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 Principe

 Caractéristiques
 Modèle électrique équivalent

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INTRODUCTION (1)
 En décembre1947 , 3 physiciens : Walter H BRATTAIN,
John BARDEEN et William B SHOCKLEY présentèrent un
nouveau dispositif à semiconducteur baptisé le persistor (en
référence à leurs efforts persistants) qui était en fait un
transistor à pointes.

 Ce type de transistor fut rapidement surpassé par le


transistor à jonction (1951), d'abord en germanium puis en
silicium. Depuis des transistors de toutes sortes avec des
performances très différentes ont été réalisés.

 Le transistor (transfer resistor) est un composant


bipolaire car les électrons et les trous participent
simultanément aux phénomènes de conduction.

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INTRODUCTION (2)
n le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
ê amplifier un signal
äamplificateur de tension, de courant, de puissance,...

ê être utilisé comme une source de courant

ê agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)


ä essentiel pour l’électronique numérique
ê...
il existe :
ê soit comme composant discret

ê soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un


circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à
quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs)

 l'intérêt du dispositif est de commander le courant collecteur par un courant de


base beaucoup plus faible Pr. S. LASSOUED, UC1 3
Description d’un transistor NPN
 C’est un dispositif comprenant trois couches semiconductrices séparées par deux
jonctions. Les 3 couches sont appelées : émetteur (emitter), base (base), collecteur
(collector).
 deux types de transistors existent: le transitor NPN (émetteur N, base P, collecteur
N) et le transistor PNP (émetteur P, base N, collecteur P).
 Les transistors sont bipolaires parce qu’ils utilisent à la fois les porteurs
majoritaires et les porteurs minoritaires (électrons et trous).

Représentation Structure

Base Emetteu Bas


NPN : r e

p+ n+ p+
p

PNP : n
n++

Collecteur
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Profil des dopages
Le transistor bipolaire NPN n’est pas un dispositif symétrique!
Log(N) [cm-3]
Profil de dopages NDE
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Ces rapports importants contribuent :
o à rendre la base plus résistive. NAB
1017
o à diminuer les recombinaisons. wE Contact
collecteur
1015
wB NDC (n+)
Objectif : Produire une meilleure E B C
B
amplification 0 xE xB x [µm]

Notations:
NDE: densité de donneurs dans l ’émetteur WE, WB: épaisseurs de l’émetteur et de la base
NAB: densité d ’accepteurs dans la base nE, pE, nB, pB, nC, pC: densités de porteurs
NDC: densité de donneurs dans le collecteur dans E, B, et C respectivement.

La base est très mince par rapport aux régions d’emetteur et de collecteur.
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Schéma de bande à l ’équilibre
Le fonctionnement du transistor repose sur l ’interaction entre deux jonctions PN.
La région commune aux deux jonctions est appelée « base ».
les niveaux de FERMI dans l'émeteur, la base, le collecteur sont alignés
il n'y a aucun courant ;

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Polarisation normale du transistor (1)
L ’injection d ’électrons de E vers C à travers B nécessite:
 Jonction émetteur-base polarisée en direct
 Jonction base-collecteur polarisée en inverse.
Rétrécissement de la ZCE sur la jonction BE.
Elargissement de la ZCE sur la jonction BC.

Simulation du fonctionnement d'un transistor bipolaire :


http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/bjt/bsim/index.html
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Polarisation normale du transistor (2)

La jonction EB est polarisée en direct :


l'abaissement de sa barrière de potentiel favorise
l'entrée d'électrons dans la base et de trous dans
l'émetteur.

La jonction collecteur base polarisée en inverse ne


constitue pas une barrière pour les porteurs
minoritaires.

Tout électron de la base qui atteint la zone


désertée de la jonction collecteur-base est propulsé
vers le collecteur par le champ important régnant
dans cette zone de transition.

Le transistor NPN en fonctionnement "normal"

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L’effet transistor
è E-B en direct:

è Les électrons sont injectés de E  B

Si l’épaisseur de la base WB << longueur de diffusion des électrons dans la base

èLa majorité des électrons atteignent la ZCE B/C

è B-C en inverse

èLes électrons sont accélérés par VBC vers le collecteur (champ inverse et
intense régnant dans la région).

è Le Courant de collecteur IC égale le courant d ’émetteur IE si:


 Base fine: WB << LnB
 Emetteur plus dopé que la base pour n’avoir qu’un courant d’électrons.

