Cours Physique Des Solides

Université Arabe des Sciences ‫المدرسة العليا الخاصة للمهندسيـن‬
Ecole Supérieure Privée d’Ingénieurs et des ‫والدراسات التكنولوجيّة بتونس‬

Etudes Technologiques de Tunis
Année Universitaire : 2016– 2017
Cours Physique des Solides

Pour le 1 ère Année
Filières : G. Civil, G. Electrique et

G. Informatique
Réalisé par : Ahmed ZARROUG

SOMMAIRE
Sommaire…………………………….……………………………………………………………….. .2
Chapitre 1 : Structure atomique de la matière
Introduction :……………………………………………………….………………………………5
I. Aspect ondulatoie de la matière :………………………………………………………….5

1) Quantification des niveaux énergitiques :………………………………………………….….5
2) Relation de Broglie (1922) : …………………………………………………………………..5
II. Equations régissant les déplacement des électrons : …………………………………….5
1) Equation de Shrodinger ou Equation aux valeurs propres de l’énergie :……..…… ..5
a) structure unidimentionnelle. …………………………………………………………………..6
b) Remplissage de couches : ……………………………………………………………………..7
2) Stabilisation d'un atome : ……………………………………………………….…….8
3) L'électronégativité :...…… …………………………………………………………....8
Chapitre 2: Structure cristalline des solides
Introduction :……… ………………………………………………………………….……….…9
I. Définitions : …………………………………………………………………….9
II. Plan et direction du cristal………………………………………………………..10
1) Plan réticulaire : ………………………………………………………………………………10
2) Direction cristalline : …………………………………………………………………………11
3) Le système cubique : (figure II-2-c) ………………………………………………………….12
4) Réseau réciproque : …………………………………………………………………………...12
III. Liaisons entre Atomes …………………………………………………………...12
1) Liaison covalente ………………………………………………………………..12
2) Liaison ionique …………………………………………………………………..13
3) Liaison métallique…………………………………………………………….....13
4) Liaison hydrogène …………………………………………………………… .. 13
5) Liaison de Van der Waals………………………………………………………..13
IV. Les défauts dans les cristaux : ……………………………………………….…. 13
1) Vibration thermique : ………………………………………………13
2) Défauts locaux : …………………………………………………….14
 . Défauts propres du cristal : ………………………………………………………………….14
 Impuretés du cristal : …………………………………………………………………………14
3) Défauts répartis : ……………………………………………………14
4) Rôles des défauts : ………………………………………………….14
V. Diffraction des rayons X par les cristaux………………………………………...14
1) Loi de Bragg : ………………………………………………………………………………. .14
2) Méthodes expérimentales :… ……………………………………………………………… .15
Chapitre 3: Structure électronique des solides
Introduction :………………………………………………………………………….………………16
I. Masse effective d’une particule : ………………………………………………………...16

1) Concept de masse effective : ……………………………………………………..….16
2) Calcul de la masse effective : …………………………………………….………….17
534799604.docx 2 Enseignant : Ahmed ZRROUG

3) Cas d’une particule libre : ……………………………………………………………17
4) Mouvement des électrons dans le cristal : …………………………………………...17
a) Modèle de Drude (Modèle des boules de billard) : ……………………………...17
b) Modèle de Sommerfeld : …………………………………………………….…..17
c) Modèle du puits de potentiel périodique : ……………………….………………18
d) Particule dans un potentiel statique : …………………………………….………19
II. Les électrons dans le cristal : …………………………………………………………….21
1) Fonction de Fermi Dirac : …………………………………………………………………….21
2) Densité d’états d’énergie g(E ) : ………………………………………………………… …..22
3) Isolants/ Conducteurs/ Semi-conducteurs : …………………………………………………..22
a) Caractères distinctifs des isolants, conducteurs, et semi-conducteurs : ………………….23
b) Etat voisin d’un maximum de bande : concept de trou: ………………………………….25
Chapitre 4: Semi-conducteur à l’équilibre
I. Inroduction : ……………………………………………………………………………...26
II. Différents types des semi-conducteur s: ………………………………………………...26
1) Les matriaux semi-conducteur s : ………………………………………….………..26
2) Production des porteurs libres : ………………………………..……….…………....27
a) Cas d’un semi-conducteur s intrinsèque : …………………………………….…27
b) Cas d’un semi-conducteur extrinsèque: ………………………………….. …....28
 ) Semi-conducteur de type n : ………………………………………………. 28
 ) Semi-conducteur de type p : ……………………………………………..…29
III. Population des porteures de charges : …………………………………………………...29
1) Equation de neutralité électrique : …………………………………………………………....30

2) Fonctionnement intrinsèque d’un semi-conducteur : ………………………………………...30
3) fonctionnement extrinsèque d’un semi-conducteur : ………………………………………....31
a) Concentration en électrons et en trous : ……………………………………………….…31
b) Position du niveau de Fermi : ……………………………………………………………32
4. fonctionnement d’un semi-conducteur à une temperature quelconque : (figure V-6):………….....33

A très basse temperature : …………………………………………………………………….33

Temperature intermédiaires : …………………………………………………………………33

Très haut temperature : ……………………………………………………………………….33
IV. Transport des porteurs de charges libres……………………………………………… ...33
1) Conduction électrique dans un cristal isotherme et homogène : ……………………… …...33
a) Loi d’Ohm (modèle de Drude) : …………………………………………………………34
b) Modèle de sommerfeld : …………………………………………………………………35
2) Mesure des mobilité et des condcutivités : Effet Hall : …………………………………… 36
a) Mesure par effet Hall : …………………………………………………………………...36
b) Loi de diffusion de Fick : …………………………………………………………….…..36
c) Rélation d’Einstein : ……………………………………………………………………...37
Chapitre 5: Les composants photoniques
I. Introduction : ……………………………………………………………………38
II. Transision radiative et absorption optique : …………………………………..…38
1) Transition radiative : ………………………………………………………………....39
2) Absorpition optique : ………………………………………………………………...39

3) Diode électroluminescente (LED) : ………………………………………………….40
4) lasers à semi-conducteurs : …………………………………………………………..40
5) Diode Laser : ………………………………………………………………………...41
6) Inversion de population : …………………………………………………………….41
7) Photo decteur : ………………………………………………………………………42
a) Photodiode : ……………………………………………………………………42
b) Cellule solaire photovoltaique : ………………………………………………....43

Chapitre1
Structure atomique de la matière
La matiere est constituée par d’atomes (élements indivisible gardent les mèmes propriétes
physio-chimiques). Latome, à son tour est constitué des particules élémentaires appelées :
l’électron et le noyau. L’électron a une charge q e= -e= -1.6 10-19 C, et une masse
me= 9.1 10-31Kg. Le noyau est composé de protons et de neutrons. Le proton a une chage
qp= +e et une masse mp= 1.679 10-27Kg. Le neutron est électriquement neutre et a une masse
mn= 1.675 10-27Kg. La masse molaire M d’un élement est la masse d’un nombre d’Avogadro
(NA= 6.02 10+23) d’atomes= masse atomique N.
Fig.I.1 : Schéma de la structure de l’atome, l’ordre de grandeur du rayon atomique est de 10-10
m
I. Aspect ondulatoie de la matière :

1) Quantification des niveaux énergitiques :
Cette théorie repose sur l’idée qu’à tout corpuscule peut étre associée une onde. Les
électrons se déplacent autour du noyau dans un espace délimité par une orbitale délocalisée. Il
occupent des niveaux d’énergie discrets.
2) Relation de Broglie (1922) :
A chaque particule de masse m et de vitesse v on associe une onde de longueur d’onde

h

(dite longueur d’onde de Broglie) mv avec h=6.62 10-34 j.s : constante de Planck
Ainsi on peut remarquer que la longueur d’onde est plus grande quand la masse est plus
petite.
II. Equations régissant les déplacement des électrons :

1) Equation de Shrodinger ou Equation aux valeurs propres de l’énergie :
2 h
   V .  E  
2m avec 2
 est la fonction d’onde. E est l’energie, V est le potentiel de l’électron.

