UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

FACULTAD DE INGENIERÍA
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA: FISICA III PROFESOR: José Sierra Ortega Ph.D.

CAPITULO 1

NOCIONES CLASICAS DE MATERIA CONDENSADA

INTRODUCCIÓN
La Física del estado sólido es una de las partes más importantes de la ciencia moderna. Gracias a los
éxitos alcanzados por la física del solido han sido posibles los grandes adelantos en la electrónica
cuántica, en la física de los semiconductores, en la física de las nanoestructuras, y en general en la
física de la creación de materiales con propiedades únicas, los cuales han sido determinantes en el
progreso de la nanotecnología.
La física del estado sólido es la ciencia de la estructura y propiedades de los sólidos así como
también de los fenómenos que en ellos ocurren. Las presente notas introductorias tiene como objeto
servir de apoyo o de guía para que los estudiantes de Ingeniería Electrónica de la Universidad del
Magdalena, tengan una noción de las ideas generales sobre la estructura de los cristales y de las
sustancias amorfas, los métodos de investigación de la estructura de los sólidos y sus diversas
propiedades: mecánicas, térmicas, magnéticas, ópticas, etc.
Este documento ha sido elaborado tratando de que contenga los tópicos básicos que se pueden
encontrar en cualquier texto sobre nociones clásica de la materia condensada, dándole una
orientación acorde en primer lugar, con la naturaleza del estudiante, que es un estudiante de
ingeniería y no de Ciencias puras, y en segundo lugar teniendo presente las necesidades actuales,
para un ingeniero electrónico, de manejar con rigor científico conocimientos y experiencias
derivadas de la física del estado sólido, los cuales son indispensables en la investigación y la
innovación tecnológica.
(Parte 1)
CONTENIDO
1.1 Red cristalina.
1.1.1 Clasificación de los cristales.
1.1.2 Tipos de enlaces: iónica, metálica, covalente y molecular.
1.1.3 Defectos en los cristales
1.1.4 Índices de dirección e índices de Miller
1.1.5 Ejercicios resueltos y propuestos
1.1.6 Bibliografía recomendada

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1.1.1 Clasificación de los cristales
La mayoría de los cuerpos sólidos en la naturaleza, tienen estructura cristalina. Por ejemplo, casi
todos los minerales y todos los metales en estado sólido son cristales. El rasgo característico del
estado cristalino, que lo distingue de los estados líquido y gaseoso, es la anisotropía, es decir, que
una serie de propiedades físicas (mecánicas, térmicas, eléctricas, ópticas) dependen de la dirección.
Se llaman isótropos aquellos materiales cuyas propiedades son iguales en todas las direcciones.
Además de los gases, son isótropos todos los líquidos. La causa de la anisotropía de los cristales es la
disposición regular de las partículas (átomos y moléculas) de las que está formado el cuerpo. La
disposición regular de las partículas se manifiesta en el tallado exterior regular de los cristales. Los
cristales están limitados por caras planas que se cruzan bajo ciertos ángulos, determinados por la
especie dada de cristales. La fragmentación de los cristales ocurre con mayor facilidad por
determinados planos que reciben el nombre de planos crucero.
La regularidad de la forma geométrica y la anisotropía de los cristales no se manifiestan a causa de
que los cuerpos cristalinos son, como regla, policristales, es decir, en forma de conglomerados de
pequeños cristales, orientados de modo irregular, que entre sí se han adherido. En los policristales la
anisotropía sólo se observa en los límites de un cristal aislado, mientras que en el cuerpo en su total
no se observa la anisotropía a consecuencia de la orientación irregular de los cristales. Creando
condiciones especiales de cristalización de un fundido o solución pueden ser creados grandes
cristales, llamados monocristales de toda sustancia. Los monocristales de ciertos minerales se
encuentran en la naturaleza en estado natural. La regularidad de disposición de los átomos del cristal
consiste en que éstos (o las moléculas) se sitúan en los nudos de una red espacial geométricamente
regular.
Todo el cristal puede ser obtenido
mediante la múltiple repetición en tres
diferentes direcciones de un mismo
elemento estructural que recibe el nombre
de celda cristalina elemental (Fig.
1.1(a)). Las longitudes de las aristas a, b
y c de la red cristalina se denominan
períodos de identidad del cristal o
constantes de red. La celda cristalina es
un paralelepípedo construido sobre tres Fig.1.1 (a) Representación esquemática de la red
cristalina y (b) una celda cristalina elemental
vectores , , , cuyos módulos son
iguales a los períodos de identidad. Además de las aristas a, b, c, el paralelepípedo se caracteriza
también por los ángulos , entre las aristas (Fig. 1.1 (b)). Las magnitudes a, b, c y
determinan unívocamente la celda elemental y se llaman parámetros de la red.
La celda elemental puedo ser escogida de diferentes maneras. Esto se muestra en la Fig. 1.2, para un
ejemplo de una estructura plana. El cubrimiento de una pared mediante baldosas triangulares oscuras
y claras, puede ser realizado por la múltiple repetición en dos direcciones de diversos tipos de celdas
(Véanse, por ejemplo, las células 1, 2 y 3; con flechas se indican las direcciones por las que las
células se repiten). Las celdas 3 y 2 se distinguen por contener la cantidad mínima de elementos
estructurales (un baldosín claro y uno oscuro). La celda cristalina que contiene la menor cantidad de
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átomos, que caracterizan la composición química de una
sustancia cristalina (por ejemplo, un átomo de oxígeno y
dos de hidrógeno para el cristal de hielo), recibo el
nombre de celda primitiva. No obstante, en lugar de la
primitiva se elige la celda elemental con mayor número
de átomos pero que posee la misma simetría que el cristal
entero. Así, la estructura plana mostrada en la figura 1.2,
al girar 120° alrededor de cualquier eje perpendicular a
ella y que pasa por los vértices de las baldosas, coincide
consigo misma. Esta misma propiedad la tiene también la
célula 3. Las células 1 y 2 tienen menor grado de Fig.1.2 Ilustración de varias posibilidades
simetría: coinciden consigo mismas sólo al girar a 360°. para escoger la celda elemental

