Académique Documents
Professionnel Documents
Culture Documents
Cours
Electronique analogique
I – Introduction.
1 - Structure, vue 3D du MOS à canal N (NMOS) :
Source ( S )
Grille ( G )
Drain ( D ) D
iD
W
G vDS
n+ vGS
S
n+
substra
tp L
Metal ( Poly Si )
Oxide ( SiO2 )
p+ n+ "canal" n+ Semiconductor
L
D D D
iD
G vDS G B
G
B
vGS
S S S
MOS :
D
iD La tension appliquée entre la grille et la source, vGS,
iG=0 permet de contrôler le courant circulant entre le drain
G vDS et la source, iD.
vGS
S i.e. source de courant commandée par une tension
I commandé = G × Vcontrôle
Vcontrôle
G = transconductance [A/V]
iD » 0
1
0,5
0 1 2 3 4 vDS (V)
vGS £ Vtn 6
I – Introduction
Fonctionnement à vG = 0
VS = 0 VG = 0 Drain ( D )
VB = 0
p+ n+ n+
7
I – Introduction
Création du canal
VG > 0
VB = 0 VS = 0 VD = 0
p+ n+ n+
ZCE
canal type N
p
iD
p+ n+ n+
L
iD
p+ n+ n+
10
I – Introduction
a. Caractéristique iD - vDS
Pour vGS ≥ Vtn et vDS £ vGS – Vtn : Régime triode
Wé 2 ù
v DS
ê(vGS - Vtn ).v DS -
vDS = vGS - Vtn
iD (mA) iD = k '
n ú
triode Lë 2 û
1,5 vGS = Vtn + 2
0 1 2 3 4 vDS (V)
vGS £ Vtn 11
I – Introduction
a. Caractéristique iD - vDS
0,3
W
vGS = Vtn + 1,5 iD = k '
n (vGS - Vtn )vDS
L
vGS = Vtn + 1
vDS W
vGS = Vtn + 0,7 rDS = = 1 k n' (vGS - Vtn )
iD L
vGS = Vtn + 0,5
12
I – Introduction
Pincement du canal.
iD
p+ n+ n+
13
I – Introduction
a. Caractéristique iD - vDS Pour vGS ≥ Vtn et vDS ≥ vGS – Vtn : Régime saturé
1 'W
iD = kn (vGS - Vtn )
2
2 L
iD (mA)
triode saturé
vGS = Vtn + 2
1,5
ro = ∞
vGS = Vtn + 1
0,5
iD (mA)
1 'W
iD = kn (vGS - Vtn )
1,5 2
vDS = cte
2 L
vDS ≥ vGS - Vtn
Equation quadratique
1
vOV = vGS – Vtn tension d’ overdrive
effective
1 W 2
iD = kn' vOV
0,5 2 L
0
Vtn 1 2 3 vGS (V)
Body (p)
Body (p)
Source ( S ) Grille ( G ) Drain ( D ) Régime saturé : vGS ≥ Vtn et vDS > vGS – Vtn
Canal pincé, modulation de sa longueur
n+ n+
L - DL DL L L - DL
ro finie
Body (p)
L
Avec DL qd vDS d’où iD avec vDS
16
I – Introduction
3 – Modulation de la longueur du canal.
iD (mA)
triode saturé
vGS = Vtn + 2
1,5
0,5
vGS = Vtn + 0,7
0 1 2 3 4 vDS (V)
vGS £ Vtn
17
I – Introduction
3 – Modulation de la longueur du canal.
1 W
iD = kn' (vGS - Vtn ) .(1 + lvDS )
2
2 L
modélisation de l’effet de modulation de L
Résistance de sortie : ro
iD (mA) vGS = Vtn + 2
é ¶v ù 1 V
ro = ê DS ú = = A
ë ¶iD û vGS =cte lI D I D vGS = Vtn + 1,5
vGS = Vtn + 1
0 vDS (V)
-VA = -1/l
18
I – Introduction
4 – Transistor MOS à canal P.
NMOS PMOS
B (gnd) S G D D G S B (Vdd)
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n – well (puits)
substrat de type p ( body / bulk )
S S
vSG
G
G vSD B
iD
D D
19
I – Introduction
4 – Transistor MOS à canal P.
