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FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA

Carlos E. Pastrana S. carlos_epasi@yahoo.es


Juan Pablo Medina. jmediana@ucentral.edu.co

DISIPADORES DE POTENCIA

1. Introducción base son pequeñas comparadas con


El parámetro con mayor impacto en el las pérdidas de colector.
diseño de componentes (II) Pérdida por fugas, cuando el
semiconductores de potencia es la semiconductor de potencia está
potencia que se genera y que se tiene bloqueando tensión en dirección
que disipar. Esta disipación potencia directa o inversa. Esto puede ocurrir
comporta subidas de temperatura y cuando un diodo o tiristor esta
fracturas de uniones, debido a la polarizado en inversa, o cuando un
desigual expansión entre el sustrato transistor o tiristor está polarizado en
de silicio y sus uniones con el directa pero no conectado. Estas
encapsulado. Deben tomarse pérdidas normalmente son pequeñas
especiales precauciones para disipar en comparación con las pérdidas de
este calor al ambiente para evitar conducción directa.
excesivas subidas de temperatura en (III) Pérdidas de conmutación
el componente. durante la conexión o desconexión
del semiconductor de potencia.
2. Perdida De Potencia En Aunque relativamente pequeñas, estas
Semiconductores pérdidas pueden ser apreciables
Hay cuatro fuentes principales de cuando el componente está trabajando
pérdida de potencia en un a altas frecuencias.
semiconductor:
(I) Pérdida de potencia durante la
conducción directa. Para un diodo es
el producto entre la corriente que
atraviesa el componente y la caída
de tensión directa en sus bornes. Lo
mismo se aplica para el tiristor, pero
ya que el ángulo de conducción
puede variar, normalmente en las
hojas de datos se dan curvas de
pérdida de potencia como en la
figura 2.1, donde se utiliza la
corriente promedio sobre todo el
ciclo de conducción. Para un
transistor, la pérdida de conducción
directa está dada por el producto
entre la corriente y la tensión de Figura 2.1. Curvas de pérdida de potencia
colector, a la que se añade la de un tiristor
disipación de base, igual al producto
entre la corriente y la tensión de Pueden ocurrir debido a los
base. Normalmente las pérdidas de procesos graduales de conexión y
desconexión, que permiten que

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fluyan grandes cantidades de


corriente mientras la tensión en
bornes del componente todavía es
alta. Las figuras 1.8 (c) y 1.8 (d)
muestran un ejemplo del fenómeno
de conexión, mientras que las
figuras 1.8 (e) y 1.8 (f) muestran un
ejemplo de la característica de Figura 1.8 (e). Características de
desconexión. Estas pérdidas de desconexión _ curva de corriente.
conexión y desconexión dan lugar a
picos de potencia en la curva de
disipación de potencia total, como
en la figura 2.2, observándose que la
pérdida de potencia media debido a
la conmutación, es relativamente
pequeña a bajas frecuencias.

A continuación observaremos la
graficas características de conexión
para la curva de corriente y curva de Figura 1.8 (e). Características de
tensión, como la grafica característica desconexión _ curva de tensión.
de desconexión para la curva de
corriente y curva de tensión.

Figura 1.8 (c). Características de conexión _


curva de corriente.

Figura 2.2. Perdidas de potencia en un


semiconductor durante un ciclo típico de
corriente y perdida de voltaje.

Figura 1.8(d). Característica de conexión _


(IV) Pérdidas en el terminal de control
curva de tensión del semiconductor de potencia. La
pérdida en la base de un transistor ya se

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ha considerado como parte de la pérdida Los disipadores normalmente se