La probabilité P de presence de l’électronc dans un élement de volume dV est donnée
P    2 dv  1
par : dP   dv, avec
2
a) Application : Structure unidimentionnelle.
On considere le cas ou le potentiel V est nul entre x=0 et x= L et infini partout ailleurs. On
2
( )   E 
peut écrire pour V=0 2m et pour V infini  =0
Condition aux limites :( x=0 et x=L)  (0)  0 et  ( L)  0
2mE
  ( )  0,   ( k 2 )  0.
2
 ( x )  A sin kx  B cos kx,  (0)  0 donne B = 0 et  ( L)  0 donne
n
k
L
n étant un nombre naturel (n=1, 2, 3…)
 2k 2 2 n 2 2
En  ( )  ( )( 2 )
2m 2m L
2
h
En  ( )  ( nx2  n y2  nz2 )
8mL2
L’énergie ainsi est quantifiée, nx=1, ny=1 , nz=1 ; et pout la même énergie on a
l’état dégénéré suivant :
nx=2, ny=1 , nz=1 ; nx=1, ny=2 , nz=1 ; nx=1, ny=1 , nz=2
   ,  ,    P(  ). ( ). ( )
d’où le triple de nombres quantiques n, l et m qui
correspont a une fonction d’onde particulière appelée orbitale atomique.
n correspond a la couche
 l est un nombre entier positif qui définit la géométrie de l'orbitale atomique et il peut
prendre les valeurs comprises entre 0 et n – 1, alors que pour ml définit l'orientation de
l'orbitale atomique et qui peut prendre les valeurs comprises entre -l et l
l=o orbitale s, l=1 orbitale p, l=2 orbitale d, l=3 orbitale f
On a un nombre des sous couches égal à n².
Exemple : pour n=3 on a neuf sous couches
n 1 2 3
l 0 0 1 1 1 0 1 1 1 2 2 2 2 2

ml 0 0 1 0 -1 0 1 0 -1 2 1 0 -1 -2
O.A. 1s 2s 2px 2pz 2py 3s 3px 3pz 3py 3dx²-y² 3dzx 3dz² 3dyz 3dxy
Le 4ème nombre quantique appelé nombre quantique de spin et noté ms. Sa valeur pour
l'électron est s = 1/2. Le moment cinétique de spin ms peut prendre deux valeurs : ms = 1/2 ;
ms = -1/2.
Si ms = 1/2, on a coutume de représenter l'électron par une flèche verticale orientée

vers le haut :  . Si ms = -1/2, l'électron est représenté par une flèche verticale orientée vers le
bas :  .
b) Remplissage de couches :
Les règles de remplissage électronique sont :
a. Règle de stabilité : les électrons occupent les niveaux d’énergie les
plus bas.
b. Règle de Pauli : Principe d'exclusion : Deux électrons d'un même
atome ne peuvent pas avoir leurs quatre nombres quantiques tous
identiques. Autrement dit, dans une case quantique, les électrons
doivent avoir des spins anti parallèles.
c. Règle de Hund : L'état électronique fondamental correspond à un
maximum de spins parallèles. La multiplicité des spins est maximale.
d. Règle de Klechkowski : Le remplissage des sous couches se fait dans
l’ordre de (n + l) croissant.
Si, pour deux sous couches, cette somme est la même, celle qui a la plus petite
valeur de n se remplit la première.
Exemple :
Pour l’orbitale 2p ; (n + l) = 2+1= 3
Pour l’orbitale 3s ; (n + l)=3+0 =3
Dans ce cas, l’orbitale 2p se remplit avant l’orbitale 3s.
Règle de Klechkowski

2) Stabilisation d'un atome :
Lorsque les atomes subissent des transformations en créant un ion monoatomique ou des
liaisons avec d'autres atomes, ils le font pour saturer leur couche externe.
Ceux dont la couche externe est déjà saturée, ne donneront donc pas d'ion monoatomique et
ne créent pas de liaison avec d'autres atomes. Ils sont "chimiquement stables". Ils ont une
grande inertie chimique.
3) Règle de l’octet :
Les atomes qui n’ont pas la structure stable en octet, captent, cèdent ou mettent en commun
des électrons pour acquérir 8 électrons sur leur couche externe.
4) L'électronégativité :
L'électronégativité d'un élément chimique est une grandeur qui caractérise sa capacité

à attirer les électrons lors de la formation d'une liaison chimique avec un autre élément.
Cette notion permet de prévoir le caractère de la liaison chimique que 2 éléments

peuvent contracter :
 Si les électronégativités sont voisines, la liaison sera covalente,
 Si les électronégativités sont très différentes, la liaison prend un caractère ionique.

Chapitre 2
Structure cristalline des solides
Les matériaux solides auxquels nous nous intéressons sont mécaniquement rigides
(incompressibles)
I. Définitions :
Il existe deux types de matériaux solides :
1. L’état amorphe ou l’arrangement des atomes est aléatoires (ne presente aucune ordre).
L’exemple le plus courant des matériaux amorphes est le verre.
2. L’état cristallin est formé d’atomes présentant un arrongement périodique. On obtient
ainsi des réseaux périodiques.
Nous allons nous limiter à l’étude des monocristaux
Une structure cristalline est caractérisée par :
 Une organisation spatiale de points de type périodique appelée réseau
 Un motif constitué d’un atome ou d’un groupement d’atomes s’associe à
chaque nœud.
Ainsi un cristal résult du remplissage du réseau par les motifs.
Figure II.1 : maille cristalline
Le réseau peut étre génré par translation à partir d’une maille (fig II.1). Cette maille est décrit
par trois vecteurs fondamentaux : a, b, c construits sur trois arètes.
Une maille est par suite un système cristallin, est caractérisé par la donnée des six paramètres
suivantes :
 Les longueurs a, b, c des trois vecteurs ; . Les angles  ,  ,  qu’ils font entre eux

La maille élémentaire est la maille pour laquelle les longueurs a, b, c sont minimales. Elle
contient un seul nœud (1 nœud commun à 8 mailles adjacentes). On définit sept systèmes
cristallins consignès dans la figure II.2
Figure II-2 les sept systèmes cristallins
II. Plan et direction du cristal

1) Plan réticulaire :
Les nœuds d’un réseau peuvent être regroupés sur des ensembles de plans parallèles et
équidistants appelés Plans réticulaires
Considérons un plan  dont les intersections avec le système d’axes a b c sont A, B, C et des
coordonnées x1, x2, x3 voire figure II-2-a
Il est commode de caractériser la famille des plans réticulaires pi par indices de Miller h, k, l
qui sont les trois plus petits entiers proportionnels respectivement à : a/x1 ; b/x2 ; c/x3 ou a, b, c
sont les normes respectives des valeurs a, b, c.

Figure II-2a : Plan réticulaire d’un cristal
Exemple :
x1=4a, x2=6b ; x3=8c, donne a/x1= ¼ =6/24, b/x2= 1/6 =4/24 ; c/x3=1/8= 3/24 entraine h=6,
k=4 ; l=3 ; on notera le plan  (6 4 3) et d’une manière générale (h, k, l). Si l’intersection du
plan  est à l’infini (x1 infini) l’indice de Miller h=0. Si un point possède une coordonnée
négative, l’indice de Miller correspondant est négatif et le signe moins est placé au dessus de
l’indice. La distance entre deux plans réticulaires successifs dhkl
2) Direction cristalline :
Toute droite passant par 2 nœuds distincts définit une rangée cristalline. La direction
commune à des rangées parallèles est une direction cristalline. Cette direction peut être
caractérisée par des indices qui sont les plus petits entiers h, k, l ayant le même rapport entre
eux que les composantes d’un vecteur colinéaire à la direction considérée, elle est noté [h k l].
Exemple du système cubique :
La diagonale du cube OA (figure II-2-b) a pour coordonnées :
1/ 3 , 1/ 3 ; 1/ 3
Elle correspond donc à une direction cristalline [111], qui est notons la perpendiculaire au
plan réticulaire (111)
Les axes ox1, ox2, ox3 ; sont notés [100], [010], [001].

Figure II-2-b : Plans réticulaires d’un cristal cubique
3) Le système cubique : (figure II-2-c)
La majorité des matériaux utilisés en électroniques cristallisent dans ce réseau. On distingue :
 Le réseau cubique simple : les nœuds sont aux sommets du cube (ne contient
qu’un nœud par maille)
 Le réseau cubique centré : les nœuds sont aux sommets et au centre du cube (2
nœuds par maille)
 Le réseau cubique à faces centrées : les nœuds sont aux sommets du cube et
aux centres de chaque face (4 nœuds par maille).
Figure II.2-c : Les trois réseaux cubiques
4) Réseau réciproque :
Le réseau réciproque construit sur les vecteurs (A, B, C) à partir du réseau direct de vecteurs
(a, b, c) de manière à avoir les produits scalaires suivants :

A.a =1 ; A.b=0 ; A.c=0
B.a =0 ; B.b=1 ; B.c=0
C.a =1 ; C.b=0 ; C.c=1
Le module de A est inversement proportionnel au module de a car A. a cos φ =1
Intérêt du réseau réciproque : à toute direction [h, k, l] (colinéaire au vecteur A) du réseau

réciproque correspond un plan du réseau direct qui lui est perpendiculaire et qui est de même
paramètres (h, k, l) (parallèle au plan (b, c)).
III. Liaisons entre Atomes

