Université de Bordj Bou Arreridj

Faculté des Sciences et de la Technologie

Département d’Electronique
MCIL 2

Chap. II
Les memoires
Sommaire
I. Introduction .............................................................................................................................................................. 1
II. Opérations sur les mémoires ................................................................................................................................ 1
III. Caractéristiques d’une mémoire........................................................................................................................... 1
IV. Types de mémoires ............................................................................................................................................... 2
4.1 Les mémoires vives (RAM)...................................................................................................................................... 2
4.2 Les mémoires mortes (ROM) .................................................................................................................................. 3
V. Notion d’antémémoire ou de mémoire cache ..................................................................................................... 4
VI. Les mémoires auxiliaires (mémoires de masse) ................................................................................................... 4
VII. Hiérarchie des mémoires ...................................................................................................................................... 4
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I. Introduction
Une mémoire est un dispositif capable d’enregistrer, de conserver et de restituer des informations. C’est un
arrangement linéaire de cases dont chacune est référencée par un nombre qui lui est propre appelé adresse de la
case.

II. Opérations sur les mémoires

Les seules opérations possibles sur la mémoire sont :
- L’écriture dans une case : rangement d’une valeur dans une case spécifiée par une adresse ;
- La lecture du contenu d’une case : Obtention de la valeur contenue dans la case spécifiée par une adresse. Le contenu
de la case lue reste inchangé.
On peut schématiser un circuit mémoire par la figure suivante :

Adresses

Mémoire Données
R/W
CS

En plus du bus d’adresses et du bus de données, un boîtier mémoire comprend une entrée de commande qui permet
̅ ) et une entrée de sélection de boîtier qui permet de
de définir le type d’action à effectuer (lecture/écriture) (𝑅/𝑊
mettre les entrées / sorties de la mémoire en haute impédance (𝐶𝑆 ̅̅̅̅).

III. Caractéristiques d’une mémoire

- La capacité : c’est le nombre total de bits que contient la mémoire. Elle s’exprime aussi souvent en octet ;
- Le format des données : c’est le nombre de bits que l’on peut mémoriser par case mémoire ;
- Le temps d’accès : c’est le temps qui s'écoule entre l'instant où a été lancée une opération de lecture/écriture
en mémoire et l'instant où la première information est disponible sur le bus de données ;
- Le temps de cycle : il représente l'intervalle minimum qui doit séparer deux demandes successives de lecture
ou d'écriture.
- Le débit : c’est le nombre maximum d'informations lues ou écrites par seconde.
- Volatilité : elle caractérise la permanence des informations dans la mémoire. L'information stockée est volatile
si elle est perdue en absence d'alimentation électrique et non volatile dans le cas contraire.
- Type d’accès (accès direct et accès séquentiel) : Dans le cas de la mémoire principale de l’ordinateur, on accède
directement à n'importe quelle information dont on connaît l'adresse et que le temps mis pour obtenir cette
information ne dépend pas de l'adresse. On dira que l'accès à une telle mémoire est aléatoire ou direct. A
l'inverse, pour accéder à une information sur bande magnétique, il faut dérouler la bande en repérant tous les
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enregistrements jusqu'à ce que l'on trouve celui que l'on désire. On dit alors que l'accès à l'information est
séquentiel. Le temps d'accès est variable selon la position de l'information recherchée.

IV. Types de mémoires

4.1 Les mémoires vives (RAM)
Une mémoire vive sert au stockage temporaire de données. Elle doit avoir un temps de cycle très court pour ne pas
ralentir les systèmes qui y accèdent. Les mémoires vives sont en général volatiles. Il existe deux grandes familles de
mémoires RAM (Random Access Memory : mémoire à accès aléatoire) :
- Les RAM statiques
- Les RAM dynamiques
4.1.1 Les mémoires statiques :
Pour réaliser un point mémoire on utilise une bascule, celle-ci garantit la mémorisation de l'information aussi
longtemps que l'alimentation électrique est maintenue sur la mémoire. Ces mémoires sont dites RAM statiques
(SRAM).

Sel = 0 Sel = 1
Pas de changement R/W = 1 Lecture
R/W = 0 Ecriture

Exemple d’une mémoire 4 x 4 (4 mots de 4 bits)

4.1.2 Les mémoires dynamiques :
Dans les RAM dynamiques (DRAM), l'information est mémorisée sous la forme d'une charge électrique stockée dans
un condensateur (capacité grille substrat d'un transistor MOS). Du fait des courants de fuite, le condensateur a
tendance à se décharger. C'est pourquoi les RAM dynamiques doivent être rafraîchies régulièrement pour entretenir
la mémorisation : il s'agit de lire l'information avant qu'elle n'ait totalement disparue et de la recharger.