! Le courant iD est pris sortant par le drain du PMOS (entrant pour le NMOS).
20
I – Introduction
Exemples de technologies.
Æ Cheveu = 50 – 100 µm
21
I – Introduction
5 – Effet de substrat.
B VS VG VD
Le substrat p est généralement connecté au
gnd
potentiel le plus électronégatif (gnd).
p+ n+ n+
Pour vSB la profondeur du canal est
réduite, pour compenser la diminution de iD
body p
correspondante : vGS
Modélisation :
æ ö
Vt = Vt 0 + g .ç 2f f + v SB - 2f f ÷
è ø
Vt0 tension de seuil pour vSB = 0 [V]
2Æf potentiel d’inversion de surface (0,6~0,7 V) [V]
g facteur d’effet de substrat (» 0,4 V1/2) [V1/2]
iD diminue avec T°
7 – Qualité de la modélisation.
VDD
RD
vGS
iD Droite de
charge
vD
vGS
iD = (VDD – vD) / RD 24
II – Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
vD = f(vGS)
iD (mA)
vD (V)
vGS = VDD off saturé triode
VDD
vGS £ Vtn
25
II – Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
vD = f(vGS)
vD (V)
off saturé triode
VDD
vGS (V)
VDD
26
II – Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
vD (V)
off saturé triode
VDD
vGS (V)
VDD
vgs
t
27
II – Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
vD (V)
off saturé triode
VDD
vd
vGS (V)
VDD
vgs
t
28
II – Le transistor MOS en amplification
a. Construction graphique.
vD (V)
off saturé triode
VDD
vd
vGS (V)
VDD
vgs
RD vGS
vgs
iD
VGS
vD
vgs
vGS
VGS
t (s)
30
II – Le transistor MOS en amplification
b. Mise en équations.
1 'W
iD = kn (vGS - Vtn )
2
vGS = VGS + vgs
2 L
1 W W
iD = kn' (VGS - Vtn ) + kn' (VGS - Vtn )vgs kn (vgs )
2 1 'W 2
2 L L 2 L
Facteur de non linéarité,
négligeable pour vgs très petit
ID id
courant de composante variable
polarisation
vD = VDD - RD I D - RDid
VD vd
31
II – Le transistor MOS en amplification
b. Mise en équations.
• pour vgs << 2VOV , en considérant le régime variable (petits signaux)
transconductance :
i W W
g m = d = kn' (VGS - Vtn ) = kn' (Vov )
v
[A / V ]
gs L L
dépend des grandeurs
continues (DC)
1 W 2 W
ID = k ' .Vov k' (Vov ) 2
c.-à-d. de la polarisation
2 L ID L W
2 = = k ' (Vov ) = gm
VOV Vov L
VOV = VGS – Vtn
g m = 2I D / VOV = 2kn' . W L . I D
gain en tension p.s. :
Av = vd / v gs = - g m RD [V / V ] vd = - RDid Et gm=id/vgs
32
II – Le transistor MOS en amplification
VDD
VDD
RD
RD G i G= 0 iD
vD = VD + vd
iD vgs ID id
vGS
VGS
vD
vgs
S
VGS
33
II – Le transistor MOS en amplification
Par application du théorème de superposition (condition d’application ?)
1 W W
iD = kn' (VGS - Vtn ) + kn' (VGS - Vtn )vgs
2
2 L L
VDD
RD
RD
+
G i g= 0 id
G IG= 0 ID
vgs D
D id
VGS ID vd
VD
S
S
régime DC régime AC
1 W i = g mv
I D = kn' (VGS - Vtn ) d gs
2
2 L W
g m = kn' (VGS - Vtn )
L
34
II – Le transistor MOS en amplification
i g= 0 id i g= 0 id
G D G D
S S
1,5 æ ¶iD ö
g m = pente = çç ÷÷
pt de
polarisation è ¶vGS øvDS =cte
0,5
0
Vtn 1 2 3 vGS (V)
36
II – Le transistor MOS en amplification
1,5 æ ¶iD ö
g m = pente = çç ÷÷
pt de
polarisation è ¶vGS øvDS =cte
vgs
0,5
t
0
Vtn 1 2 3 vGS (V)
37
II – Le transistor MOS en amplification
1,5 æ ¶iD ö
g m = pente = çç ÷÷
pt de
polarisation è ¶vGS øvDS =cte
t
vgs
id
0,5
t
0
Vtn 1 2 3 vGS (V)
38
II – Le transistor MOS en amplification
id
D
i g= 0
G
B
vgs gm.vgs r0 gmb.vbs
vbs
39
Exercice
RL vS
vE
100 mV
-100 mV
4,4 V
4V
1V
t
41
TD2
vE
400 mV
-400 mV
vDS
5,6 V
5,16 V
4V
2,84 V
1V
t
On augmente l’amplification ->
Distorsion !!!.