Les liaisons entre atomes assurent la cohésion du matériau et en particulier sa
déformabilité, sa conductivité (thermique, électrique...), ses propriétés magnétiques, sa
fragilité, sa densité... On distingue ci-dessous les liaisons selon la nature de l’interaction
concernée.
1. Liaison covalente
Mise en commun d’un doublet d’électrons entre deux atomes d’électronégativités
comparables et éloignés des gaz rares (Si, Ge, C, Fe...). Elle résulte de la formation
d’orbitales communes, la densité électronique ne s’annulant pas entre les deux atomes. Dans
certains cas (carbone, Si...)
On retrouve ces différents cas dans le squelette carboné des matériaux organiques
(polymères, élastomères). Les liaisons covalentes sont donc dirigées, ce qui induit de fortes
contraintes géométriques sur les empilements atomiques.
2. Liaison ionique
Attraction électrostatique entre deux ions d’électronégativités très différentes (par
exemple, entre un halogène et un alcalin : cas classique de NaCl) après transfert d’un électron
de valence. La densité électronique s’annule entre les deux ions qui sont donc nettement
séparés. La liaison ionique est forte et non dirigée. L’empilement des atomes est régi par une
compacité maximale et l’obtention de la neutralité électrique dans un volume le plus faible
possible. Parmi les solides ioniques on trouve les halogénures d’alcalins mais aussi, entre
autres, des oxydes comme l’alumine Al2O3, la magnésie MgO et la zircone ZrO2
3. Liaison métallique
Les éléments métalliques s’ionisant facilement (1 à 3 électrons sur la couche externe,
faiblement liés au noyau), la mise en commun d’un ou de plusieurs électrons dans un nuage «
délocalisé », forme la liaison métallique. Les métaux sont donc un assemblage d’ions positifs
dans un « gaz d’électrons » qui assure leurs conductivités électrique et thermique élevées,
ainsi que l’éclat métallique (interactions entre électrons et photons) et les propriétés
mécaniques (plasticité). La liaison métallique « pure » ne se rencontre que pour les métaux
normaux (alcalins, alcalino-terreux, Al...) où elle est assez faible. Pour les métaux de
transition, les ions sont beaucoup plus rapprochés et l’interaction entre les sous-couches
incomplètes crée une composante covalente, qui renforce la liaison parfois de manière
considérable. La liaison métallique n’est pas dirigée et conduit à des assemblages compacts,
souvent à symétrie élevée.

4. Liaison hydrogène
Elle vient d’une résonance entre deux positions d’un proton entre deux anions voisins
fortement électronégatifs (O2-, F-), elle a donc un caractère ionique marqué. On la retrouve
dans l’eau, la glace, les sels hydratés, les polymères organiques (acides...) et inorganiques
(notamment les liants hydrauliques tels que les ciments).
5. Liaison de Van der Waals

C’est une liaison faible, qui est due à l’attraction électrostatique entre doublets électrons-
noyau des molécules. On la trouve dans les polymères organiques, la cristallisation des gaz
rares à très basse température, entre les feuillets silicatés des argiles et entre les feuillets de
graphite.
IV. Les défauts dans les cristaux :
Les structures cristallines sont en réalité très rarement parfaites. On y trouve une
grande variété de défauts qui jouent un rôle fondamental envers les propriétés des matériaux.
Ils sont décrits ici sans préjuger, pour le moment des avantages et inconvénients liés à leur
existence. Les défauts sont généralement classés selon le nombre de dimensions de l’espace
qui sont concernées. Tous possèdent une énergie propre qui gouverne leur apparition et leur
agencement dans le cristal.
1) Vibration thermique :
Les atomes ou les ions n’occupent pas toujours leurs positions dans le cristal, ils sont en
vibration continuelle (agitation thermique due à la température ambiante). L’état vibratoire du
cristal peut être représenté par une somme d’ondes élastiques de fréquences différentes. Le
quantum d’énergie associées à ces ondes élastiques sont appelés Phonon.
2) Défauts locaux :
Ce sont des défauts localisés dans le cristal classés en deux catégories :
 Défauts propres du cristal :
o les lacunes : absence d’atomes dans les sites qui devraient normalement les
contenir (Schottky)
o les interstitiels : présence d’atomes en des lieux normalement vides.
 Lacune et interstitiel sont en général couplés (Frankel). Leur concentration
augmente avec la température.
o Les antisites : dans un matériau contenant des atomes différents A et B ; A

peut occuper la place de B et vice-versa
 Impuretés du cristal :
C’est un atome étrange introduit volontairement ou pas dans le cristal. Ceci s’accompagne
d’une déformation locale de la structure.
3) Défauts répartis :
 Les dislocations : Ce sont des défauts, qui représentent des distorsions locales du
réseau.
 Les joints de grain : ce sont les zones de transition entre deux grains d’un poly cristal.
4) Rôles des défauts :
La notion d’impureté n’a pas toujours une connotation péjorative. L’introduction d’une
impureté contrôlée dans un semi-conducteur améliore les propriétés conductrices.

5) Diffraction des rayons X par les cristaux
a) Loi de Bragg :
Le cristal reçoit une onde monochromatique dans la direction n dont la fréquent est   2
et le vecteur d’onde k = 2  / 
E  E0 exp j (t  k .r )  E  E0 exp 2 j ( t  n.r /  )
Pour savoir si on a une onde diffusée dans la direction n, on utilise la loi de Bragg.
Figure II-3 : Loi de Bragg
La différence de marche entre les rayons (fig. II-6) est AC= 2d sin  pour avoir une
interférence constructive, il faut que AC soit un multiple de 
n.  = 2 d sin  . La loi de Bragg d et  doivent être de même ordre de grandeur c’est
pourquoi on utilise des rayons X.
b) Méthodes expérimentales :
Il faut varie  ou 
 Méthode de Lawé
On utilise un rayon incident poly chromatique, (  variable) et un cristal fixe (  fixe).
 Méthode du cristal tournant :
On considère un monocristal qui tourne autour d’un axe (  variable) et un rayon x
monochromatique (  fixe)
 Méthode des poudres : (Debye Sherrer)
Une poudre fine comprimé dans un cylindre ou dans un tube capillaire puis utilisé comme
cible pour le rayon x (  fixe) ; on a dans une distribution aléatoire d’orientation des plans ( 
variable).

Chapitre 3
Structure electonique des solides
I. Masse effective d’une particule :
On considère un cristal de dimensions finies celui-ci exerce des forces sur les électrons.
On introduit la notion de masse effective à l’électron pour simplifier le problème.
1. Concept de masse effective :
Considérons une particule de masse m évoluant dans un cristal de dimensions finies. Elle est
soumis à des forces de deux types :
 Les forces dues à la structure cristalline Fint :

 Les forces d’orgines extèrieurs au cristal (Champ E), Fext,
Alors Fint + Fext = m a ; a étant le vecteur d’acceleration de la particule, F int n’est pas connue on
réécrit la relation sous la forme Fext= m*a, ou m* est la masse effective de la particule qui tient
compte de l’action de la structure cristalline sur la particule.

On introduit ainsi une particule fictive de masse m* et d’état dynamique identique à celui de
la particule réelle.
2. Calcul de la masse effective :
On considère un modèle linéaire de direction ox de vectur unitaire ex avec :
 dv   d 
a    ex ; v    ; E   ; p  k
 dt   dk  ce qui donne:
dE  1  d  dE    1  d 2 E  dk
v ; a        car dE   dE  dk 
 
dk    dt  dk      dk ²  dt dt  dk  dt 
La puissance Pu s’écrit de deux manières différentes :
dE  d    1  dE 
Pu  et Pu  V .Fext  Fext       Fext
dt  dk     dk 
On égalise P ce qui donne
 dE   dE  dk   1  dE 
       Fext
 dt   dk  dt  =    dk 
 dk   m *  d ² E  dk 
Fext      m * a     
 dt     dk ²  dt 
d  k 
dt ²
m*  
1  d  dE   d ²E
 
  dt  dk   dk ²
3. Cas d’une particule libre :
Elle ne soumis à aucune forces et possède une énergie potentielle Vo constante
 p²    ²k ²  d ² E ²
E    Vo ; avec p  k ce qui donne E    V0 ; 
 2m   2m  dk ² m
Donc on a m*=m (dans ce cas la masse effective est la masse réelle d’électron)
4. Mouvement des électrons dans le cristal :
On considère les électrons de la couche priphériques, responsables de la conduction dans un

cristal.

a) Modèle de Drude (Modèle des boules de billard) :
On suppose que l’electrons est une particule classique. L’interaction de l’électron avec le
milieu peut ètre décrite comme suit :
- L’électron entre en collision avec les atomes du cristal en agitasion thermique et avec
les impuretés.
- Les interactions avec les électrons sont négligeables
- Les ions attirent l’électron qui l’empèchent de quitter le matériau (mais leur action
locale est négligeable)
Conclusions :
- Théorie classique des chocs (boules Billard)

- L’électron est libre (non soumis localement)
- En dehors des chocs on a F=0, Vp= constante (energie potentielle constante)
- On a à la frontière du cristal une barrière qui empèche l’électron de partir (puits de
potentiel constant de dimensions, celles du cristal)
b) Modèle de Sommerfeld :
Le modèle précedent est imparfait pour les métaux, car l’électron n’est pas une
particule classique. On abandonne les collisions classiques.
Nous supposons que la barrière de potentiel est
 Très élevée ( de hauteur infinie)

 Abrupte (varie fortement sur une courte distance)
Dans le modèle de Sommerfeld, le puits de potentiel dont les dimentions sont celles du
cristal, est de forme (figure III.2-b)
 Rectangulaire (en unidimensionnel)

 Parallélépipède rectangle (en tridimentionnel)
FigureIII. 1 : Puits de summerfeld à une et à trois

dimensions
c) Modèle du puits de potentiel périodique :
Les deux modèles précedents ne permettent pas d’expliquer :
 La distinction des matériaux semi-conducteurs, conducteur ou isolants ;

 Le fonctionnement des semi-conducteurs (création des porteurs de charges,
populations des porteurs…)
 La solution est tenir compte des états d’énergies des électrons préphériques des
atomes.
On considère un cristal unidimentionnel de direction ox et de très grandes dimentions.