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4.1.3 Comparatif mémoires statiques et mémoires dynamiques :

Les mémoires statiques sont plus rapides que les mémoires dynamiques, cependant ces dernières permettent une
plus grande densité d'intégration, car un point mémoire nécessite environ deux à quatre fois moins de place que dans
une mémoire statique, les mémoires dynamiques présentent aussi l’inconvénient du rafraîchissement.
En général les mémoires dynamiques, qui offrent une plus grande densité d'information et un coût plus faible, sont
utilisées pour la mémoire centrale, alors que les mémoires statiques, plus rapides, sont utilisées pour les mémoires
caches et les registres.

4.2 Les mémoires mortes (ROM)

Pour certaines applications, il est nécessaire de pouvoir conserver des informations de façon permanente même
lorsque l'alimentation électrique est interrompue. On utilise alors des mémoires mortes ou mémoires à lecture seule
(ROM : Read Only Memory). Ces mémoires sont non volatiles, contrairement aux RAM, elles ne peuvent être que lue.
L’inscription en mémoire des données reste possible mais elle est appelée programmation. Suivant le type de ROM, la
méthode de programmation change. Il existe donc plusieurs types de ROM :
ROM, PROM, EPROM, EEPROM, et FLASH EEPROM.
4.2.1 La ROM :
Elle est programmée par le fabricant et son contenu ne peut plus être ni modifié, ni effacé par l'utilisateur.

Avantages Inconvénients
- Densité élevée - Écriture impossible
- Non volatile - Modification impossible
- Mémoire rapide
4.2.2 La PROM :
C’est une ROM qui peut être programmée une seule fois par l'utilisateur (Programmable ROM). La programmation est
réalisée à partir d’un programmateur spécifique. Les liaisons à diodes de la ROM sont remplacées par des fusibles
pouvant être détruits ou des jonctions pouvant être court-circuitées.
4.2.3 L’EPROM ou UV EPROM :
L'EPROM (Erasable Programmable ROM) est une PROM qui peut être effacée.

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Dans une EPROM, le point mémoire est réalisé à partir d’un transistor MOS avec grille flottante. La programmation
consiste à piéger des charges dans la grille flottante. L’exposition d’une vingtaine de minutes à un rayonnement
ultraviolet permet d’annuler la charge stockée dans la grille flottante. Les boîtiers des EPROM se caractérisent donc
par la présence d’une petite fenêtre transparente en quartz qui assure le passage des UV. Afin d’éviter toute perte
accidentelle de l’information, il faut obturer la fenêtre d’effacement lors de l’utilisation.
Avantages Inconvénients
- Reprogrammable et non Volatile - Impossible de sélectionner une seule cellule à effacer
- Impossible d’effacer la mémoire sur circuit
- L’écriture est beaucoup plus lente que sur une RAM
(environ 1000 x)
4.2.4 La EEPROM :
La EEPROM (Electrically EPROM) est une mémoire programmable et effaçable électriquement. Le principe est le même
que pour les EPROM sauf que l’épaisseur entre les deux grilles est beaucoup plus faible. Une forte tension électrique
appliquée entre grille et source conduit à la programmation de la mémoire. Une forte tension inverse l’effacement de
la mémoire.
Avantages Inconvénients
- Comportement d'une RAM non Volatile - Très lente pour une utilisation en RAM
- Programmation et effacement mot par mot possible - Coût de réalisation
4.2.5 La FLASH EPROM :
La mémoire Flash s'apparente à la technologie de la EEPROM, elle est aussi programmable et effaçable électriquement.
La mémoire flash approche les caractéristiques d’une mémoire idéale : non volatile et rapide.

V. Notion d’antémémoire ou de mémoire cache

Le principe de l’antémémoire apporte une solution au problème de la trop grande différence de vitesse entre le
processeur et la mémoire centrale. La solution consiste à insérer entre les deux une mémoire très rapide mais pas très
grande (mémoire statique) qui va contenir les informations (instructions, données) les plus utilisées. L’antémémoire
est une mémoire associative, ce qui signifie que les informations ne sont pas accessibles par adresse mais adressables
par le contenu. Chaque case comprend deux champs : la clé et l’information associée à cette clé. De la même manière,
on peut intercaler une mémoire cache, dite aussi mémoire d’appui, entre la mémoire centrale et les mémoires
auxiliaires afin de réduire l’écart de vitesse entre les deux.

VI. Les mémoires auxiliaires (mémoires de masse)

Ce sont des mémoires périphériques de grande capacité utilisées pour le stockage permanent ou la sauvegarde des
informations. Elles utilisent pour cela des supports magnétiques (disque dur, disques ZIP, bandes ou cartouches) ou
optiques (CDROM, DVDROM).

VII. Hiérarchie des mémoires

~ 1 ns Registres < 400 octets

~ 8 Ko à 4 Mo suivant
~ 5 ns Mémoire cache
Capacité

les niveaux
Vitesse

~ 10 ns Mémoire principale ~ 1 Go

~ 100 ns Mémoire d’appui ~ 2 à 8 Mo

~ 50 ms Mémoire de masse ~ 200 Go