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TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS 1

Département MT

o CM 8h: Cours de technologie des composants;


o Le contexte technologique
o Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants

o TP 8h: Présentation du logiciel de simulation Sentaurus Synopsis


o Introduction à la simulation TCAD
o Application de Sprocess

vincenzo.della-marca@univ-amu.fr

Reference: Foundamentals of semiconductors fabrication, May and Sze, Wiley edition


2

Réalisation des
composants

Caractérisation
Modélisation
électrique
3

PARTIE I :
NOTION DE TECHNOLOGIE
DES COMPOSANTS
Objectif du cours 4

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Objectif du cours 5

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Un peu d’histoire…. 6

1796 : Aloys Senefelder invente la lithographie

1918 : Czochvalski invente la technique de croissance solide liquide pour


realiser des wafers de silicium

1947: Invention du premier transistor bipolaire par Bardein, Brattain et


Schockey

1955 :Brevet de Pfann : Il propose d’utiliser la diffusion des impuretés pour


changer la conductivité du silicium

1957 année faste! :


- Andrus applique la lithographie a la fabrication
des composants (resine photosensible)
- Frosch et Derrick utilise l’oxyde comme
masquage
- Sheftal et al. invente l’épitaxie
Le contexte technologique 7

1959 : Premier circuit monolithique par Noyce, cad circuit complet realise
sur le meme substrat de silicium
1963 : Sah propose la realisation des composants NMOS et PMOS

1965 : Première formulation de la loi de Moore


1967 : Dennard invente la DRAM
1971 : Premier microprocesseur développe par INTEL, Hoof et Al.
Le contexte technologique 8

https://www.nanohub.org
http://www.intel.com/

Loi de Moore: le nombre de transistor dans un microprocesseur double chaque année


….complètement empirique

Breakthrough technologique et grands efforts économiques → More than Moore


Le contexte technologique 9

International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)

Nouvelles solutions ou adapter les solutions existantes pour


réduire les couts
Le contexte technologique 10

- Diminution des dimensions (scaling), augmentation de la densité


d’intégration et diminution du coût de fabrication (silicium)

- Procédés technologiques de plus en plus complexe


→ nombre de masques croissant

- Temps de cycle relativement long

Support TCAD
Le contexte technologique 11

• La réduction de la taille des composants est le moteur de l’avancée technologique :

En 100 ans la taille des dispositifs a été diminué par 1 million !


→ Aucune comparaison possible avec autre réduction dans l’histoire humaine

• Réduction de la taille des dispositifs :


• Réduire les capacités (stockage de charge) → consommation (Low Power)
• Augmenter le nombre de transistors
• SoC: System on Chip

• Il faut donc toujours réduire la taille des composants MOS


→ augmenter les performances des circuits !

Mais quelles sont les limites?


Nombreuses estimations de la taille limite des composants MOS !

• 1970: 1 µm à cause des effets de canal cour (short channel effect)


• 1980: 0,5 ou 0,25 µm à cause des résistances Source/Drain ou du courant tunnel direct à
travers l’oxyde de grille
• 2000: 10 nm, épaisseur de l’oxyde et courant de fuite limite physique ?
Le contexte technologique 12

Epaisseur d’oxyde

Longueur du canal

Les solutions : les nouveaux matériaux !


• Nouveaux isolants haute permittivité (High-K)
• Nouveaux matériaux de grille (Metal Gate)
• Nouveaux substrat SOI (Silicon On Insulator)
Le contexte technologique 13

• L'électronique imprimée, les clés de la réussite :


• Ecologique
• Imprimable
• Faible cout !!!

• ‘’Smart Object’’: Object that Feel Environment (Sense or Collect information)

• Low cost
• IoT
• Low energy
• Driving assistance
• High speed
• Smart cities
• Reliability
• eHealth
• Security

Besoin de solutions différentes et


méthodes flexibles pour les
applications embarquées
(Embedded)
Le contexte technologique 14

L’électronique organique : de nouveaux marchés, de nouvelles applications

Les Diodes Electroluminescentes Organiques (OLED) :

Les livres électroniques et l’E-paper

Les étiquettes et packaging intelligents


Mais aussi le photovoltaïque, la RFID,…..

Traçabilité des objets : info porteur, position, heure, température, …


Le contexte technologique 15

• Domaine : systèmes d’identifications autonomes imprimées à


base de technologies polymère :

• Faible consommation :
- Augmenter la durée de vie des batteries
- Augmenter la distance de communication (système RF)

•Faible coût :
- Dissémination sur un large panel de domaines applicatifs ;

• Objets multifonctions :
- Intégration sur un même support, un élément sensible (capteur), de
la mémoire (quelques kbits) et une électronique de traitement.
Objectif du cours 16

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Le silicium (Si) 17

C'est l'élément le plus abondant (27,6%) sur la terre après l’oxygène (47%). Il n'existe pas à l'état
libre mais sous forme de composés : sous forme de dioxyde silice (dans le sable le quartz, etc)
ou de silicates.

- 40% des minéraux courants


contiennent du silicium

- Le quartz, et certaines variétés de


quartz sont des cristaux de silice naturels

- Dioxyde de silicium principal


constituant du sable

- Les silicates sont les principaux


constituants des argiles, des sols, des
roches et des pierres semi-précieuses.
Le silicium (Si) 18

Alliages Aluminium-Silicium
Les alliages Aluminium-Silicium en tant que corps simple représentent à peu près 55% de la
consommation mondiale de silicium.
Silicones
Cette application représente à peu près 40 % de la consommation de silicium.

Semi-conducteur
Ses propriétés de semi-conducteur ont permis la création de la deuxième génération de
transistor, puis les circuits intégrés

Utilisation de substrats en silicium


❖ Disponibilité illimitée
❖ Facilité pour la purification et pour la croissance de cristaux avec un taux très faible
de densité de défauts
❖ Bonnes propriétés électriques pour la réalisation de dispositifs
❖ Propriétés mécaniques intéressants,
❖ Un oxide naturel SiO2 avec des propriétés excellentes :
❖Passivation du silicium
❖Bonne isolation
❖Barriere contre les impuretés
❖Procédé de fabrication facilement contrôlable
Le silicium (Si) 19

Application électronique : Si monocristallin


-Réduction de la mobilité des porteurs par la présence d'imperfections (joints de
grains, dislocations…)
- Haute pureté (qualité électronique) : moins de 1 atome étranger (en particulier
d'éléments dopants) pour 1010 atomes de Si.

Une tranche de silicium (Wafer) de 150 mm de diamètre permet de produire 75 puces de 16


mégabits. Actuellement, des tranches de 200mm, 300mm sont commercialisées (next
450mm), contenant des centaines de puces électroniques.

Bloc de Si
Wafer de silicium
Le silicium (Si) 20

➢ Structure cristalline: répétition régulière d’une cellule en


forme de tétraèdre régulier avec un atome dans chaque
sommet.
➢ Le lien entre les atomes est un lien covalent. Il consiste à
partager une ou plusieurs couples d’électrons. Le silicium a
4 électrons de valence donc l’atome aura 4 liens.

Les solides peuvent être classifiés en 3 formes:


Amorphes: atomes disposés irrégulièrement

Polycristaux: composez de petites régions ordonnées


appelées grains de monocristaux

Cristaux: la structure cristalline est


obtenue lorsque les molécules ou les
atomes sont disposé de manière à
former un réticule ordonné (réticule
cristallin)
Fabrication du Silicium poly 21

SiO2 (quartzite)
Four électrique à électrode immergé
2C (solide) + SiO2 (solide) → Si (solide) + 2CO (gaz)

Si métallurgique

Si qualité métallurgique
Traitement avec HCl
Traitement avec HCl
Si (Solide) + 3HCl (Gaz) ➔ SiHCl3 (Gaz) + H2 (Gaz)+chaleur
Distillation
Triclorosilane SiHCl3

Distillation fractionnée

SiHCl3 Haut indice de pureté

Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) CVD


Avec hydrogène 1000 – 1200°C
2SiHCl3 (Gaz) + 2H2 (Gaz) ➔ 2Si (Solide) + 6HCl (Gaz)

Si polycristallin (qualité électronique)

broyage
Réacteur CVD 22

(Chemical Vapour Deposition)


