DUT 1 / GEII - GTR

ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE
 GENERALITE SUR
LES SEMI-CONDUCTEURS

L'électronique et l'électro-technique sont les deux branches principales de

l'électrique. L'électronique s'occupe de l'utilisation des éléments simples ( ou
composants ) ayant pour mission d'amplifier ou de transformer le courant électrique à
des fins déterminés. L'électronicien a donc pour mission de savoir pourquoi, quand et
comment chacun des composants s'utiliser seul ou en association avec d'autres
éléments.
Il existe deux catégories de composants à savoir:

Les composants passifs que sont : les résistances, les condensateurs, les
bobines etc...

Les composants actifs que sont: les diodes, les tubes, les transistors, les circuits
intégrés etc...

I- Rappels sur la structure de la matière

II- Propriétés électrique des corps

A- CONDUCTEURS - ISOLANTS
Un circuit électrique simple comprend:

Un générateur qui libère le courant électrique nécessaire pour alimenter le
circuit. Le signal qu'il génère peut être alternatif ou continu;

Un interrupteur qui permet d'ouvrir et de fermer le circuit électrique.
- Les fils conducteurs
- Un récepteur
Soit le circuit électrique suivant
Sectionnons le circuit au point A
On a le schéma suivant

1
Entre A1 et A 2 plaçons différents corps : craie, règle en bois, règle métallique, crayon,

clou etc... A l'issu de l'expérience on constate que pour certains corps ( règle en bois,
craie, crayon ) la lampe ne s'allume pas tandis que pour d'autres ( règle métallique,
clou ) la lampe s'allume. il existe donc deux catégories de corps : les conducteurs et les
non conducteurs appelé isolants.

B- LE DOPAGE
1 ) Les semi-conduteurs intrinsèques
Est appelé semi-intrinsèque, tous cristals de semi-conducteurs purs dans lequel chaque
atome est un atome propre au cristal considéré. Par exemple quand on dit cristal de
silicium celà signifie que chaque atome est un atome de silicium. A une température de
0° K les semi-conducteurs intrinsèques sont des isolants. Ces corps peuvent devenir
conducteur lorsqu'on y introduit une toute petite quantité d'un autre corps
( impuretés ) . On dit que l'on a procédé au dopage.
Le semi-conducteur obtenu n'est plus un semi-conducteur pur ( intrinsèque )
mais plutôt un semi-conducteur impur ou dopé, ou extrinsèque.
On rencontre deux types de dopage. Le dopage de type N et le dopage de type P
traduisant respectivement les semi-conducteurs de type N et les semi-conducteurs de
type P.

2 ) Définition
Le dopage, c'est le procédé par lequel des impuretés atomiques non tétravalents sont
injectés dans un cristal pur pour accroître le nombre d'électrons libres ( N ) ou le
nombre de tours ( P ) .

2
 LA DIODE A JONCTION PN

OBJECTIFS GENERAUX
Définir les semi-conducteurs de type ( N ) et de type ( P )
Décrire le fonctionnement d'une diode à jonction PN

I- Les semi-conducteurs de type N

Les semi-conducteurs de type N sont obtenus par injection ( ou introduction )
d'impuretés pentavalents ( Arsenic, phosphore, etc. . . ) dans un cristal pur de
germanium ou de silicium. Ceci modifie la concentration enporteurs négatifs du
réseau ( les électrons ) .
Injectons un atome d'arsenie dans un cristal de germanium

3
4 des 5 électrons de valences relient l'atome d'arsenie à 4 autres atomes au germanium.
le 5e électron reste libre dans le milieu. On conclu donc qu'à température ordinaire,
dans un cristal dopé de type N les électrons libres sont les porteurs de charges
majoritaires tandis que les trous sont les porteurs de charges minoritaires.