42
Le transistor quitte le régime saturé
Le MOSFET
iD (mA)
Pol2
Pol1
a. Fixer VGS.
iD (mA)
MOS 1
1,5
MOS 2
ID1 1
0,5
ID2
ID
RS : apport d’une contre-réaction négative
VG
stabilisation de ID
ID
VGS
RS
iD (mA)
MOS 1
1,5
MOS 2
ID1 VG – VGS = RS ID
ID2
ID = – VGS/RS + VG/RS
0,5
v (V)
45 GS
VG
0 1 2 3
III - Polarisation, étude DC
Schémas de polarisation :
VDD
VDD VDD
RD
RG1 RD
ID
VG
Vs1
ID Ve
Vs1
Ve VG
RG
Vs2
Vs2 RS
RG2 RS
- VSS
46
III - Polarisation, étude DC
c. Résistance de contre-réaction grille-drain.
VDD
RD
RG
ID
Ve
VGS
VDS=VGS donc VDS > VGS-Vtn , le transistor est obligatoirement en régime saturé
47
Exercice 2.1 (TD2 p6)
NMOS : VDD = 3,3 V Vtn = 0,46 V k’n = 175 µA/V2
VDD = 3,3 V
48
Exercice 2.2 (TD2 p6)
NMOS : VDD = 3,3 V Vtn = 0,46 V k’n = 175 µA/V2
VDD = 3,3 V
49
Exercice 2.5 (TD2 p7)
NMOS : VDD = 3,3 V Vtn = 0,46 V k’n = 175 µA/V2
VDD = 3,3 V
RD On prend W = 6 µm et L = 1 µm.
50
III - Polarisation, étude DC
RD
ID
VG
Ve
RG
ID
- VSS
51
III - Polarisation, étude DC
b. Source/Miroir de courant.
VDD
I0
IREF V0
I0
0
Mn1 Mn2
VGS V0
VDD - VGS
Mn1 et Mn2 en régime saturé : I D1 = I REF =
R
I 0 = I D 2 = I REF .
(W / L )2
(W / L )1 Miroir pour Io = IREF
52
III - Polarisation, étude DC
b. Source/Miroir de courant.
I0
Source de courant idéale :
IREF
0 V0
Modèle p.s. :
53
Exercice TD4
NMOS : VDD = 3,3 V Vtn = 0,46 V k’n = 175 µA/V2
VDD
a. Régime de fonctionnement Mn1 ? ID1?
b. Source/Miroir de courant.
Augmentation de la résistance de sortie : source cascode.
VDD
TD 4.3
Rout ?
Condition sur Vo ?
IREF
Rout = gmro2ro3
I0
Vo ≥ 2VGS - Vtn
Mn4 Mn3
réduction de
la dynamique
V0
Mn1 Mn2
VGS
55
III - Polarisation, étude DC
b. Source/Miroir de courant.
Distribution des courants de polarisation dans un circuit intégré :
VDD VDD
IREF
In2
Ip2
RP Mn1 Mn2
-VSS
56
Le MOSFET
• Capteur :
– élément actif ou passif dont les caractéristiques varient avec la grandeur
physique
– Variation faibles avec peu d’énergie
• µV, mV, µA, mA, µW, mW
• Nécessité : Amplification
57
IV – Etages amplificateurs élémentaires
• Linéarité - distorsion :
- Le signal ne doit pas être déformé.