Chambre de réaction
• Les 2 gaz (SiHCl3 + H2) sont envoyées dans la chambre de
réaction, à l’intérieur d’une cloche en quartz.
Pont de Si • Dans le réacteur est située une serpentine en silicium
polycristallin très pure, constituée de 2 barres fines (slim
Slim rod rod), d’une longueur de quelque mètre. Elles sont
connecté en haut avec le pont en Si.
• Dans les Slim Rod un courant électrique circule que, par
effet Joule, augmente la température de la serpentine
pour pouvoir déclencher la réaction.
• La réaction a lieu seulement à la surface de la serpentine,
là où le silicium ira se déposer. Les parois en quartz ont
Cloche une température inferieure.
en quartz
2SiHCl3 (Gaz) + 2H2 (Gaz) → 2Si (Solide) + 6HCl (Gaz)

• Pendant la décomposition on produit de l’acide


chloridrique (HCl) qui interdit au silicium de s’oxyder
Intensité pendant la croissance.
SiHCl3 + H2
Fabrication 23

du Silicium monocristallin
Si polycristallin (qualité électronique) broyé

Croissance du monocristal
Méthode Czochralski / Méthode zone flottante

Silicium monocristallin (électronique)

Découpage

Tranches de silicium monocristallin

Polissage et nettoyage physique

Wafer pureté 99.999999%


Méthode Czochralski 24

La méthode de Czochralski (silicium CZ, 80 % de la production)

Le processus initial nécessite d’une graine cristal de silicium (germe).


- la forme la plus minuscule d'une structure cristalline qui a toutes les facettes
d'un cristal complet.
- créée artificiellement par pelletisation (technique d'agglomération à haute
température) et mesure entre 1mm et 3mm.

graines cristal et vue au microscope de leur structure cristalline.


Photos : http://www.x86-secret.com/articles/divers/wafer
Méthode Czochralski 25

La méthode de Czochralski (silicium CZ, 80 % de la production)

Germe de silicium
« plongé » dans Si liquide
Méthode Czochralski 26

Tirage et
mécanisme de
rotation Germe en Si
monocristallin

Silicium Si polycristallin
monocristallin fondu

Récipient en quartz Ecran


et support en
graphite
Chambre de
Elément chauffant refroidissement
à eau
Méthode Czochralski 27

Vitesse de tirage

mm/min
Vitesse théorique
Solide non-monocristallin

La vitesse de tirage et de rotation vont déterminer le Solide monocristallin

diamètre du lingot de Si monocristallin.


Dans la figure on voit la vitesse de tirage: théorique,
avec croissance non monocristalline et
monocristalline.

La vitesse de croissance monocristalline peut varier


entre 2 et 7mm/min. Il faut éviter la refonte du
cristal, à cause des instabilité de la température, il ne
faut pas descendre dessous de 2.7mm/min
Vitesse de tirage
Dans le lingots de diamètre plus élevé, on peut pour éviter la refonte
retrouver de différence de dopage ou des défauts du monocristal

cristallographiques (dislocations) en forme de spire.

Diamètre (mm)
Méthode Czochralski 28

Actuellement on peut trouver des wafers d’un diamètre de


300mm (STMicroelectronics) et 450mm (IMEC, TSMC)

Avantages:
Le monocristaux de diamètre plus important ont permis de augmenter le
rendement en production de puces à très haute densité d’intégration, par
exemple les DRAM (Mémoires RAM Dynamiques).

Le diamètre doit être légèrement supérieur a celui demandé par l’industrie


électronique, car avant découpage, le lingot doit être réduit à un cylindre
parfait avec une action de moulage de la surface latérale.
Méthode Zone Flottante 29

Ce type de procédé utilise le principe physique selon le


quel: au point de solidification la concentration d’une
impureté dans le solide et diffèrent de la concentration
dans le liquide.
Plusieurs impuretés contenues dans le silicium (ou
germanium) sont beaucoup plus solubles dans le
liquide que dans la phase solide. C3

Si on fait flotter une zone liquide le long d’un lingot de C2


matière en phase solide les impuretés sont
concentrées dans la zone de transition entre les deux C1
phases et renvoyées dans la zone liquide.

Concentration des impuretés:


C1<C2<C3
Défauts dans Le silicium (Si) 30

Substitution
Vacance

Différents typologies de défauts dans


le silicium cristallin Frenkel Interstitiel

Impureté
Interstitiel
Vacance: absence d’un atome dans le réticule.
Interstitiel: atome mal positionné dans le réticule.
Défaut de Frenkel: présence contemporaine d’une vacance et un
Ponctuel
interstitiel.
Défaut de substitution: un atome non de Si est à la place d’un
atome de silicium.
Dislocations: sont associés aux procédés hors équilibre
Dislocation edge Dislocation screw
(refroidissement trop rapide).
De ligne Dislocations “edge” et “screw”: ces défauts sont dû à une
translation d’un volume de la structure cristalline, par cause d’une
force externe. Cluster
interstitiel
Défauts de zone (fig. a,b,c,d): des exemples sont donnés par des
cluster (aggloméré) de défauts interstitiels (a), de la même
De Cluster de
manière on peut parler de cluster de vacances (b). Cluster
surface interstitiel vacances
Défauts de packaging (Stacking Faults): on les obtiens lorsque
l’empilement des couches d’atomes est interrompue.
De
Agglomérés ou manque de liens.
volume

Joints de grains
Orientation cristalline 31

Liens libres

100 111

Plus
d’atomes par
unité de
surface

100 croissance de l’oxide lente et facile à contrôler (MOS)


111 croissance d’oxide rapide, définition de zones de masquage (BJT)
Dopage du silicium 32

Méthode CZ
Les dopants sont souvent ajoutés au silicium fondu sous
forme de poussières de silicium fortement drogué.

Pour obtenir un dopage uniforme le contrôle doit être


précis, car les éléments dopants fondent à une
température plus faible par rapport à la température de
fusion du silicium, et ils ont tendance a vaporiser.
Le dopant est mélangé dans le conteneur avec la rotations
du germe et donc du monocristal.

Méthode FZ
On obtient un dopage uniforme en mettant dans l’ atmosphère au
tour du cristal qui croit, une concentration précise de dopant:
Phosphine PH3, pour un dopage N
Diborane B2H6, pour un dopage P
Les dopants son transportés par l’ argon dans le tube de quartz et
vont pénétrer dans la FZ. On peut avoir une variation radiale de la
résistivité.
Objectif du cours 33

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
La photolithographie 34

La lithographie est le procédé avec le quel on est capable de transférer les


configurations dessinées sur un masque (pattern) qui sont transférées sur
une couche mince de matériel sensible à la radiation (resist) qui recouvre
la surface du wafer.
De cette maniéré on définit les régions qui vont composer un circuit intégré.
La plus part des instruments de lithographie pour la fabrication de IC est
composée de systèmes optiques à lumière ultraviolette(≈0.2m÷0.4m).
Cette opération sert à définir :
-les zones à implanter
-les zones à graver
-les connections métalliques
-les points de contact
La photolithographie 35

Environnement propre (cleaning room)


La poussière qui flotte dans l’air peuvent se poser sur les wafers et aussi sur les
masques pour la lithographie. De défaut peuvent être générés au moment de
la fabrication, le fonctionnement du circuit complet est donc compromis.

Les particules posées deviennent des silhouettes que sont transférées sur le
pattern du circuit.

Classe Nb. Particules Nb. Particules


de 0,5mm/pied3 de 5mm/pied3
1 1 0

10 10 0 Particules
de
poussiére
100 100 0

1k 1k 7 Pattern du
masque
10k 10k 70

100k 100k 700


La photolithographie 36

Méthodes d’exposition
La performance d’un appareil d'exposition est déterminée par trois paramètres: résolution,
enregistrement, productivité.

• La résolution est la taille minimale d'un élément du circuit qui peut être transféré avec une
haute fidélité sur un film de résine ou une couche de semi-conducteur.

• L'enregistrement est une mesure de la précision avec laquelle les dessins sur les masques
peuvent être alignées (ou superposés) par rapport aux patterns déjà définis précédemment sur
le wafer.

• La productivité est le nombre de tranches pouvant être exposées en une heure pour un niveau
de masques donnée.

