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UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI ‫جامعة عبد المالك السعدي‬

FACULTE DES SCIENCES ‫كلية العلوم‬


TETOUAN ‫تطوان‬
Filière SMP/S4 Année : 2020/2021

TD1 d’électronique de base (avec solutions)

Exercice 1 :

Calculer la probabilité de trouver un électron sur un niveau énergétique au-dessus du niveau de


Fermi de 3KT.

Exercice 2 :

Calculer la concentration des trous libres dans du silicium à l’équilibre à T=400°K. On donne
NV (300°K)= 1.04.1019cm-3.

Exercice 3 :

1) En désignant par NC et NV, densités équivalentes respectives des états énergétiques dans
les bandes de conduction et de valence, donner l’expression de la concentration
intrinsèque des porteurs libres dans la bande de conduction et la bande de valence. En
déduire la position du niveau de Fermi intrinsèque dans la bande interdite, de largeur
EG.
2) Soit un semiconducteur au silicium à 300°K caractérisé par EG=1.12eV, NC=2.7.1019cm-
3
et NV=1.1.1019cm-3, déterminer la concentration intrinsèque à :
a) 27°C
b) 127°C
c) 227°C
d) Si le niveau de Fermi est situé à 0.25 eV au-dessous de la bande de conduction,
calculer la concentration des électrons et des trous à l’équilibre.

On donne KT=26meV à 300°K, on suppose que la valeur de EG n’est pas affectée par la
température.

Exercice 4 :

Considérons un échantillon semiconducteu au silicium à T=300°K . Déterminer les


concentrations des électrons et des trous pour les dopages suivant :

1) Dopage par le bore de concentration 4x1016cm-3.


2) Dopage par l’antimoine de concentration 8x1015cm-3.
3) Dopage par NA=ND=3x1015cm-3.

On donne ni(300°K)=1.5x1010cm-3.
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Exercice 5 :

Soit un échantillon au silicium dopé avec NA=1016cm-3 accepteurs. Déterminer la


concentration des donneurs ND qu’il faut ajouter à l’échantillon pour rendre le
semiconducteur de type N avec un niveau de Fermi situé au-dessous de la bande de
conduction de 0.20eV. On donne NC=2.8.1019cm-3.

Exercice 6 :

Considérons du GaAs à T=300°K dopé avec 2x1016cm-3 donneurs.

1) Déterminer la résistivité du matériau.

2) Déterminer le champ électrique qu’il faut appliquer pour avoir une densité de courant

de 175A/cm2.

On donne : µ𝑛 = 8500cm2/V.s et µ𝑝 =400cm2/V.s

Exercice 7 :

On désire réaliser une résistance avec un matériau semi-conducteur. Pour cela, on utilise du

Silicium placé à 300 K. Il est initialement dopé avec des donneurs en densité 5.1015 cm-3.On

rajoute des accepteurs pour le compenser et le rendre de type P. La résistance doit avoir une

valeur de 10 kΩ et supporter une densité de courant de 50 A/cm² lorsqu’une tension de 5 volts

est appliquée. On donne µp = 410 cm²/Vs et le champ électrique limite de 100 V/cm.

Déterminer :

1) la section de la résistance

2) la longueur de la résistance

3) le dopage en accepteurs.
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Solutions

Exercice 1 :

La probabilité de trouver un électron sur un niveau énergétique supérieur au niveau de

Fermi, EF , est donnée par la statistique de Fermi-Dirac, soit :

1
𝑓𝑛 (𝐸 ) = 𝐸−𝐸𝐹
1+ 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇

1
E-EF= 3KT, d’où : fn(E)= = 0.047
1+𝑒𝑥𝑝3

Exercice 3 :

−𝐸𝐺
1) 𝑛𝑖 = √𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 2𝐾𝑇

Pour un semi-conducteur intrinsèque, on a :n= 𝑝 = 𝑛𝑖


−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑖) −(𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝑉)
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 → 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇

𝐸𝐶 +𝐸𝑉 𝐾𝑇 𝑉 𝑁 𝐺 𝐸 𝐾𝑇 𝑁𝑉
𝐸𝐹𝑖 = + Ln( )= + Ln( )
2 𝑞 𝑁 2
𝐶 𝑞 𝑁 𝐶

2) On suppose la valeur de EG indépendante de la température. Pour déterminer 𝑛𝑖 à

une température donnée, il faut déterminer 𝑁𝐶 , 𝑁𝑉 𝑒𝑡 𝐾𝑇 à cette température en

utilisant les relations :


3
𝑇 2
𝑁𝐶 (𝑇 ≠ 𝑇0 ) = 𝑁𝐶 (𝑇0 ). ( )
𝑇0
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3
𝑇 2
𝐸𝑡 𝑁𝑉 (𝑇 ≠ 𝑇0 ) = 𝑁𝑉 (𝑇0 ). ( )
𝑇0

Avec 𝑇0 = 300°𝐾

𝑇
De même on a : KT=𝐾𝑇0. .
𝑇0

a) T=27°C= 300°K
−1.12
( )
𝑛𝑖 = √2.7𝑥1019 ∗ 1.1𝑥1019 𝑒𝑥𝑝 2∗26∗10−3 =9.48x109 𝑐𝑚−3

b) T=127°C=400°K
3
2 4
𝑁𝐶 (400°𝐾) = 𝑁𝐶 (300°𝐾). (3) = 2.7 1019x1.5396=4.15 1019cm-3.
Tapez une équation ici.
3
4 2 4
𝑁𝑉 (400°𝐾) = 𝑁𝑉 (300°𝐾). (3) =1.6935x1019cm-3.KT(400°K)=20x10-3x3=34.66x10-3meV

−1.12
𝑛𝑖 (400) = √4.15𝑥1019 𝑥1.693519 xexp(2.34.6610−3 ) = 2.55x1012cm-3.

c) T=500°C
NC(500°K)= NC(300°K)x(5/3)3/2=2.7 1019x2.1517=5.81x1019cm-3.
NV(500°K)=NV(300°K)x(5/3)3/2=2.367x1019cm-3.
KT(500°K)= 26x10-3x(5/3)= 43.33x10-3eV
ni(500°K)= 5.94x1012cm-3
d) La concentration des électrons est :Tapez une équation ici.
−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 ) −0.25
n(300°K)= 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 2.7x10 x𝑒𝑥𝑝19 0.026 = 1.8x1015cm-3.
−(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 ) −0.87
p(300°K)= 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 1.1x1019x𝑒𝑥𝑝 0.026 = 3.23x104cm-3.
On remarque que 𝑛 ≫ 𝑝; le semi-conducteur en question est de type N.

Exercice 4 :

1) Le bore, B, appartient à la colonne III de la table périodique, le silicium appartient à la


colonne IV. B se comporte comme accepteur d’électron pour Si. La concentration des
accepteurs introduite est NA=4x1016cm-3. NA>>ni, on obtient alors un semiconducteur P
où n>>p. Pour calculer n et p on utilise les deux équations :
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𝑛𝑥𝑝 = 𝑛𝑖 2 : loi d’action de masse


𝑝 = 𝑛 + 𝑁𝐴 : équation de neutralité électrique.
𝐸𝑛 𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑡 𝑙𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑢𝑥 é𝑞𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑠, 𝑜𝑛 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑣𝑒 :
𝑝2 − 𝑁𝐴 𝑝 − 𝑛𝑖2 =0
𝐿𝑎 𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑒 𝑝 à 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑛𝑖𝑟 𝑒𝑠𝑡:

2 +4𝑛2
𝑁𝐴 +√𝑁𝐴 𝑖 4𝑥1016 +√1632 +4𝑥(1.5)2 𝑥1020
𝑝= = ≅ 4𝑥1016 cm-3= 𝑁𝐴
2 2
𝑛𝑖2 (1.5𝑥1010 )2
𝑛= = = 5.6253 𝑐𝑚−3
𝑝 4𝑥1016
On remarque que p>>n, d’où le semiconducteur est P
2) L’antimoine, Sb , appartient à la colonne V ; il est donc donneur d’électron pour Si qui
appartient à la colonne IV. La concentration des donneurs est ND= 8x1015cm-3.
Pour obtenir n et p, on utilise les équations de neutralité électrique et la loi d’action de
masse, soit :

