Perspectiva
Semiconductores de potencia
Evolución y tendencias
Tabla 1. Características de semiconductores de alta potencia
Características
Tensión Máxima (V)
Corriente Máxima (A)
Vce sat (V)
Frecuencia (kHz)
Corriente de puerta 900 A (apagado)
Protección Cortocircuito
L 7µH
Snubber
C 3-6 µF
COMPONENTES. Se traza una breve panorámica histórica de los semiconductores de potencia
desde la década de los 50 hasta nuestros días. La tendencia de evolución futura contempla los
MOSFET, IGBT, IGCT, la integración de dispositivos de potencia con elementos de control y los
nuevos materiales.
Ó. ALONSO, P. SANCHIS, A. GUERRERO Y L. MARROYO
DPTO. INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA, UNIVERSIDAD PÚBLICA DE NAVARRA, PAMPLONA, ESPAÑA.
luisma@unavarra.es
a electrónica de potencia ha tenido una rápida aceptación en los rectificadores utiliza-
L intensa evolución durante las últimas tres
décadas y ha encontrado una amplia apli-
cación en desarrollos industriales, comer-
ciales, residenciales y aerospaciales. En la actua-
lidad, la electrónica de potencia avanza en dos
dos en el control de las máquinas eléctricas, así
como en todas las aplicaciones que utilizaban vál-
vulas de vacío. A pesar de que el tiristor presen-
ta excelentes características estáticas (capacidad
superior a 9 kV, 6 kA), su falta de rapidez (fre-
direcciones: electrónica de baja potencia y alta cuencia de conmutación inferior a 500 Hz) así
frecuencia, que esencialmente responde a las como la imposibilidad de controlar el apagado
necesidades de los SMPS (“Switched Mode por puerta han originado un progresivo despla-
Power Supplies” o fuentes de alimentación zamiento de su utilización en la mayoría de las
conmutadas), y la electrónica de media y alta aplicaciones, por lo que su uso se ha limitado a
potencia, que esencialmente cubre el control las grandes potencias que trabajan a la frecuen-
de motores, los sistemas de alimentación inin- cia de la red (cicloconvertidores, rectificadores
terrumpida (“Uninteruptible Power Supplies”o controlados, transmisión de corriente continua en
UPS), control de iluminación, etc. La miniatu- alta tensión o HVDC, hornos de arco, etc.).
rización de circuitos parece ser el principal enfo-
que de la primera categoría mientras que la Década de los 70
mejora en cuanto a coste, eficiencia, tamaño y A finales de los 70 hicieron su aparición tres
robustez frente a anomalías son los principales semiconductores (GTO, BJT y MOSFET) con
criterios de la segunda. El dispositivo de poten- control de apagado por puerta, que permitieron
cia es el componente más importante dentro de obtener convertidores (principalmente inverso-
los sistemas de potencia electrónicos. De hecho, res y convertidores CC/CC) de rendimiento,
la evolución de la electrónica de potencia ha tamaño y fiabilidad netamente superiores a los
seguido un camino paralelo al desarrollo de ofrecidos por los tiristores con circuito auxiliar
estos dispositivos, distinguiéndose tres períodos: de apagado.
El GTO, (“Gate Turn Off Thyristor”) presen-
Década de los 50 ta una excelente característica estática con una
En esa década aparecieron el tiristor y el diodo capacidad de potencia ligeramente inferior al
de potencia. Estos componentes tuvieron una tiristor (superior a 6 kV, 4 kA). Sin embargo,
las grandes pérdidas de conmutación, así como
el límite intrínseco tanto de dV/dt como de
di/dt obligan a utilizar potentes elementos de
GTO HVIGBT IGCT IEGT (En desarrollo) compensación o “snubbers” (tabla 1) que dis-
6000 3300 4500 4500 minuyen el rendimiento del equipo y limitan la
3000 1200 2200 1500 frecuencia de conmutación por debajo del kilo-
3.5 (a 3kA) 4.3 (a 1.2 kA) 2.8 (a 2.2kA) 4 (a 1.5 kA) hercio. Su uso quedó confinado a aplicaciones
<1 <2 <2 <2 de gran potencia (tracción ferroviaria, compen-
1-2% de Ic Fibra óptica 1-2% de Ic
sación del factor de potencia, etc.).