Deux typologie d’impression de la résine existent:


• Shadow printing
• Impression par projection
La photolithographie
Shadow printing

Le masque et le wafer peuvent être en contact direct (impression par contact) ou très proches
mais séparés (impression par proximité).
Impression par contact: très haute résolution, problème de particules de poussière.
Impression à proximité (espacement de 10 µm à 50µm): faible résolution, mais réduit le
problème des particules de poussière
Avec la technique shadow printing, la ligne la plus fine pouvant être imprimée a
approximativement la largeur de
l m  g
λ= longueur d'onde du rayonnement utilisé dans l'exposition 37

g= espacement entre le masque et le wafer (y compris l'épaisseur de la résine)


La photolithographie 38

Impression par projection


Afin d'éviter les problèmes liés à l'endommagement du masque, typiques de la
technique shadow printing, des outils d'exposition spéciaux ont été développés
pour l'impression par projection. Ces dispositifs sont capables de projeter l'image
du pattern, dessinée sur le masque, directement à la surface du wafer recouverte
de résine, à une distance de plusieurs centimètres du masque lui-même.

projection par balayage (wafer scan) projection pas à pas (step-and-repeat)

Résolution

lm  Avec NA ouverture numérique
NA
La photolithographie 39

Masques
Pour les éléments de taille égale ou supérieure à 5μm, les masques sont
constitués de feuilles de verre recouvertes d'une couche de matériau souple.
Pour les éléments de plus petite taille, les masques sont en verre recouvert d'une
couche de matériau dur, tel que le chrome ou l'oxyde de fer.
L'une des caractéristiques les plus critiques liées aux masques est la densité des
défauts, qui a une influence significative sur le rendement final du circuit intégré.
Le rendement est défini comme le rapport entre le nombre de puces (chip) non
défectueuses obtenues à partir d’un wafer et le leur nombre total.
D = nombre moyen de défauts ‘’fatales’’ par unité de surface
Y = rendement (Yeld)
N = nombre de niveaux
A = surface de la puce intégrée
− NDA
Y e
Exemple:
D=0.5 défauts/cm2,
Y=22% pour une pouce de 30mm2
Y=1% si la taille est 90mm2
La photolithographie 40

Masques

Masque – Réticule (Chrome)


La photolithographie 41

Résine (Photoresist)
Les résines négatives pour lesquelles le rayonnement ultraviolet entraîne une polymérisation
des zones exposées, conférant ainsi à ces zones une tenue particulière au solvant de révélation
alors que les parties non insolées disparaissent sélectivement dans ce solvant.
Les images formées avec la résine négative sont le négatif des images présentes sur le masque.
Un inconvénient important de la résine négative réside dans le fait que pendant le processus de
développement, la masse du film photosensible se gonfle en raison de l'absorption du solvant
de développement. Cet effet limite la résolution de la résine photosensible négative.

Les résines positives pour lesquelles le rayonnement UV entraîne une rupture des
macromolécules, d'où une solubilité accrue des zones exposées dans le révélateur.
Les images qui sont formées dans le resist positif sont les mêmes que celles sur le masque.

Résine positive Résine negative


La photolithographie 42

La photolithographie est un principe de transfert de formes géométriques d’un masque sur un


élément photosensible (la résine) recouvrant le silicium (ou autre matériaux: oxyde, nitrure)

Cette opération sert à définir :


-les zones à implanter
-les zones à graver
-les connections métalliques
-les points de contact

Exemple : Gravure du silicium


Silicium
Dépôt résine
Alignement des masques
Insolation
Révélation
Gravure
La photolithographie 43

1- Wafer de semiconducteur

Substrat de silicium

2- Opération de dépôt de résine photosensible en film mince

Résine négative

Substrat de silicium
La photolithographie 44

3- Réchauffement préexposition (80ºC<T<100ºC)

Résine négative

Substrat de silicium

4- Alignement du masque

Masque

Résine négative

Substrat de silicium
La photolithographie 45

5- Insolation UV

E=hν

Masque

Résine négative

Substrat de silicium

6- Développement, révélation et rechaufement (100ºC<T<180ºC)

Résine négative

Substrat de silicium
La photolithographie 46

7- Gravure (Etching)

Résine négative

Substrat de silicium

8- Retrait résine

Substrat de silicium

Le circuit final sera obtenu par des operations successives de:


dépôt-gravure-masquage-dopage
La photolithographie 47

Le circuit final sera obtenu par des operations successives de:


dépôt-gravure-masquage-dopage
La photolithographie 48

Passivation

Wire Dielectric
Etch Stop Layer
Via
Dielectric Capping Layer
Copper Conductor with
Global Barrier/Nucleation Layer

Intermediate

Metal 1
Pre-Metal Dielectric
Tungsten Contact Plug

Metal 1 Pitch
Objectif du cours 49

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Introduction au layout 50

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/


Introduction au layout 51

Drain

Grille

Source
Introduction au layout 52

Fabrication du transistor MOS


Cut view
Top view

Si + SiO2 de masquage

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 53

Fabrication du transistor MOS


Cut view
Top view

Masque 1 : Ouverture zone active

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 54

Fabrication du transistor MOS


Cut view
Top view

Croissance oxyde

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 55

Fabrication du transistor MOS


Cut view
Top view

Depot poly-Si

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 56

Fabrication du transistor MOS

Top view

Masque 2 :
gravure Poly
Implant Source/Drain
Oxyde de protection

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 57

Fabrication du transistor MOS

Top view

Masque 3 : Ouverture contact

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 58

Fabrication du transistor MOS

Top view

Dépôt Metal 1

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 59

Fabrication du transistor MOS

Top view

Gravure Metal 1

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Introduction au layout 60

Fabrication du transistor MOS

Top view

Masque 4 : Oxyde de protection


Depot Metal 2
Gravure Metal 2

Process AIME : http://www.aime-toulouse.fr/DOCPDF/coupes.pdf


Objectif du cours 61

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
L’oxydation 62

• Rôle de l’oxyde dans les circuits intégrés :


• Masquage pour le dopage (techno planaire)
• Couche d’isolation verticale (Gate)
• Couche d’isolation horizontale (LOCOS; Length-direction)
• Couche d’isolation active (Shallow Trench STI; Width-direction)
• Couche de protection des CI (Passivation)
• Couche d’isolation des pistes de métal (Inter Metal Dielectric - IMD)

• Qualités requises des oxydes :


• Pas de défauts majeurs (trous, particules…)
• Pas de contamination
• Absence de charges électriques
• Champ de claquage élevé
• Faible courant de fuite
L’oxydation 63

• L’oxyde de silicium Si02


Structure de base: 4 liaisons Si-0
Silicium
Chaque atome d’O est commun à 2 tétraèdres → Si02

Oxyde amorphe

Oxygène

Au cours de l'oxydation, il y a une augmentation


de volume: pour une épaisseur XO d'oxyde
formé, on utilise une épaisseur d'environ 0,45XO
de substrat de silicium. Cristal d’oxyde (Quartz)
L’oxydation 64

Le facteur décisif pour l'affirmation du Silicium contre les autres semi-conducteurs


était l'existence d’un oxyde naturel, le dioxyde de silicium (SiO2), qui a des
caractéristiques extrêmement favorables:
o Très bon isolant (Eg = 9 eV)
o On peut l’obtenir par oxydation thermique et par déposition
o Il reste stable à températures très élevées et protège la surface du silicium
o On peut l’attaquer chimiquement et sélectivement
o Les dopants dans le silicium ont une mobilité très faible dans l’oxyde, ceci il peut donc
être utilisé comme masque
o L’interface vers le silicium est très bonne
L’oxydation 65

• L’oxydation

• Méthodes d’oxydation :
• Oxydation thermique: croissance de SiO2 sur Si
• Dépôt par réaction chimique en phase gazeuse (CVD, LPCVD, PECVD)

• Contrôle de l’oxydation
• Choix des oxydants
• Température d’oxydation
• Orientation cristalline
• Additifs (Cl2, HCl) pour augmenter la vitesse d’oxydation et/ou la qualité d’oxyde
L’oxydation 66

Méthode thermique

La réaction entre le Si et l’espèce oxydante


est activée thermiquement et elle a lieu à
entre 700 et 1200ºC.