L’énergie potentielle du cristal est périodique (figure III-2-c) Vp(x) de période l (distance
séparant 2 ions dans le cristal)
On a deux situations :
 L’électron lié ( E inferieur à Vo) appartient à l’ion correspondant ;

 L’électron délocalisé dans tout le cristal (E supérieure ou égale à Vo) ; ont une énergie
cinétique Ek =E-Vp(x) ce sont des électrons quasi libres.
Figure III.2 : Correction périodique du potentiel atomique due au potentiel des atomes
voisins
Cas particulier :
On arrive à simplifier ce modèle en faisant l’approximation de Kronig
Penney représenté à la figure III-2-d
Figure III-3 : Potentiel d’interaction électron-réseau dans le modèle de Krönig-Penney
5. Particule dans un potentiel statique :
On va étudier dans cette partie, le comportement d’une particule sous l’action d’un potentiel
indépendant du temps
Méthode d’étude : modèle unidimentionnel :

La fonction d’onde reste finie, continue et sa dérivée continue. La résolution de l’équation de
Schrodinger se fait en simplifiant le problème de manière à diviser une barrière de potentiel
en 3 parties ( à gauche, à droite et la barrière elle-même) ;
On calcule ensuite les fonctions d’ondes, les probabilités de presence et les valeurs propres
(E) dans ces trois régions.
On considère une particule dans un puits de potentiel unidimentionnel (figure III-3-a) de

largeur a, selon la direction ox,
Figure III-4 : Puits de potentiel rectangulaire infiniment profond
2
( )   E 
2m et pour V infini  =0
Condition aux limites :( x=0 et x=L)  (0)  0 et  ( L)  0
La solution est de la forme de
  (
2mE
)  0,   ( k 2 )  0. donne B = 0 et  ( L)  0 donne
2

 ( x )  A sin kx  B cos kx,  (0)  0
n
k
L
n étant un nombre naturel (n=1, 2, 3…) Les valeur propres ont été calculées
au début du cours, l’énergie est quantifiée
 2k 2 2 n 2 2
En  ( )  ( )( 2 )
2m 2m L
2 Pour n=1 on a l’état fondamental ; l’états d’énergie supèrieurs
h
En  ( )  ( nx )
2
sont appelés états excités. La fonction d’onde associée à En est :
8mL2
 n. 
 ( x)  A sin  x
 L 
On a la condition de normalisation de probabilité de présence (figure III-3-b)

 a
dP   2 dv, avec P    dv  1 
2   ²  x  dx   ²  x  dx  1  A  2 / a
0
Figure III.5 : Fonction d’onde et probabilité de présence de la particule dans l’état

fondamental(n=1) et les états excités (n=2, 3 et 4)
Conclusion :
 La probabilité de présence n’est pas la même dans tout le puits, ce qui est contraire en
mécanique classique.
 La fonction d’onde est paire pour n=1, impaire pour n= 2 (avec comme origine x=a/2)
 Plus le niveau d’énergie est élevée plus on a des zéro (plus grand est le nombre
d’oscillations à l’interieure du puits)
II. Les électrons dans le cristal :

1) Fonction de Fermi Dirac :
Dans l’éude des répartition des électrons, il est d’usage d’appeler E f : niveau d’énergie de
Fermi. La fonction de fermi (figure IV-1) n’est autre que la probabilité f(E)
1
f (E ) 
 E  Ef 
1  exp  
 kT 
Pour T=0K on a
 E  Ef 
exp  
 f(E)=0 si E-Ef >0 car  kT  est infini
 E  Ef 
exp  
 f (E) =1 si E-Ef <0 car  kT  est nul
 f (E ) =1/2 si E=Ef

Ef apparait comme l’énergie maximale des électrons à T=0K
Pour T > 0K on a
 f(Ef ) =1/2 quel que soit T

 f (E ) symétrique par rapport à Ef
E > Ef les états sont essentiellement vides.
1
T=0K
T = 500 K
T = 5000 K
0
m E
Figure III-6 : La fonction de fermi Dirac
Potentiel chimique   T 
lim   T   E f
T 0
1 Ef
K BT  eV   100
40 K BT
E f  qqe eV
Ordre de grandeur
La température ne fait qu’effleurer les électrons au niveau de Fermi.
Conclusion :
 On a autant de niveaux vides au dessus de Ef que de niveaux pleins au dessous de Ef.

 f (E ) varie brusquement de 1 à 0 dans un intervalle d’énergie étroit de autour de Ef.
L’énergie que peut acquérir un électron du fait de l’agitation thermique est très faibles
(25meV pour T= 300K) . Seules les électrons ayant une énergie situé dans l’intervalle de 4KT
autour de Ef ont la possibilité d’occuper un niveau d’énergie vide.
2) Densité d’états d’énergie g(E ) :
g( E) =dM/dE ; dM est le nombre d’états d’énergie dans dE
dN : le nombre de particules d’énergies compris entre E et E+dE
f (E) est la probabilité d’occupation de ces états.
dN (E )= g(E ) f(E ) dE

Exemple : (figure IV-2) : considérons deux niveaux E1 et E2 arbitraires respectivement dans la
bande de valence et celle de conduction, calculer le nombre d’électrons existant entre ces
deux niveaux.
E2 E2 Ev E2
N  dN  E   
E1 E1
f ( E ) g ( E )dE   f ( E ) g ( E )dE 
E1
 f ( E ) g ( E )dE
Ec
Figure III-7 : Exemple
3) Isolants/ Conducteurs/ Semi-conducteurs :
On se place dans le cas ou les électrons sont soumis à un potentiel périodique et ou le cristal a
des bandes d’énergie permises.
- Une bande vide ou plein ne contribue pas à la conduction.

- Dans une bande presque plein ; la fonction de Fermi Dirac montre que les états de plus
faible énergie sont occupés et qu’il y a des niveaux disponibles qui contribuent à la
conduction.
Exemple : on considère un électron manquant (trou) ; on applique un Champ électrique E

alors on a mp.dVp/dt = +e.E et étant donné que Vn =Vp alors mn*= mp*
a) Caractères distinctifs des isolants, conducteurs, et semi-conducteurs :
Les figures IV-3a et figures IV-3b suivates répresentent la loi de distribution des électrons à
0K dans un cristal conducteur et dans un cristal isolant :
Figure III-8 :

Ef est dans une bande permis ; sous l’action d’un champ électrique les électrons du
bas de la bande peuvent occuper les places vacantes et participer à un courant : ce matériau est
un conducteur.
Figure III-9
Ef dans une bande interdite : les bandes au dessous sont pleins (électrons liés) ; la
bande situé au dessus de Ef est vide ; sous l’action d’un champ électrique externe aucun
électron ne peut changer de bande (pas de conduction) : ce matériau est dit isolant.
Conclusion :
- A 0K les matéraux sont soit conducteurs soit isolants

- On appelle bande de valance la dérnière bande permise totalement occupée.
- On appelle bande de conduction, la bande permise qui est située au dessus de la
précedente (vide ou partiellement vide)
Comportement à T non nulle :

Figure III-10 : Loi de distrubtion en énergie des électrons à T  0 K dans le cristal
La différence provient de la modification de f(E ) avec T figures IV-3c.
- Pour un conducteur, la bande de conduction contient toujours des places pleines et

vides : le conducteur reste conducteur.
- Pour l’isolant, tout dépent de la bande interdite qui sépare les bandes de conduction et
de valence (Ec-Ev) appelé « gap » d’énergie, à la temperature ambiante (tableau IV-3)
Matériau Gap (Ev)

C 5.3
GaAs 1.43
Si 1.12
Ge 0.66
PbS 0.35
Pour Ec-Ev > 5eV : E(f ) est nul pour les énergies de la bande de conduction. Le matériaux
reste isolant.
Pour Ec-Ev  1eV : il y a quelques places occupées dans la bande de conduction et quelques
places vides dans la bande de valence (sous l’effet de l’agitation thermique ). En appliquant
un champ électrique, la conduction se produit dans les deux bandes. Le matériau est dit semi-
conducteur.
Pour Ec-Ev <1eV : très souvent, il se produit un recouvrement des bandes de valence et de
conduction (Bi, As, Sb, ) le matériau se comporte comme un métal c’est un semi métal.
b) Etat voisin d’un maximum de bande : concept de trou:
On considère le cas usuel d’une bande de valence presque plein. Les états vacants sont
proches du maximum de bande en k=0. Il est equivalent et plus pratique d’étudier des
particules fictives qui occuperaient les états vacants. Ces particules sont appelées « trous » ,
de charge électrique +e, de masse effective m* :
De vitesse identique à celle des électrons. La probabilité d’occupation des trous correspond à
la probabilité d’absence des électrons, soit 1- f(E ).