II- Les semi-conducteurs de type P

Les semi-conducteurs de type P sont obtenus par injection d'impureté trivalent ( Bore
Alluminium etc. . . ) dans un cristal de silicium ou de germanium. L'expérience est
conduit ci-contre avec du Bore ( B ) introduit dans un cristal de silicium. Les trois
électrons de la couche externe du Bore forme trois liaisons covalentes avec les
électrons du silicium. Il manque donc une liaison covalente. On déduit donc que dans
un cristal dopé de type P les porteurs de charges majoritaires sont des trous tandis que
les porteurs de charge minoritaires sont des électrons.

III- Diode à jonction P-N

1 ) Définition
Une diode semi-conductrice à jonction P-N est l'ensemble constitué par la
juxtaposition de 2 régions dopées P et N d'un monocristal .

2 ) Représentation-symbole conventionnel

4
3 ) Fonctionnement

Le fonctionnement de la diode dépend de la manière dont elle est polarisée. Dans ce

qui va suivre; nous étudierons le mouvement de porteur de charges à travers le
semi-conducteur selon le sens de branchement de la diode.
La diode sera soumise à une ddp

5
 3-1- Alimentation directe ( fig 2 )
Dans ce cas l'anode de la diode est reliée à la borne positive du générateur tandis que
la cathode est reliée à la borne négative. Le dispositif expérimental est le suivant

Les trous de la zone P sont repoussés par la borne positive; les électrons de la zone N
sont repossés par la borne négative.
Sous l'effet du champ électrique crée par le générateur, il naît donc un mouvement
d'ensemble vers la zone de jonction; il y a concentration de charge à la frontière des 2
zones. Les électrons provenant de la zone N vont franchir la jonction et se retrouvent
dans la zone P. Les trous de la zone P franchiront la jonction pour se retrouver dans la
zone N. On assiste donc à un déplacement coordonné d'électrons qui crée donc le
courant à travers la diode.

NB: Le courant à travers une diode montée en directe est très important. Mais pour
que ce courant ne dépasse pas la valeur indiquée par le construteur, une résistance
de protection est le plus souvent monté en série avec la diode afin de limiter le
courant qui la traverse.

3-2- Alimentation inverse ( fig 3 )

Dans ce cas l'anode de la diode est relié à la borne négative du générateur tandis que la
cathode est reliée à la borne positive. Les trous de la zone P sont attirés par la borne
négative de générateur tandis que les électrons de la zone N sont attirés par la borne
positive. Il se crée une barrière infranchissable entre les électrons et les trous de façon

6
à ce qu'il ne peut y avoir d'échange de charges: il n'y a donc pas circulation de courant.
Une diode semi-conductrice à jonction PN soumise à une alimentation inverse
présente une conduction difficile du courant.

NB: Lorsque la diode est montée en inverse, elle est parcourue par un courant très
faible. Elle s'échauffe rapidement et quand la tension inverse est trop élevée on
assiste à la destruction de la diode: On parle de la claquage de la diode.

3-3- Conclusion
En réalité une diode se met à conduire lorsqu'elle est montée en directe à partir d'une
tension appelée ''tension seuil''. On rencontre des diodes au silicium et au germanium.
La tension seuil est notée
U s ou U d et vaut 0,7v pour les diodes en silicium.

Remarque
Une diode qui conduit est équivalente à un interrupteur

fermé

( ) tandis qu'une diode que ne conduit pas est

équivalente à un interrupteur ouverte ( ).

7
 CARACTERISTIQUE DE LA DIODE
A JONCTION P-N

OBJECTIF GENERAL
 Tracer la caractéristique directe de la diode à jonction PN
 Tracer les caractéristiques inverses de la diode à jonction PN
 Tracer les courbes idéales de la diode à jonction PN

I- Définition
Les caractéristiques d'une diode sont les courbes représentatives de l'intensité du
courant qui traverse la diode à jonction PN en fonction des variations de la tension
d'alimentation à laquelle de diode est soumise ( I = f ( u ) ) .
On fait donc varier la tension aux bornex de la diode et on lit le courant qui la traverse.

