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Chapitre 4

Semiconducteurs à l'équilibre

1
Quelques Applications des semiconducteurs

2
1. Structure de la matière
Cas du cristal Cas de l’atome
3
Structure des bandes

E
Bande de Conduction (BC)
EC :Énergie minimale de la BC
EC
Ordre de grandeur 2 bandes permises séparées Eg
par une bande interdite (BI)
Matériau Eg (eV) k
C (diamant) 5.47 appelée gap notée Eg
Ge 0.66
Si 1.12 Bande de Valence (BV)
GaAs 1.43 EV :Énergie maximale de la BV
ZnO 3.3

1 eV = 1.6 10-19 J Eg= EC - EV

4
Les différents types de Matériaux

Valeur du gap

BV est la dernière bande permise complètement occupée par des


électrons. BC est vide ou partiellement vide, elle est vide quand
le solide ne reçoit aucune énergie de l’extérieur.
Rq: Une bande vide ou pleine ne contribue pas à la conduction.
Résistivité : Métaux ρ < 10-3 Ω.cm
L Isolants ρ > 108 Ω.cm

R =ρ Semiconducteurs 10-3 < ρ < 108 Ω.cm


S 1
ρ= σ Conductivité (S/cm)
σ 5
Matériaux Semiconducteurs : classification selon la composition

• Colonne IV : éléments ou composés: Si, Ge, C, …


• III - V : composés binaires , ternaires ou quaternaires:
GaAs, InSb, AlxGa1-xAs, AlxGa1-xAsyP1-y
• II - VI : CdTe, HgTe…

GAZ
RARES
2 4,003

He
1s2

3A 4A 5A 6A 7A Hélium
5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

B C N O F Ne
1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6

Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon


13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6

2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon


30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

Zn Ga Ge As Se Br Kr
(A r)3d104s 2 (A r)3d104s 24p1 (A r)3d104s 24p2 (A r)3d104s 24p3 (A r)3d104s 24p4 (A r)3d104s 24p5 (A r)3d104s 24p6

Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton


48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6

Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon


80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6 6
Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
Classification des Semiconducteurs selon la structure des bandes

SC à gap direct SC à gap indirect


(ex. GaAs) (ex. Si, Ge)
Applications Mauvais émetteur
optoélectroniques de lumière
DEL- Diodes laser

1.240
=
(
7
2. Classification des Semiconducteurs selon la pureté

- Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est idéalement


pur. (moins de 1 atome étranger pour 1011 atomes de semi-
conducteur).

- Un semi-conducteur est dit extrinsèque lorsqu'il est dopé. Le


dopage consiste à substituer un atome du réseau cristallin par un
atome de valence différente.
→ Le dopage sert à augmenter la concentration des porteurs et
ainsi s’affranchir de la dépendance en température.

Ordre de grandeur du dopage


- dopage faible : 1014 atomes/cm3 (N− ou P−);
-dopage normal : 1016 atomes/cm3 ( N ou P);
- dopage fort : 1018 atomes/cm3 (N+ ou P+).
8
3. Population des porteurs de charges libres (PCL)

Semiconducteurs intrinsèques

À 0 k et à l’obscurité
Matériau isolant
À T > 0 K et /ou avec éclairement
Matériau SC

Génération de paire électron trou


9
Semiconducteurs intrinsèques

Recombinaison radiative Recombinaison non radiative

n : Concentration ou densité des électrons dans BC à température T


p : Concentration ou densité des trous dans BV à température T
ni : Concentration ou densité intrinsèque
−3
SC intrinsèque → n = p = n i ( cm ) 10
Semiconducteurs extrinsèques

Dopage de type n
On remplace un atome de Si par un atome pentavalent (P-As-Sb )
4 électrons sont pris dans les liaisons, le 5ème électron gravite autour
l'ion de P+. Les porteurs majoritaires sont les é, les porteurs
minoritaires sont les trous.

Schématiquement :

Ec-Ed<<Eg
P → P+ + 1e- Energie d’ionisation
Atome donneur des donneurs
11
Semiconducteurs extrinsèques

A la température ambiante, la quasi-totalité des atomes


donneurs sont ionisés. Les atomes donneurs de
concentration ND vont libérer n ≈ ND électrons libres.

Les concentrations en électrons libres (n) et en trous libres


(p) sont liées par la loi d’action de masse :

n.p = ni2
Exemple : un cristal de silicium est dopé avec des atomes
d'antimoine avec une concentration 1018 cm-3. On donne
ni=1,5 1010 cm-3 à 300 K, calculer la concentration des
électrons et celle des trous.

12
Semiconducteurs extrinsèques

Dopage de type p
On remplace un atome de Si par un atome trivalent ( B, Al, In, Ga)
3 électrons sont pris dans les liaisons, dans la 4ème liaison il y a une
place libre.
Les porteurs majoritaires sont les trous, les porteurs minoritaires
sont les é.
Schématiquement :

Ea-Ev<<Eg
Energie d’ionisation
B + 1e- → B- des accepteurs
Atome accepteur 13
Semiconducteurs extrinsèques

A la température ambiante, la quasi-totalité des atomes


accepteurs sont ionisés. Les atomes accepteurs de
concentration Na vont libérer p ≈ Na trous libres.

Les concentrations en électrons libres (n) et en trous libres


(p) sont liées par la loi d’action de masse :

n.p = ni2

14
4. Production des porteurs de charges libres (PCL)
Le niveau de fermi EF
EF traduit la répartition des électrons dans ce système en fonction de la
température:
- EF est le niveau énergétique le plus élevé qu’un électron puisse
occuper à 0 K → un niveau de remplissage du solide par les électrons.

- A T > 0 K, l’é peut occuper un niveau d’énergie E>EF, le taux


d'occupation des états d’énergie E par les é est donné par la distribution
de Fermi-Dirac:
f (E) =
nb de places occupées 1
=
nb de places disponibles 1 + exp E − EF
kBT

15
4. Production des porteurs de charges libres (PCL)

Rq:
- Pour les SC dégénérés (fortement dopés) EF est dans une bande
permise.
- Pour les SC non dégénérés, Ev<EF<Ec
- Pour les trous, la probabilité qu'un niveau E soit occupé par un
trou est 1-f(E).

Si E - EF est de l'ordre de 5 kBT, 1 est négligeable devant


l'exponentielle (150), la fonction de FERMI se ramène à une
distribution de BOLTZMANN :
f(E) ≈ e-(E-EF) / kT

16
Concentration des porteurs de charges libres

Avec la notion de la densité volumique d'états d'énergie g(E) :


nombre de places disponibles par unité de volume dans la tranche
d'énergie dE et en utilisant l’approximation de Boltzmann
→ Concentration des porteurs : électrons dans la BC

n =  g(E ) f (E )dE
EC
→ Concentration des porteurs : trous dans la BV

EV

p =  g (E )(1 − f (E ))dE
−∞

17
Concentration des porteurs de charges libres
Dans le cas de SC non dégénérés, les concentrations de trous p dans BV
et d'électrons n dans BC sont :
(EC − EF ) (EF − EV )
n = NC .exp − p = Nv .exp −
k BT k BT

Nc est la densité effective d’états des électrons dans BC : nombre de


niveaux d’énergie disponibles dans BC (2.82 1019 cm-3 à 300 K pour Si)
Nv est la densité effective d’états de trous dans BV: nombre de
niveaux d’énergie disponibles dans BV (1.83 1019 cm-3 à 300 K pour Si).
3/2
 2 π . m kT 
* 3/2
 2 π . m *p kT 
avec N = 2.  n
 et N v = 2.  
c 2  h 2 
 h   
Eg
− 1
-
Eg 3
Eg
p.n = N c .N v .e kT ni = (Nc N v ) e 2 2kT
= A.T .exp ( −
2
2kT
)

ni une constante pour un matériau et une température donnée à


l'équilibre thermodynamique 18
Semiconducteurs extrinsèques: Équation de neutralité électrique

E
SC Compensé: SC dopé BDC
EC
avec ND atomes Donneurs ED Ed
et NA atomes Accepteurs
EA
n×p = n 2
i
EV
BDV

neutralité électrique du cristal après dopage


charges (+) = charges (-)

p + N +D = n + N −A
À Tamb toutes les impuretés sont ionisées : N D = N +D et N A = N −A

L’équation de neutralité électrique:


p + ND = n + NA
19
Semiconducteurs extrinsèques: Équation de neutralité électrique