Les espèces oxydantes à pureté élevé:


- Oxygène: oxydation sèche (Dry)
- H2O (vapeur): oxydation humide (Wet)

Formation uniforme de l’oxyde


L’oxydation 67

Méthode thermique

o La réaction chimique a lieu à l’interface Si/SiO2 :


o Oxydation seche (dry) Si + O2 → SiO2
o Oxydation humide (steam o wet) Si + 2H2O → SiO2 + 2H2

Les paramètres qui vont conditionner


l’oxydation thermique:
o Température
o Orientation cristallographique du substrat
o Dopage de substrat
o Pression partielle de l’espèce oxydante
o Présence des impuretés
L’oxydation
Méthode thermique
Oxydation sèche Oxydation humide

Si + 02 → Si02 Si + 2H2 0 → Si02 + 2H2


Croissance lente : Croissance rapide :
5h à 1000ºC pour 0.1 µm 1 µm en 2 h
Forte densité de l’oxyde Densité d’oxyde plus faible
Bonne qualité Plus d’impuretés, défauts d’interface
Haute tension de claquage
4 étapes :
faible courant de fuite
- Oxyde mince sec
→ Oxyde de grille mince
- Oxydation humide TOX
- Oxyde sec pour densifier l’oxyde formé
- Recuit sous azote ou argon
L’oxydation 69

Cinétique de l’oxydation thermique


Le procédé d’oxydation thermique se divise en 3 phases:
1. Transport de la phase oxydante à l’interface gaz-oxyde
2. Diffusion au travers de l’oxyde déjà existant
3. Réaction avec le silicium

Interface Si/SiO2 où
la réaction
d’oxydation a lieu

Mélange de gaz SiO2 Substrat de


silicium
L’oxydation 70

Croissance de SiO2 sur Si

- Réaction chimique entre H2O (ou O2) et Si


- Transport de H2O (ou O2) à travers l’oxyde formé

Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation

C0: concentration des espèces oxydantes à


Concentration (mol/cm3)

F1 F2 l’interface air/oxyde
CS: concentration des espèces oxydantes à
C0 l’interface oxyde/silicium
F1: flux des espèces oxydantes à l’interface
CS air/oxyde
oxyde Si F2: flux des espèces oxydantes à l’interface
X (nm) oxyde/silicium
L’oxydation 71

Croissance de SiO2 sur Si

- Réaction chimique entre H2O(ou O2) et Si


- Transport de H2O (ou O2) à travers l’oxyde formé

Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation


Concentration (mol/cm3)

F1 F2 𝑑𝐶 C0 − Cs
F1 = D =D
𝑑𝑋 X
C0
F2 = 𝑘𝑠 𝐶𝑆
CS
oxyde Si D: coefficient de diffusion
X (nm)
kS: constante de réaction surfacique
L’oxydation 72

Croissance de SiO2 sur Si

- Réaction chimique entre H2O(ou O2) et Si


- Transport de H2O (ou O2) à travers l’oxyde formé

Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation

Continuité du flux
Concentration (mol/cm3)

F1 F2 F = F1 = F2

C0 − Cs
C0 D = 𝑘𝑆 𝐶𝑆
X
CS
DC0
oxyde Si F=
𝐷
X (nm) X+
𝑘𝑆
L’oxydation 73

Croissance de SiO2 sur Si

- Réaction chimique entre H2O(ou O2) et Si


- Transport de H2O (ou O2) à travers l’oxyde formé

Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation

Vitesse de croissance de l’oxyde


Concentration (mol/cm3)

F1 F2 𝑑𝑥 𝐹 DC0 /𝐶1
= =
𝑑𝑡 𝐶1 𝐷
X+
C0 𝑘𝑆
C1: nombre de molécules d’espèce
CS oxydante par unité de volume dans l’oxyde
oxyde Si La solution de l’équation différentielle est
X (nm)

Où τ est un temps qui dépends de la 𝐷 2C0 𝑘𝑠2 (𝑡 + 𝜏)


présence d’oxyde à la surface avant x= 1+ −1
oxydation.
𝑘𝑆 𝐷C1
L’oxydation 74

Cas d’un oxyde fin:


Concentration (mol/cm3)

Variation linéaire de l’épaisseur d’oxyde

C0 C0 𝑘𝑆
oxyde x≅ (𝑡 + 𝜏)
C1
CS
Les agents oxydants attaquent
Si
directement la surface du silicium
X (nm)

Cas d’un oxyde épais:


Concentration (mol/cm3)

Variation parabolique de l’épaisseur d’oxyde

C0 2DC0
x≅ (𝑡 + 𝜏)
C1
oxyde

CS Vitesse de croissance limitée par la


Si diffusion des agents oxydants
X (nm)
L’oxydation
Prise en compte par Deal et Grove des processus de diffusion et réaction chimique pour la
croissance d’oxyde
Pour simplifier les expressions d’épaisseur d’oxyde on définit les coefficients
𝐷 𝐶0 𝐵 𝐶0
𝐴=2 𝐵 = 2𝐷 = 𝑘𝑆
𝑘𝑆 𝐶1 𝐴 𝐶1

Constantes cinétiques

C0 𝑘𝑆 𝐵
Variation linéaire x≅ (𝑡 + 𝜏) x ≅ (𝑡 + 𝜏)
C1 𝐴

2DC0
Variation parabolique x≅ (𝑡 + 𝜏) x≅ 𝐵(𝑡 + 𝜏)
C1

- B/A : Réaction en surface (régime linéaire)


- B : Transport par diffusion des espèces oxydantes
L’oxydation
Modèle de Deal et Grove : Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation
𝐵
x≅ 𝐵(𝑡 + 𝜏) x≅ (𝑡 + 𝜏)
𝐴
L’oxydation
• Modèle de Deal et Grove :
Estimation de l’épaisseur d’oxyde en fonction du temps d’oxydation
- A et B dépendent de la
température et des conditions
d’oxydations
L’oxydation 78

Cas de plusieurs oxydation successives :


Pour la seconde oxydation on évalue τ (temps nécessaire à la formation de l’épaisseur
d’oxyde initiale dans les conditions de la seconde oxydation)
- On évalue l’épaisseur totale d’oxyde avec la durée totale τ + t2 (t2 temps de la seconde
oxydation)

Exemple d’application :
On oxyde à 1200°C, une plaquette de silicium pendant 60 min sous courant d’oxygène
sec pour obtenir un oxyde d’isolation d’active.
1- Calculer l’épaisseur d’oxyde.
2- On effectue ensuite une oxydation humide qui donnera un épaisseur de 1µm
supplémentaire. Quel est l’épaisseur final d’oxyde ?
Quel est le temps d’oxydation humide.
On rappelle que τ=(X02+2DX0/ks)C1/2DC0
L’oxydation 79

Cas de plusieurs oxydation successives :


Pour la seconde oxydation on évalue τ (temps nécessaire à la formation de l’épaisseur
d’oxyde initiale dans les conditions de la seconde oxydation)
- On évalue l’épaisseur totale d’oxyde avec la durée totale τ + t2 (t2 temps de la seconde
oxydation)

Exemple d’application :
On oxyde à 1200°C, une plaquette de silicium pendant 60 min sous courant d’oxygène
sec pour obtenir un oxyde d’isolation d’active.
1- Calculer l’épaisseur d’oxyde. X=1.15µm
On rappelle que τ=(X02+2DX0/ks)C1/2DC0
L’oxydation 80

Croissance de SiO2 sur Si


L’oxydation 81

Croissance de SiO2 sur Si


L’oxydation 82

Exemple :
- Oxydation humide 1 heure à 900°C = 0.2µm (t1)
- Ré-oxydation humide de la même plaquette pendant 1 heure à 1000°C (t2)
- Épaisseur totale = 0.5µm et non 0.6 µm (0.4+0.2)

Méthode :
- La première épaisseur s’évalue directement (abaque ou équation)
- Pour la seconde oxydation on évalue τ (temps nécessaire à la formation de l’épaisseur
d’oxyde initiale dans les conditions de la seconde oxydation)
- On évalue l’épaisseur totale d’oxyde avec la durée totale τ + t2
Oxyde: dépôt
• L’oxydation : Dépôt chimique en phase gazeuse

- Avant les dépôts nécessité d’effectuer une préparation de la surface


- Technique de dépôts
- LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition )
- Les oxydes déposés :
- Oxydes basse température (LT0)
- Oxyde hautes température (HTO)
- Oxydes dopés type BPSG
Oxyde: dépôt
• L’oxydation : Dépôt chimique en phase gazeuse

- Principe :
-Utilisation d’une réaction chimique entre réactifs gazeux dont un des produits est le solide
que l’on souhaite déposer.