II- Caractéristiques réelles

Pour la diode au silicium la tension seuil est comprise entre

0,7≤U s ≤0,9. Pour les calculs on prend : U s = 0,7v. Pour la diode au germanium 0,4≤U

s ≤0,5. Pour les calculs on prend U s = 0,6v

8
 III- Caractéristiques idéales : approximation de la diode
Dans certains cas, on est amené à étudier le schéma équivalent de la diode ( ou le
modèle de la diode ) . Ceci a pour avantage la fidélité et la simplicité dans le
raisonnement . Le modèle ainsi étudié est quelques peu différent de la diode réelle .
1ère approximation : diode = interrupteur fermé
Dans cette 1ère approximation,la tension seuil est négligée.
Donc à partir de U = 0 ( U≥0 ) la diode conduit.

2ème Approximation: diode = source de tension idéale

3ème Approximation: diode = source de tension réelle

Dans cette 3ème approximation la diode est vue comme une source de tension idéale
en série avec un interrupteur fermé et une résistance. Le courant qui la traverse
rencontre une certaine résistance appelée résistance directe ou différentielle.

IV- Quelques représentations de diodes

 Diode Electroluminescente ( LED )

Une Ecole ; Un Réseau ; Une marque 9

 Diode Zénir

 Photodiode

 Thyristor ou
diode à gachette

 Diode capacitive ou varicap

 Diode de déclenchement ou diorc

 Diode Tunnel

10
 LE REDRESSEMENT

OBJECTIFS GENERAUX
- Expliquer les phénomènes se produisant dans une diode lorsque celle-ci est polarisée
sous une tension alternative.
- Expliquer ce que l'on entend par redressement monoalternance et redressement
double alternance ( ou bialternance ) .

I- Polarisation de la diode sous une tension alternative

1 ) Rappel

2 ) Principe

La plupart des appareils électroménagers et autres comporte en leur sein des éléments

11
actifs. Ceux -ci sont polarisés à partir de sources de tension continue. Or la tension
secteur est une tension alternative. Il est donc nécessaire de procéder à une
transformation de la tension secteur en une tension continue fixe.
Soit le circuit expérimental représenté ci-dessus. La source de tension Eg est
alternative et aux bornes de la résistance R 1 est recueillie la tension de sortie. Quelle

serait le comportement de la diode à jonction PN.

II- Redressement à l'aide de diodes

Il existe deux sortes de redressements: le redressement monoalternance et le
redressement double ou bialternance.

1 ) Redressement monoalternance ( confère schéma pont )

Au cours de la première alternance du signal d'entrée Eg ( 1/2 période positive ) la
diode est polarisée en directe. Elle est donc conductrice et transmet fidèlement à la
charge toute l'alternance. A la 2è alternance ( alternance négative ) la diode est
polarisée en inverse et ne conduit donc pas . On obtient alors au borne de la charge, un
courant unidirectionnel: on dit que la diode redresse le courant alternatif.

Dans son application, la diode n'est pas directement relié à la tension secteur de 220 V.
Elle l'est à travers un transformateur abaisseur

12
2 ) Redressement double alternance
Pour le redressement double alternance, deux montages sont le plus souvent utilisés:
le redressement bialternance sur transformateur à point milieu et le redressement
double alternance sur point de Graëtz ( le plus souvent utilisé ) .

a- Redressement bialternance sur pont de diode ( Graëtz )

4 diodes composent ce pont et conduisent 2 à 2. A l'alternance positive D 1 et D 3

conduisent tandis que D2 et D4 sont bloquées.

13
 
 D1 et D3 conduisent

1ère alternance ( positive ) 

 D2 et D 4 bloquées

 D 2 et D4 conduisent

2ème alternance ( négative ) 

 D1 et D3 bloquées

Le pont obtenu est polarisé. Le plus ( + ) du pont est le point situé au point commun
des deux cathodes de D1 et D2 .