No Si No Sí
0 3.5 µH 0 Los BJT se controlan por corriente, siendo
uno de sus principales inconvenientes su baja
0 0 0
ganancia (<10), lo que exige la utilización de
 Perspectiva

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA partir de un MOSFET se controlan dispositivos

excitadores o controladores “drivers” de gran
potencia. El Darlington, que es una combina-
ción en cascada de dos transistores bipolares,
presenta una mayor ganancia (>70) a costa de
un aumento de la caída de tensión en conduc-
ción y una disminución de la frecuencia de
conmutación. A pesar de que
debido a problemas de segunda
ruptura siguen necesitando
compensadores (“snubbers”),
El IGBT sustituyó
su conmutación es mucho más
rápida que las de los GTO, lo
que le permite trabajar a fre-
cuencias mayores (hasta 15 las aplicaciones
kHz). Con una capacidad de
potencia (1,5 kV, 300 A) neta-
mente inferior a la de los GTO
sustituyeron a éstos en inverso- de media potencia
res y troceadores de continua de
media potencia (<300 kW).
El transistor MOSFET de potencia presenta
como ventajas su sencillez de control (contro-
lado por tensión) y su buena característica
dinámica (>300 kHz). Su principal inconve-
niente es que en conducción se comporta como
una resistencia (Ron), cuyo valor aumenta con-
siderablemente con la tensión máxima del semi-
conductor (la variación es proporcional a VDSS
en la forma que muestra la figura 1). Su utili-
zación quedó limitada a aplicaciones de baja ten-
sión (<100 V) y gran frecuencia de conmuta-
ción, entre las que destacan las fuentes de ali-
mentación conmutadas.
Década de los 80
En la década de los 80 aparecieron nuevos
semiconductores híbridos de potencia, donde a
de tipo bipolar. Esto permitía emplear eficien-
temente las capacidades de potencia de los bipo-
lares y las excelentes características de control
de la tecnología MOSFET, lo que abrió nuevas
posibilidades de alto rendimiento en los ámbi-
tos de la media y alta potencia. El primero de
ellos fue el IGBT, que esencialmente se trata
de un transistor bipolar contro-
lado por un MOSFET. Con una
rapidez de conmutación ligera-
mente superior al BJT (hasta 30
a los BJT en kHz) sustituyó a éste en todas
las aplicaciones industriales de
media potencia. En 1988 se pre-
sentó el MCT, dispositivo dise-
ñado de modo que un MOSFET
industriales controla las operaciones de
encendido y apagado de un
tiristor. El mayor inconvenien-
te que presenta es la imposibi-
lidad (debido al efecto tiristor)
de controlar la derivada de la corriente princi-
pal desde la puerta (necesidad de “snubbers”).
Por ello, a pesar de sus excelentes característi-
cas estáticas (similares al GTO) no consiguió
la suficiente popularidad en el ámbito indus-
trial y actualmente la mayoría de fabricantes ha
abandonado el estudio y desarrollo de este dis-
positivo.
TENDENCIAS DE LOS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
MOSFET
Durante muchos años el objetivo principal bus-
cado en el desarrollo de los MOSFET ha sido
disminuir las pérdidas de conmutación y aumen-
tar la frecuencia de trabajo. Sin embargo, en

Figura 1. Resistencia de canal para MOSFET y CoolMOS Figura 2. Tensión de saturación de diferentes dispositivos con igual encapsulado (SOT-227)
Perspectiva

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA IGBT

Figura 3. Comparación de necesidades
de “snubber”.
El IGBT, que ha ido mejorando en sus carac-
terísticas de frecuencia de trabajo, tensión de
saturación, capacidad en tensión, posibilidad
de funcionamiento sin “snubbers”, capacidad
de cortocircuito y robustez, es actualmente el
más utilizado en el ámbito industrial. Sin
embargo, debido a su propia estructura, la
mejora permanente en igual grado de todas
las características no es posible, lo cual ha
motivado que los fabricantes desarrollen dis-
positivos especializados con optimización de
algunas de ellas, siempre en detrimento lógi-
co de otras. Por lo tanto se puede encontrar
IGBT rápidos o ultrarrápidos que poseen exce-
lentes características de velocidad (>120 kHz)
con pérdidas aceptables por conducción en ten-
los últimos años, el esfuerzo se ha dirigido hacia siones inferiores a 600 V. Éstos se perfilan
una reducción de las pérdidas totales, entre las como el mejor sustituto del MOSFET en
que se incluyen las de conducción. Hoy día, los fuentes de alimentación conmutadas y SAI.