Si l'épaisseur de la base WB << LnB, la majorité (99 %) des électrons émis par
l'émetteur vont être collectés par le collecteur, c'est l'effet transistor.
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Résumé :

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Caractéristiques du transistor NPN
VCE
n Choix des paramètres :
* Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, RE IE IC RC
VBE,VCE,…) sont liées: VEE
VBE IB VCB VCC
ê différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent

 Configuration “Base Commune”


( base = électrode commune)

ê Caractéristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)

 Configuration “Emetteur Commun”


(émetteur= électrode commune)

ê Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

 La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

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Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

 ~ caractéristique d’une jonction PN


IE (mA)
 V  
I E  I s exp  BE   1
VCB=0 , -15   VT  
2
 très peu d’influence de IC (resp. VCB)
1
VBE (V)
0.1 0.5

Jonction BE bloqué Jonction BE passante


IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE  0.6-0.7V= « Vo »

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Caractéristiques en configuration EC :
« caractéristique d’entrée »
IB (VBE, VCE) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

IB (µA) IC
IE

VCE= 0.1V N P E
N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

ê VBE > 0.6V, jonction PN passante


* IB <<IE  charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC
I B  1  a F I E

ê Influence non-négligeable de VCE sur aF  “Effet Early”

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Caractéristiques en configuration EC (suite):
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA

10µA
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

 Mode actif : BE passant, BC bloquée  VBE  0.7V

aF
I C  a F I E  a F I C  I B   I C  I B " hFE " I B hFE = “gain en courant
1aF
continue en EC” = “bF”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250

 Grande dispersion de fabrication sur hFE.


 Effet Early : aF tend vers 1 lorsque VCE augmente  hFE augmente avec VCE

 Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB


 hFE diminue lorsque VCE  0
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Valeurs limites des transistors

 Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

 Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC


 Courants de saturations inverses :
IC , IB et IE 0 en mode bloqué

ICVCE =Pmax

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Calcul du gain en courant Base commune (1): = IC/IE

 γ : efficacité d'injection d'émetteur (emitter injection efficiency).


C'est le rapport entre le courant des électrons injectés dans la base (JnE) au courant
d'émetteur total (JE = JnE + JpE).

 Pour avoir γ voisin de 1, il faut que l'émetteur soit beaucoup plus dopé que la base
(σpB << σnE ) et l'épaisseur de base WB petite par rapport à l'épaisseur de l'émetteur WE.

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Calcul du gain en courant Base commune (2): = IC/IE

βT :Facteur de transport de la base (base transport factor).


βT = rapport entre le courant des électrons collectés JnC sur le courant des électrons
émis par l'émetteur : JnE.

βT = 1 - WB2/2LnB2
Pour avoir βT voisin de 1, l'épaisseur de la base WB doit être <<longueur de diffusion des porteurs injectés par l'émetteur LnB.

M : facteur de multiplication.
M : tient compte de la multiplication par effet d'avalanche des électrons traversant la ZCE de la jonctio
collecteur base polarisée en inverse.

VBC0 : tension de claquage inverse de la jonction collecteur base. 2 < n < 4 selon type de jonction

Gain en courant émetteur commun : = IC/IB (Béta statique du transistor).

le gain en courant base commune est :


α = IC/IE = IC/InC x InC/InE x InE/IE = M BT γ

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Les différents montages du bipolaire
Montage émetteur commun: IC
I E  I C  I B et I E  I C IB C N
B P VCE
Gain en courant: VBE E N
IC IE
b  1
IB
 Montage base commune:
I E  I C si b  1 IE E B C
Gain en courant: N P N
IC
IC VEB VCB
a  1 IB
IE
 Montage collecteur commun:
IE

IB E N
Gain en courant: P VEC
IE B
 ( b  1) VBC C N
IB IC

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Schéma électrique équivalent

Montage émetteur commun:

VBE = h11 . iB + h12 . VCE (1)

Gain en courant:
iC = h21 . iB + h22 . VCE (2).
IC
b  h21  1
IB
B IB IC C
Impédance d’entrée rBE
h21 . iB
VBE
rBE  h11  à VCE  0 VBE VCE
I B h11 1 / h22

Impédance de sortie rCE E E

1 VCE
rCE   à VBE  0
h22 I C
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Silicium-Germanium

Transistors bipolaires à hétérojonctions

Vitesse élevée (mobilité du 2DEG): ft > 100 GHz


Bruit basse fréquence (1/f) faible: f UC1 = 10 kHz
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