Le moins ( - ) de ce point se situe au point commun des deux anodes de D 3 et D 4 et

ceci quelques soit l'alternance

b- Redressement double alternance sur un transformateur à point milieu

14
A l'alternance positive, la diode D1 conduit tandis que D2 est bloquée à la 2è alternance

( supposée négative ) D 2 conduit et D1 bloquée. En définitive la tension U RL au borne

de la charge est tout comme le signal dans le cas du pont de Graëtz.

A chaque alternance de la tension U secondire l'une des 2 diodes conduit tandis que l'autre

est bloquée. Au borne de diode qui ne conduit pas, la tension inverse qui lui est
appliquée est U inverse = U secondiare . La tension inverse ne doit pas excéder cependant la

tension de claquage.

NB: ( très important )

On rencontre aujourd'hui de plus en plus des redresseurs intégrés en boîtier. Ils sont
de loin préférable aux redresseurs classiques sur pont de diode ( pont de Graëtz )
parce qu'ils coûtent moins chers, occupent peu de place et sont très fiables. Mais
l'inconvénient est que si une diode se détériore à l'intérieur du boîtier, l'on est obligé
de changer tout le boîtier à défaut de changer la diode. Ce qui n'est pas le cas dans un
redressement sur pont de Graëtz où les diodes peuvent être changer.

3 ) Détermination des paramètres des signaux

a- Signal au secondaire du transformateur
Le signal obtenu au secondaire du transformateur est alternatif. Soit Ti sa période et f i

sa fréquence
1 1
Ti = fi
et f i = Ti

Usec = Usec max .sin ( ωt+φ )

At = os Usec ( 0 ) = 0

⇒ Usec max sin φ = 0

⇒ sin φ = 0

⇒ φ = kπ

pour k = 0 ⇒ φ = 0

d'où Usec = Um sin ωt

15
  Valeur crête à crête ( Vcc )

Vcc = Usec max - ( -Usec max )

Vcc = 2 Usec max

 Valeur moyenne Vmoy

Pour tout signal on a:

f (moy
t)
= 1
T
∫ ϑ f ( t ) dt

θ étant le temps de conduction sur une période

Usec moy = 1
T
∫T0 Usec dt

= 1
T
∫T0 Usec max sin ( ωt. dt )

U sec max T
= ∫0 sin ω. dt
T
U sec max T
= − 1
ω
cos ωt
T 0

U sec max
Usec moy = ( - ω1 ω ωT + 1
ω
ω0)
T
2π
πT = ω
⇒ ωT = 2π
U sec max
Usec moy = (- 1
ω
cos 2π + 1
ω
cos 0 )
T

= Usec moy = 0

 Valeur efficace Veff

f eff
2
(t)= 1
T
∫θ f 2 ( t ) dt

U2sec eff = T1 ∫T0 ( Usec max sin ωt ) 2 dt

16
 U 2sec max T
U2
sec max = ∫0 sin2 ωt . dt
T

1- cos 2 ωt
π cos 2ωt = 1-2 sin2 ωt ⇒ sin2 ωt =
2

U 2sec max 1
U2
sec eff = ∫ ( 1-cos 2ωt ) dt
2T 0
U 2sec max T
= t− 1
2ω
sin 2 ω t
2T 0
2
U
= sec max
(T- 1
2ω
sin 2ωT - 0 + 1
2ω
sin 0 )
2T
U 2sec max U
U2
sec eff = ⇒ Usec eff = sec maz
2 2

Usec max = 2 Usec eff

b ) Signal après le redressement monoalternance

 U R = U sec max sin ωt

avec ω = 2πf ( f = 50 Hz )