Una red cristalina puede tener diversos tipos de simetría. Entendemos por simetría de una red
cristalina, la propiedad de ésta, de coincidir consigo misma después de ciertos desplazamientos
espaciales. Ante todo, toda red tiene simetría de traslación, es decir, coincide consigo misma después
de desplazamientos (traslaciones). Entre otros tipos de simetría señalemos la simetría con respecto a
rotaciones, es decir de giros alrededor de ciertos ejes, así como la simetría con respecto a la reflexión
especular con relación a ciertos planos. Si la red coincide consigo misma al girar un ángulo
alrededor de cierto eje (por consiguiente, al dar una vuelta completa alrededor del eje, la red coincide
consigo misma), este eje se denomina
como eje de simetría de n-ésimo orden.
Es posible mostrar que, además del eje
trivial de primer orden, solo son posibles
ejes de simetría de orden 2, 3, 4 y 6. En la
figura 1.3 se muestra esquemáticamente
ejemplos de estructuras que poseen
diferentes ejes de simetría (con círculos
Fig.1.3 Ejemplos de las redes con las simetrías de
blancos, negros y con crucecitas se
diferentes ordenes
designan los átomos de diversas especies).
Reciben el nombre de planos de simetría aquellos, en los que mediante una reflexión especular la
red coincide consigo misma. Los diversos tipos de simetría se denominan elementos de simetría de
una red cristalina. Comúnmente, la red cristalina posee simultáneamente varios tipos de simetría. Sin
embargo, no todas combinaciones de los elementos de simetría pueden ser posible, solo existen 230
combinaciones de los elementos de simetría, llamados grupos espaciales. Los grupos se dividen en
32 clases. Por último, según la forma de la celda elemental todos los cristales se dividen en sistemas
cristalográficos, cada uno de los cuales contiene varias clases de simetría y se llaman redes de
Bravais. Las redes de Bravais son una disposición infinita de puntos discretos cuya estructura es
invariante bajo cierto grupo de traslaciones (simetría trasnacional) y rotaciones (simetría rotacional).
Estas propiedades hacen que desde todos los nodos de una red de Bravais se tenga la misma
perspectiva de la red. Se dice entonces que los puntos de una red de Bravais son equivalentes.

Mediante la teoría de grupos se ha demostrado que sólo existe una única red de Bravais
unidimensional, 5 redes bidimensionales y 14 modelos distintos de redes tridimensionales.

