UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ

CAMPUS UNIVERSITÁRIO DO GUAMÁ

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ELETRONICA ANALÓGICA I

RELATÓRIO
PROJETO: AMPLIFICADOR

Aluna: Keila Cristina dos Santos Maia; Matrícula: 0502004201

BELÉM – PARÁ
2007
 1 – Objetivo do projeto:
Projetar e montar um amplificador de sinais de tensão com os seguintes dados:
Rs = 50 Ω (Resistência da fonte de sinal), RL = 1,0 k Ω (Resistência de carga), Vi = 10
mV (Valor de pico de sinal na entrada do amplificador) e Vo = 600 mV (Valor de pico
do sinal na carga (RL)).

2 – Equipamentos e materiais utilizados

1- Resistor de 50 Ω;
2- Resistor de 1,0 kΩ;
3- Resistor de 2 Ω;
4- Resistor de 300Ω;
5- Resistor de 82kΩ;
6- Osciloscópio;
7- Multiteste;
8- 1 (um)Transistor BC 558;
9- Gerador de sinais ajustado para 1kHz;
10- Protoboard;
11- 2 (dois) capacitores de 22µF , 25V;
12- Fonte de -9V.

3 – Informação teórica

O TBJ pode ser utilizado em circuitos como amplificador em três configurações

básicas: base comum, emissor comum e coletor comum. Para este projeto, foi
selecionada a configuração emissor comum.
Os amplificadores em emissor comum usam-se em amplificadores de vários
andares para obter a maior parte do ganho em tensão. Caracterizam-se por terem ganhos
substanciais de tensão e corrente, resistência de entrada de valor moderado e resistência
de saída de valor elevado (uma desvantagem). Estes parâmetros são dados, às médias
freqüências, aproximadamente por:

Av = − β
Rc / / RL Ri = ( β + 1) ( re + RE )
Av = −
re + RE
Ro = ( Rc / / RL )

O amplificador em base comum tem uma baixa resistência de entrada. Por isso
não é atraente como amplificador de tensão. A sua aplicação mais adequada é como
amplificador de corrente de ganho unitário ou como isolador de corrente. A sua maior
vantagem é, no entanto, a sua excelente resposta em altas freqüências. Os seus parâmetros são
dados, às médias freqüências, aproximadamente por:

Rc / / RL
Av = −
re
Ai = α
Ri = re
Ro = Rc / / RL
 O amplificador em coletor comum ou seguidor de emissor exibe uma elevada
resistência de entrada, uma baixa resistência de saída, um ganho de tensão que é menor
e muito próximo da unidade e um ganho de corrente relativamente elevado. Por isso ele
é utilizado como isolador.
A sua baixa resistência de saída torna-o útil como último andar de um
amplificador de vários andares, em que o objetivo do último andar não é aumentar o
ganho de tensão, mas fornecer uma baixa resistência de saída. Os seus parâmetros são
dados, às médias freqüências, aproximadamente por:

RL
Av =
RL + re _
Ai = ( β + 1)
Ri = ( β + 1) ( re + RL )
 Rs 
Ro = re +  
 β +1 

4 - Prática.
DADOS:
Rs= 50Ω;
RL=1k Ω;
Vi=10mV;
Vo=600mV;
Vcc=-9V.

Para a montagem do circuito do projeto, há necessidade de se calcular os valores

da resistências RC, RB e RE.
Inicialmente, calcularemos o ganho:

Vo
Av =
Vi
600mV
Av = = 60V / V
10mV
 Com base nas especificações do transistor selecionado, o BC558, foi escolhido o
ponto quiescente que corresponde a VCE=-5V; IC=-13mA; IB=-100μA.

Como IE=IB+IC, então IE=-13,1mA.

Vcc 9
Vb = = − = −3V
3 3
Assumir VBE=-0,7V.

Agora, para encontrar os valores das resistências, montamos um sistema de três

equações:
Rc / / RL RC / / RL
Av = − =−
R E + re VT
RE +
IE
Vcc = Vce + Rc.Ic + Re.Ie
Vcc = Vbe + Rb.Ib + Re.Ie

RC / /1k Ω
Av = −
25mV
RE +
( −13,1mA )
−9 = −5 + Rc. ( −13mA ) + Re. ( −13,1mA )
−9 = −0, 7 + Rb. ( −100 µ A ) + Re. ( −13,1mA )
 Com estas equações, foi encontrado:

RC=306,77 Ω (300 Ω )
RE=1,638 Ω (2 Ω )
RB=82,78k Ω (82k Ω )

Aqui o circuito final:

6 – Conclusão:

Após a montagem, observou-se que a saída do amplificador estava saturada, não

condizendo com o resultado esperado. Para que este fosse obtido, algumas modificações
foram implementadas no circuito: a troca do resistor RC=300Ω por um de 220Ω e RE=2Ω
por um de 1Ω. Após estas mudanças, o amplificador mostrou o resultado esperado: o
transistor operando na região ativa e a saída de com pico de 600mV.