de conduccion directa en el punto (I) utilizan para mejorar la capacidad
anterior, ya que siempre está presente térmica de los semiconductores de
mientras el componente está potencia, y por lo tanto, les permite
conduciendo. Sin embargo, los disipar el calor generado cuando
componentes como los tiristores pueden están en funcionamiento. Esta sección
activarse sólo por pulso, por lo que la considera primero las ecuaciones tér-
pérdida de potencia de puerta se puede micas, que dan una guía para los
separa de la pérdida por conducción distintos métodos de enfriar
directa. Normalmente se definen cuatro componentes de potencia, y luego
parámetros; la potencia pico de puerta describe los métodos de disipación
PGM, es decir el valor máximo del que se pueden utilizar.
producto entre la corriente de puerta
directa y la tensión permisible; la Propagación del calor
potencia promedio de puerta PG(AV) En todo semiconductor el flujo de la
que es el valor máximo de la corriente corriente eléctrica produce una pérdida
de puerta directa y la tensión promedia- de energía que se transforma en calor.
dos sobre un ciclo; y la potencia pico Esto es debido al movimiento
inversa de puerta P GMR y la potencia desordenado en la estructura interna de
inversa promedio de puerta PGR(AV), la unión. El calor elevará la energía
que son los correspondientes valores cinética de las moléculas dando lugar a
inversos. La figura continuación un aumento de temperatura en el
muestra las curvas de potencia pico dispositivo; si este aumento es excesivo
de puerta donde tiene que estar la e incontrolado provocará una reducción
posición del ataque de puerta. de la vida útil del dispositivo y en el
peor de los casos su destrucción.
Es por ello que la evacuación del calor
generado en el semiconductor es una
cuestión de gran importancia para
asegurar el correcto funcionamiento y
duración del dispositivo.
La capacidad de evacuación del calor al
medio ambiente podrá variar según el
tipo de cápsula pero en cualquier caso
será demasiado pequeña, por lo que
necesita una ayuda adicional para
transferir el calor disipado mediante un
Figura. Curvas estáticas. dispositivo de mayor volumen y
superficie conocido como disipador de
3. DISIPADORES calor, el cual hace de puente para
La capacidad térmica (Ctn ) de un evacuar el calor de la cápsula al medio
componente, que proporciona una ambiente.
medida de su ritmo de cambio de
energía térmica en temperatura está 3.1. ECUACIONES TERMICAS
dado por C th C * m donde m es la Existen tres métodos para eliminar
masa del componente y C es el calor calor de un semiconductor de
específico. potencia, conducción, convección y

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radiación, y se describen mediante 0.8

ecuaciones térmicas. Pft K ft adT Val 0.2


respectivamente, donde las constantes
Conducción. La velocidad del flujo tienen los valores aproximados de
de calor a través de un disipador, con Kfl=3.9 y K It =6.0.
un área a en sección transversal, un
grosor d, y una conductividad térmica Radiación. La pérdida de calor
k T, está dada por la ecuación: debido a la radiación depende de la
K T adT emisividad del disipador (ε) y su
Pc d diferencia de temperatura sobre el
donde dT es la diferencia de ambiente. El valor máximo de
temperatura en el disipador y P, es la emisividad es la unidad, que es la de
velocidad de flujo de calor en vatios. un radiador de cuerpo negro. Si T l y
La resistencia térmica del disipador T2 son las temperaturas de la
(Rth ) está dada por la ecuación: superficie del disipador y la del aire
dT d
Rth Pc KT a
que lo rodea, entonces la pérdida de
calor en vatios debido a la radiación
está dada por:
Convección. La convección puede ser
por flujo de aire natural o forzado. La
Pr Kra (T 41 T 4 2 )
convección forzada depende más del donde la constante Kr es
flujo de aire si es laminar o aproximadamente igual a 5.7 x 10 -8
turbulento. A bajas velocidades de
aire el flujo es laminar y se vuelve El análisis térmico utilizando las
turbulento a mayores velocidades, el ecuaciones anteriores puede dar
punto de cambio depende del diseño errores de más del 25%, ya que son
del disipador. muchos los factores que afectan a las
El flujo de calor de un disipador que propiedades de la disipación de calor
tenga un área a de sección de los disipadores. Estos errores se
transversal, una longitud vertical de deben a:
1, y una diferencia de temperatura por (I) La mezcla de los modos de
encima del ambiente de dT, transferencia de calor y la dificultad
empíricamente es: de predecir el camino de transferencia
1.25 de calor. El calor radiado por los
Pn Kna ( dTl 0.)25 cuerpos adyacentes también afecta en
gran medida al resultado final.
donde la constante K n tiene un valor
(II) La variación de la disipación de
alrededor de 1.37.
potencia entre semiconductores del
mismo tipo, incluso aunque sean de la
Si el disipador se enfría mediante aire
misma partida. La disipación de
forzado, con una velocidad v a ,
potencia variará debido a las
entonces el flujo de calor para los
diferencias de la presión de fijación
flujos de aire laminar y turbulento
entre el componente y su disipador, y
están dados por las ecuaciones:
1
esto es difícil de predecir.
Pfl K fl adT ( Val ) 2 (III) Muchas de las constantes
utilizadas en las ecuaciones térmicas
y son actualmente variables de orden

