑰𝑩
Ordre de grandeur de 𝛽 est 20 ≤ 𝛽 ≤ 1000

𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 ⟹ 𝑰𝑬 = (𝜷 + 𝟏)𝑰𝑩 ≈ 𝜷𝑰𝑩 ⟹ 𝑰𝑬 = (𝜷 + 𝟏)𝑰𝑩 ≈ 𝜷𝑰𝑩

Remarque 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 ⟹ 𝑰𝑪 = 𝑰 + 𝑰 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 𝜶
𝑪 𝑩 𝜷=
𝜶 ⟹ 𝟏−𝜶
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6- Réseaux des caractéristiques statiques du transistor
L’état du transistor est caractérisé par 6 grandeurs électriques:
 3 courant IB, IC et IE
 3 tension VBE, VCE et VCB
I E = IC + I B
Mais on a deux relation:
VCE = VCB + VBE
4 relations indépendantes sont nécessaires pour le caractériser

𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 )𝑉𝐶𝐸=𝑐𝑡𝑒 𝐼𝐸 = 𝑓(𝑉𝐸𝐵 )𝑉𝐶𝐵=𝑐𝑡𝑒 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐶 )𝑉𝐸𝐶=𝑐𝑡𝑒


𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )𝐼𝐵=𝑐𝑡𝑒 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐵 )𝐼𝐵=𝑐𝑡𝑒 𝐼𝐸 = 𝑓(𝑉𝐸𝐶 )𝐼𝐵=𝑐𝑡𝑒

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Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur commun .

a- Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN

 La caractéristique I B(VBE) est celle de la diode base-émetteur

 Pour débloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction


base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension
de seuil VS, de cette diode : VBE > VS.

Q C 𝐼𝐶
inverse directe
IC I B (A)
IB N B 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸
P
N+ 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸
IE E

0 VS V BE (V)
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b- Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN

 Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut


traverser cette jonction.
 Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = .IB)

 Si V CE = 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le


collecteur
 Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension VCEsat
(sat pour saturation) : le courant IC n’est pas proportionnel à IB.

I C < .I B saturé Linéaire: I C = .I B


𝐼𝐶
IC I C (A) I B4
𝐼𝐵 I B3
IB N B 𝑉𝐶𝐸
P I B2 > I B1
N+
𝐼𝐸 I B1
IE 𝑉𝐵𝐸
E
0
+ VCE sa t VCE (V)
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Condition pour que le transistor fonctionne en régime:

linéaire : VBE > VS, IB > 0, IC = β IB

saturé : VBE > VS, IB > 0, IC < β.IB, VCE < VCEsat

Bloqué: VBE < VS, IB = 0, IC = 0

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7- Bilan des caractéristiques statiques du transistor NPN

Saturé linéaire

I C (A) I B4
I B3
I B2 > I B1
I B1
I B(A)
0 VCE SAT VCE (V)

VS

VBE (V)

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