 Période et fréquence

T = Ti et f = f i = 50 Hz

 Valeur maximale - valeur efficace

UR max = 2 UR eff

 Valeur moyenne

UR moy = 1
T
∫T∕2
0 Usec max sin ωt dt

U sec max T∕2

= − 1
ω
cos ω t
T 0

17
 U sec max
= − 1
ω
cos ω2 t + 1
ω
cos 0
T
U sec max
= − cos T + cos 0
ω T
U sec max × 2
=
2π

U sec max 2 U sec eff

U R moy = =
π π

c ) Signal après le point de Graëtz redressement double alternance

SCHEMA

 UR = Usec max sin ωt

 Période et fréquence

T= Ti
2
et f = 2f i

 Valeur maximale - valeur efficace

UR max = 2 Ueff

 Valeur moyenne
Ti

UR moy = 1
Ti
∫0 Usec max sin ωt. dt
2

T i∕2
= 2
Ti
Usec max − 1
ω
cos ωt
0

2 U sec max ω Ti
= ( - cos + cos 0 )
ωT i 2

U sec max
= ( - cos π + cos 0 )
π
U sec moy 2 2
U R moy = 2 = U sec eff
π π

18
 LE FI LTRAGE

OBJECTIFS GENERAUX
 Définir et reconnaître les filtres d'alimentations
 Reconnaître les filtres à capacité en tête
 Reconnaître les filtres à self en tête
 Tracer le chronogramme du signal filtré

A- Définition et reconnaissance
Est appelé filtre en électronique tout dispositif qui à partir des signaux d'entrées de
fréquence diverse sélectionne certains signaux de fréquence appropriée et ceux là
seulement.

Principe
Le filtrage n'est qu'une étape dans la réalisation d'une alimentation stabilisée. Il
intervient après le redressement suivant le schéma ci-après.

La tension obtenue à la sortie du redresseur est bien sûr une tension continue, mais
pulsée ( redressée ) pouvant être utiliser en électronique pour charger les battéries,
faire fonctionner les moteurs à courant continu etc. . . mais elle est inéfficace pour
plusieurs autres applications d'où la nécessité de procéder au filtrage. Le but de
filtrage est d'obtenir une tension ondulée ( proche d'une tension continue ) à partir de
la tension redressée.

B- Filtre à self en tête

19
Ils sont utilisés dans les circuits ou d'importants débits de courant sont nécessaires.
Leur inconvénient provient du fait que les bobines occupent trop de place et
reviennent cheres.
Le schéma du filtrage à self.

C- Filtre à condensateur en tête

20
Les filtres à condensateur en tête s'utilisent lorsque de fortes puissances ne sont pas
exigées.

D- Obtention de la tension ondulée à partir de la tension pulsée et décharge du

condensateur

Au départ ouvrons K 2 et fermons K 1. Le condensateur C se charge suivant le

sens de la maille I. La tension à ses bornes croit suivant la formule

V charge = V 0 ( 1 - e− RCt )

Ouvrons K 1 et fermons K 2 . Le condensateur C se décharge à travers la résistance R C

suivant la formule

V déch = V 0 e− Rct C

21
Dans les 2 cas le courant de charge ou de décharge est
avec τ = RC
I = I0 e− τt

Les courbes de la variation de la tension aux bornes du condensateur sont représentées

sur les figures ci-dessous

VC à partir de la tension

redressée monoalternance

22
 VC à partir de la tension

redressée double alternance

Dans plusieurs cas la réalisation de la fonction de filtrage consiste à brancher un

condensateur électrochimique ( polarisé ) en parallèle avec la charge comme l'indique
la figure ci-dessous

23
 LES TRANSISTORS

OBJECTIFS GENERAUX
A la fin du cours sur les transistors l'étudiant doit être en mesure:
 D'identifier les types de transistor
 D'expliquer l'effet transistor
 De tracer les différentes caractéristiques du transistor
 De reconnaître les montages fondamentaux des transistors
 D'expliquer l'influence de la température sur le fonctionnement du transistor
 De procéder enfin au calcul des circuits simples à base de transistor.

A-Introduction
Le transistor tout comme la diode est un semi conducteur composé de deux jonctions
PN. Le transistor est un élément actif non moins utilisé en électronique.