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La red unidimensional es elemental, siendo ésta una simple secuencia de nodos equidistantes entre
sí. En dos o tres dimensiones las cosas se complican más y la variabilidad de formas obliga a definir
ciertas estructuras patrones para trabajar cómodamente con las redes. Para generar éstas
normalmente se usa el concepto de celda primitiva. Las celdas primitivas pueden contener uno o
mas átomos, pero la celda primitiva con menor multiplicidad se denomina celda unitarias, las cuales
son paralelogramos (2D) o paralelepípedos (3D) que constituyen la menor subdivisión de una red
cristalina que conserva las características generales de toda la red, de modo que por simple traslación
de la misma, puede reconstruirse la red por completo en cualquier punto. Una red típica en un
espacio de n dimensiones tiene la forma: donde es una base de
. Puede haber diferentes bases que generen la misma red pero el valor absoluto del determinante
de los vectores (cuyo valor absoluto define el volumen de la celda primitiva) vendrá siempre
determinado por la red, por lo que se le puede representar como d(R).
Las celdas unitarias se pueden definir de forma muy simple a partir de dos (2D) o tres vectores
(3D). La construcción de la celda se realiza trazando las paralelas de estos vectores desde sus
extremos hasta el punto en el que se cruzan. Existe un tipo de celda unitaria que se construye de un
modo distinto y que presenta ciertas ventajas en la visualización de la red, ya que posee la misma
simetría que la red, es la celda de Wigner-Seitz. Una celda unitaria se caracteriza principalmente
por contener un único nodo de la red de ahí el adjetivo de "unitaria". Si bien en muchos casos existen
distintas formas para las celdas unitarias de una determinada red el volumen de toda celda unitaria es
siempre el mismo.
En ocasiones resulta más sencillo construir otro tipo de celdas que sin ser unitarias describen mejor
la estructura de la red que tratamos. Este tipo de celdas se denominan celdas convencionales. Éstas
tienen, a su vez, sus propios parámetros de red y un volumen determinado. Todas estas celdas se
consideran celdas primitivas ya que son capaces de cubrir todo el espacio mediante traslaciones sin
que queden huecos ni solapamientos. Sus diferencias o características son las siguientes:
Empaquetamiento compacto: Esto es cuando los átomos de la celda están en contacto unos con
otros. No siempre será así y en muchos casos mediará una distancia mínima entre las nubes
electrónicas de los diferentes átomos.
Parámetro de red: Es la longitud de los lados de la celda unitaria. Puede haber uno, dos o hasta tres
parámetros de red distintos dependiendo del tipo de red de Bravais que tratemos. En las estructuras
más comunes se representa con la letra a, b y c.
Nodos o átomos por celda: Tal y como dice el nombre es el número de nodos o átomos que posee
cada celda. Una celda cuadrada, por ejemplo, poseerá un nodo por celda ya que cada esquina la
comparte con cuatro celdas más. De hecho si una celda posee más de un nodo de red es que no es
unitaria, en cambio si posee más de un átomo por celda pudiera ser que estuviésemos en una celda
unitaria pero con una base atómica de más de un átomo.
Número de coordinación: Es el número de puntos de la red más cercanos, los primeros vecinos, de
un nodo de la red. Si se trata de una estructura con empaquetamiento compacto el número de
coordinación será el número de átomos en contacto con otro. El máximo es 12.
Factor de empaquetamiento: Fracción del espacio de la celda unitaria ocupada por los átomos,
suponiendo que éstos son esferas sólidas. , donde f es el factor de empaquetamiento o

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fracción de volumen ocupado, n el número de átomos por celda, el volumen del átomo y el
volumen de la celda. Normalmente se suele dar el factor de empaquetamiento compacto para las
diferentes celdas como indicador de la densidad de átomos que posee cada estructura cristalina. En
este caso los átomos se tratan como esferas rígidas en contacto con sus vecinos más cercanos.
Densidad: A partir de las características de la red, puede obtenerse la densidad teórica del material
que conforma la red mediante la siguiente expresión donde es la densidad, el número
de Avogadro y m la masa atómica.
Volumen de la celda unitaria primitiva: Toda celda unitaria tiene el mismo volumen representado
por la siguiente fórmula , donde los son los vectores base de la red.
Redes bidimensionales
Según la simetría, los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen 5 tipos de las redes
cristalinas bidimensionales presentadas esquemáticamente en la Fig. 1.4

Fig.1.4 Posibles sistemas cristalográficas bidimensionales

Redes tridimensionales
En función de los parámetros de la celda unitaria, longitudes de sus lados y ángulos que forman una
red cristalina tridimensional, se distinguen 7 sistemas cristalinos. Para determinar completamente la
estructura cristalina elemental de un sólido, además de definir la forma geométrica de la red, es
necesario establecer las posiciones en la celda de los átomos o moléculas que forman el sólido
cristalino; que se denominan puntos reticulares. Las alternativas son las siguientes:
· P: Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son sólo los vértices del
paralelepípedo.
· F: Celda centrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, además de en los vértices.
Si sólo tienen puntos reticulares en las bases, se designan con las letras A, B o C según sean las
caras que tienen los dos puntos reticulares.
· I: Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda, además de los
vértices.
· C: Primitiva con ejes iguales y ángulos iguales ó hexagonal doblemente centrada en el cuerpo,
además de los vértices.

En realidad, como puede demostrarse, sólo existen 14 configuraciones básicas, pudiéndose obtener
el resto obtener a partir de ellas. Estas estructuras se denominan redes de Bravais.
En orden de simetría creciente, los sistemas cristalográficos se disponen del modo siguiente.

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1. Sistema triclínico). Para él es característico que ; . La celda elemental es un
paralelepípedo oblicuángulo.
2. Sistema monoclínico. Dos ángulos son rectos, el tercero (que, por regla, es el ángulo se
distingue del recto. Por lo tanto. ; . La celda elemental tiene la
forma de un prisma recto, cuya base es un paralelogramo (es decir, la forma de un paralelepípedo
recto).
3. Sistema rómbico. Todos los ángulos son rectos, todas las aristas, diferentes: ;
la célula elemental tiene la forma de un paralelepípedo rectangular.
4. Sistema tetragonal. Todos los ángulos son rectos, dos aristas, iguales: ;
: La celda elemental tiene la forma de un prisma recto de base cuadrada.
5. Sistema romboédrico (o trigonal). Todas las aristas son iguales, los ángulos también son iguales
y distintos del ángulo recto: ; . La célula elemental tiene la forma de
un cubo, deformado por su diagonal por la compresión o la tracción.
6. Sistema hexagonal. Las aristas y los ángulos entre ellas satisfacen las condiciones: ;
. Si las ponemos juntas las celdas eleméntales son de la forma de un
prisma hexagonal regular.
7. Sistema cúbico. Todas las aristas son iguales, todos los ángulos son rectos: ;
. La célula elemental tiene la forma de un cubo.

Los correspondientes sistemas cristalinos se presentan en las Tabla 1.1 y 1.2 a continuación

Tabla 1.1: Los siete sistemas cristalinos

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Tabla 1.2: Sistemas cristalinos y Redes de Bravais

En el caso más sencillo, a cada punto de red le corresponderá un átomo, pero en estructuras más
complicadas, como materiales cerámicos y compuestos, cientos de átomos pueden estar asociados a
cada punto de red formando celdas unitarias extremadamente complejas. La distribución de estos
átomos o moléculas adicionales se denomina base atómica y esta nos da su distribución dentro de la
celda unitaria. Existen dos casos típicos de bases atómicas. La estructura del diamante y la
hexagonal compacta. Para redes bidimensionales un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura
sigue un patrón de red en panal.

1.1.2 Tipos de enlaces: Iónico, Metálico, Covalente y Molecular

Dependiendo de la naturaleza de las partículas situadas en los nudos de la red cristalina y del
carácter de las fuerzas de interacción entre las partículas, se distinguen cuatro tipos de redes
cristalinas y, correspondientemente, cuatro tipos de cristales: iónicos, covalentes u homopolares,
metálicos y moleculares

1. Cristales Iónicos. En los nudos de la red cristalina se disponen iones de diferentes signos. Las
fuerzas de interacción entre ellos son, fundamentalmente, electrostáticas (Coulombianas). El enlace

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condicionado por las fuerzas electrostáticas de atracción entre los iones cargados de diferente signo,
recibe el nombre do heteropolar (o bien iónico). El ejemplo típico de una red iónica es el Cloruro de
Sodio (NaCl), popularmente denominado sal común, sal de mesa,
representada en la Fig. 1.5. Dicha red pertenece al sistema cúbico. Con
esferitas de color naranja se representan los iones de sodio de carga
positiva, con las verdes, los iones negativos de cloro. Como vemos en la
figura, los vecinos más próximos del ión del signo dado serán los iones
de signo opuesto. En estado gaseoso, el NaCl consta de moléculas en las
que se unen a pares los iones de sodio y cloro. La agrupación del ión de
Na y el de Cl, que forma lo molécula, pierde en el cristal su existencia
por separado. El cristal iónico no consta de moléculas, sino que de iones.
En su totalidad, el cristal puede ser considerado como una gigantesca Fig.1.5 Estructura
molécula. cristalina del NaCl

2. Cristales covalentes. En los nudos de la red cristalina están situados átomos neutros. El enlace que
reúne los átomos neutros en el cristal (así como en la molécula recibe el nombre de homopolar (o
covalente). Con el enlace homopolar las fuerzas de interacción también tienen carácter eléctrico
(pero no Coulombiano). La naturaleza de estas fuerzas sólo puede ser explicada basándose en la
mecánica cuántica. El enlace covalente se efectúa por pares electrónicos. Esto quiere decir que en el
aseguramiento del enlace entre dos átomos toma parte un electrón de cada átomo. Por esta causa, el
enlace homopolar tiene carácter dirigido. Durante este enlace, cada ión actúa sobre todos los iones
que están suficientemente cerca de él. El enlace homopolar sólo puede ser realizado con los
electrones de valencia, es decir, con aquellos que están ligados con el átomo en menor grado. Como
cada electrón sólo puede asegurar el enlace con un átomo, el número de enlaces, en los que es
posible que tome parte el átomo dado (número de vecinos con los que él puede tener enlace), es
igual a su valencia.
El diamante y el grafito son ejemplos típicos de
cristales atómicos. Por su naturaleza química estas dos
sustancias son idénticas (su estructura está formada por
átomos de carbono), pero se diferencian por su
estructura cristalina. En la figura 1.6 se muestran las
estructuras del diamante y del grafito. En este ejemplo
podemos apreciar con claridad la influencia de la
estructura cristalina sobre las propiedades de la Fig.1.6 Estructura cristalina del Diamante
sustancia. y de Grafito
Los típicos semiconductores, es decir, germanio (Ge) y silicio (Si) también tienen una red como la
del diamante (red tipo diamante). Para esta red es característico que cada átomo esté rodeado de
cuatro vecinos equidistantes de él, situados en los vértices de un tetraedro regular. Cada uno de los
cuatro electrones de valencia entra en uno de los pares electrónicos, que liga el átomo dado con uno
de sus vecinos.

3. Cristales metálicos. En todos los nudos de la red cristalina se encuentran los iones positivos del
metal. Como las moléculas de un gas, entre ellos se mueven en desorden los electrones, que se
separaron de los átomos al formarse los iones. Dichos electrones juegan el papel de «pegante o

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cemento» que retiene a los iones positivos juntos; en caso contrario la red se destruiría por efecto de
las fuerzas de repulsión entre los iones. Al mismo tiempo, los electrones son rete-nidos por los iones
en los márgenes de la red cristalina y no la pueden abandonar.
La mayoría de los metales tienen redes de uno de los
tres siguientes tipos: cúbica centrada en el cuerpo
(Fig. 1.7 a), cúbica centrada en las caras (Fig. 1.7 b)
y la llamada hexagonal compacta (Fig. 1.7 c). Esta
última es una red hexagonal con la razón igual a
. Las redes cúbica centradas en las caras y
hexagonal compacta corresponden al
Fig.1.7 Redes cristalinas típicas para
empaquetamiento más compacto de bolas iguales y
enlaces metálicos
tienen el mayor factor de empaquetamiento como se
puede ver en la Tabla 1.3.

Tabla 1.3 Parámetros de redes cristalinas con enlaces metálicos

4. Cristales moleculares. En los nudos de la red cristalina están situadas las moléculas orientadas en
un modo determinado. En el cristal, las fuerzas de enlace entre las moléculas tienen la misma
naturaleza que las de atracción entre las moléculas que conducen a las divergencias de los gases
ideales. Por esta causa, dichas fuerzas reciben el nombre de fuerzas de Van der Waals. Redes
moleculares forman, por ejemplo, las siguientes sustancias: H2, N2, 02, C02, H20. Es decir, el hielo
corriente, así como el hielo seco (anhídrido carbónico sólido) son cristales moleculares. También son
cristales moleculares los materiales orgánicos sólidos, polímeros y biológicos.

1.1.3 Defectos en los cristales

Las desviaciones locales con respecto a la estructura cristalina regular reciben el nombre de defectos
de los cristales. Semejante desviación puede consistir en la falta de un átomo en el nudo de la red
(hueco o vacancia), en la sustitución de un átomo de la sustancia dada (el propio) por un átomo
diferente (la impureza), en la penetración de un átomo excesivo (suyo o extraño) en el espacio
intersticial. Semejantes defectos se denominan como puntuales y estos provocan la alteración de la
regularidad de la red que se propaga a una distancia de un orden de varios períodos.

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Además de los puntuales existen defectos
concentrados cerca de ciertas líneas que se
denominan defectos lineales o dislocaciones. Los
defectos de semejante tipo alteran la secuencia
correcta de los planos cristalinos. Los más
sencillos tipos de dislocaciones son llamados
límite o simple y en hélice. La dislocación límite
está condicionada por un semiplano cristalino
excesivo introducido entro dos capas vecinas de
átomos (Fig. 1.8 a). El extremo de dicho Fig.1.8 Dislocación (a) lineal y (b) helicoidal
semiplano forma la dislocación del tipo dado. La
línea de dislocación es una recta perpendicular al plano de la figura, marcada con el signo . La
dislocación en hélice puede ser representada como el corte del cristal por un semiplano y el posterior
desplazamiento de las partes de la red dispuestas por los dos lados del corte una hacia otra en la
magnitud de un período (Fig. 1.8b). El borde interior del corte forma la dislocación en hélice (véase
la línea de trazos en la figura). El cristal con semejante dislocación, de hecho consta de un plano
cristalino que está curvado por una superficie helicoidal (tal superficie recibe el nombre de
helicoide). La línea de dislocación coincide con el eje do la hélice. Durante cada circulación
alrededor de esta línea el plano cristalino se desplaza a un período. Hemos examinado los dos tipos
más sencillos (límite) de dislocaciones. En ambos casos las líneas de dislocación son rectas. En caso
general, dichas líneas pueden ser curvas.
Los defectos influyen en alto grado sobre las propiedades físicas de los cristales, incluida su
resistencia mecánica. En particular, las dislocaciones son la causa de que la deformación plástica de
los cristales reales transcurre al ejercer esfuerzos varias órdenes menores que las calculadas para los
cristales perfectos. En los monocristales de los metales se produce con facilidad el deslizamiento a lo
largo de las capas atómicas. No debemos imaginamos este proceso como si todos los átomos de la
capa se desplazan simultáneamente como un todo. En realidad, los átomos pasan a las nuevas
posiciones sucesivamente por pequeños grupos. Semejante desplazamiento sucesivo de los átomos
puede ser representado como el movimiento de las dislocaciones. Para el desplazamiento de las
dislocaciones son suficientes mucho menores esfuerzos que durante el movimiento simultáneo de
toda la capa atómica y la presencia de las dislocaciones explica la existencia de la deformación
plástica de los metales.
El desplazamiento de las dislocaciones se ve obstaculizado por la presencia de otros defectos en el
cristal, por ejemplo, al haber átomos de una impureza. También se frenan las dislocaciones al
cruzarse entre sí. Si en el cristal, la cantidad do dislocaciones y otros defectos es pequeña, las
primeras, prácticamente, se desplazan libremente. Como resultado, la resistencia a la deformación
plástica será pequeña. El aumento de la densidad de las dislocaciones y el crecimiento de la
concentración de impurezas, conducen un fuerte frenado de las dislocaciones, al ceso de su
movimiento, por lo que la resistencia del material aumenta. Por ejemplo, la elevación de la
resistencia del hierro se logra diluyendo en él átomos de carbono (semejante solución se denomina
Acero).

Defectos puntuales

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Vacancias
Constituye el defecto puntual más simple. Es un hueco creado por la
pérdida de un átomo que se encontraba en esa posición. Puede
producirse durante la solidificación por perturbaciones locales
durante el crecimiento de los cristales. También puede producirse
por reordenamientos atómicos en el cristal ya formado como
consecuencia de la movilidad de los átomos. (Fig. 1.9) Son las
imperfecciones más comunes en los cristales. Se dan hasta una por
cada 10000 átomos. Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a
agruparse formando clusters, que forman divacantes o trivacantes.
Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con sus
vecinos. Este proceso es importante en la migración o difusión de los
átomos en el estado sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la Fig.1.9 Vacancia
movilidad de los átomos es mayor.

Defectos intersticiales
Algunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la
red en una posición que normalmente no está ocupada formando un
defecto llamado “Defecto intersticial”. Generalmente este tipo de
defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores
puesto que normalmente el átomo es sustancialmente más grande que la
posición intersticial en la que se sitúa. Consecuentemente la formación
de este defecto no es muy probable. Se pueden introducir en una
estructura por radiación. (Fig. 1.10)
Fig.1.10 Defecto intersticial
Impurezas
Este defecto se introduce cuando un átomo es
reemplazado por un átomo diferente. El átomo
sustituyente puede ser más grande que el átomo
original y en ese caso los átomos alrededor están
a compresión ó puede ser más pequeño que el
átomo original y en este caso los átomos
circundantes estarán a tensión. Este defecto
puede presentarse como una impureza o como
una adición deliberada en una aleación. (Fig.
Fig.1.11 Defecto de sustitución o Impurezas
1.11). Dependiendo de la clase de impureza que
se halle en el cristal, de su concentración y de la temperatura se formará en el cristal una
SOLUCIÓN SÓLIDA. Cuando se habla de una solución sólida hay que hacer claridad sobre algunos
términos:
- Soluto: Es el elemento o compuesto dentro de la solución sólida, que se encuentra en menor
concentración
- Solvente: Es el elemento dentro de la solución sólida, que se encuentra en mayor concentración.
Una solución sólida se forma cuando átomos de soluto se adicionan al material y la estructura
cristalina original se mantiene. Se puede asimilar a una solución líquida en la que también los