CH2 → H2 + 2C Pyrolyse

SiCl4 + 4 H2O → SIO2 + 4 HCl Oxydation


Oxyde: LPCVD 85

85

Low Pressure Vapor Deposition


• Dépôt chimique à pression réduite

Si O H
Transfert de matière dans la phase
gazeuse, de l'entrée du réacteur jusqu'à
la surface du dépôt. Apport par
convection (forcée, naturelle, ...) des
espèces gazeuses jusqu'au voisinage du
substrat

Cl

Surface de silicium
Oxyde: LPCVD 86

86

Low Pressure Vapor Deposition


• Dépôt chimique à pression réduite

Réactions en phase gazeuse (pendant le transfert)

Surface de silicium
Oxyde: LPCVD 87

87

Low Pressure Vapor Deposition


• Dépôt chimique à pression réduite

Adsorption du gaz précurseur sur


la surface du solide

Surface de silicium
Oxyde: LPCVD 88

88

Low Pressure Vapor Deposition


• Dépôt chimique à pression réduite

Diffusion des molécules adsorbées


en surface jusqu'aux sites de
croissance
Réactions chimiques éventuelles en
surface : incorporation des atomes
du dépôt (nucléation croissance)

Surface de silicium
Retour
Oxyde: faible température

- Oxydes basse température (LT0)

SiH4 + 2O2 → SiO2 + H2O

- Faible température T < 450 °C


- Forte réaction en volume du silane
- Qualité « médiocre »
- Faible densité
- Mauvaise tenue au claquage
- Taux de défauts élevés
- Utilisation comme oxyde de passivation
Oxyde: haute température

- Oxydes haute température (HT0)

SiCl 4 + 2H2O → SiO2 + 4HCl


SiH2Cl 2 + 2N 2O → SiO2 + 2HCl + N 2

- Température T > 900 °C

- Qualité proche des oxydes thermiques


Oxyde: caractérisation 91

Caractérisation des épaisseurs d’oxyde


- Profilomètre :
Cette appareil scanne de façon mécanique la surface d'un échantillon. Une pointe est
déplacée à la surface de l'échantillon et les variations de hauteur sont enregistrées par
l'appareil.
- Ellipsomètre :
- Mesure d’épaisseur d’un matériau
- Mesure d’indice et de coefficient d’absorption
- Détermination de rugosité ou de porosité
Objectif du cours 92

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Réalisation de couches actives 93

L’implantation : les paramètres « clés »

- Rappel :
-Équation de neutralité
n + N A- = p + N D +
- Jonction

Paramètres clés :

NA(x) - Dopage

p(x) - Profondeur de jonction

n(x)
ND(x)
Réalisation de couches actives 94

L’implantation ionique : Principe


• Ions créés à partir de molécules de gaz
• Bombardement du substrat avec des ions B+ (Bore), P+ (Phosphore), As+ (Arsenic)

• Accélération des ions sous forte ddp (dizaines de KVolts)


• Ions pénètrent le substrat grâce a leur énergie (q V)
• Distance de pénétration
• énergie des ions
• masse des ions
• nature des matériaux à implanter
• Exemple : Bore dans Si, distance moyenne de pénétration 0.06µm à 20 Kev, 0.5µm
à 200Kev
Réalisation de couches actives 95

L’implantation ionique : Principe


1 - Génération des ions à partir d'une source solide, liquide ou gazeuse dans un
plasma excité à 25kV,
2 - Sélection des ions par champ magnétique effectuant le tri par le rapport masse
sur charge
3 -Accélération des ions à l'énergie d'implantation souhaitée
4- Mise en forme du faisceau d'ions par des lentilles électrostatiques,

Électroaimant Focaliseur Balayage X


Analyseur de masse

Balayage Y
accélérateurs

Source d’ions
Réalisation de couches actives 96

L’implantation ionique : Principe


1- Chambre d’ionisation

But : Générer des ions à partir de gaz par bombardement d'électrons

-20 Kev - 20 Kev pour extraire les ions


ion

Bobines magnétiques permettent de donner une trajectoire


« spirale » aux électrons pour augmenter le nombre de
1 Kev collisions

Bombardement des molécules de gaz par des électrons


filaments Gaz accélérés
Réalisation de couches actives 97

L’implantation ionique : Principe


2- Triage magnétique

But : Éliminer les ions non désirés présents à la sortie de la source d’ions

Fente de sélection
B

BF2+ B+
Champ magnétique B Courbure dépend du rapport
perpendiculaire à la charge sur masse
trajectoire des ions r = mv/qB
Réalisation de couches actives 98

L’implantation ionique : Principe


3- Accélérateur

- Tubes isolés avec électrodes annulaires


- Domaine d’énergie de 20 à 200KeV implanteur classique
- 1 MeV pour les implanteurs très haute énergie

4- Mise en forme du faisceau d'ions par des lentilles électrostatiques

- Nécessité d’avoir une implantation uniforme sur le substrat


- Balayage du faisceau d’ion à l’aide de deux plaques de déflexion
Réalisation de couches actives 99

L’implantation ionique

Avantages :

L'énergie des ions contrôle la profondeur et l'épaisseur implantées

Contrôle de la concentration, introduction un à un des ions


Implantation possible de plusieurs types de matériaux, isolants, semi-
conducteurs et conducteurs

Possibilité de réaliser des motifs d’implantation

Défauts :
Dommages engendrés par l’implantation
Possibilité de réparer avec un recuit thermique
Réalisation de couches actives 100

L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott

- Interaction entre les ions incidents et les atomes Si


- Création de défauts
- Rétro diffusion (rebond de l’ion incident)
- Freinage par excitation électronique
- Pulvérisation : Éjection d’atomes de la cible proche de la surface

Processus aléatoire, dépendance avec l’énergie des ions incidents, rapport


masse ions sur masse atomes cibles
Réalisation de couches actives 101

L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott


- Interaction entre les ions incidents et les atomes Si
- Création de défauts

Ions incidents

Atomes déplacés
Réalisation de couches actives 102

L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott


- Interaction entre les ions incidents et les atomes Si
- Rétro diffusion (rebond de l’ion incident)
Ions rétrodiffusé
Ions incidents

Atomes déplacés
Réalisation de couches actives 103

L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott


- Interaction entre les ions incidents et les atomes Si
- Pulvérisation : Éjection d’atomes de la cible proche de la surface)
Atome éjecté
Ions incidents
Réalisation de couches actives 104

L’implantation ionique

Influence de la structure cristalline


- Interaction ions-atomes plus faible si l’ion se déplace parallèlement à une direction du
cristal => influence sur la profondeur d’implant
- Phénomène de canalisation entraînant une incertitude sur la profondeur
d’implantation → mauvais contrôle du dopage
- Réduction du phénomène par inclinaison de la cible

Angle 7°
ions
Réalisation de couches actives 105

L’implantation ionique

Influence de la structure cristalline


- Interaction ions-atomes plus faible si l’ion se déplace parallèlement à une direction du
cristal => influence sur la profondeur d’implant
- Phénomène de canalisation entraînant une incertitude sur la profondeur
d’implantation => mauvais contrôle du dopage
- Réduction du phénomène par inclinaison de la cible

Implantation à travers Si02

- Réduction du phénomène de canalisation des ions


- Protection de la surface du semi-conducteur lors des manips
- Maximum de concentration se rapproche de l’interface Si-SiO2
Réalisation de couches actives
L’implantation ionique

Recuit après implantation

- « Réparation » des défauts crées pendant l’implantation


Les atomes se déplacent en recopiant la structure cristalline en profondeur
T de l’ordre de 700 à 900 °C
- Activation des dopants
Déplacement des dopants jusqu’aux sites libre d’atomes de Si (Substitution)
Dopant actif ( possibilité d’ionisation) uniquement si il s’est substitué à
un atome de Si
Réalisation de couches actives
L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott


- Évaluation de la répartition des dopants après implantation

 1  x − R 2 
N(x)/NMAX N(x) = N MAX exp−  P
 
1  2  ΔRP  
Q
0.6 N MAX  0.4 SiO2
∆RP ∆RP
ΔRP

Si
x
E
RP

Ne tiens pas compte du phénomène de


! canalisation (matériau amorphe) 0.1 m
Réalisation de couches actives
L’implantation ionique

