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 Introduction

 Niveaux d’énergie
 Zone de charge d’espace
 Barrière interne
 Capacité d’une jonction PN
 Courant dans une jonction PN
 Modèle électrique équivalent
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Introduction

• La diode PN est constituée d'une épaisseur de semi-conducteur « P » ‘collée’ à


une épaisseur de semi-conducteur "N". En pratique, les diodes PN modernes
sont fortement dissymétriques : le dopage de l'une des zones est beaucoup
plus important que l'autre.

• Si le côté P est beaucoup plus dopé que le côté N on parle d'une diode P+N.

• Si le côté N beaucoup plus dopé que le coté P, on parle d'une diode PN+.

• En souvenir de la diode à vide, on appelle parfois anode la partie "P" de la


diode semi-conductrice et cathode la partie "N".

• La diode PN présente la particularité de laisser passer le courant dans un


seul sens (le sens "passant") .

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Définitions :
 Jonction PN (PN junction) : A l'intérieur du même cristal le semiconducteur passe du
type "P" au type "N".

 Homojonction : le semiconducteur de type "P" est constitué du même matériau (Si,


Ge, GaAs) que le semiconducteur de type "N". Dans le cas contraire on parle
d'hétérojonction.

 Jonction métallurgique : le plan où le semi-conducteur change de type.

Le profil de dopage (impurity profile) est la


différence entre la densité des atomes
accepteurs - la densité des atomes donneurs
(NA - ND ).
Jonction abrupte (step junction) : le passage
de la région "P" à la région "N" s'effectue sur
une épaisseur infiniment fine.
Jonction graduelle (linearly graded junction) :
le passage de la région "P" à la région "N"
s'effectue selon une loi linéaire.

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Création d’une Jonction PN :
• Que se passe t-il si l’on met en contact du Silicium dopé N et du
Silicium dopé P ?

1. Le gradient de concentration lié au passage d’un SC de type N à un SC de


type P permet la formation d’une barrière de potentiel à l’interface des deux
régions N et P.

2. Cette barrière de potentiel est utilisée pour favoriser le transport du courant


dans un sens ( de P vers N) et pour le bloquer dans l’autre.

 Alignement de EF

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Zone de charge d’espace

 Diffusion d’h+ libres de P vers N  Diffusion d’e- libres de N vers P

ZCE

 Zone de charge d’espace (ZCE) à la jonction


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Barrière de potentiel interne
1. Lorsque les zones sont reliées, le niveau de Fermi s’aligne dans toute la
structure.
2. Le potentiel interne qui apparaît est lié à la différence de position des niveaux
de Fermi de chaque zone (N et P) isolée.

Pour la zone N, la position de EF vaut avec , n = ND

Pour la zone P, la position de EF vaut avec , p = NA

fi

Vo= Фi: potentiel de barrière ou potentiel de


fi diffusion (built-in voltage, diffusion potential)
Avec Vt = (kT / q)

Exemple: Vo=fi ~ 0,65 V pour le Si


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La diode non polarisée :

Jonction à profil réel Jonction abrupte : modèle


Exemple numérique: Silicium à 25 °C, NA = ND = 1016 cm-3
Vo = 0.7V, xn=xp=0.2µm, Emax =UC13.27 .106 V/m
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La diode polarisée :
V=0 V >0 V<0

Vo Vo -V Vo -V
Polarisation positive: Emax et la largeur de la zone de déplétion (W(ZCE))
– La zone de déplétion disparaît pour V=Vo

Polarisation négative: Emax et la largeur de la zone


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Capacité de Jonction
En présence d’un potentiel externe Va, appliqué à la jonction, la capacité
équivalente se calcule connaissant l’extension de la ZCE

L’extension dans la zone N vaut

L’extension dans la zone P vaut

Où es représente la permittivité diélectrique du SC

L’extension totale de la ZCE vaut w = xN + xP

La capacité équivalente de la jonction se calcule alors comme celle d’une capacité plan
de surface S et d’épaisseur w.
e sc  S
Cette capacité est variable en fonction de C 
J
la tension appliquée Va. Pr. S. LASSOUED, UC1
w 9
Variation de Capacité
La ZCE augmente lorsque l’on applique une tension externe négative.
Dans ce cas là, le potentiel externe s’ajoute à la barrière interne.
Exemple pour le Silicium avec Na = 1016 cm-3 et Nd = 2 x 1016 cm-3)