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bajo y a menudo se necesita juicio y tipos existentes de encapsulados de


experiencia para elegir el valor semiconductores de potencia. Por
adecuado. ejemplo, la figura 3.2 (a) muestra un
disipador para una construcción de
El análisis de los sistemas por aire "disco de hockey" refrigerado por
enfriado forzado da resultados menos aire, mientras que la figura 3.2 (b) es
precisos que el análisis por aire una disposición para el mismo
enfriado de forma natural porque: componente refrigerado por líquido.
(I) Hay diferencias de flujo entre las
superficies interiores y exteriores.
(II) No es posible calcular la
velocidad del aire en cada punto del
camino de flujo.
(III) El análisis térmico normalmente
supone formas simétricas, por
ejemplo cilindros y esferas, y en la
práctica estas formas raramente
existen.

El funcionamiento puede mejorarse


montando los disipadores
verticalmente en un recinto con Figura 3.2. Ejemplos de disipadores: (a)
refrigeración por aire; (b)
aperturas en el fondo y en la parte refrigeración por líquido.
superior, para crear un efecto chime-
nea. Algunos componentes también Los disipadores normalmente están
pueden montarse en un disipador hechos de extrusión de una aleación
común, ya que esto daría como de aluminio, ya que el aluminio es un
resultado un mayor diferencial de buen conductor del calor, fácilmente
temperatura entre el disipador y el maleable, fácil de extrusionar y con
ambiente, y por lo tanto, mejora su un acabado de superficie suave. El
eficiencia, aunque los componentes aluminio proporciona un disipador
funcionen más calientes y los inferior al construido de cobre, pero
componentes superiores estarán es mucho más barato. Los disipadores
trabajando con una mayor tempe- están diseñados con una gran área
ratura de encapsulado. La ventaja de superficial, para la radiación y
montar componentes sobre el mismo conducción del calor, y con un peso
disipador es que hay un buen minimizado. Los disipadores pueden
acoplamiento térmico como el que se dejarse brillantes, pero son más
necesita cuando funcionan en eficientes las superficies mate
paralelo. coloreadas. El negro no es
necesariamente el mejor color, ya que
3.2. CONSTRUCCION DE a las temperaturas que se están
DISIPADORES. considerando tiene lugar la radiación
de calor en la región infrarroja, y
Los disipadores están disponibles en todos los esmaltes, barnices,
una gran variedad de formas y superficies anodizadas y pinturas
tamaños para acoplarse a los distintos

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oleosas tienen altas emisividades sin dieléctrica menor que la Mica pero
tener en cuenta el color. son más baratos, y ya que son
coloreados, su sombreado
Los disipadores normalmente se proporciona una indicación visual si
diseñan con aletas, y cuanto mayor dos están pegadas entre sí. Una
sea el número de aletas mayor es el alternativa a la utilización de
área de enfriamiento por convección, arandelas de aislamiento es rociar el
pero si las aletas están demasiado disipador durante la fabricación con
juntas entre sí, se produce menos un material de aislamiento eléctrico.
radiación de calor, por lo que existe
un compromiso. Los disipadores de El enlace entre la carcasa del
aire frío forzado son de tres a cuatro componente por refrigerar y el
veces más eficientes que los sistemas disipador tiene una resistencia
refrigerados de forma natural. Los térmica relativamente baja comparada
efectos por radiación son ahora con otras partes del sistema. Sin
despreciables, y ya que la velocidad embargo, la resistencia puede
del flujo de aire es menos incrementarse durante el montaje en
dependiente de la temperatura, la un factor de 10 veces si no se tiene
resistencia térmica es menos variable, cuidado. Esto se realiza manteniendo
por lo que se puede suponer que el limpias las superficies de unión
sistema térmico es lineal. El flujo de aplicando una presión adecuada de
aire también es más independiente del acoplamiento y utilizando grasa
espaciado de las aletas del disipador térmica entre ellas. Esta grasa, o
para crear turbulencia sobre su compuesto disipador, es un material
superficie y romper cualquier capa de de silicona lleno de óxidos metálicos
aire estática. conductores de calor. Esta grasa no
A menudo se precisa aislamiento debe secarse, fundir o endurecer
eléctrico al montar un componente incluso después de trabajar durante
sobre un disipador, y puede largos períodos a altas temperaturas
conseguirse mediante arandelas de tales como 200°C. La figura 3.3
aislamiento. Pueden utilizarse varios ilustra como la grasa ayuda a igualar
materiales para estas arandelas: La las temperaturas del encapsulado del
glucina es el más caro pero tiene la semiconductor. Sin la grasa, una
mayor conductividad térmica y ligera protuberancia, arqueado o
rigidez dieléctrica, seguida de las partícula de polvo hace que la
arandelas de aluminio anodizado temperatura en A sea mayor que en B.
templado con una buena La grasa térmica reemplaza al aire y
conductividad térmica y rigidez tiene mucha menor resistencia
dieléctrica. Las arandelas de mica térmica, por lo que la temperatura en
fueron muy populares, pero se pueden la fijación de cobre es más uniforme y,
requebrajar y desescamar, y debido a por lo tanto, también en el
su transparencia, es fácil que se semiconductor.
peguen dos entre sí, lo cual
provocaría un incremento de la
resistencia térmica. Los plásticos de
alta temperatura tales como el Kapton
y el Mylar tienen una rigidez

