ENSIT

DEPARTEMENT DE L’ELECTRONIQUE

TP N°1 :

Caractérisation des diodes à jonction à PN

Elaboré par :
Eya jandoubi
Wiem zahrouni
I) ETUDE PRELIMINAIRE :
En utilisant la catalogue du constructeur ou en consultant les
fiches signalétiques ( data sheet ) des différents composants
utilisés prélever les données les données essentielles relatives
.chercher à trouver la signification de chaque lettre de
référence .
II)BUT :
-relever expérimentalement les caractéristiques des
différentes diodes .
-en déduire les paramètres de chaque diodes et déterminer
son modèle électrique équivalent.
III) ETUDE PRATIQUE :
Partie 1 caractéristiques directe I = f(v)
Sur plaque d’essai , réaliser le montage suivant :

E :tension continue variable entre 0V et 3V , R= 330Ω.

D :diode 1N4001.
E(V) 0 0.5 1 1.5 2 3
V(V) 0 0.484 0.587 0.626 0.648 0.673
I(mA) 0.01 0.09 1.28 2.61 4.2 7.17

Courbe  : I= f(v)  :
d’après les valeurs qu’on a obtenu on dessiner la courbe
suivante  :
R= v÷I ,pour E= 2V
R= 0.647÷ 0.0042 =154.04Ω
On calcul la pente
A= 0.7
V0= 6.16V
Conclusion :
Pour les faibles valeurs de la tension le courant a un chemin
exponentiel après il devient linéaire a partir de 0.7v.
La croissance linéaire devienne trés nette a partir de cette
tension atteint seuil
Partie 3  : caractérisation d’une diode ZENER :
Sur une plaque d’essai , réaliser le montage suivant :
La diode Zener DZ a pour référence BZX12.
On remplit le tableau :
E(v) 0 2 5 10 15 20 25 30
I(mA -10 -5 0 10 30 50 70 70
)
V(V) -2.8 -2.66 0 0.784 0.82 0.823 0.83 0.83
1

- On trace la courbe suivante :

Vz0 = -4 V
Rz = 0.227
On calcul la pente
A= 15-10÷ 27.06−¿11.93= 5÷15.13= 3.026
Le schéma de la diode le sens inverse
R= 40