Chapitre 4
Semi-conducteur à l’équilibre
Inroduction :
Les semi-conducteurs (largement utilisés en électronique dans les composants tels que les
diodes, les DELs, les transistors, les photorésistances…) sont des matériaux qui ont une
conductivité électrique intermédiaire entre celle des isolants et celle des conducteurs.

Figure IV-1 : Exemple : résistivité à l'ambiante de certains matériaux
I. Différents types des semi-conducteur s:

Les matriaux semi-conducteur s :
 Si et Ge (colonne IV)
 Composés binaires dont la somme des valences vaut 8 :
 III-V le plus connu le GaAs
 II-VI comme le Cds ou le ZnS ;
Des composés ternaires tel que le CuInS2 ou le CuInSe2
Tableau V-I : Gap des matériaux semi-conducteurs à T=300 K
Symbole chimique Classification Gap (eV)

Si IV 1.12
Ge IV 0.66
CdSe II-VI 1.70
CdTe II-VI 1.44
InP III-V 1.27
AlSb III-V 1.60
GaAs III-V 1.43
1) Cassification des semi-conducteurs cristallins homogènes
(concentration en électrons et en trous constantes dans tout le volume) et pures (un atome
d’impureté par 1010 atomes du semi-conducteurs) ce sont des matériaux semi-conducteurs
intrinsèques.
Pour améliorer la conduction, il est utile de « doper » ces matériaux en leur introduisant des
impuretés convenablement choisis en quantité controlable et très faible. On obtient des
matériaux semi-conducteurs extrinsèques.
2) Production des porteurs libres :

a) Cas d’un semi-conducteurs intrinsèque :
Au zéro absolu, tous les électrons participent aux liaisons (cas du Si). Le matériau est isolant.
Lorsque la temperature n’est pas nulle on a deux phénomène (figures IV-2)
 Certaines électrons de valence peuvent étre excités thermiquement, il peut y avoir

ionisation d’atomes, les électrons libres se deplacent dans tout le cristal.
 En quittant sa liaison d’orgine, l’electron laisse derrière lui un trou positif mobile.

La rupture d’une liaison provoque la création de deux porteurs de charge libres : un électron
et un trou : création d’une paire électron trou.
A l’inverse, lorsqu’un électron presque libre passe à proximité d’un trou, il est attiré et se
recombine d’une paire électron trou : recombinaison d’une paire électron trou.
Figure IV-2 : processus intrinsèque : génération et recombinaison de paires électrons trous
Le processus met en jeu autant d’électrons que de trous. On désigne par :
 n : le nombre d’électrons par unité de volume dans la bande de conduction

(concentration d’électrons)
 P : le nombre de trous par unité de volume dans la bande de valence (concentration
en trous)
A une temperature T : n=p = ni (concentration intrinsèque)
b) Cas d’un semi-conducteur extrinsèque
Examinons les modifications dues à l’introduction d’une impureté d’un seul type. Il y
a deux modes de dopâge qui permettent de favoriser la création :
 D’éléctrons (semi-conducteurs de type n)

 De trous (semi-conducteurs de type p)
 ) Semi-conducteur de type n :
Ajoutons au silicium des traces d’un élément pentavalent comme le phosphore P ou

l’arsenic As ou l’antimoine Sb (figure IV-3) cette impureté se substitue à un atome de silicium
en des sites très éloignés, 4 électrons vont former des liaisons covalentes avec les proches

voisins, il reste un cinquième électron faiblement lié à l’atome. L’énergie d’ionisation de
l’atome d’impureté (Ec-Ed) est très petite (de l’ordre de quelque meV) : P donne P+ +1 e
L’atome d’impureté est dit donneur (sous-entendu d’électrons)
Contrairement au Si intrinsèque, cette libération du 5° électron du Phosphore, ne

s’accompagne pas d’un trou. La présence de nd atomes donneurs par unité de volume donne
naissance dans la bande interdite à un niveau d’énergie E d appelé niveau donneur (un niveau
unique pour le cas ou nd est faible par rapport au nombre d’atomes de Si).
Figures IV-3 : processus extrinsèque de type n
A la temperature ambiante tous les électrons célibataires du P sont dans la bande de

conduction et tous les atomes donneurs sont ionisés.
Tableau IV-1 : Energie d’ionisation (en eV) des impuretés dans le silicium et le germanium.
Impureté Si Ge
Donneur P 0.044 0.012
As 0.049 0.013
Accepteur B 0.045 0.010
Ga 0.065 0.011
Les deux phénomènes intrinsèque et extrinsèque coexistent. N>> P, (on a un S.C. de

type n, les électrons sont les porteures « majoritaires » ; les trous sont les porteurs
« minoritaires »)
Ainsi on a crée un nombre d’électron pratiquement égal au nombre d’impuretés. Le

niveau de Fermi Ef se rapproche de la bande de conduction au fur et à mesurer qu’on
augmente le dopage.
Dans le cas ou le nombre nd est grand, le niveau donneur s’élargit et peut chevaucher
la bande de conduction. Le cristal a un comportement métallique : c’est la dégénerescence
(semi-condcuteur dégénéné)
 ) Semi-conducteur de type p :
Cette fois-ci on dope le semi-conducteur par un atome trivalent tel que le bore B, le
gallium Ga ou l’aliminium Al (figure IV-4). chaque atome d’impureté ne peut se lier qu’avec
trois des 4 atomes de Si voisins. Une valence est donc incomplète, un électon d’un atome

voisin du Si, libéré par agitation thermique, a tendance à ètre captué par l’atome d’impureté
qui complète ainsi sa couche externe ; cet électron laisse dernière lui un trou. Il y a ainsi
formation de na ions négatifs et en même nombre en trous mobiles. Si n a augmente, le niveau
de Fermi se rapproche de la bande de valence. Le shéma de la bande comporte un niveau
d’énergie Ea (niveau accepteur ) correspondant au na atomes d’impuretés par unité de
volume ; (Ea-Ev) est l’énergie d’ionisation de l’atome de l’impureté acceptrice, elle est faible
de quelques meV à la temperature ambiante, tous les atomes accepteures sont ionisés.
Les deux processus, intrinsèque et extrinsèque coexistent. Au total, il y a davantage de

trous que d’électrons : p >> n, (semi-conducteurs de type p ; les trous sont les porteurs
majoritaires ; les électrons sont les porteures minoritaires)
Figures IV-4 : processus extrinsèque de type P
II. Population des porteures de charges :
  Ec  E f  
n  N c exp     2 3
K T N c  3  2 me K BT  2
  B   avec h : densité effective des électrons dans
la bande de conduction :
  E  Ev 
p  N v exp    f 
  K BT  
La concentration des trous dans la bande de valence vaut : avec
2 3
N v  3  2 mh K BT  2
h : densité effective des trous dans la bande de valence .
  E  Ev  
n. p  N c N v exp    c 
  K BT   Indépendant de Ef .
1. Equation de neutralité électrique :
Dans le cas le plus général ou on a un semi-conducteur contenant à la fois des atomes

donneures et accepteures en concentrations respectives nd et na.
A une températures quelconque faible, seule une fraction de ces atomes est ionisée ; soient
nd et na- les concentrations des ions ainsi formés. Le bilan des charges électriques présentes
+
par unité de volume est comme suite :
Electron de conduction : charge –ne

Atomes donneures ionisés : charge +nd+ e
Atomes accepteures ionisés : charge –na- e
Trous de valence : charge +pe
Le matériau étant globalement neutre :
 n  n d   n a   p  0 ; n  p  n d   n a  .
Pour connaitre n et p il faut connaitre nd+ et na- qui sont fonction de Ef :
2. Fonctionnement intrinsèque d’un semi-conducteur :
On considère un semi-conducteur intrinsèque (dépourvu de tout atome donneur ou

accepteur) :
n a  n d  0 n d   n a   0
  E  Ev   1   Ec  Ev  
n ² i  N c N v exp    c   ni   N c N v  2 exp    
  K BT     2 K BT  
On a alors n=p =ni, et n.p = ;
 300   300 
3 3
N c  2.7310 25 T N v  1.14 1025 T
2 2
Pour le silicium et
Nc et Nv sont exprimés en m-3 et T en Kelvin les valeures de ni sont les suivantes
A T= 300K ni = 7 1015/m3 et à T=700K ni = 6. 1021 /m3
 ni dépend fortement de T et de NcNv