B- Transistor bipolaire
1 ) Les deux types de transistor
Le transistor bipolaire est un semi-conducteur composé de 2 diodes. Il possède trois
électrodes:
 L'emetteur ( E )
 La base ( B )
 Le collecteur ( C )
Selon le types de porteur majoritaire dans la base on distingue deux type de transistor.
 Si les porteurs de charges majoritaires dans la base sont des électrons ( Zone N )
alors le transistor est de type. PNP
 Si les porteurs de la charges majoritaires dans la base sont des trous ( Zone P )
alors le transistor est de type NPN.
Les structures et les symboles des transistors se présentent comme suit:

24
Symbole d'un transistor NPN Symbole d'un transistor

PNP
Il existe des transistors en boîtier T0220, T03 etc...

Le transistor est le plus souvent utilisé comme amplificateur. Mais malgré qu'il
possède trois broches le transistor doit être vu comme un quadripole d'où la nécessité
d'utiliser 2 fois une broche. On dit que cette broche est commune. A ce titre on
distingue les montages: Emetteur commun, Collecteur commun, Base commune.

2- Polarisation des transistors

Ils existe trois modes ( ou régimes ) de fonctionnement du transistor
 Le fonctionnement en régime normal: la jonction B-E en polarisée en direct et la
jonction B-C est polarisée en inverse
 Mode bloquée: B-E en inverse et B-C en inverse
 Mode saturée: B-E en directe et B-C en directe
De ces trois régimes, c'est au régime normal que nous nous intéresseront dans l'étude
au transistor.
Rappelons qu'en mode normale la jonction B-E est polarisé en direct et B-C en inverse
comme l'indique la figure suivante.

25
Expérience 1
Polarisons uniquement la jonction B-E en directe c'est à dire
K1 fermé et K 2 ouvert: elle est fortement conductrice.

Expérience 2
Polarisons uniquement la jonction B-C en inverse c'est à dire K1 ouvert, K 2 fermé: elle

conduit faiblement
Expérience 3
Polarisons simultanément la jonction B-E en directe et la jonction B-C en inverse c'est
à dire K1 et K 2 fermé

On remarque qu'un faible courant dans la base provoque la circulation d'un courant
très important dans le collecteur. On parle d'effet transistor.
Quelque soit le type de transistor on a:
τ E = IC + I B

IC = β I B

avec β = h FE gain statique en courant

26
 LES MONTAGES FONDAMENTAUX
DES TRANSISTORS

OBJECTIFS GENERAUX
 Identifier les types de montage
- Emetteur commun
- Base commune
- Collecteur commun
 Savoir dans quelle circonstance on utilise les dits montages.

1 ) Principe
Le transistor quoique possédant trois broches peut être considérer comme un
quadripôle. Pour y parvenir on prend l'une des trois broches ( E, B, C ) comme la
broche commune et pour celà, elle est utilisée deux fois.

2 ) Montage de transistor en émetteur commun

Sur ce schéma, l'émetteur est considéré comme référence. Le rapport de la variation

du courant de sortie ( courant collectif ) à la variation du courant d'entrée, du courant
∆IC
de base est β=
∆I B

Le montage émetteur commun s'utilise en amplification c'est d'ailleurs le plus utilisé

de tous les montages fondamentaux
3 ) Montage du transistor en base commune

27
Ici la base est prise comme référence. Le gain en courant est
∆I C
∝= ( ∝ <1 )
∆I E

Le montage base commune sert d'étalage séparateur. il est également utilisé en

amplification HF ( Haute Fréquence )

4 ) Montage du transistor en collecteur commun

Dans ce cas le collecteur est pris comme référence et le gain en tension est inférieur à 1
∆IE
AV = 1 et A I =
∆IC

Le montage collecteur commun est utilisé comme adaptateur d'impédance.

