1. Définition et symboles 2. Montages de base 3. Régimes de fonctionnement 4. Fonctionnement du transistor NPN en mode normal 5. Relations fondamentales entre les courants (IB , IC et IE ) 6. Réseaux des caractéristiques statiques du transistor a- Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN b- Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN 7- Bilan des caractéristiques statiques du transistor NPN
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I - Introduction Le transistor est un composant électronique utilisé comme: interrupteur électronique, amplificateur, stabilisateur de tension…. Il existe soit en composant discret soit en circuit intégré. On distingue le transistor bipolaire et le transistor à effet de champ.
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II- Transistor bipolaire 1. Définition et symboles Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semi-conducteur dopés, le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre on distingue: Le transistor NPN (N+, P puis N) (courant dû à un flux d’électrons) collecteur IC IE = IB+IC IB N base Transistor NPN P VCE = VCB +VBE N+ IE émetteur Le transistor PNP (P+, N puis P) (courant dû à un flux de trous). IC collecteur IE = IB+IC Transistor PNP IB P N VCE = VCB +VBE P+ base IE émetteur A. EL KISSANI Filière SMP - S4 4 2. Montages de base Le transistor est relié au réseau extérieur à travers ses 3 bornes (émetteur, base et collecteur). Afin de pouvoir considérer le transistor comme un quadripôle, il faut mettre une de ses bornes en commun entre l’entrée et la sortie. Par conséquent, il existe trois configurations possibles :
3- Régimes de fonctionnement Selon la polarisation des jonctions JEB et JBC on a trois régimes: • Mode (ou régime) Actif
• JEB polarisé en directe et JBC est polarisé en inverse.
Pour un NPN: VBE ≥ 0,7V, VCB ≥ -0,5V. Ce mode est très utilisé en amplification
•L’amplification (régime linéaire) : il permet de commander un courant de forte
amplitude (IC) par un courant de faible amplitude (IB).
• Mode (ou régime) Saturé:
• JEB polarisé en directe; JBC en directe Ces deux régimes sont utilisés en commutation • Mode (ou régime) Bloqué:
• JEB en inverse; JBC en inverse.
•Commutation (interrupteur électronique) : le transistor est soit saturé (interrupteur fermé) soit bloqué (interrupteur ouvert) selon la valeur de IB. A. EL KISSANI Filière SMP - S4 6 4- Fonctionnement du transistor NPN en mode normal En mode linéaire (normale): JBE est polarisée en directe et JBC est polarisée en inverse Soit une diode dont l’anode est appelée la Base (B) et la cathode appelée l’Emetteur (E) Polarisation directe de la jonction Base-Emetteur produit un courant du aux électrons plus grand que celui du aux trous lorsque VBE >Vs C (N) On place une deuxième diode dont la cathode s’appelle le IC Collecteur (C) (semi-conducteur de type N moyennement dopé) Polarisation en inverse de la jonction Base- Collecteur favorise le passage des porteurs minoritaires donc le courant d’électrons (P) est happé par cette deuxième diode et sort par le collecteur. Seule B ID une faible portion des électrons va subir des recombinaison avec les trous de la base V > Vs BE Ce courant de collecteur ne dépend que de la valeur de VBE tant que h+ e la diode BC est suffisamment « bloquée » IE E Si cette diode n’est pas suffisamment « bloquée », une partie des électrons (N+) sort par la base, on dit que le transistor est saturé La tension VCE à partir de laquelle cela arrive est appelée VCEsat
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5- Relations fondamentales entre les courants (IB , IC , et IE) 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 Vu la très faible fraction d’électrons ⟹ 𝑰𝑩 << 𝑰𝑬 ⟹ 𝑰𝑬 ≈ 𝑰𝑪 recombinés dans la base
Soit 𝛼 la fraction (pourcentage) des 𝑰𝑪
électrons arrivant au collecteur alors : 𝑰𝑪 = 𝛼 𝑰𝑬 ⟹ 𝜶= 𝑰𝑬 𝛼: gain en courant continu du montage BC Ordre de grandeur de 𝛼 est: 𝟎, 𝟗𝟓 ≤ 𝜶 ≤ 𝟎, 𝟗𝟗
On définit 𝛽 gain en courant 𝑰𝑪
continu du montage EC: ⟹ 𝜷= ⟹ 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 𝑰𝑩 Ordre de grandeur de 𝛽 est 20 ≤ 𝛽 ≤ 1000
Remarque 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 ⟹ 𝑰𝑪 = 𝑰 + 𝑰 𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 𝜶 𝑪 𝑩 𝜷= 𝜶 ⟹ 𝟏−𝜶 A. EL KISSANI Filière SMP - S4 8 6- Réseaux des caractéristiques statiques du transistor L’état du transistor est caractérisé par 6 grandeurs électriques: 3 courant IB, IC et IE 3 tension VBE, VCE et VCB I E = IC + I B Mais on a deux relation: VCE = VCB + VBE 4 relations indépendantes sont nécessaires pour le caractériser
Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur commun .
a- Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN
La caractéristique I B(VBE) est celle de la diode base-émetteur
Pour débloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension de seuil VS, de cette diode : VBE > VS.
Q C 𝐼𝐶 inverse directe IC I B (A) IB N B 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 P N+ 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐸 IE E
0 VS V BE (V) A. EL KISSANI Filière SMP - S4 10 b- Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction. Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = .IB)
Si V CE = 0 alors aucun courant ne circule entre l’émetteur et le
collecteur Le basculement entre ces deux fonctionnements se produit à la tension VCEsat (sat pour saturation) : le courant IC n’est pas proportionnel à IB.
I C < .I B saturé Linéaire: I C = .I B
𝐼𝐶 IC I C (A) I B4 𝐼𝐵 I B3 IB N B 𝑉𝐶𝐸 P I B2 > I B1 N+ 𝐼𝐸 I B1 IE 𝑉𝐵𝐸 E 0 + VCE sa t VCE (V) A. EL KISSANI Filière SMP - S4 11 Condition pour que le transistor fonctionne en régime:
