– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – I

– Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – II

RILIEVO DELLE CARATTERISTICHE DEL BJT

OBIETTIVI:

Questa esperienza si pone come obiettivo di rilevare le caratteristiche di un transistor di tipo BJT
tramite i valori ricavati dalle misurazioni effettuate sul circuito in dotazione. I valori di misura
verranno impostati in tabelle dalle quali si ricaveranno i grafici delle caratteristiche del BJT dalle
quali si potranno rilevare le particolarità del componente posto in esame.

MATERIALE E STRUMENTI UTILIZZATI:

CARATTERISTICHE STRUMENTI UTILIZZATI:
Voltmetro 1 Voltmetro 2
N.2 Tester
N.2 Voltmetri Un 1,5 V 15 V
N.1 Bread Board C 0,1 V 1V
N.1 Resistenza 1KΩ R 15000 Ω 150000 Ω
N.1 Transistor BC 547 Costr. SEB SEB
N.1 Alimentatore Duale Class 0,5 0,5
e

PROCEDIMENTO:

Il componente posto ad esame è il transistor (transfer resistor) di tipo

BJT (bipolar junction transistor). Questo è un dispositivo (al silicio o
germanio) costituito da semiconduttori estrinseci p e n, i quali
formano due giunzioni pn (base-emettitore e base-collettore)
collegate in modo da costituire o una sequenza pnp o una npn (come
in questo caso). Per avere un corretto funzionamento del transistor vi
devono essere particolari condizioni tra cui una base molto sottile
nell’ordine dei µ m e meno drogata rispetto a quella dell’emettitore
e collettore; si distinguono quindi tre connettori: base, emettitore e
collettore. La conduzione nei transistor npn è dovuta al moto degli
elettroni liberi e presenta una tensione VCE diretta dall’emettitore al
collettore. Il transistor BJT è in grado di trasferire una variazione di
corrente da una resistenza bassa ad una di valore più elevato (in
particolari condizioni di funzionamento), ricavandone
un’amplificazione di tensione. Il circuito analizzato risulta a
emettitore comune (common emitter: CE) e si possono individuare
due circuiti distinti; IN entrata (VBE e IB) e OUT uscita (VCE e IC). Per
il rilievo delle misure si è collegato un tester (in funzione di
amperometro) in serie ad A1 (Alimentatore variabile) e un voltmetro
in parallelo (quindi a valle perché vi saranno misurazioni di R basse)
inseguito vi è il transistor posto ad emettitore comune quindi un
tester (in funzione di amperometro per il circuito d’uscita) e l’altro
voltmetro in parallelo agli altri morsetti dell’alimentatore variabile
(A2).
 – Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – III

MISURAZIONI EFFETTUATE:

Per le misurazioni del circuito d’entrata si è posto VBE come variabile indipendente (perché nel
circuito risulta più facile variare la tensione) e quindi ID come variabile dipendente; nel circuito di
uscita si dovrà avere quindi un valore fisso di VCE ≅ 5 V. Nel circuito d’uscita, invece, si rilevano le
misure di VCE e ICE per valori costanti di IB.
CIRCUITO IN: CIRCUITO OUT:

VBE IB IB0 30µ A IB1 40µ A IB2 50µ A

0,10 5 VCE ICE VCE ICE VCE ICE
0,15 9 1 5 1 0,50 1 2,83
0,20 12 2 5 2 0,46 2 2,90
0,25 16 3 5 3 0,43 3 3,01
0,30 19 4 5 4 0,43 4 3,12
0,35 22 5 5 5 0,43 5 3,31
0,40 25 6 5 6 0,43 6 3,51
0,45 29 7 5 7 0,43 7 3,70
0,50 32
8 5 8 0,43 8 3,92
0,55 36
9 5 9 0,44 9 4,25
0,60 41
10 5 10 0,45 10 4,59
0,65 55
0,70 235 11 5 11 0,45 11 4,90
0,75 1775 12 5 12 0,46 12 5,68
V µ A V µ A V mA V mA

GRAFICI CARATTERISTICI:

CARATTERISTICA IB=f(VBE) CARATTERISTICHE I B0, IB1, IB2

1800 6
1600 IB2
1400
5
1200 4
I C [mA]
IB [µ A]

1000
800 3
600 2
400
200 1 IB1
0 IB0
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 0 5 10 15
VCE [V]
VBE [V]

CONCLUSIONI E CONSIDERAZIONI:
 – Relazione n° Elettronica – Laboratorio Misure Elettriche – IV

In entrambi i circuiti si possono visualizzare le caratteristiche tramite i propri grafici; nel circuito
d’entrata la funzionalità è minimamente influenzata dal circuito di uscita e la caratteristica
d’ingresso è molto simile a quella di un diodo al silicio, che presenta una tensione di soglia Vγ≅ 0,5
V; il circuito d’uscita, invece, è enormemente influenzato dal circuito d’entrata, e presenta un grafico
costituito da una famiglia di curve in cui IC cresce lentamente all’aumentare di VCE e per valori di
VCE molto bassi <2V si osserva che le caratteristiche sono meno distinguibili, perciò il transistor
viene detto in zona di saturazione.