MOSFET ofrecen una resistencia de canal has- Los genéricos son IGBT con un buen com-
ta 10 veces inferior a la que tenían los primeros promiso entre frecuencia y Vcesat, que con ten-
dispositivos. Además, debido a su comporta- siones de hasta 1700 V y frecuencias de con-
miento similar a una resistencia cuyo valor mutación inferiores a 30 kHz son los más uti-
depende de la superficie de silicio, es el único lizados en las aplicaciones de media potencia,
dispositivo de los utilizados entre las que destacan los
actualmente en el cual se pue- accionamientos eléctricos
den disminuir considerable-
mente las pérdidas de conduc-
Los módulos de industriales. En la figura 2 se
puede observar la diferencia
ción mediante el sobredimen-
sionamiento del transistor [1].
potencia inteligente existente en tensión de satura-
ción entre un IGBT optimiza-
De esta forma, para aplicacio-
nes de baja tensión, se puede integran elementos do en velocidad (tf=250 ns)
frente a otro optimizado en pér-
llegar a eliminar la necesidad de didas de conducción (tf=550
radiador, con la posibilidad de de control y permi- ns).
incluir el semiconductor den- La aparición de los HVIGBT
tro de los circuitos integrados, ten reducir tamaño y (“High Voltage IGBT”) de 3,3
lo que abre nuevas áreas de apli- kV y 1,2 kA (anunciados de 6,5
cación como la realización de coste, así como las kV) junto a la creciente utili-
microsistemas para telefonía zación de topologías multini-
móvil, ordenadores portátiles e interferencias vel permite el empleo de este
incluso como sustitutos de los tipo de dispositivos en aplica-
relés empleados en automo- electromagnéticas ciones de media tensión. Estos
ción [2]. semiconductores presentan
Recientemente se ha anun- como inconveniente una eleva-
ciado una nueva tecnología de MOSFET de alta da tensión de saturación (aproximadamente 4,3
tensión denominada CoolMOS [3]. En éstos, V) debido a que la concentración de portado-
la resistencia del canal varía linealmente con res en la región de emisor es muy pobre. Una
la tensión máxima (figura 1). En el mercado nueva técnica consistente en el enriquecimiento
se encuentran dispositivos para trabajar con ten- de la inyección de portadores en dicha región
siones comprendidas entre 600 y 1000 V para ha permitido obtener recientemente el IEGT
bajas corrientes, aunque se anuncian impor- (“Injection Enhancement Gate Transistor”) que
tantes mejoras en las características de este en definitiva es un IGBT mejorado [1] y [4].
dispositivo para los próximos años. Estas mejo- Con un comportamiento similar al IGBT y
ras permitirán en un futuro cercano obtener una caída de tensión similar al GTO aparece
componentes con características similares a como un buen candidato para las futuras apli-
las presentadas en la f igura 2, que podrán caciones de media tensión (tabla 1).
competir con el IGBT en ciertas aplicaciones En algunas aplicaciones de media tensión como
de media potencia (tensiones inferiores a 600 es el caso de la tracción ferroviaria el IGBT
Voltios). trabaja de forma cíclica en intervalos de corta

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
duración y gran potencia, produciéndose un
estrés térmico que origina el envejecimiento o
rotura prematura del dispositivo. Para estas apli-
caciones existen en el mercado IGBT especia-
les donde se han mejorado los tipos de hilos
que unen los chips internamente y sus soldadu-
ras, además de utilizar materiales en el diseño
de los módulos con características de dilata-
ción térmica similares para evitar la deforma-
ción del mismo con el consiguiente aumento
de la resistencia térmica [5].
