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Solution de l’examen de l’Electronique Digitale

Questions de cours (10 pts)


1- Donner la définition de l’Ionisation Thermique et de recombinaisons des électrons libres dans un semi-conducteur.
Expliquer la notion d’un semi-conducteur extrinsèque ? (1.5 pts)
 L’augmentation de la température dans un semi-conducteur permet aux électrons de la couche de valence d’acquérir une énergie
supplémentaire positive provoquant ainsi la rupture de quelques liaisons de covalences= Génération de paires électrons trous
 L’électron libre se déplace de la bande de conduction vers la bande de valence pour combler un trous.
Ce déplacement d’électron permet au semi-conducteur de restituer l’énergie sous forme de chaleur ou émet de la lumière (photon),
 Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés
électriques adaptées aux applications et optoélectroniques.
2- Donner le modèle idéal d’une diode à jonction (avec seuil de 0,6 v), représenter sa caractéristique courant-tension et
donner son schéma équivalent dans les deux cas passant, et bloquant. (1.5 pts)

3- Quelle est la caractéristique principale de la diode Zener; Citer une application d’une
diode Zener et représenter sa caractéristique courant-tension ? (1.5pts)
 Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension seuil négative ou « tension
Zener » (VZ). (0.5 pts)
 Elle est souvent utilisée comme régulateur de tension dans les blocs d’alimentation (0.5 pts)
 Caractéristique courant-tension (0.5 pts)
Vd

-Imax
-Imin
Id

Vz
-

pente
1/Rz

4- Expliquer l’effet transistor ? Représenter la caractéristique statique de sortie d’un transistor bipolaire et les différentes
régions d’opération ? (1pts)
 l’effet transistor : Il est dû à l’interaction des deux jonctions PN du transistor, la jonction émetteur-base (EB) et la
jonction collecteur-base (CB), du fait de la faible épaisseur de la base.
 la caractéristique statique de sortie
5- Donner le modèle équivalent du transistor bipolaire en régime dynamique ? (0.5 pts)

i i
vb
b
r β c
vc
b
ib
e
E e

6- Représenter la caractéristique statique de sortie d’un transistor à effet de champs et les différentes régions d’opération ?
(1pts)

7- Quelle la relation entre la tension de pincement et la tension de blocage dans un T.E.C ? (0.5 pts)
VGSoff et VP sont toujours égales, mais de signes contraires, VGSoff =- VP

8- Donner le modèle équivalent du transistor à effet de champs en régime dynamique ? (0.5 pts)

G i D
v g ρ (oud gds)v
gs mS ds
v
gs
9- Quelles sont les principales différences entre les transistors : bipolaire et à effet de champs ? Dresser un tableau
comparatif ; (2 pts)
bipolaire effet de champs
composant bipolaire composant unipolaire
source de courant commandée par un courant source de courant commandée par une tension
impédance d'entrée KΩ Très forte impédance d'entrée MΩ
fabrication non simple Simple à fabriquer,
facteur de bruit important
Facteur de bruit inférieur au transistor bipolaire.
Exercice2 (04 points)

Considérons le montage où la diode est au silicium (la diode est idéale avec un seuil de (0,7V)).

- Donner le circuit équivalent du montage ci-contre dans les deux cas (diode passante et bloquante) ?
Ve<-0.7 v la diode est passante et Vs=0.7v (1pts)
Ve>-0.7 v la diode est bloquée Vs=Ve (1pts)

- Déterminer la forme de signal Vs(t) lorsque Ve(t)a la forme suivante ? (2 pts)

Exercice1 (06 points)

Un transistor bipolaire est utilisé dans un montage avec polarisation par pont de résistances. Le point de repos
(fonctionnement) a pour valeurs :
I B 0=2mA , V CE 0=4.5 v , I C 0=200 mA , V BE 0=0.65 v et pour V CC =8 v

- Calculer Rc.
- Ecrire et représenter l’équation de la droite de charge statique. localiser le point
de fonctionnement. IC
- Calculer sans négliger I B 0 , la résistance R1 et R2 pour que le courant I P soit de
13 mA .  (
m
Equations de fonctionement
A)

VBE0=R2 IP   V
VCE0 - VBE0= -RC IC0+ R1 (IB0+ IP) CE
(
VCC - VCE0= RC IC0 V
RC= VCC - VCE0/ IC0 RC=17.5Ω (1pts) )

- Ecrire et représenter l’équation de la droite de charge statique.

IC0= (VCC - VCE0)/ RC IC0=(8- VCE0)/Rc (1pts) (2pts)

Calcul de R1 ET R2

Ic0 vce0
R2= VBE0/ IP R2=50Ω (1pts)
R1=( VCE0 - VBE0+ RC IC0)/( IB0+ IP)= (VCC - VBE0)/ ( IB0+ IP)=

R1=490Ω (1pts)

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