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átomos que constituyen las impurezas (soluto) están distribuidos al azar y uniformemente dispersos
dentro del sólido. Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones sólidas pueden
generarse por dos mecanismos:
- Sustitución: Aquí el soluto o las impurezas reemplazan a
átomos originales. Esto se da cuando los átomos que constituyen
el soluto y el solvente cumplen los siguientes requerimientos
(Reglas de Hume-Rothery):
o Los radios atómicos no difieran más del 15%
o Las estructuras cristalinas deben ser las mismas
o Las electronegatividades deben ser similares ya que de
otra manera reaccionarían y se formarían nuevos
compuestos
o Deben tener la misma valencia Fig.1.12 Solución sólida por
Un ejemplo de solución sólida en metales lo constituyen el sustitución de Cobre y Níquel
Cobre y el Níquel. Se presenta en la Fig. 1.12

- Intersticial: Aquí los átomos de las impurezas llenan los vacíos o intersticios dentro del material
original. En la mayoría de los materiales metálicos el empaquetamiento atómico es alto y los
intersticios son pequeños. Consecuentemente los diámetros de los átomos que constituyen las
impurezas intersticiales deben ser sustancialmente más pequeños que los del material original, razón
por la cual este defecto es mucho menos común. Un ejemplo de este tipo de impureza por sustitución
lo constituyen el carbón y el hierro. En una solución sólida de estos dos elementos, el carbón puede
sustituir al hierro en no más del 2%.

1.1.4 Índices de dirección e índices de Miller

Índices de Miller para las direcciones cristalográficas
Dirección cristalográfica: vector que une dos puntos de la red cristalina.
Procedimiento para determinación de los índices de Miller de una dirección cristalográfica:
1. Trasladar el “vector dirección” de manera que pase por el origen del sistema de coordenadas.
2. Determinar la proyección del vector en cada uno de los tres ejes coordenados. Esas
proyecciones deben ser medidas en términos de los parámetros de red (a,b,c)
3. Multiplicar o dividir esos tres números por un factor común, de tal forma que los tres
números resultantes sean los menores enteros posibles.
4. Representar la dirección escribiendo los tres números entre corchetes: [u v w].
Direcciones cristalográficas: ejemplo

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Nota: A veces no es necesario multiplicar o dividir esos tres recíprocos por un factor común, tal que
los tres números resultantes sean los menores enteros posibles.

Índices de Miller para los Planos Cristalográficos:

1. Determinar los puntos de las intersecciones del plano con los ejes del sistema de coordenadas
en términos de los parámetros de red a, b y c. Si el plano pasa por el origen, se debe trasladar
el plano a una nueva posición en el sistema de coordenadas.
2. Obtener los recíprocos de esos tres números. Si el plano es paralelo a uno de los ejes, el
punto de la intersección se considera en el infinito y el su recíproco será cero.
3. Multiplicar o dividir esos tres recíprocos por un factor común, tal que los tres números
resultantes sean los menores enteros posibles
4. Representar los índices de Miller en la forma (h k l)

Nota: En el caso, cuando algún fragmento cortado por el plano en un eje de coordenadas resulta ser
negativo, el signo menos se coloca sobre y no delante del índice de Miller correspondiente.

Ejemplos de índices de Millar para los planos cristalográficos

Nota: Una familia de planos, como por ejemplo ( 11), (1 1), (11 ), ( 1), (1 ), ( 1 ), ( )y
(111) es representada por {111}

1.1.5 Ejercicios resueltos y propuestos

Ejercicios Resueltos

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1. Considere un material monocristalino cuya red cristalina es cubica
centrada en el cuerpo (ver figura de la derecha) con constante de red
, determine la densidad volumétrica de átomos
en esta red.

Solución.

En un sólido como este se tiene que cada átomo de la esquina (vértice) es compartido por ocho
celdas unitarias como la mostrada en la figura, de manera que cada átomo de la esquina solo
contribuye con un octavo (1/8) a una celda en particular. Los ocho átomos de las ocho esquina
contribuyen con el equivalente a un átomo a la celda, si a esto le adicionamos el átomo centrado en
el cuerpo, entonces la celda contiene el equivalente de dos átomos. De manera que la densidad
volumétrica será:

Nota: La densidad volumétrica de átomos que acabamos de calcular representa el orden de magnitud
de la densidad de mayoría de los materiales.