IGCT
Mejoras sustanciales realizadas sobre los
tradicionales GTO en cuanto a su estructura,
encapsulado, diodo antiparalelo y proceso de
conmutación, han dado como fruto un GTO
con características realmente superiores, que
incluso se ha considerado como un nuevo com-
ponente denominado “Hard driven GTO” o
GCT (“Gate Commutated Thyristor”). El
correcto funcionamiento de este dispositivo
exige grandes corrientes (del orden del kilo-
amperio) de puerta durante periodos muy
cortos de tiempo. Varias casas comerciales ya
incluyen en su catálogo el IGCT (“Integrated
Gate Commutated Thyristor”), que consiste en
la integración de un GCT con un diodo en anti-
paralelo de altas prestaciones y un driver de
gran capacidad y muy baja inductancia. El
conjunto queda para el usuario como un
semiconductor controlado mediante fibra ópti-
ca. Si bien no necesitan “snubbers” para el
apagado, las limitaciones de di/dt obligan a
incluir inductancias de limitación aunque de
menor tamaño que las necesarias para GTO
(figura 3). Con una tensión de saturación infe-
rior a un IGBT de características similares
(menores pérdidas de conducción), gran
capacidad de tensión-corriente (6 kV-3 kA) y
una frecuencia de conmutación que puede
superar los 2 kHz (tabla 1), es otro de los
candidatos para futuras aplicaciones de
media tensión [6].
En la tabla 1 se ofrecen las principales carac-
terísticas de los semiconductores comerciales
de alta potencia junto con las previsiones
correspondientes al IEGT. La figura 3 presen-
ta la estructura típica de una rama de inversor
para cada uno de ellos. La inductancia nece-
saria para el caso del IGCT tiene un valor del
orden de la mitad de la necesaria para el GTO.
Además, el condensador incluido es un con-
densador de desacoplo (similar al utilizado en
el IGBT para evitar las sobretensiones duran-
te el apagado) y no de ayuda a la conmutación
(las pérdidas producidas en la resistencia son
despreciables). En esta f igura se observa
Perspectiva
Figura 4. Diagrama de bloques con funcio-
como la estructura más simple corresponde al nes IPM de nueva generación
IGBT [7].
NUEVAS TENDENCIAS DE INTEGRACIÓN
Otro aspecto de gran relevancia en la actuali-
dad es la integración monolítica de dispositivos
de potencia conjuntamente con elementos de
electrónica de control. Los dispositivos integra-
dos aparecieron a finales de los años 80 y se deno-
minaron IPM (“Intelligent Power Modules”). Esta
integración fue posible gracias a la utilización
de técnicas LSI (“Large Scale Integration”) jun-
to con las propias de la electrónica de potencia.
Estos circuitos incorporan además de las funcio-
nes de gobierno de los transistores, otras de super-
visión como las de control de la temperatura,
sobretensión y sobrecorriente. Estos módulos
permiten reducir costes y tamaño, eliminar pro-
blemas de interferencias electromagnéticas y
conectar directamente con los sistemas de con-
trol (microcontrolador, DSP, etc.). Con el
empleo de dispositivos IPM se obtendrán inver-
sores más económicos, fiables, compactos y de
altas prestaciones, lo que permitirá su expansión Figura 5. Evolución de los dispositivos
y apertura a nuevos mercados como el corres- de potencia
pondiente al área
doméstica: sistemas
de refrigeración, aire
acondicionado,
máquinas lavadoras,
etc. Actualmente ya
existen en el merca-
do módulos IPM
genéricos con dife-
rentes grados de
complejidad y se
están desarrollando
módulos IPM de
muy diversos grados
de funcionalidad
denominados
ASIPM (“Applica-
tion Specific IPM”)
Perspectiva
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
cuyas características quedarán determinadas por
la propia aplicación [8]. En la figura 4 se presenta
el diagrama de bloques de lo que sería un inver-
sor realizado con tecnología IPM. El módulo
incluye todas las funciones de control, protección
y otros servicios (como la corrección del factor
de potencia y una salida de tensión regulada
para aplicaciones externas) junto con la parte de
potencia. Estructuras de este tipo no tardarán en
ser una realidad aunque el principal problema hoy
en día es que todavía no existe una estandariza-
ción del producto, por lo que se reduce la inter-
cambiabilidad de módulos de diferentes fabri-
cantes [2].
NUEVOS MATERIALES
Por otro lado, el silicio ha monopolizado el
mercado de los semiconductores durante toda
la era moderna de la electrónica de potencia y
posiblemente esta situación perdurará en un
futuro inmediato. Sin embargo, nuevos tipos
de materiales tales como arseniuro de galio, car-
buro de silicio, y diamante, presentan caracte-
rísticas de movilidad de portadores, así como
de conductividad eléctrica y térmica netamen-
te superiores a las del silicio, por lo que se
muestran como serios candidatos en el desa-
rrollo de futuras generaciones de semiconduc-
tores. Por ejemplo, un MOSFET de potencia
construido a base de diamante podría tener
una capacidad de potencia de megavatios y
una temperatura máxima de la unión de 600º
C, y trabajar a una frecuencia de conmutación
50 veces mayor que los actuales de silicio, con
una caída de tensión en conducción diez veces
menor [9].