Le montage collecteur commun est un amplificateur de puissance. ( A V moyen; A I

moyen; A P grand )

Le montage base commune est un amplificateur de tension

( AV moyen; A I faible; A P moyen )

28
Le montage émetteur commun est un amplificateur de courant
( AV faible; A I moyen; A P moyen )

5 ) Relation utiles dans un transistor

IE = IC + IB

IC
β = h IE = ( gain statique en courant )
IB
IC
∝= ( 0,95 ≤ ∝ ≤ 0,99 )
IE
IC
β= ⇒ IC = β IB
IB

IB = IE - IC

= IE - ∝ IE

IB = IE ( 1 - ∝ )
∝ IE ∝
donc β = =
( 1− 2 ) I E (1 − ∝)

β =

∝
IC = β IB

or IE = IC + IB

= β IB + IB

= IB ( 1 + β )
β IB β
donc ∝ = =
I B ( 1+ β ) 1+ β

29
 ∝=
β
( 1+ β )
6 ) Détermination de la droite de charge d'un transistor

La droite de charge d'un transistor est la courbeIC = f ( VCE )

pour se faire on minimise I B devant IC

I E = IC + I B

I B ≪ IC

⇒ I E ≃ IC
Toujours sur la droite de charge on retrouve le point de repos
V CEQ 
IQ  
 . Il existe deux types de droites de charge:
I
 CQ 

- La droite de charge statique obtenue lorsqu'on est en continu et

- La droite de charge dynamique obtenue lorsqu'on est en alternatif
EXERCICE
- Représenté les droites de charge statique et dynamique de l'amplificateur représenté
ci-dessous

- Ce et C s sont des condensateurs de couplage

- C est un condensateur de découplage

En alternatif ces trois condensateurs sont court-circuités et Vcc est renvoyé à la masse;
En continu il se comporte comme des interrupteurs ouverts.

30
* Au point de blocage on IC = 0

⇒ VCC - IC bloc (Rc + R E ) - VCE bloc = 0

⇒ VCEbloc = VCC

Soit A le point. On a A (0)

V CC

* Au point de saturation B on a VCE = 0

⇒ VCC - IC sat (RC + R E ) - VCE sat = 0

V CC
⇒ IC sat =
RC + R E
 0 

V CC 
d'où B  

RC + RC 
 

La droite de charge est donc la suivante

Le schéma équivalent en continu peut également se présenté sous la forme suivante.

31
 R1 R2
avec R th = R1 ⁄⁄ R 2 =
R1 + R2

R2
Eth = V
R1 + R2 CC

N.B : Dans un transistor, la puissance P vaut

P = VCE IC + V BE I B

( P ≃ VCE IC )

Détermination de la droite de charge dynamique

Le schéma équivalent en dynamique est le suivant.

32
VCE + Réq i c = 0


V
 CE = V CE − V CEQ

Or 

i = I C − I CQ
 C

VCE - VCEQ + Réq ( IC - ICQ ) = 0

On détermine ICsat et VCEblic puis on dessine la droite de charge

Remarque : Le point de repos Q est parfaitement centré en classe A si et seulement si

V CEQ
= rc + re
I CQ

33
Les deux transistors montés de telle manière que les collecteurs réunis comme
ci-dessus sont dits montés en Darlington ; Le gain global du système est β = β1 β2 . Les

avantages d'un tel montage sont multiples : outre la possibilité que le système offre
d'amplifier les courants faibles, le montage Darlington permet d'accroître le gain en
courant.

LES COURBES CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR

Objectif général
- Tracé les réseaux des caractéristiques du transistor ( caractéristique d'entrée , de
sortie, de transfert en courant, de transfert en tension ) .
- Déterminer graphiquement la pente du transistor
- Déterminer les limites d'utilisations du transistor.
1° Définition
Les courbes caractéristiques du transistor sont des courbes représentants des fonctions
mathématiques. Elles traduisent graphiquement les relations qui existent entre les
différentes grandeurs variables tel que les tensions et les courants.
2° Différentes sortes de caractéristiques
On distingue deux classes de caractéristique : les caractéristiques qui sont celles
relevés en absence de charge à la sortie de l'étage et les caractéristiques dynamiques
qui sont celles relevés lorsque le transistor est à l'état chargé.