𝑛𝑥𝑝 = 𝑛𝑖 2 𝑒𝑡 𝑛 = 𝑝 + 𝑁𝐷
𝐸𝑛 𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑛𝑡 𝑙𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑢𝑥 é𝑞𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑠, 𝑜𝑛 𝑜𝑏𝑡𝑖𝑒𝑛𝑡:

𝑛2 − 𝑁𝐷 𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
La solution positive de n est :
2 +4𝑛2
𝑁𝐷 +√𝑁𝐷 𝑖
𝑛= = 8x1015cm-3= ND
2
𝑛𝑖2 2.25𝑥1020
𝑝= = =2.8125x104cm-3
𝑛 8𝑥1015
𝑛 ≫ 𝑝, 𝑑 ′ 𝑜ù𝑙𝑒 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑒𝑠𝑡 𝑁
3) Le semi-conducteur est dopé simultanément par des donneurs et des accepteurs,
l’équation de neutralité électrique s’écrit :
𝑛 + 𝑁𝐴 = 𝑝 + 𝑁𝐷

Or NA=ND implique n=p , on dit que le semiconducteur est totalement compensé et


qu’il est intrinsèque. On a alors n=p= 𝑛𝑖= 1.5𝑥1010 𝑐𝑚−3

Exercice 5 :

Le semiconducteur dopé initialement par les accepteurs est compensé par des donneurs de
concentration ND. En le compensant, il devient N où le niveau de Fermi est tel que (EC-
EF)=0.2eV. Connaissant NC et (EC-EF), on peut déduire n et p.
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−0.2
−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )
On a n=𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 =2.8x1019 𝑒𝑥𝑝0.026 = 1.277716 𝑐𝑚−3
𝐾𝑇

𝑛𝑖2 (2.25𝑥1020 )
𝑝= = = 1.76x104cm-3.
𝑛 1.27716

Semiconducteur compensé, on a :

𝑛 + 𝑁𝐴 = 𝑝 + 𝑁𝐷

D’où 𝑁𝐷 = 𝑛 + 𝑁𝐴 − 𝑝 = 1.277𝑥1016 -1016 -1.76x104 =2.77x101015 𝑐𝑚−3

Exercice 6 :

Le semiconducteur est dopé par des donneurs seuls de concentration ND=2x1016cm-3.

1) La résistivité du matériau est : ρ=q(nµn=pµp)


n est solution de l’équation :
𝑛2 − 𝑁𝐷 𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
2 +4𝑛2
𝑁𝐷 +√𝑁𝐷 𝑖
Soit 𝑛 = avec 𝑛𝑖 = 2𝑥106 𝑐𝑚−3 pour GaAs à 300°K
2
𝑛 ≅ 2𝑥1016 𝑐𝑚−3 = 𝑁𝐷

𝑝 ≪ 𝑛 𝑒𝑡 𝜇𝑝 ≪ 𝜇𝑛 → 𝜌 ≅ 𝑞𝑁𝐷 𝜇𝑛 = 1,6.10-19x2.1016x8500= 27.2Ω.cm


2) La densité de courant dite de dérive ou de conduction due au champ électrique est :
1𝑥𝜉
𝐽𝐶 = 𝐽𝑛𝐶 + 𝐽𝑝𝐶 ≅ 𝐽𝑛𝐶 = 𝜎𝑛 𝜉 = , d’où 𝜉 = 𝜌. 𝐽𝑛𝐶 = 175𝑥27.2 = 4,76. 103 𝑉/𝑐𝑚
𝜌

Exercice 7 :

1) On calcule d’abord le courant I :

On déduit alors la section A, soit :

2) La relation entre le potentiel V et le champ E est donnée par V=ExL où L est la longueur
de l’échantillon. D’où :
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3) La conductivité du semiconducteur est :

Le semiconducteur est de type P dopé simultanément par des donneurs et des accepteurs,
on a :
𝜎 ≅ 𝜎𝑝 = 𝑞(𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 )𝜇𝑝 = 0.5
0.5
On trouve : 𝑁𝐴 = 𝑁𝐷 + 1,6.1019 .410 = 1,262. 1016 𝑐𝑚−3