Modèle LSS : Lindhard, Scharff et Schiott


- Évaluation de la répartition des dopants après implantation
Réalisation de couches actives
L’implantation ionique
- Évaluation de la répartition des dopants après implantation
Exemple : Simulation d’implantation de Bore dans le silicium (ISE)
Dose = 1e17cm -3

Énergie d’implantation variant de 10 à 200 Kev


Réalisation de couches actives
L’implantation ionique
- Poire de « diffusion »

ions

RP
Poire de
diffusion
Réalisation de couches actives 111

• La diffusion des espèces


• Le phénomène de diffusion :
La diffusion est la migration d'une espèce sous l’effet de l'agitation thermique ou
d’une force (électrostatique, chimique)

Deux sortes de diffusion :


- Diffusion interstitielle
Déplacement des atomes dopants « entre » les atomes su Si
- Diffusion substitutionnelle
Déplacement des atomes dopants à la place d’atomes de Si
Réalisation de couches actives 112

• Le coefficient de diffusion
Le coefficient de diffusion est une constante qui caractérise la vitesse avec laquelle se déroule la
diffusion :

La dépendance de D vis à vis de la température est de la forme :

D = Do exp –Ea/kT

Ea est une énergie d'activation et


k la constante de Boltzmann.
Do est appelé le coefficient pré-exponentiel, il dépend du semi-conducteur et de
l'impureté.

L'énergie d'activation Ea est une grandeur qui décrit le degré de difficulté de diffusion d'une
impureté. Les éléments des groupes III et V du tableau de Mendéléev diffusent dans le silicium
(groupe IV) par le mécanisme lacunaire, leur mouvement est tributaire de la présence d'une
lacune à côté de l'impureté.
Réalisation de couches actives 113

• Le coefficient de diffusion
L'énergie d'activation Ea est une grandeur qui décrit le degré de difficulté de diffusion d'une
impureté.

Les éléments des groupes III et V du tableau de Mendeleïev diffusent dans le silicium par le
mécanisme substitutionnelle, leur mouvement est tributaire de la présence d'une lacune à côté
de l'impureté.
Réalisation de couches actives 114

• La diffusion des espèces


Coefficient de diffusion D (cm-2.s-1) :

Interstitielle : 10-5 pour le Cu

Substitutionnelle :
B et P =10-14, As =10-15à 1000°C
Forte dépendance de D avec la température
(création de lacunes)

Exemple :
Le lithium (Li) diffuse dans le silicium par le mécanisme interstitiel, c'est un diffuseur
rapide qui peut diffuser à température ambiante sous l'effet d'un champ électrique.
Réalisation de couches actives
• La diffusion des espèces
La première loi de Fick (1855)

Expérimentalement Fick a remarqué que le flux de matière est proportionnel au gradient


de la concentration :
J= -D.grad C C est la concentration de l'espèce diffusante.

En ne considérant qu’une seule direction :

C
J = −D Évaluation de la variation de
x concentration en fonction du temps et de
l’espace
Deuxième loi de Fick
Réalisation de couches actives 116

• La diffusion des espèces


Deuxième loi de Fick

J(x) J(x+dx)

x x+dx

À l’instant t, le nombre de particules dans le volume est


donné par :

C J(x) − J(x + dx) − J(x)


=− =
t x x
C  2C
= D Équation différentielle donnant la variation
t x des porteurs en fonction du temps et de la
position
Réalisation de couches actives 117

• La diffusion des espèces


C  2C
= D
t x
Solutions dépendantes des conditions de diffusion
C = Cte à la surface du wafer (N0) À t=0 tous les atomes dopants sont
Solution « erfc » introduits
N(x,t) = N0erfc(u) Solution Gaussienne

N(0, t) = N 0 N(x,t) = N(0, t) exp(-u2 )


x
u= Q
2 Dt N(0, t) =
πDt
Diffusion « erfc » utilisé par introduire une
quantité donnée de dopants
Variation de N à la surface
Dt1
Q(t1 ) = 2N 0 Q = Cte
π
Réalisation de couches actives 118

• La diffusion des espèces


t=0
« erfc » Gaussienne

N(x,t) N(x,t)

N0

x x
Concentration N0 à la surface Concentration N(0,t0) à la surface
Réalisation de couches actives 119

• La diffusion des espèces


t = t1
« erfc » Gaussienne

N(x,t) N(x,t)

N0

x x
Réalisation de couches actives 120

• La diffusion des espèces


t = t2
« erfc » Gaussienne

N(x,t) N(x,t)

N0

x x
Réalisation de couches actives 121

• La diffusion des espèces


t = t3
« erfc » Gaussienne

N(x,t) N(x,t)

N0

x x
Réalisation de couches actives 122

• La diffusion des espèces : dopage par diffusion


Etape 1 : « erfc » est utilisé pour la pré déposition :
Introduction d’une quantité Q donnée de dopants dans le matériau
Four à diffusion (similaire au four d’oxydation)
Formation d’une couche de verre dopant à l’interface
Trois types de sources possibles pour les dopants
- Gazeuse
Bore, BCl3, tri chlorure de bore
Phosphore, PH3, phosphine
As, AsH3, arsine)
Étape 2 : Redistribution (Gaussienne) :
Élimination de la couche de verre formée pendant l’étape I
Protection du silicium avec un oxyde
Diffusion des dopants contrôlée en température et temps
Réalisation de couches actives 123

• Dopage du silicium : Simulation TCAD


Étape 1 : Implantation ionique

Étape 2 : Redistribution (Gaussienne)


Objectif du cours 124

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques

1- Le contexte technologique

2- Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants


• Le silicium
• La photolithographie
• Introduction au layout
• L’oxydation
• Réalisation des couches actives
• Gravure
Gravure 125

Un ’attaque sélective est capable de graver le film sans toucher le resist


ou le substrat.

Le rapport entre la vitesse d’attaque verticale et latérale définit le niveau


d’anisotropie.

Isotrope Anisotrope Parfaitement Anisotrope


Gravure 126

• Les différentes gravures


• Gravure humide

- Attaque chimique en solution aqueuse (ex HF pour SiO2)

- Suivant les concentrations de l'espèce réactant, on étalonne les vitesses de


gravure pour un type de couche.

- Gravure très sélective, (ex l’HF attaque l’ SiO2 mais pas le Si)

Inconvénient :
- Les temps d’attaque dépende de la concentration des espèce réactants
- Isotrope
Gravure 127

• Les différentes gravures


• Gravure sèche

On a 3 technique principales:
• Attaque ionique
• Attaque plasma (PE = Plasma Enhanced)
• Attaque ionique réactive (RIE = Reactive Ion Etching)

Attaque Ionique
• Attaque physique par action mécanique des ions incidents
• anisotrope
• Presque non sélectif (indépendant de l’ espèce)
Gravure 128

• Les différentes gravures


• Plasma
- Décharge électrique (Excitation radio fréquence) dans un mélange gazeux.
- Création d’espèces chimiques comme des atomes, des ions des radicaux.
- Exemple :
- molécules de base CF4 Tétrafluorure de carbone

Création d’un plasma par collision d’électrons avec des molécules de gaz.

Atomes F (Fluor)
e

Ions CF3+

Radicaux CF3
Gravure 129

• Les différentes gravures


• Plasma

Réaction plasma :
CF4 + e → CF3 + 4 F + 2e
Gravure :
Les espèces formées réagissent avec la couche à graver
Si + 4 F → SiF4
Conditions nécessaires :
- Espèces produites par le plasma très réactive
- Vitesse de gravure élevée (forte densité du plasma)
- Réactions sélectives de la couches à graver
Gravure 130

• Les différentes gravures


• Plasma

Condition d’arrêt de la gravure :


Paramètre très important du process ➔ limitation de la sur gravure verticale
- Sélectivités des espèces à graver
- Temps de gravure (insuffisant)
- Mesure de réflectivité ( inconvénient sur 1 seule plaque)
- Analyse des paramètres du plasma (impédance, composition du gaz, analyse
spectrale de la lumière)

Problème d’anisotropie pour les technologies submicroniques


Gravure 131

• Les différentes gravures


• Plasma
Gravure Ionique Réactive (RIE : Reactive Ionic Etching)
Création de plasma à basse pression et forte densité d’énergie RF.
Gravure chimique (réaction atomes , radicaux + espèces) + effet physico chimique des
ions.