W (- 5V) = 1 µm

_
Va = - 5 V
+ f i ~ 0,65 V

W (0V) = 0.3 µm

Conclusion: la capacité de la jonction diminue avec la polarisation inverse


(négative sur P et positive sur N).
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Expression de la Capacité
La capacité par unité de surface est donnée par:

On note que 1 / Cj2 varie linéairement avec V:

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Courant dans une jonction PN
En l’absence de polarisation externe, le courant est nul.
Le courant peut être lié à deux mécanismes:
La génération thermique de Les porteurs qui ont une énergie W
porteurs donne des e- qui se supérieure à qFi donnent un courant
déplacent de PN et des h+ d’e- qui se déplacent de NP et des h+
qui vont de NP qui vont de PN
Jn Jn

Fi
P P

N
= N
Jp Jp

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Iinv Idir
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Porteurs minoritaires

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Diode polarisée en direct:
Expression des densités de porteurs
minoritaires à La limite de la ZCE
A
, De plus, pno= ni2/ND

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Diode polarisée en direct:
Expression des densités de porteurs
minoritaires dans les zones neutres.

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Evaluation du courant (1):

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Evaluation du courant (2):
Si on suppose que la ZCE est parfaitement déserte de porteurs libres il
n’existe pas de génération – recombinaison à son niveau les densités
de porteurs Jn et Jp sont alors constantes lors de sa traversée.

Or

Sachant que

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Evaluation du courant (2’):

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Evaluation du courant (3):

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Courant Direct – Courant Inverse

Le courant inverse de N vers P:


 Dans l’approximation de Maxwell-Boltzman, le courant Iinv d’origine
thermique varie de façon exponentielle.
 Il dépend de l’énergie de bande interdite Eg du matériau.
 Il augmente en présence d’un éclairement.
 il ne dépend pas de la polarisation entre N et P s’il elle existe.
 Ce courant est appelé courant de saturation Is.
 C’est un courant de porteurs minoritaires
Le courant direct de P vers N:
 Il dépend de la barrière de potentiel.
 Pour une polarisation externe nulle, la barrière de potentiel interne vaut Fi:
 Si le nombre total de porteurs vaut N0, le nombre de porteurs qui ont
une énergie supérieure à Fi vaut n = N0 exp (- qFi / kT)

 Le courant associé est donc de la forme I0 exp (- qFi / kT)


 C’est un courant de porteurs majoritaires
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Simplification des expressions du Courant (1) :

 Pour une polarisation nulle (équilibre), Is = I0 exp (-q Vo / kT)

 Pour une polarisation non nulle, on remplace Vo par (Vo – Va):

 I0 exp {-q(Vo – Va) / kT} = I0 exp (-qVo / kT) . exp (qVa/ kT)

 d’où Idir = Is . exp (qVa/ kT)

 Le courant total vaut alors I = Idir – Is = Is . { exp (qVa/ kT) – 1 }

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Simplification des expressions du Courant (2) :

 Va < 0 : exp (qVa/ kT) << 1  I = - Is

 Va = 0  I=0

 Va > 0:

 Faible polarisation:  I = Is . { exp (qVa/ kT) – 1 }

 exp (qVa/ kT) >> 1:  I = Is . exp (qVa/ kT)

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Caractéristique Inverse
(Va < 0)

I
Va

- Is (T°1)
T
- Is (T°2)

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Caractéristique Directe Idéale
(Va > 0)

I(A)
Is . exp (qVa/ kT)

Seuil 0,6 V pour le Si


Va (V)
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Caractéristique Directe Réelle

I(A)
D Rs

Effet de résistance série Rs:


Pente limitée par
La résistivité du matériau SC
et par les résistance de contact

Seuil 0,6 V pour le Si


Va (V)
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Caractéristique en échelle Log
Souvent, on trace la caractéristique I(V) en échelle log afin de déterminer les paramètres
physiques et électriques de la diode.

Log (I)

I ~ Is . exp (qVa/ kT)


Log (I) ~ Log (Is) + (q/kT) . Va

Pente (q/kT)
Ordonnée à l’origine: Log (Is)

Log (Is)

Va
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