• Bande passante :
- L’amplification doit être constante sur tout le spectre du signal amplifié.
• Rendement :
- η = puissance utile / puissance consommée.
58
IV – Etages amplificateurs élémentaires
VS
VE
CHARGE
ve
Av est linéaire :
vs(0) = ve(0) = 0
vs(∞) = Av.ve(∞)
59
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Alimentations
Vdd
U1 +V
U1
V1
AMPV
VSINE
AMPV
BAT1 -V
Simple Double
60
IV – Etages amplificateurs élémentaires
e s
VCC
AMPLI
VS
VE
CHARGE Av = δVs/ δVe
VCC
ve
Les choses se compliquent, Vs peut
être : Décalage
- Déformée (non linéarité) (offset)
- Ecrêtée (saturation)
- Posséder une composante saturation
continue (offset)
61
Non-linéarité
IV – Etages amplificateurs élémentaires
e s
VE VCC
AMPLI
VS Av=δVs/ δVe
CHARGE
VEPOL
VCC/2
vE = VE POL + ve
saturation ve
vS = VCC/2 + vs
vE
62
Non-linéarité
VE POL
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Bande passante :
tracée dans le diagramme de Bode.
Bp = w 2 - w1
20 log V s
V e
-3dB
w1 w2 logw
63
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Rg +VCC
ie
Ze il
ve Zs
vg vs
source -VEE vL
RL
charge
Définitions Ze il
ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av = = s
ve R =¥ ve source -VEE RL vL
L
charge
Gain “composite”: vL Ze
Avc = = AvL
(tient compte de la
résistance de sortie de la
v g Rg + Z e
source) Comme Ze ¹ ¥ , Avc diffère de AvL Expression du gain en dB :
Tension : 20 log|Av|
Courant : 20 log|Ai|
i A Z
" Gain en courant : Ai = L = vL e Puissance : 10 log|Ap|
ie RL
v i
" Gain en puissance : A p = L L = Avc × Ai
v g ie 65
IV – Etages amplificateurs élémentaires
amplificateur
ve Rg +VCC
" Impédance d’entrée : Ze = ie
ie
Ze il
ve Zs
vg vs
source -VEE vL
RL
charge
vx
" Impédance de sortie : Zs =
ix v g =0
Rg +VCC
ie
ix
ve Ze
vg=0 vs Zs
source vx
-VEE
66
IV – Etages amplificateurs élémentaires
# L’amplificateur “idéal” :
# La réalité...
67
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Distorsion harmonique :
fondamental
système
H2
fondamental
non linéaire DC H3
…
f f (MHz) f 2f 3f f (MHz)
åa 2
k åa
k ³2
2
k
Veff , harmoniques
THD = k ³2
2
= =
a 1 a1 Veff , fondamental
68
IV – Etages amplificateurs élémentaires
• Un amplificateur idéal :
69
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Rs
v i
A º s
i i Aº s
v
i
i
v e s
e is = 0 Re e vs = 0
v e
Re Av vv e
s
Ai
i e Rs
Reº
v e
tension i e courant
Rs ºv s
ve =0
i s
Rs
i s i e
i ie v
v Re Gv Rs Gm º s
Ri v Rm º s
e m e
v e vs = 0
Re m e
s i e is = 0
70
transconductance transrésistance
IV – Etages amplificateurs élémentaires
- On cherche à optimiser Rg et RL
72
IV – Etages amplificateurs élémentaires
RL P=
( RL + Rs ) 2
dP Rs - RL
= VS .
2
dRL ( RS + RL ) 3
En vert : P/PMax=f(RL/RS)
Un capteur délivre un signal de tension efficace Veff = 10mV et possède une impédance interne rg = 500W.
1. Quelle est la puissance fournie au HP par le capteur quand ils sont directement connectés ?
Type I 106 W 50 5 kW
Type II 106 W 1 10 W
2. Quelle tension efficace faut-il fournir en entrée de chacun des deux amplificateurs pour délivrer une
puissance de 10W au HP ?
3. On dispose de plusieurs amplificateurs de type I et II. Quel montage permet de délivrer une
puissance de 10 W au HP à partir du capteur ?