SC Compensé: SC avec ND Donneurs et NA Accepteurs


 (N D − N A ) + (N D − N A ) 2 + 4n i2
n =
 2

 - (N D − N A ) + (N D − N A ) 2 + 4n i2
p = 2
Si Nd = Na → n=p, SC intrinsèque par compensation
Si Nd > Na et Nd-Na >> ni → n>p, SC type n par compensation
n= Nd-Na p= ni²/(Nd-Na)
Si NA > ND et Na-Nd >> ni → p>n, SC type p par compensation
p= Na-Nd n= ni²/(Na-Nd)

Exemple :Du silicium est dopé à l'indium avec une concentration de


1016cm-3 et à l'arsenic avec une concentration de 1017 cm-3. Calculer à
l’équilibre thermodynamique n et p. On donne ni² = 2 1020 cm-6. 20
Calcul de la position du niveau de fermi - SC intrinsèque

SC intrinsèque:
EF − EC EV − EF
n = NC exp p = NV exp
kBT kBT

EC + EV kBT NV EC + EV 3kBT m*p


EFi = + ln = + ln *
2 2 NC 2 4 mn

le niveau de FERMI intrinsèque EFi est presque au milieu de la BI

21
Calcul de la position de EF - SC extrinsèques

N  N N
E FN = E c − kT.ln  c  ΔE n = E Fn - E Fi = kT.ln ( d ) E Fi = E c - kT.ln ( c )
 n  ni ni
Type N

 Nv  Na
E FP = E v + kT.ln  ΔE p = E Fi - E Fp = kT.ln ( )
 p  ni
Type P

22
5. Variation de la concentration des porteurs en fonction de la T

Chaque atome de P ajoute un niveau d'impureté à Ed (<< Eg)


en-dessous de EC (Concentration ND)
E
Quelques énergies de liaison
BC
EC
T=0K

ED Ed EC-ED (meV) P As Sb
Si 45 49 39
Ge 12 13 10
EV
BV

E ND+ : concentration
BC des donneurs ionisés
EC
T>0K

ED Ed
+ ND
état état N =
 EF − ED 
ionisé neutre D

EV 1 +1/ 2 exp 
BV
 kBT 23 
5. Variation de la concentration des porteurs en fonction de la T

SC type n, i.e. NA = 0 : n = p + ND+

- Régime de gel
NC ND − (EC − ED )
n= exp
2 2kBT

- Régime de saturation
ni2
n = ND ; p=
n

- Régime intrinsèque
− Eg
p = n = n i = NCNv exp
2kBT
24
5. Variation de la concentration des porteurs en fonction de la T

En résumé :
Régime extrinsèque
intrinsèque

Ln n ~Eg

Régime Régime
de saturation de gel
Ln ND

~(EC-ED)

1/Ti 1/Tg 1/T

25
6. Transport des charges par conduction
r r
1er cas: SC isolé E = 0

Les PCL sont animés d’un mouvement rapide d’agitation


thermique engendrant des collisions multiples.
Le temps de relaxation τ, l’intervalle de temps qui s’écoule entre
deux chocs successifs.
Les électrons se déplacent en tous sens et comme aucune
direction n’est privilégiée, on n’observe aucune circulation de
charges à l’échelle macroscopique et donc pas de conduction
électrique.

26
6. Transport des charges par conduction
r r
2ème cas: SC non isolé E ≠ 0
Vitesse de dérive V
r r V = µ.E
F = q.E µ :Mobilité

μ= *
m

Mobilité à µn(cm²V-1s-1) µp(cm²V-1s-1)


300K
Ge 3900 1900
Si 1500 475
GaAs 8500 400

* µp<µn car mn*< mp*et τp< τn


3

* μ = a.T 2
27
Le nb de collisions s’oppose au déplacement
6. Transport des charges par conduction

Electron Trou
Mobilité
µn µp
µ (cm²/V.s)
Vitesse de
Vn= - µ n.E Vp= µ p.E
dérive V (m/s)
Densité de
Jn= - q.n.Vn Jp= q.p.Vp
courant
= q.n.µn.E = q.p.µp.E
J (A/cm²)
Conductivité
σn= q.n.µn σp= q.p.µp
σ (S/cm)
Jext Jext = q.(n.µn+p.µp).E = σ E
Conductivité
σi = q.ni.(µn+µp)
intrinsèque σint
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