CONCLUSIONES
A la vista de los distintos tipos de semicon-
ductor analizados, algunos de ellos obsoletos
y otros de total actualidad, se plantea la duda
de cuál es el dispositivo más adecuado a una
tarea determinada. Básicamente la selección
del dispositivo ideal puede realizarse a partir
del rango de potencia, tensión y frecuencia en
que van a trabajar tal y como se muestra en la
figura 5. Según el nivel de potencia se puede
establecer una primera división: aplicaciones
de muy alta potencia (HVDC, hornos de arco,
compensación de energía reactiva, etc.)
mediante fototiristores, sistemas de alta
potencia (propulsión naval, trenes de alta
velocidad, trenes de laminación, etc.) en las
cuales el IGCT está sustituyendo al GTO, sis-
temas de media potencia (tracción ferroviaria,
accionamientos eléctricos industriales, calen-
tamiento por inducción, etc.) con IGBT y de
baja potencia (telefonía móvil, ordenadores
portátiles, relés en automoción, etc.) median-
te MOSFET.
Por supuesto, debido al continuo desarrollo y
mejora de los diferentes dispositivos, existen
ámbitos de funcionamiento cercanos a las fron-
teras donde es difícil decir cuál va a ser el dis-
positivo idóneo. De esta forma, nos encontramos
que cada vez es más frecuente ver a IGBT en
aplicaciones de baja potencia y alta frecuencia
como fuentes de alimentación conmutadas que
eran de dominio del MOSFET. Sin embargo, en
aquellas aplicaciones de baja tensión (<100 V)
y/o alta frecuencia (>150 kH), los MOSFET
siguen siendo la mejor opción. En la figura 2 se
observa la excelente característica de tensión de
saturación de un MOSFET de 70 V, que eviden-
temente también posee mejores características
dinámicas (tf=55 ns) que el IGBT rápido (tf=250
ns) mostrado en la misma figura. Para tensio-
nes comprendidas entre 200 y 600 V, el MOS-
FET gana en prestaciones dinámicas y el IGBT
en estáticas, por lo que resulta difícil decir a prio-
ri cuál es el semiconductor idóneo, por lo que
es necesario realizar un estudio comparativo para
cada aplicación. En un futuro cercano el Cool-
MOS podría ser el componente más adecuado
para este ámbito de trabajo. Al mismo tiempo,
tanto el HVIGBT como el IEGT van ganando
terreno en las altas potencias, por lo que proba-
blemente sustituirán al GTO-IGCT en algunas
de estas aplicaciones.
REFERENCIAS
[1] Jean-Marie Peter, “De nouveaux composants
arrivent, l´integration de puissance continue son
evolution: quelles consequences?”, EPF-98, pp. 3-8.
[2] Achim Scharf, “State-of-the-Art and Future
Trends”, PCIM Europe, pp. 106-126, Marzo 1998.
[3] L. Lorenz, G. Deboy, M. März, J. Stengl, A.
Bachofner, “Drastic Reduction of On-Resistance with
Cool MOS”, PCIM Europe, pp. 250-258, Mayo 1998.
[4] Hideo Matsuda, “New Advanced Power Semi-
conductors”, PCIM Europe, pp. 316-320, Junio 1998.
[5] T. Schütze, H. Berg, M. Hierholzer, “Further
Improvements in the Reliability of IGBT Modules”,
http://www.eupec.com/editorials/PDF/ias1998.pdf
[6] H.M. Stillman, “IGCTs -Megawatt Power Swit-
ches for Medium Voltage Applications”, ABB Review
3/1997, pp. 12-17.
[7] Eric R. Motto, M. Yamamoto, “New High Power
Semiconductors: High Voltage IGBTs and GCTs”,
http://www.pwr.com/pages/newsflash/techspo-
tlight/HIGHPWR.PDF
[8] Gourab Majumdar, “Review and Future Projec-
tion of Power Semiconductors”, PCIM Europe, pp.
19-20, Mayo 1999.
[9] B. K. Bose, “Power Electronics and Variable Fre-
quency Drives.
Technology and Applications”, IEEE Press, New
York, 1997. ME