2. Determine los índices de Miller para el plano mostrado en la figura de

la derecha.

Solución.

Como se puede ver en la figura, los intercepto de este plano con los ejes
definidos por los vectores de la red , , , son 3, 2 y 1 respectivamente.
La terna de los recíprocos de estos números será . Ahora
multiplicamos por el mínimo común múltiplo, que en este caso es 6, y se obtiene (2,3,6). De manera
que los índices de Miller para este plano son (236).

Nota: Se puede demostrar que cualquier plano paralelo al mostrado en la figura tendrá los mismos
índices de Miller. Es decir que cualquier plano paralelo es completamente equivalente a cualquier
otro.

3. Considere la estructura cubica centrada en el cuerpo y el

plano (110) que se muestran en la figura de la derecha.
Asumiendo que los átomos son esferas rígidas y que cada
átomo toca a sus vecinos más cercanos, y que la constante
de red es , analice como los átomos son cortados
por el plano y cuál sería la densidad superficial de átomos
en ese plano.

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Solución.

Haciendo un esquema bidimensional como el que se

muestra en la figura de la derecha, se puede apreciar que
los átomos de las esquinas son compartidos por cuatro
planos similares, por lo que cada átomo de las esquinas
contribuye efectivamente con ¼ de su área al plano de la
red. También se puede ver que el átomo central esta
completamente encerrado en el plano que no interesa
puesto que no hay otro plano equivalente que lo corte,
por tanto este átomo contribuye completamente al plano
cristalino. De esta manera, el plano cristalino (110) contiene 2 átomos, y por consiguiente, la
densidad superficial de átomos será:

Nota: La densidad superficial de átomos es una función que generalmente varia de un plano del
cristal a otro.

Ejercicios Propuestos

1. Si la constante de red de una estructura cubica centrada en las caras es . Determine la

densidad volumétrica de átomos.
2. La densidad volumétrica de átomos para una red cubica simple es , asumiendo que
los átomos son esferas rígidas y que cada átomo toca a sus vecinos más cercanos, determinar la
constante de red y el radio de los átomos.
3. Determine la distancia entre los planos más cercanos (110) en una red cubica simple con
constante de red .
4. La constante de red de una red cubica centrada en las caras es . Calcule la densidad
superficial de átomos para (a) un plano (100) y (b) un plano (110).
5. La constante de red del GaAs es . Determine el numero de átomos de Ga y de átomos de As
por centímetro cubico.
6. Asumiendo que los átomos son esferas rígidas y que cada átomo toca a sus vecinos más cercanos,
determinar el factor de empaquetamiento (fracción de volumen ocupado) en: (a) una red cubica
simple, (b) una red cubica centrada en las caras, (c) una red cubica centrada en el cuerpo y (d) una
red estructura de diamante.

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1.1.6 Bibliografía Recomendada
Los temas tratados en este documento se pueden ampliar o reforzar en los siguientes textos:

[1]. Jaime Rodríguez Lara, Departamento de Física U. N. Notas de Física del estado Sólido,
Programa Ingeniería Electrónica. Capítulo II (Complementos sobre “fundamentos de
cristalografía física”)

[2]. José Rogan, Gonzalo Gutiérrez y Eduardo Menéndez. Apuntes de un curso de Introducción
a la Física de Sólidos, Departamento de Física, Facultad de Ciencias, Universidad de Chile.
Capítulo 4 (La red cristalina) y Capítulo 5 (La red reciproca)

[3]. P. V. Pavplov. Física del estado Sólido, Editorial Mir Moscú (1987). Capítulo 1 (Estructura
de los cristales y procedimientos para determinarla)

[4]. Sergio M. Rezende, A FÍSICA DE MATERIAIS A DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS,

Departamento de Física, Universidade Federal de Pernambuco (1996). Capítulo 1
(Materiais para eletrônica)

Lecturas Complementarías

Para profundizar, se puede revisar los siguientes textos:

[5]. Jasprit Singh; Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures,

Cambridge University Press (2003). Chapter 1 (Structural Properties of Semiconductors,
Seccion 1.3)

[6]. Jan G. Korvink and Andreas Greiner; Semiconductors for Micro- and Nanotechnology:
An Introduction for Engineers, WILEY-VCH Verlag GmbH, Weinheim (2002). Chapter 2
(The Crystal Lattice System)

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