74
IV – Etages amplificateurs élémentaires
RG1 RD
Cl2
il
Cl1
Rg ie
vg vl RL
ve
RG2 RS
Cdec
générateur charge
Rg ie G i g= 0 id D il
vg
RG1//RG2
vgs gm.vgs r0
ve RD RL vl
Zs
Ze
S
Ze = ve / ie = RG1//RG2 vl
Av = = - g m (r0 // RD ) < 0
ve RL =¥
Impédance de sortie :
Gain en charge :
Zs = r0//RD
vl
AvL = = - g m (r0 // RD // RL )
ve
Gain composite :
vl RG1 // RG 2
Avc = =- g m (r0 // RD // RL )
vg ( RG1 // RG 2 ) + Rg 76
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Amplificateur source commune avec résistance de source non découplée :
VDD VDD
RG1 RD
Cl2
il
Cl1
Rg ie
vg vl RL
ve
RG2 RS
générateur charge
Cdec
RS2
77
IV – Etages amplificateurs élémentaires
Amplificateur source commune avec résistance de source : (modèle PI)
Rg ie G i g= 0 id D il
vg RG1//RG2
vgs gm.vgs r0
ve RD RL vl
Zs
Ze
S
Rs
Pour simplifier :
r0 très grand devant Rs et RD
RL très grand devant RD
- g m RD
Montrer que : Av =
1 + g m RS
id D il
gm.vgs vl
Rg ie i g= 0 RD RL
G
vg 1/gm
RG1//RG2
vgs
ve
S
RS Utilisation modèle en T
r0 négligée
- g m RD
Av =
1 + g m RS
79
IV – Etages amplificateurs élémentaires
2 – Amplificateur source commune.
b. A charge active (intégré).
VDD
VDD
VSG
I Mp1
v2
Mp2
i i
IREF
ve Mn1
vs ve Mn1
vs
Cgd
id
G D
Cgd qqs fF
vgs Cgs gm.vgs r0
Cgs qqs 10aines fF
82
IV – Etages amplificateurs élémentaires
b. Réponse en fréquence de l’amplificateur source commune.
VDD VDD
RG1 RD
Cl2
C gd il
Cl1
Rg ie
vg vl RL
ve
RG2 RS
Cdec
générateur charge
Av (dB)
3 dB
fb fH f (Hz)
RD - vGS = 0 Þ vD = VDD
MOS bloqué
iD
inverseur NMOS
- vGS = VDD Þ vD » 0
MOS passant (triode)
vD
vGS
iD (mA) vGS=VDD
vD (V)
off saturé triode
VDD
MOS bloqué
MOS passant
droite de
charge
MOS passant
MOS bloqué v (V)
0 VDD
85GS
vGS=0 VDD vDS (V)
V – Interrupteur MOS
2 – Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
• vE = 0 :
VDD
NMOS bloqué (vGS=0) VDD
PMOS
PMOS
NMOS
vE vS
PMOS passant (vSG=VDD) vE = 0 vS = VDD
NMOS
NMOS
PMOS
86
V – Interrupteur MOS
2 – Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
• vE = VDD :
VDD
NMOS passant (vGS=VDD) VDD
PMOS
PMOS
NMOS
vE vS
PMOS bloqué (vSG=0) vE = VDD vS = 0
NMOS
NMOS
PMOS
87
V – Interrupteur MOS
2 – Inverseur logique CMOS (complementary MOS).
Puissance consommée.
En statique :
VDD
iDP = iDP = i = 0
PMOS PMOS
Þ pas de puissance consommée
iDP
i En dynamique :
au moment du passage des
iDN MOS de l’état passant à l’état
vE CL vS bloqué et inversement ils sont
NMOS NMOS traversés par le courant de
charge-décharge de CL
Þ Dissipation de puissance par
effet Joule (dans les MOS)
ID=28mA , VF=2v
Analyser qualitativement les graphes
-Expliquer les saturations (A)
-Les changements de pente (B) A
-La forme de l’onde (C)
B
calculer RD RD
D1 C
D1(A)
LED-RED
D1(K)
Q1 VCC
Q1(G) Q1(G) VN2222LL 5v
2
89