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Figura 3.3. Contornos de temperatura en la


unión disipador-componentes de potencia:
(a) sin grasa térmica.

Figura 3.4. Curvas utilizadas para calcular la


resistencia termica del disipador

Esta serie de curvas podrían obtenerse,


por ejemplo, de un disipador de aire
refrigerado forzado funcionando con
Figura 3.3. Contornos de temperatura en la una serie de velocidades de aire. Si I1
unión disipador-componentes de potencia: es la corriente a través del
(b) con grasa térmica.
semiconductor de potencia, entonces
La figura 3.4. Compara la resistencia P1 es la potencia disipada a su través,
térmica de algunos componentes y para una temperatura ambiente de
utilizados normalmente; el diamante T1, el disipador debe tener una
se utiliza para refrigerar algunos resistencia.
componentes especializados que
funcionan a alta frecuencia. 4. Parámetros que intervienen en
RESISTENCIA el cálculo
MATERIAL TERMICA Para que un semiconductor disipe la
(ºC cm/w) potencia adecuada, hay que mantener la
Diamante 0.02 to 0.1 temperatura de la unión por debajo del
Cobre 0.3 máximo indicado por el fabricante:
Aluminio 0.5
Estaño 2.0
Grasa termica 130
Mica 150
Mylar 400
Aire en calma 3000

La figura 3.4. Ilustra las curvas que se


pueden utilizar para determinar la
resistencia térmica de un disipador en
cualquier aplicación. La serie de curvas
de la izquierda dan la disipación de
El paso de la corriente eléctrica produce
potencia a través del semiconductor de
potencia, y son similares a la figura 2.1,
un aumento de la temperatura de la
mientras que las curvas de la derecha son unión (Tj). Si ésta se quiere mantener a
del disipador y dan su resistencia térmica. un nivel seguro, debemos evacuar al
exterior la energía calorífica generada

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por la unión. Para que se produzca un Td = Temperatura del disipador


flujo de energía calorífica de un punto a Ta = Temperatura ambiente
otro, debe existir una diferencia de
temperatura. El calor pasará del punto RESISTENCIA UNIÓN -
más caliente al más frío, pero aparecen CONTENEDOR (RJC)
factores que dificultan este paso. A En este caso el foco calorífico se genera
estos factores se les denomina en la unión del propio cristal
resistencias térmicas. semiconductor, de tal forma que el calor
Por lo tanto, aprovechando la ley de debe pasar desde este punto al exterior
ohm realizamos la siguiente del encapsulado.
comparación eléctrica mostrada en la Generalmente este dato lo suministra el
figura adjunta. Asemejaremos las fabricante, y dependerá del tipo de
temperaturas a tensiones, las cápsula del dispositivo. Aparecerá bien
resistencias térmicas a las resistencias directamente o indirectamente en forma
óhmicas y el flujo de calor a una de curva de reducción de potencia. En la
corriente eléctrica. figura siguiente se muestra este tipo de
Al igual que en un circuito eléctrico, se curva.
puede decir que:

De la figura se obtiene la expresión:

RESISTENCIAS TÉRMICAS
En la siguiente figura se muestra la
igualdad entre el circuito equivalente de
resistencias térmicas y los elementos en
un montaje real: Esta muestra la potencia en función de
la temperatura del contenedor. En ella la
pendiente de la recta dada es la
resistencia unión contenedor. La
fórmula que se utiliza para el cálculo de
esta resistencia es:

Rjc = Resistencia unión - contenedor Donde estos datos se obtienen de la


Rcd = Resistencia contenedor - curva de reducción de potencia, que
disipador será propia de cada dispositivo.
Rd = Resistencia del disipador Deberemos de tener en cuenta que Pd es
Tj = Temperatura de la unión la dada por el fabricante y no la que
Tc = Temperatura del contenedor

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disipará el dispositivo en el circuito. Directo más mica aislante.


Normalmente Tc vale 25 ºC. Directo más mica aislante más
Si tomamos de un manual los datos pasta de silicona.
correspondientes a un 2N3055 serán: El valor de esta resistencia térmica
Pdmáx=115W influye notablemente en el cálculo de la
Tjmáx =200 ºC superficie y longitud que debe disponer
Sustituyendo estos valores en la la aleta que aplicaremos al dispositivo a
siguiente ecuación, se obtiene el valor refrigerar. Cuanto más baja es Rcd
de la Rjc: menor será la longitud y superficie de la
aleta requerida.
Por ejemplo, para una cápsula TO.3 se
tiene que con contacto directo más pasta
de silicona la Rcd = 0,12 ºC/W, que con
contacto directo Rcd = 0,25 ºC/W, que
y ésta es, precisamente, la Rjc indicada
con contacto directo más mica y más
en los manuales para el 2N3055.
pasta de silicona Rcd = 0,4 ºC/W, y que
con contacto directo más mica Rcd =
RESISTENCIA CONTENEDOR -
0,8 ºC/W.
DISIPADOR (RCD)
Por lo tanto podemos decir que cuando
Es la resistencia térmica entre el
no sea necesario aislar el dispositivo, el
semiconductor y el disipador.
tipo de contacto que más interesa es el
Este valor depende del sistema de
directo más pasta de silicona, ya que da
fijación del disipador y el componente,
el menor valor de Rcd y si hubiese que
y del estado de planitud y paralelismo
aislar con mica interesa montar mica
de las superficies de contacto, puesto
más pasta de silicona ya que la Rcd es
que a nivel microscópico, solo
menor que si se monta solo con mica.
contactan por unos puntos, quedando
Por ello podemos obtener la siguiente
huecos de aire que entorpecen la
conclusión: La mica aumenta la Rcd
transmisión del calor.
mientras que la pasta de silicona la
También depende del tipo de material
disminuye y como se ha dicho cuanto
que se interponga entre ambas
más pequeña sea la Rcd menor
superficies de contacto. Los elementos
superficie de aleta refrigeradora.
que se sitúan entre la cápsula y el
disipador pueden ser de dos tipos:
RESISTENCIA DEL DISIPADOR
a. Pastas conductoras de calor, que
(RD)
pueden ser o no ser conductoras de la
Representa el paso por convección al
electricidad.
aire del flujo calorífico a través del
b. Láminas aislantes eléctricas que se
elemento disipador. Este dato será, en la
pueden emplear conjuntamente con
práctica, la incógnita principal de
siliconas conductoras de calor como
nuestro problema, puesto que según el
mica, kelafilm, etc. También las hay
valor que nos de el cálculo, así será el
conductoras de calor que no precisan
tipo de aleta a emplear. Depende de
pasta de silicona.
muchos factores: potencia a disipar,
El tipo de contacto entre cápsula y
condiciones de la superficie, posición de
disipador podrá ser:
montaje y en el caso de disipadores
Directo. planos factores como el grosor del
Directo más pasta de silicona. material y el tipo de encapsulado. Para

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el cálculo de la resistencia se pueden se habla de resistencia unión ambiente


utilizar las siguientes fórmulas: sin disipador, nos referimos a la
resistencia unión contenedor junto con
la contenedor ambiente:

Este valor de Rja no es el que da el


fabricante ya que éste la suministra sin
disipador, y la que hay que utilizar es
con disipador. El fabricante la facilita
como suma de Rjc y Rca puesto que
ignora el tipo de disipador que
utilizaremos.
Una vez calculada la Rd se pasa a elegir
la aleta refrigeradora. Para la elección Fig.(b)
de la aleta, habrá que tener en cuenta
que el tipo de encapsulado del Este valor lo suministra el fabricante en
dispositivo a refrigerar sea el adecuado función del tipo de contenedor.
para su montaje en la aleta disipadora Cuando se habla de la resistencia unión
que se haya elegido. ambiente con disipador nos referimos a
Después de cumplir la condición la suma de la resistencia unión
anterior hay que calcular la longitud o la contenedor (Rjc), la resistencia
superficie del disipador elegido. Para contenedor disipador (Rcd) y la
ello es necesario disponer de uno de los resistencia disipador ambiente (Rd):
dos tipos de gráficas que ofrecen los
fabricantes de disipadores, la Rd -
Fig.(a)
longitud y la Rd - superficie.
Según la gráfica de que se disponga se
Este valor no es conocido ya que varía
obtendrá un valor de longitud o un valor
según el tipo de disipador que se utilice.
de superficie de disipador que hay que
El valor de Rja dependerá de los valores
montar para refrigerar adecuadamente el
de Rd y de Rcd. Como no es un valor
dispositivo semiconductor.
fijo, no existe una tabla de valores
típicos.
RESISTENCIA UNIÓN - AMBIENTE
(RJA) 12
TEMPERATURAS
Como su nombre indica es la
TEMPERATURA DE LA UNIÓN (TJ)
resistencia que existe entre la unión del
La temperatura máxima de la unión es
semiconductor y el ambiente. Con esta
el límite superior de temperatura a la
resistencia deberemos de distinguir dos
que no se debe llegar y menos
casos, el de resistencia unión ambiente
sobrepasar si queremos evitar la
con disipador y sin disipador. Cuando

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destrucción de la unión. Este dato es un pero el tamaño de la aleta refrigeradora


valor que se suele suministrar, será mayor.
normalmente, en los manuales de los Para valores de k=0,6. Dimensión
fabricantes de semiconductores. menor de la aleta refrigeradora sin que
Si este valor no se refleja en dichos el dispositivo se caliente demasiado.
manuales o, simplemente, no se Para valores de k=0,7. Máximo riesgo
encuentra, podremos adoptar unos para el dispositivo, máxima economía
valores típicos en función del en el tamaño de la aleta refrigeradora.
dispositivo a refrigerar como los Este coeficiente de seguridad exige que
mostrados en la tabla que se expone a la aleta se sitúe en el exterior.
continuación:
TEMPERATURA DE LA CÁPSULA
DISPOSITIVO RANGO DE Tjmáx (TC)
de unión de Germanio Entre 100 y 125 ºC Este dato no se suministra en los
de unión de Silicio Entre 150 y 200 ºC manuales ya que depende del valor de la
JFET Entre 150 y 175 ºC potencia que disipa el dispositivo, de la
MOSFET Entre 175 y 200 ºC resistencia del disipador y de la
Tiristores Entre 100 y 125 ºC temperatura ambiente. Por lo tanto solo
Transistores Uniunión Entre 100 y 125 ºC podemos calcularla cuando conozcamos
Diodos de Silicio Entre 150 y 200 ºC todos los datos reflejados en alguna de
Diodos Zener Entre 150 y 175 ºC las siguientes expresiones:

Se debe distinguir entre la temperatura


máxima de la unión permitida para un
dispositivo y la temperatura real de la
unión a la que se pretende que trabaje
dicho elemento o dispositivo que, TEMPERATURA DEL DISIPADOR
lógicamente, siempre será menor que la (TD)
máxima permitida. El objetivo del que Este valor se obtiene a partir de la
diseña será mantener la temperatura de potencia disipada Pd, de la resistencia
la unión por debajo de la máxima. Para térmica de la aleta Rd y finalmente de la
ello se utiliza un coeficiente ( K ) de temperatura ambiente Ta. Se calculará
seguridad cuyo valor dará una con cualquiera de estas expresiones:
temperatura de la unión comprendida
entre el 50% y el 70% de la máxima.
Por lo tanto k estará comprendido entre
0,5 y 0,7. Le asignamos el valor según
el margen de seguridad que queremos
que tenga el dispositivo. La temperatura La temperatura obtenida será siempre
de la unión que se utilizará en los inferior a la temperatura de la cápsula
cálculos será: aunque será lo suficientemente alta en la
Tj = Tjmáx x k mayoría de los casos como para no
Las condiciones de funcionamiento en poder tocar el disipador con las manos.
función de k serán: Esto no es motivo de preocupación ya
Para valores de k=0,5. Dispositivo poco que se han tomado las medidas
caliente. Máximo margen de seguridad, necesarias como para que la

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temperatura de la unión disponga de un Esta es la máxima potencia disipable sin


margen de seguridad dentro de los disipador. Se puede ver que este valor
márgenes ya explicados. se queda muy por debajo del indicado
Puede suceder que la temperatura de la por el fabricante. Si consideramos una
aleta es bastante elevada, tanto que si se aleta con una buena resistencia térmica
toca con un dedo notaríamos que como puede ser una de 0,6 ºC/W y unas
quema. Pero en todo momento la resistencias térmicas contenedor -
temperatura de la unión entrará con disipador Rcd y unión - contenedor Rjc
amplio margen dentro de los límites de 0,12 ºC/W y de 1,5 ºC/W
permitidos. No obstante, si se quiere respectivamente, ambos valores también
disminuir esta temperatura, solo hay que bastante adecuados, se tendrá:
calcular de nuevo la resistencia térmica
Rd de la aleta, poniendo esta vez 0,5
como factor ( k ) necesario para
determinar Tj. Ello llevará a adoptar
una aleta más grande, pero tanto la Tc, Si hiciéramos disipar 90 W como
como la Td disminuirán como se desea. pretendíamos se destruiría la unión.
Como se puede observar la potencia
TEMPERATURA AMBIENTE (TA) obtenida es superior a la disipable sin
En la interpretación de este dato puede disipador e inferior a la que nos
haber alguna confusión ya que se puede suministra el fabricante. Ello es debido
tomar su valor como la temperatura del a que el fabricante ha calculado la
medio ambiente cuando en realidad es Pdmáx manteniendo la temperatura del
la temperatura existente en el entorno contenedor a 25 ºC, cosa que en la
donde está ubicado el disipador. práctica es imposible:

5. POTENCIA DISIPADA
La potencia máxima es un dato que nos
dará el fabricante. Este dato es para las
mejores condiciones de funcionamiento
del dispositivo, es decir, para una Como se ha dicho este dato de 116 W es
temperatura del contenedor de 25 ºC y para las mejores condiciones de
un disipador adecuado. Por ejemplo, si funcionamiento y el fabricante debe
de un determinado transistor nos dice el indicar en cuales se realizó esa medida.
fabricante que puede disipar un máximo Resumiendo, es importante saber
de 116 Watios, a primera vista se puede interpretar adecuadamente los datos
pensar que disipando 90 Watios no se suministrados por el fabricante, de lo
corre ningún riesgo puesto que hay un contrario pueden aparecer sorpresas
margen con respecto al máximo y no se desagradables.
necesita disipador. Si conocemos la Sabemos que la máxima potencia que se
temperatura de la unión es de 200 ºC y puede hacer disipar a un semiconductor
Rja de 35 ªC/W se tiene: sin disipador viene dada por el cociente
entre el incremento de la temperatura y
la resistencia térmica unión ambiente:

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Donde Rja es la que nos suministra el


fabricante que no incluye Rd. Cuando
se utiliza un disipador, la resistencia
térmica se divide en tres parámetros: la
resistencia entre la unión y el
contenedor (Rjc), entre el contenedor y
el disipador (Rcd) y entre el disipador y
el ambiente (Rd):

5. BIBLIOGRAFIA

5.1. ELECTRÓNICA DE POTENCIA.


Componentes, circuitos y aplicaciones. FF
MAZDA. Editorial Paraninfo.

5.2. ELCTRONICA DE POTENCIA.


Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones.
MUHAMMAD H. RASHID. Editorial
Pearson Educación. Segunda Edición

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