- Effet assisté par la gravure chimique


- Effet de pulvérisation ( ions accélérés par champ électrique )
- Arrachement mécanique des atome sous l’impact des ions
- Gravure anisotrope
- Moins sélective → nécessité d’une méthode de détection de fin
d’attaque
Gravure
Attaque ionique réactif (RIE = Reactive Ion Etching)
• Action combinée des atomes neutres (action chimique) et des ions
(action mécanique)
• L’action mécanique est plus importante
• Demande des pressions faibles (10-1 - 10 Pa) et tensions plus élevées
par rapport à l’attaque plasma.
• Procédé lent

Gravure humide Gravure sèche

Sélectivité Élevée Faible


Coût de la gravure Faible Élevé
Durée Importante Faible
Technologie submicronique Difficile Aisée

Anisotropie Non Oui


Contrôle Difficile Assez bon
Objectif du cours 133

Acquérir les notions de base en procédés de fabrication microélectronique et en


physique des composants microélectroniques
PARTIE II : SIMULATION TCAD 134

o CM 8h: Cours de technologie des composants;


o Le contexte technologique
o Les étapes technologiques majeures dans la fabrication des composants

o TD 16h: Présentation du logiciel de simulation Sentaurus Synopsis


o Introduction à la simulation TCAD
o Application de Sprocess

vincenzo.della-marca@univ-amu.fr
romain.laffont@univ-amu.fr

Reference: Foundamentals of semiconductors fabrication, May and Sze, Wiley edition


LA SIMULATION TCAD 135

Le contexte technologique

❑ des dimensions, de la densité d’intégration et du coût de fabrication (silicium)


❑ Procédés technologiques de plus en plus complexes, nombre de masques croissant
❑ Temps de cycle relativement long pour arriver à un produit fini!

Support TCAD
LA SIMULATION TCAD 136

Technology Computer - Aided Design


Ensemble des outils permettant de prévoir et/ou de simuler les résultats d’un
processus de fabrication: morphologie, caractéristique électrique, etc…

Simulateur des procédés de


fabrication
Résolution numérique des équations de la physiques des
matériaux
Simulateur de dispositifs,
caractéristiques électriques.
Résolution numérique des équations de la physiques des
composants
RESULTAT Ex: courbe I(V), C(V),…

Exemple de logiciel industriel : ■ SYNOPSYS (GENESiSe)


■ SILVACO
LA SIMULATION TCAD 137

Utilisation des outils TCAD


Qui ?
■ Université / laboratoire, Industrie

Pourquoi ?
■ Minimiser le nombre d’essais silicium (« splits ») pour la mise au point d’une
technologie
■ Analyse des dérives/défaillances du procédé de fabrication
■ Développement de nouveaux concepts/architectures
Sentaurus Workbench (SWB) (1/2)

Entreprise Suite Logicielle Outil de gestion


de projet

Sentaurus
Sentaurus TFM
Californie (US) TCAD for Manufacturing Workbench (SWB)
❑ SWB est une interface graphique qui permet de gérer l’ensemble des
outils de simulation de Sentaurus dans un seul environnement.

❑ Cette interface gère un flux de données qui peut être constitué des
éléments suivants:

■ Fichiers de scripts des différents logiciels


■ Projets paramétrés
■ Instances des différents logiciels
SWB (2/2) 139

Projet SWB Dispositif a simuler

Simulation du Définition directe


procédé technologique Sentaurus
Sentaurus Process Structure Editor

Maillage de la structure
Sentaurus Mesh
Contrôle Contrôle
Visualisation Visualisation
Sentaurus
Simulation électrique Sentaurus
Visual Sentaurus Device Visual

Exploitation des résultats


Inspect
140
Sentaurus Visual (1/5) 141

Tecplot Outil de visualisation graphique


Fichiers Entrée : (« .tdr »)
Sortie : graphique

Objectif
Outil permettant de visualiser les fichiers « .tdr » :
■ « .tdr » : Fichier de sortie contenant à la fois le maillage et le dopage

Exemples d’utilisation

■ Visualisation des simulations de procédé de fabrications


■ Visualisation du maillage de la structure
■ Visualisation des paramètres électriques internes de la structures lors du
fonctionnement: diagramme de bande, champ électrique, potentiel, etc...
Tecplot_SV (5/5) 142

Exercice Pratique

1) Ouvrez l’application Sentaurus Visual


2) Charger les fichiers :
/……/…/n22_msh.tdr et n22_half_msh.tdr
3) ■ Visualisez la coupe du transistor nMOS

■ Repérez la position des jonctions source / drain avec le canal en utilisant


la fonction « zoom»

4) Mesurez la longueur effective du canal en utilisant la fonction « measure »

5) A quoi est due la différence entre la longueur métallurgique (lgate= 0.18 um)
et la longueur effective du canal que vous venez de mesurer ?
Tecplot_SV (6/6) 143

Exercice Pratique

1) Ouvrez l’application Sentaurus Visual


2) Charger les fichiers :
……/…/n22_msh.tdr et n22_half_msh.tdr
3) ■ Visualisez la coupe du transistor nMOS

■ Repérez la position des jonctions source / drain avec le canal en utilisant


la fonction « zoom»

4) Tracer le profil de dopage des jonctions source/bulk et drain/bulk.

5) Visualiser les profils de concentration des différents types de dopant?


Sentaurus Process (1/6) 144

Sentaurus Simulateur des procédés de fabrication

Process
Fichiers Entrée : « .cmd »
Sortie : « .bnd », « .tdr »

Objectif
Simulateur de procédé de fabrication :
■ 2D et extension 3D
■ Implantation, Diffusion, Gravure, Dépôt
■ Modèles physiques des lois de diffusion, implantation
Exemples d’utilisation
■ Situation la plus proche des machines industrielles!
■ Prise en compte des interactions entre espèces lors de l’implantation, diffusion…
■ Transposition « directe » des recettes développées
Syntaxe Sentaurus Process 145

# Définition des coordonnées de la structure silicium

line x location=0.0 spacing= 1<nm> tag=SiTop


line x location= 10<nm> spacing= 2<nm>
line x location= 50<nm> spacing= 10<nm>
line x location=300<nm> spacing= 20<nm>
line x location=0.5<um> spacing= 50<nm>
line x location=2.0<um> spacing=0.2<um> tag=SiBottom
Syntaxe Sentaurus Process 146

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Définition du substrat

region silicon xlo=SiTop xhi=SiBottom ylo=Mid yhi=Right

# Début de la simulation Process


init concentration=1.00e+15 field=Phosphorus wafer.orient=100

#--- MGOALS settings for automatic meshing :

mgoals on normal.growth.ratio=1.1 accuracy=2e-5 min.normal.size=50<nm>


max.lateral.size=6.0<um>

* « min.normal.size » détermine l'espacement de grille de la première couche à partir de l'interface.


* « max.lateral.size » limite l'espacement de grille latérale pour la simulation 2D,
* « normal.growth.ratio » détermine le ratio de variation de la taille du maillage.
Syntaxe Sentaurus Process 147

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Dépôt

deposit material= {Oxide} type=isotropic time=1.0 rate= {0.01}

diffuse temperature=900<C> time=40<min>


Syntaxe Sentaurus Process 148

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Diffusion - Oxydation

gas_flow name=gaz pressure=1<atm> flowO2=1.2<l/min> flowN2=1.0<l/min>

diffuse temperature=900<C> time=40<min> gas_flow=gaz


Syntaxe Sentaurus Process 149

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Définition d’un masque :

mask name=Metal segments= {-1 2 13 22 24 35} negative

# Gravure
etch material= {Aluminum} type=anisotropic time=1 rate= {1.1}
mask=Metal
etch material= {Oxide} type=anisotropic time=1 rate= {0.03}
Syntaxe Sentaurus Process 150

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Implantation

implant Arsenic energy=50<keV> dose=1e14<cm-2>


tilt=7<degree> rotation=0<degree>

diffuse temperature=1000<C> time=30<min>

photo mask=Base thickness=1


implant Boron dose=1e14<cm-2> energy=50<keV>
strip Resist
Syntaxe Sentaurus Process 151