 La bande de conduction est faiblement peuplée car dans ,le silicium il y a 5.10 28
atomes/m3 cette bande ne contient qu’un électron pour 10 13 atomes (notion de semi-
conducteur : faiblement conducteur car pour un métal le nombre d’électrons est
1028/m3.)
 Plus la bande interdite est grande plus n i est faible à T= 300K car pour
Ge (Ec-Ev) =0.66eV ni = 2.1 1019/m3 et pour GaAs (Ec-Ev)=1.43 eV ni= 2.3 1012/m3
Ainsi le meilleur producteur de charge libre sur le trio Ge, Si, GaAs est le Ge.
3. Fonctionnement extrinsèque d’un semi-conducteur :
A temperature ambiante, les impuretés sont ionisées, alors :
n d   n d et n a   n a ; ce qui implique n-p =n -n ; nous avons donc pour calculer n et p deux

d a
équations dans lesquelles les secondes membres sont des données :
n  p  n d  n a et n.p  n i ²

pour un semi-conducteur extrinsèque de type n on a nd >> na
et pout un semi-conducteur extrinsèque de type p on a nd<<na
a) Concentration en électrons et en trous :
x²   n d  n a  x  n i ²  0
n et -p sont des solutions de l’équation
n
1
2

 n d  n a    n d  n a  ²  4n i ² 
1/2

Les solutions sont des solutions sont
Quand nd=na =0 on retrouve n=p =ni (le cas intrinsèque)
Compte tenu des dopages usuels
Type n : n  nd ce qui donne p ; ni²/nd
Type p : p  na ce qui donne n, ni²/na
La densité des porteurs majoritaires est indépendante de la temperature mais celles des
porteures minoritaires croit fortement avec T car proportionnelle à ni².
Exemple : Si (Type n)
On considère le silicium à T =300K dopé à 0.1 partie par million (un atome donneur
pour 107 atomes de Si). La concentration du silicium (5.10 28 atomes/m3) et celle de ni
=10 /m3 ; on trouve n=nd = 5.1021/m3 soit un gain de 5.105 ; ni devient négligeable devant n.
16
Il y a 1011 fois d’électrons que de trous. Les porteures minoritaires sont ultra minoritaire
Position du niveau de Fermi :
A patir des expressions de n et de p en fonction de E f dans le cas de dopages de types n et

p, on tire :
N  N 
E f  E c – K BT. Ln  c  et E f  E v  K BT.Ln  v 
 n   p 
Dans l’exemple précedent, Si(n) à la temperature ambiante
Ef-Ec= -0.22eV alors que pour Si (intrinsèque) E fi  E c  Eg / 2  0.56 eV.
Le dopage a fait montre le niveau de Fermi de 0.34 eV

  E  Ef  
N  N c exp   c 
 K BT 
  E  E fi  
n i  N c exp   c 
 K BT 
  E  E fi  
p  n i exp  – f 
 K BT 
Et de manière analogue
b) Fonctionnement d’un semi-conducteur à une temperature quelconque

 A très basse temperature :
 Ec  Ed   (0.01 ev) <<  E c  E v   (1eV)
La production intrinsèque est négligeable par rapport à la production extrinsèque ; n = nd+

(avec nd= nd0 + nd+) lorsque la temperature est appelé domaine « d’ionisation des donneur »
  E  Ed  
1/2
n N 
N d c  exp  – c 
 2   2k BT 
 Temperature intermédiaires :
Les atomes donneures sont iosnisés. On a toujours n=n d+, mais , la production intrinsèque
ne peut plus ètre négligée.
n  p  n d  et n  n d 
n  p  n d p conservant des valeurs très faibles.
Ce domaine s’appelle domaine « d’epuisement des donneurs »
En pratique, on utilise le S.C dans cette région (production d’électrons est stable
thermiquement) n =nd>>ni (T)
n=nd
 Très haut temperature :
La production d’électron à aprtir d’atomes donneurs reste inchangée, mais celle qui résulte
de l’ionisation des atomes du cristal (ni) croit fortement. C’est le processus intrinsèque qui
l’eùporte « région intrinsèque »
 Nc Nv  exp –  E c  E v  / 2K BT.
1/2
N  Ni 

Figure IV-5 : Variation de la concentration des électrons en fonction de la temperature
III. Transport des porteurs de charges libres

Conduction électrique dans un cristal isotherme et homogène :
Le raisonnement que nous allons faire se base sur les électrons
1) Loi d’Ohm (modèle de Drude) :
omme des particules classiques sans interaction avec

Les électrons sont considérés c
milieu, statistiquement isotropes et de probabilité de collision (en temps unitaire) constante.
En l’absence de champs électrique appliqué ; l’électron présente une trajectoire qui a l’allure
représentée sur la figure VI-1a, la modification de direction résulte d’un choc. Entre deux
choc, l’électron a une vitesse thermique Vth constant. On appelle temps de relaxation de
l’intervalle de temps qui s’écoule entre deux chocs sucessifs. Au total, le déplacement de
l’électron est statistiquement nul. La distance moyenne entre deux chocs est appelée libre
parcoure moyen l  Vth . 
Figure IV-6 : a trajectoire d’un électron en absence de champ électrique
Appliquons un champ électrique E uniforme, la trajectoire de l’électron devient

parabolique (figure IV-6, il se produit une dérive d’ensemble dans la direction de E et en sens
contraire. la vitesse correspondant Vn est la vitesse de dérive ou « drift ». le cristal
transforme l’énergie fournie par le le champ électrique en un échauffement (Effet Joule).
Figure IV-7 : Trajectoire d’un électron en présence de champ électrique appliqué

m n*  dv / dt   eE
Etablissement de la loi d’Ohm :
La vitesse augmente puis s’annule par le choc. C’ est le processus de relaxation. Vn

e e
 * n   *
mn . E = - μ E avec mn
n
μn : mobilité des électrons exprimée en m²/V.s : c’est l’aptitude des électrons de se déplacer
sous l’actions d’un champ électrique.
ne² E ne ²
n  n  *
mn *
 E mn n
Jn =-n e Vn = = n avec C’est la loi d’Ohm ; est la
1
conductivité des électrons exprimée en (m)
Il en découle U= RI (U : tension aux bornes du conducteur de résistance R, traversé par un

   1/  n 
courant I). n : est la resistivité du matériau.  n  nen
La puissance cédée par le champ électrique aux électrons de cristal vaut :
 J  1
e E.Vn   eE.  n   .  J n .E 
 ne  n
Soit par unité de volume du cristal contenant n électrons : P= Jn E
P correspond à une résistance R.I²
2) Modèle de sommerfeld :
Dans ce modèle les électrons possèdent une énergie maximale de l’ordre de E f. La

conductivité reste la même (déterminée par n) par contre seules les électrons d’énergies
voisins de Ef participent à la conduction.
n e²  f
n 
m n*
ne² f
n 
Et comme les électrons sont libres, on a m0
V  p E, p 0
Par analogie avec le cas des électrons, on a pour les trous p est la mobilité
J  p E  
des trous. La densité du courant des trous p la conductivité des trous p liée à p
  p.e.p
par la relation p
P étant la concentration de trous dans la bande de valence.

J  n p  E
La densité du courant total est
    n   p  donc   n .e .n  p .e.p

Pour un semi-conducteur
Les valeurs des conductivités à la temperature amiante sont consignées dans le tableaux IV-3
et IV-3
Tableau VI-2 : conductivité et mobilité des électrons dans quelques métaux à la temperature
ambiante
métal Li Na Cu Au
1.1 107 2.1 107 5.9 107 4.6 107
1.5 10-3 5.310-3 4.410-3 4.8 10-3
Tableau IV-3 : mobilité et conductivité intrinsèques de semi-conducteur s à la temperature

ambiante
Matériau non dopé Yn (m²/Vn) Yp (m²/Vs) Ni (m-3) Yi (Wm)-1

Ge 0.39 0.19 2.1 1019 2.0
Si 0.15 0.06 6.8 1015 2.3 10-4
GaAs 0.85 0.04 2.3 1012 3.3 10-7
 On remarque que la mobilité des trous (électrons liés) est toujours inférieur à celle des
électrons (électron quasi libre).
Les semi-conducteur s Ge, Si, GaAs présentent une grande mobilité électronique ce qui
les prédestine à une utilisation dans les dipositifs rapides.
 Les mobilité électroniques des SC sont très supérieures à celles des métaux. A
l’inverse, étant donné la concentration élevée des électrons dans les métaux, la
conductivité dans les métaux est nettement supérieure à celle des semi-conducteurs
 La mobilité a tendance à décroitre lorsque la temperature croit.
3) Mesure des mobilité et des condcutivités : Effet Hall :
On considère un semi-conducteur de type n soumis à un champ électrique E et un

champ magnétique B ces deux champs sont statiques, uniformes et orthogonaux. Sous
l’action de E, il se forme un courant de densité J= -ne V n ; ou n est la concentration en
électrons et Vn la vitesse de dérive. Le champ B provoque une déviation de la trajectoire
électronique puisque chaque électron es t soumis à une force F= -e [v n ^B]. il s’en suit une
accumulation d’électrons sur la face latérale arrière et un manque d’électrons (charge
positive) sur la face avant. Cette distribution de charges crée un champ électrique « champ de
Hall » EH de même direction que F à l’équilibre –eE H et F se compensent. La trajectoire
électronique est parallèle au champ E et on a :
-e.EH = e[Vn^B] EH= - [Vn^B]
EH= -RH [J^B] avec RH=-1/ne (constante de Hall)

