13/02/2017
Département de Physique
SMP – S5
Exercice 1 :
On considère l’étage amplificateur A représenté sous sa forme simplifié (Figure 1). Il est attaqué,
à travers la capacité de liaison C1 , par un générateur de tension parfait eg . Sa charge est
constituée par une résistance RU , en série avec la capacité de liaison C2 .
C1 C2 i
iE A
S
RS
eg vE AV 0 vE vS
RE RU
Figure 1
I- Etude en fréquences de travail ( C1 et C2 sont des court-circuits)
1)- Calculer le gain en tension à charge AV = vS vE .
iS
2)- Donner le gain en courant à charge Ai = iS iE , et à court-circuit Ai 0 =
iE v = 0
S
3)- Que vaut le gain en tension global AV = vS vE de N amplificateurs identiques mis en cascade
(figure 2) en fonction de RE , RS , RU , AV 0 et N. (prendre le cas de N=3 avant de généraliser)
vE A1 A1 AN RU vS
Figure 2
II- Etude en basses fréquences (prise en compte de l’impédance des capacités de liaison)
4)- Donner l’expression du gain en tension AV = vS eg et la mettre sous forme de :
ω ω
j j
vs ω1 ω2
= A0 ⋅ ⋅ . Identifier A , ω et ω .
eg ω ω 0 1 2
1 + j ω 1+ j ω
1 2
5)- Tracer l’allure du diagramme de Bode concernant le module de vS eg , et déduire sa nature.
6)- On souhaite amplifier une plage de fréquence comprise entre f1 et f 2 . Quelle valeur
minimale faut il donner aux capacités C1 et C2 .
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Faculté des Sciences
13/02/2017
Département de Physique
SMP – S5
vE A vS
Figure 3
7)- Calculer les capacités C1 et C2 de Miller en fonction de C et AV 0 .
Exercice 2
On considère le filtre ci-dessous où l’AO est idéal
C2
R
R
vE
−
C1 +
vS
2/2