34
Le montage expérimental comporte outre les sources de tension

V BB et VCC 1 microampèremètre A , 1 multi ampèremètre et 2 volmètres.

a ) Caractéristique d'entrée I B = f ( V BE )
La caractéristique obtenu en faisant V BE rappelle la caractéristique

volt-ampèremétrique de la diode par son allure.

On ne note un courant de sortie que pour les valeurs V BE supérieur à la

tension seuil. Cette caractéristique permet la détermination de la résistance

d'entrée.

∆V BE
RE =
∆I B

b ) Caractéristique de sortie IC = f ( VCE )

La courbe obtenu à trois zones. Au début nous avons une zone où le

courant I C croît lorsque V CE augmente : c'est la zone dite de saturation.

Une fois que le courant IC a atteint la valeur IC sat il cesse de croître. C'est le
début de la deuxième zône dite zône d'utilisation. C'est une zône dans laquelle la
courbe est presque linéaire. Au delà d'une certaine valeur de V CE ( V CE max ) . On

constate une croissante brusque de IC : c'est le phénomène d'avalanche.

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 ∆ V CE
La résistane de sortie est R S = .
∆ IC

Au delà de VCEmax il y a la troisième zône.

c- Caractéristique de transfert en courant IC = f ( I B )

Sur le graphique, différentes valeurs de V CE sont représentées. Une partie dans

laquelle IC est proportionnelle à I B . Ce qui prouve bien que

∆ IC
β=
∆ IB

Avec β gain statique en courant du transistor.

d- Caractéristique de transfert en tension
V BE = f ( VCE )

Cette courbe est obtenue par variation VCE . On procède à la lecture des valeurs de V BE

sur un volmètre, le courant I B étant maintenu constant.

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3° Limites d'utilisation du transistor

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* Zône 1

Elle est caractérisée par une tension VCE en deçà de VCESat c'est la zone de saturation.

* Zône 2
Le courant I B est nul et on a : VCESat < VCE < VCE max c'est la zône de blocage.

* Zône 3
Cette zône est destructive pour le transistor. Car V CE > V CE max c'est donc une zône

interdite.
* Zône 4
Elle est également dite interdite puisqu'elle est limitée par une hyperbole de
dissipation.
Elle est destructive pour le transistor à la température de jonction maximale fixée par
le constructeur
Pd max ≃ VCE max IC ( puissance maximale de sortie )

* Zône 5
C'est la zône d'utilisation du transistor. C'est là que peut être éventuellement
choisi les points de repos où de fonctionnements des transistors. Dans cette zone,
le transistor fonctionne comme amplificateur.

Influence de la température sur le fonctionnement de transistor

Objectifs généraux
- Citer les influences de la température sur le fonctionnement du transistor.
- Expliquer le phénomène emballement thermique
I- Influence de la température.

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Des semi- conducteurs en général sont sensibles à l'évolution de la température.
En effet, l'augmentation de la température entraîne un déplacement des
caractéristiques d'entrée et de sortie des transistors vers le haut, c'est à dire vers
les courants forts.
La conséquence est que le point de fonctionnement du transistor sur la droite de
charge est également déplacé, ce qui amène des distorsions.

Modification des caractéristiques en transistor en fonction de la température.

II- Emballement thermique
On se rappelle que l'une des caractéristiques de tranisistor est sa puissance dissipée P

d . Ainsi, le température des transistors en fonctionnement dépend non seulement de la

température ambiante mais aussi de son échauffement propre à cause de la puissance

dissipée ( Pd )

Pd ≃ VCE IC

Lorsque cette puissance dissipée augmente, il y a également augmentation de la

température du transistor. Cette augmentation de la température entraîne le
déplacement des caractéristiques du transistor vers les courants forts. ( d'où une
augmentation de IC )

L'augmentation de I C entraîne à nouvau une augmentation de P d et le phénomène

continu et s'accentue : on dit qu'il y a "emballement thermique".

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