Pour un semi-conducteur de type p RH devient positive 1/p.e
Figure IV- 7 : Création du champ de Hall
a) Mesure par effet Hall :
VH  V  V   E H .l  R H J B l Tension de Hall
Le courant électrique I   J.l.l’
R H .l.B I.B
VH   
l’  l’ne 
Cette tension de Hall est beaucoup plus élevée pour les semi-
conducteurs que pour le métaux :
N pour un SC (10.18cm-3) << n pour un métal (1028cm-3)
n 1
 n  ne n   , n   R H n
n RH
La mesure de la conductivité ( ou résistivité) des semi-conducteurs fait appel à la loi d’Ohm.
Du fait de l’inégalité de la répartition des impuretés introduites lors du dopage isotherme et

en tendance à se déplacer des zons de forte concentration vers les zons de plus faible
concentration. Jusqu'à obtension de la répartition uniforme.
b) Loi de diffusion de Fick :
J= -D. gradc
J : Nombre de particules traversant une unité de surface par unité de temps ; D : est la constant
de diffusion en [m²s-1] ; C : concentration des particules
Le signe moins exprime le fait que le déplacement des particules se fait de la zone de
fortes concentrations à celle de faibles concentrations.

Dans le cas des électrons et des trous la diffusion se traduit par un courant de vecteur
densité J, orienté dans le sens conventionnel du courant.
J n   e .J ; c  n et D  D n (constante de diffusion des électrons)

Pour les électrons :
J p   e .J ; c  p et D  Dp
(constante de diffusion des trous)
J n  e D n grad n et J p   e D p grad p

Ainsi on a :
Champ interne :
On considère un matriau dopé avec des atomes donneurs. On suppose que la concentration
des ces atomes soit plus élevée dans une région A du matériau. Les atomes d’impuretés
s’ionisent, les électrons de cette région vont la quitter (région chargée positivement) ; le reste
du matériau gagne des électrons et se charge négativement : champ interne orienté de A vers
le reste du matériau : il a donc tendance à s’opposer à la diffusion.
c) Rélation d’Einstein :
Dans le cas général, hors de l’équilibre, les processus de conduction et de diffusion des
électrons et des trous coexistent. Pour des semi-conducteurs non dégénérés on a :
J n  n.e. n .E  e D n grad n
J p  n.e.  p .E  e D p grad p
Et à l’quilibre électrique ; les courants des électrons et des trous sont nuls.
(Jn=Jp=0) et E est le champ interne.
D n /  n  D p /  p  K BT / e
: relation d’Einstein
Tableau VI-3 : coefficients de diffusion de semi-conducteurs à la temperature ambiante.
Matériau Dn (m²s-1) Dp (m²s-1)

Ge 10-2 5.010-3
Si 4.0 10-3 1.6 10-3
GaAs 2.2 10-2 10-3
Chapitre 5
Les composants photoniques
Introduction :

Le composant photonique est un composant dans lequel le photon joue un role primordial.
On considère quatre types de composants photoniques :
 Light-Emitting Diode (LED) : diode émettrice de lumière.

 Light amplification by Stimulated Emission of Radiation (Laser) : qui transforme
l’énergie électrique en énergie optique.
 Photo détecteur : qui détecte électriquement le signal optique
 Cellules solaires : qui transforme l’énergie optique en énergie électrique.
I. Transision radiative et absorption optique :
Le spectre visible de la région optique (détectable par l’œil humain) est compris entre 0.4
et 0.7 ym (figure V-1). Pour convertir la longueur d’onde en énergie du photon, on utilise la
relation :
 
  c   hc h  1.24 h  eV  en  m.
Ou c est la vitesse de la lumière dans le vide,  est la fréquence de la lumière, h est la

constante de Planck, et h est l’energie du photon mesurée en électrons volts.
Exemple : considérons une lumière verte de (0.5 μm) elle correspond à un photon d’énergie
2.48 eV.
Figure V-1 : Spectre électromagnetique de Rayon  à des Ondes radios
1) Transition radiative :
Il existe trois processus d’interaction entre un photon et un solide : absorption ;

emission spontanée et émission stimulée. On considère un atome ayant deux niveaux
d’énergie E1 (fondamental) et E2 (excité) (figure V-2a), toute transition entre ces deux niveaux
utilise l’absorption ou l’emission d’un photon de fréquence V12 donnée par h12  E1  E 2

Figure V-2 : les trois processus fondamentaux de transision entre deux niveaux d’énergie
(a) Absorption ; (b) émission spontanée ; (c) :Emission stimulée
L’atome à l’état fondamental E1, bombardé par un photon d’énergie exactement égale à
h12 ; absorbe ce photon et passe à l’état excité E ; ce changement dans l’état d’énergie est
2
appelé processus d’absorption (a). Ce nouveau état excité de l’atome est instable, après un
court moment ; l’électron fait une transition à l’état fondamental en émettant un photon
d’énergie h12 , ce processus est appelé émission spontanée (b). Quand un photon tombe sur
un atome déjà à l’état excité, l’atome est stimulé pour donner une transision à l’état
fondamental en donnant un photon d’énergie h12 qui est en phase avec le photon incident.
Ce processus est appelé émission stimulée (c). La radiation obtenue est monochromatique car
chaque photon a une énergie précisément égale à h12 et cohérent car tous ces photons sont
en phase.
Le processus dominant dans les diodes LED, est l’émission spontanée pour le laser c’est
l’émission stimulée et pour les photo détecteurs et les cellules solaires, c’est l’absorption.
2) Absorpition optique :
Les transitions standard dans un semi-conducteur sont réprésentées dans la figure V-3b.
Quand le semi-conducteur est éclairé, des photons sont absorbés pour créer des paires
électrons trous (a). Dans ce schéma l’énergie du photon est égale à l’énergie du gap Eg=h .
h  Eg
Si l’énergie est plus élevée que Eg une paire électron est crée et l’excès ( ) est dissipé
en chauffage dans le réseau (b). Ces deux processus (a,b) sont appelés transitions intrinsèques.
Quand l’énergie du photon h est plus faible que Eg, ce photon n’est abosrbé que s’il existe
un état d’énergie dans la bande interdite due aux impuretés chimiques (c) (transision
extrinsèque). Cette discussion reste valable pour la situation inverse. Par exemple ; un
électron de la bande de conduction peut se recombine avec un trou de la bande de valence en
émettant un photon d’énergie égale au gap.

Energie c) Photon E=hf> Egap
b) Photon E=hf=
Bande de Egap Figure
conduction
V-3 :
Egap =1.1 2 eV a) Photon E=hf< Egap
Bande de valence
Semi conducteur
Absorption optique pour :

(a) h Eg  b  h  Eg et  c  h Eg
3) Diode électroluminescente (LED) :
La Diode électroluminesce (Light-emitting diode LED) est une jonction p-n qui peut
émettre une radiation spontannée quand elle est alimenté électriquement. Elle produit un
rayonnement monochromatique incohérent à partir d’une transformation d’énergie. Ce
composant est à spectre d’émission continue et rélève de l’optoélectronique
électroluminescent.
La longueur d’onde du rayonnement emis est déterminée par la largeur de la bande

interdite et dépend donc de matériau adapté est l’arséniure de gallium (GaAs) avec comme
dopant du Silicium ou Zinc. Les fabricants proposent de nombreux types de diodes aux
spécificités différents (voire tableau V-3)
Tableau V-3 : caractéristiques des diodes LED
Couleur Longueur d’onde Tension seil Semi-conducteur

utilisé
I.R. λ>760 Δv<1.63 AlGaAs
Rouge 610<λ<760 1.63<Δv<2.03 AlGaAs et GaAsP
Orange 590<λ<610 2.03<Δv<2.10 GaAsP
Jaune 570<λ<590 2.10<Δv<2.18 GaAsP
Vert 500<λ<570 2.18<Δv<2.48 GaN
Bleu 450<λ<500 2.48<Δv<2.76 SnSe ; InGaN ; SiC
Violet 400<λ<450 2.76<Δv<3.1
Ultraviolet λ<400 >3.1 Diamant (C)
4) Lasers à semi-conducteurs :
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation : (Amplification de la

lumière par émission stimulée de radiation). Le Laser est dispositif qui amplifie la lumière.
Une source laser associe un amplificateur à une cavité optique généralement constituée de
deux miroirs, dont un à fuite émet le faisceau. Les caractéristiques géometriques de cet
ensemble imposent la géometrie du faiseau émis, toujours très directif (peu divergent)
spacialement et temporellement cohérent. Ainsi la lumière laser est extrèmement
directionnelle. De plus le rayonnement émis est d’une grandre pureté puisqu’il ne contient