Structure d’un programme Sentaurus Process


Syntaxe Sentaurus Process 152

Structure d’un programme Sentaurus Process

# Sauvegarde le maillage et le dopage


struct tdr=n@node@_gate

# Sauvegarde du profil de dopage en y = 5 µm


SetPlxList {BTotal SbTotal AsTotal PTotal}
WritePlx Buried.plx y= 5.0

# Sauvegarde de la structure
struct bnd=n@node@_gate
Sentaurus Process (4/6) 153

Ligament Sentaurus Process

Description du
« flow process »
Sentaurus Process (5/6) 154

Ligament Sentaurus Process

Ligament layout
Mesh (1/2) 155

snmesh Mailleur

Fichiers Entrée : « .cmd », « .bnd »


Sortie : « .tdr»

Objectif

Logiciel de discrétisation de la structure afin de générer un maillage utilisable


pour la simulation électrique:
■ Discrétisation spatiale 1D, 2D, 3D de la structure,
■ Maillage obligatoire avant toutes simulations électriques,
■ Visualisation de la structures maillées avec Tecplot
Mesh (2/2) 156

Exemple: Mémoires à nanocristaux semi-conducteurs


157
SENTAURUS DEVICE (1/3) 158

Sentaurus Simulateur électrique


Device
Entrée : « .cmd » +« .tdr »
Fichiers
Sortie : « .plt », « .tdr », « .log »
Objectif
SDevice simule numériquement les caractéristiques électriques d’un dispositif
à SC qui est décrit par un fichier de maillage et de dopages (“.tdr”) à partir
d’un fichier de commandes (“.cmd”)
I , V, Q, etc...
Ces grandeurs sont calculées a partir d’équations qui décrivent les
concentrations en porteurs et les phénomènes de transport
Statistique de Fermi-Dirac, Equation de
Drift-diffusion Effets tunnels etc...
Poisson

Les simulations peuvent être réalisées selon différents modes:


Quasi-statique Transitoire
SENTAURUS DEVICE (2/3) 159

Structure du fichier « .cmd »


❑ C’est le fichier de commandes de Sentaurus Device. Il contient l’ensemble des
commandes permettant la réalisation de la simulation électrique.

❑ Celui-ci est constitué de 6 parties distinctes


Files
{…} Déclaration des fichiers E/S
(« .tdr »)
Electrodes
Déclaration des électrodes du dispositif
{…}
Physics
{…} Déclaration des modèles physiques utilisés
Plot
Définition des variables de sortie
{…}
Math (fichiers « .tdr » et « .plt »)
{…} Paramètres du solver numerique
Solve
Définition du type d’analyse et des
{…} résolutions à effectuer
SENTAURUS DEVICE (2/3) 160

❑ Exemple :
SENTAURUS DEVICE (2/3) 161

❑ Exemple :
SENTAURUS DEVICE (3/3) 162

Exemple: La capacité MOS


❑ Simulation des caractéristiques Qsc(VG) avec DESSIS

❑ Exploitation des simulations sous INSPECT et création de la caractéristique


C(V)

Fichier de simulation SentaurusDE Résultats de la simulation


INSPECT (1/2) 163

INSPECT Exploitation des fichiers de simulation

Entrée : .plt, .sav (projets sauvegardés)


Fichiers Sortie : graphique, .txt, ...

❑ INSPECT permet d’exploiter les fichiers de sortie issus du simulateur


électrique (SDevice)

❑ Cet outil permet de visualiser les variables de sortie du simulateur


ainsi qu’ un ensemble de fonctions définies a partir de ces variables
Variables de sortie: IDS(VGS)
Fonction définie: gm(VGS)=∂IDS/∂VGS
INSPECT (2/2) 164

Fichiers d’entrée (« .plt »)

Electrodes

Grandeurs calculées par le simulateur


INSPECT (2/2) 165

Liste des courbes (variables + fonctions définies)

Fenêtre graphiques (variables + fonctions)


SENTAURUS STRUCTURE 166

EDITOR (1/2)

Sentaurus Editeur de structure / Emulateur


de procédés technologiques
Structure
Editor Entrée : graphique, « .cmd »
Fichiers Sortie : « .sat », « .scm », « .bnd » , «
.cmd », « .tdr »
❑ SSE est un éditeur graphique de structure qui permet d’émuler un
certain nombre de procédés technologiques (implantation, diffusion). Il
permet la création interactive de structures en 2D et 3D a l’aide d’une
interface graphique ou d’un script.
❑ Il permet également de lancer le mailleur de la structure

❑ DEVISE peut générer les fichiers de sortie suivants:


• le projet global (« .sat »)
• variables de l’environnement graphique (« .scm »)
• fichiers d’entrée pour le mailleur (« .bnd » et « .cmd »)
167

X =-0,45 X =0,075 X =0,975 X =1,35


Y= -0,3 Y= -0,3 Y= -0,3 Y= -0,3

Poly Si

X =-0,15 X =0,45
Y= - 0,15 Y= -0,15
X =-0,075
X =-0,225 Y= -0,075 X =0,15
X =-0,6 Y= -0,075 Y= -0,075
X =0.825
Y= -0.075 SiGe Y= 0,0
X =1
X =0,225 Y= 0,0
Y= 0,0 SiO2 X =0.8
Y= 0,0

X =-0,3 X =0,7 X =1,1


Y= 0,3 X =0,3 Y= 0,3 Y= 0,3
Y= 0,3

X
Si
Y

X =-0,6 X =-0,45
Y= 0,6 Y= 0,6
168
Les étapes technologiques : Oxyde 169

• L’oxydation : Croissance de SiO2 sur Si

Application 1 :
- On réalise une oxydation sèche sur du silicium (orientation 111) de 1h30min à
900°C
- On réalise ensuite une seconde oxydation humide cette fois ci à 1000°C
pendant 30 min.

Épaisseur d’oxyde 1 =

Temps équivalent τ =

Épaisseur finale =
Les étapes technologiques : Oxyde 170

• L’oxydation : Croissance de SiO2 sur Si

Application 2 :
- On réalise une oxydation humide sur du silicium (orientation 111) de 1h40min à
900°C
- On réalise ensuite une seconde oxydation humide cette fois ci à 1000°C
pendant 30 min.

Épaisseur d’oxyde 1 =

Temps équivalent τ =

Épaisseur finale =
171

Le coefficient de diffusion est une constante qui caractérise la vitesse avec laquelle se déroule la
diffusion. Il est relié à la mobilité des impuretés par la relation d'Einstein :

D=µ (6.3)

La dépendance de D vis à vis de la température est de la forme :

D = Do exp (6.4)

où Ea est une énergie d'activation et k la constante de Boltzmann. Do est appelé le coefficient pré-
exponentiel, il dépend du semi-conducteur et de l'impureté.

L'énergie d'activation Ea est une grandeur qui décrit le degré de difficulté de diffusion d'une impureté.
La valeur de Ea est plus importante pour les impuretés qui diffusent par le mécanisme interstitiel que
celles qui diffusent par le mécanisme lacunaire. Les éléments des groupes III et V du tableau de
Mendéléev diffusent dans le silicium (groupe IV) par le mécanisme lacunaire, leur mouvement est
tributaire de la présence d'une lacune à côté de l'impureté. Le tableau 6.1 donne Do et Ea pour un
certain nombre d'élément dans le silicium.

Le lithium (Li) diffuse dans le silicium par le mécanisme interstitiel, c'est un diffuseur rapide qui peut
diffuser à température ambiante sous l'effet d'un champ électrique. D'autres impuretés telles que l'or
(Au) et le sodium (Na) qui sont des tueurs de la durée de vie des porteurs minoritaires dans le silicium
et dont la présence est néfaste dans les circuits intégrés, peuvent contaminer les circuits à partir des
bijoux et à partir de la graisse de la peau ou des débris de cheveux.
172

•L’implantation ionique : Exercice

On pratique une implantation ionique de bore dans du silicium avec une intensité
suffisante pour changer le type de conductivité de la profondeur atteinte.

1- Quelle est l'accélération utilisée en kV pour atteindre une profondeur de 1.25 µm


?

2- Quel est l'étalement de la distribution des impuretés ? (Dessiner un schéma)

3- En supposant que la concentration maximale d’impuretés est Co = 8.1 1017 cm-3,


calculer la quantité d’impuretés introduites lors de cette implantation ionique.

4- Calculer la concentration à la surface de la plaquette.


Matériau à Silicium SiO2 Siliciure
graver
SF6 CHF3 CFCl3

gaz CF4 + O2 CF4 + O2 CF2Cl2

HF CF4 + H2 CCl4

CFCl3 SiCl4 SF6

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