qu’une longueur d’onde précise imposée par le milieu amplificateur. Les longueurs d’ondes
concernées étaient d’abord les micro-ondes (masers ) puis elles se sont étendues aux domaines
de l’infrarouge, du ondes (masers) puis elles se sont étendues aux domaines de l’infrarouge,
du visible, de l’ultraviolet et on commence même à les appliquer aux rayons X.
5) Diode Laser :
Le laser est principalement constitué d’une diode à semi-conducteur afin de produire

un faisceau lumineux. Elle émet de la lumière monochromatique cohérente. Le pompage se
fait à l’aide d’un courant électrique qui enrichit le milieu générateur en trous d’un coté et en
électrons de l’autre. La lumière est produite au niveau de la jonction p-n par la
recombinaison des trous et des électrons. Souvent ce type de laser ne présente pas de miroirs
de cavité. Le simple fait de cliverr le semi-conducteur , de forte indice optique, permet
d’obtenir un coefficient de réflexion suffisant pour déclancher l’effet laser. C’est ce type de
laser qui réprésente la majorité des lasers utilisés dans l’industrie. En effet, leurs avantages
sont nombreux :tout d’abord, ils permettent un couplage direct entre l’énergie électrique et la
lumière d’où les applications en télécommunications (à l’entrée des réseaux de fibres
optiques). De plus, cette conversion d’énergie se fait avec un excellent rendement. Ces
lasers sont peu couteux, très compacts (la zone active est micrométrique, et l’ensemble du
dispositif a une taille de l’ordre du millimètre) on sait maintenant fabriquer de tels lasers pour
obtenir de la lumière sur quasiment tout domaine visible, mais les lasers délivrant du rouge ou
du proche infrarouge restent les plus utilisés et les moins couteux. Leurs domaines
d’applications sont innombrables. Lecteurs optiques (CD), télécommunications, imprimantes.
La diode laser est un composant essentiel des lecteurs et gravures de disques optiques, dans ce
cas elle émet le faisceau lumineux dont la réflexion sur le disque est détectée par une
photodiode ou phototransistore.
6) Inversion de population :
Pour obtenir l’emission stimulée nécessaire pour obtenir l’effet laser on doit avoire
une inversion de population dans la jonction p-n formée par deux semi-conducteurs dégénérés
( à dopage tellement élevé que le niveau de fermi est dans la bande de valence du coté p et
dans la bande de conduction du coté n) la figure (IV-4) montre le diagramme de bande de la
jonction p-n à l’équilibre. En appliquant une tension Vf à la diode (Figure IV-5) les électrons
sont injectés du coté n et les trous sont injectés du coté p à la région de transition. Quand la
tension Vf est suffisament élévée, on obtient une haute injection d’électrons et de trous dans
la zone de transition d. Ainsi on a, dans la région d une concentration élevée d’électrons dans
la bande de conduction et une concentration élevée de trous dans la bande de valence. Pour
obtenir une transition bande à bande, l’énergie nécessaire minimales est Eg. Nous pouvons
E Fc  E fv  E g
écrire la condition nécessaire pour l’inversion de population :
.

Figure V-4: Schéma de bande d'une homo-jonction p-n en silicium
Sachant que les niveaux de fermi E Fn et EFp respectivement associées aux cotés Pet N
sont alignées. La bande de conduction du silicium P se situe à une énergie plus élevée que
celle du silicium N, ΔE est la différence entre ces bandes ; VΦ est la hauteur de barrière de
potentiel ; ωo est la largeur de la zone de charge d’espace, N d et Na sont respectivement la
concentration de atomes donneur et accepteurs, n i est la concentration intrinsèque en électrons
libres et trous libres.
Figure V-5: Diagramme de bande d’énergie d’une jonction p-n dégénérée (a) : à l’équilibre
thermique ; (b) sous tension Vf
7) Photo détecteur :
Les matériaux photo détecteurs sont des semi-conducteurs qui peuvent convertir le
signal optique en un signal électrique. Le fonctionnement d’un photo détecteur nécessite trois
étapes (1) génération de porteurs par la lumière incidente, (2) transport des porteurs et (3)
interaction du courant avec le circuit externe pour délivrer un signal de sortie.
a) Photodiode :
Une photodiode est un composant semi-conducteur (jonction p-n) capable de détecter

un rayonnement ( signal optique) et le transforme en un signal électrique. Elle appartient à
la famille des photorécepteures actifs, car elle nécessite d’étre polarisée en inverse par une
alimentation externe.

b) Cellule solaire photovoltaique :
Une répresentation schématique d’une cellule solaire est montée dans la figure V-7. Il
s’agit d’une jonction p-n formée en surface avec contact ohmique en forme de dents de peigne
et un contact ohmique arrière qui couvre la surface arrière. Quand la cellule est exposée au
spectre solaire, un photon ayant énergie inférieure à celle du Eg ne contribue pas au signal de
sortie de la cellule. La différence d’énergie est perdue sous forme de chaleur. L’énergie
absorbée est transforme par la cellule en énergie électrique. Cette cellule sert à la conversion
de l’énergie solaire en énergie électrique.
Contact avant
Energie
Photon E=hf> Egap

Bande de
conduction
Région de Charge d’Espace
Egap =1 à 2 eV Photon E=hf< Egap
Contact arrière
Bande de valence
Semi conducteur
Figure : V-6 : Répresentation schématique d’une cellule solaire p-n Si

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Université Arabe des Sciences ‫المدرسة العليا الخاصة للمهندسيـن‬

Ecole Supérieure Privée d’Ingénieurs et des ‫والدراسات التكنولوجيّة بتونس‬

Année Universitaire : 2016– 2017

Cours Physique des Solides

Filières : G. Civil, G. Electrique et

Réalisé par : Ahmed ZARROUG

Chapitre 1 : Structure atomique de la matière

I. Aspect ondulatoie de la matière :………………………………………………………….5

Chapitre 2: Structure cristalline des solides

Chapitre 3: Structure électronique des solides

I. Masse effective d’une particule : ………………………………………………………...16

534799604.docx 2 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Chapitre 4: Semi-conducteur à l’équilibre

III. Population des porteures de charges : …………………………………………………...29

1) Equation de neutralité électrique : …………………………………………………………....30

4. fonctionnement d’un semi-conducteur à une temperature quelconque : (figure V-6):………….....33

Chapitre 5: Les composants photoniques

534799604.docx 3 Enseignant : Ahmed ZRROUG

534799604.docx 4 Enseignant : Ahmed ZRROUG

I. Aspect ondulatoie de la matière :

A chaque particule de masse m et de vitesse v on associe une onde de longueur d’onde

II. Equations régissant les déplacement des électrons :

534799604.docx 5 Enseignant : Ahmed ZRROUG

a) Application : Structure unidimentionnelle.

Condition aux limites :( x=0 et x=L)  (0)  0 et  ( L)  0

n étant un nombre naturel (n=1, 2, 3…)

nx=2, ny=1 , nz=1 ; nx=1, ny=2 , nz=1 ; nx=1, ny=1 , nz=2

l=o orbitale s, l=1 orbitale p, l=2 orbitale d, l=3 orbitale f

On a un nombre des sous couches égal à n².

Exemple : pour n=3 on a neuf sous couches

534799604.docx 6 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Si ms = 1/2, on a coutume de représenter l'électron par une flèche verticale orientée

534799604.docx 7 Enseignant : Ahmed ZRROUG

L'électronégativité d'un élément chimique est une grandeur qui caractérise sa capacité

Cette notion permet de prévoir le caractère de la liaison chimique que 2 éléments

534799604.docx 8 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Il existe deux types de matériaux solides :

Ainsi un cristal résult du remplissage du réseau par les motifs.

Figure II.1 : maille cristalline

534799604.docx 9 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Figure II-2 les sept systèmes cristallins

II. Plan et direction du cristal

534799604.docx 10 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Exemple du système cubique :

La diagonale du cube OA (figure II-2-b) a pour coordonnées :

534799604.docx 11 Enseignant : Ahmed ZRROUG

3) Le système cubique : (figure II-2-c)

La majorité des matériaux utilisés en électroniques cristallisent dans ce réseau. On distingue :

Figure II.2-c : Les trois réseaux cubiques

534799604.docx 12 Enseignant : Ahmed ZRROUG

B.a =0 ; B.b=1 ; B.c=0

C.a =1 ; C.b=0 ; C.c=1

Le module de A est inversement proportionnel au module de a car A. a cos φ =1

Intérêt du réseau réciproque : à toute direction [h, k, l] (colinéaire au vecteur A) du réseau

III. Liaisons entre Atomes

534799604.docx 13 Enseignant : Ahmed ZRROUG

5. Liaison de Van der Waals

IV. Les défauts dans les cristaux :

o Les antisites : dans un matériau contenant des atomes différents A et B ; A

534799604.docx 14 Enseignant : Ahmed ZRROUG

Figure II-3 : Loi de Bragg

534799604.docx 15 Enseignant : Ahmed ZRROUG

I. Masse effective d’une particule :