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Structure électronique des semi-

conducteurs[modifier | modifier le code]
Principe de la structure en bandes[modifier | modifier le code]
Article détaillé : Théorie des bandes.

Schéma théorique établi selon la théorie des bandes d'énergie indiquant suivant les cas la position respective de la

bande de valence et de la bande d'énergie.

Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via
la théorie des bandes. Ce modèle stipule qu'un électron dans un solide ne peut que prendre des
valeurs d'énergie comprises dans certains intervalles que l'on nomme « bandes », plus
spécifiquement bandes permises, lesquelles sont séparées par d'autres « bandes »
appelées bandes d'énergie interdites ou bandes interdites.

Deux bandes d'énergie permises jouent un rôle particulier:

 la dernière bande complètement remplie, appelée « bande de valence »

 la bande d'énergie permise suivante appelée « bande de conduction »

La bande de valence est riche en électrons mais ne participe pas aux phénomènes de conduction
(pour les électrons). La bande de conduction, quant à elle, est soit vide (comme aux températures
proches du zéro absolu dans un semi-conducteur) soit semi-remplie (comme dans le cas des
métaux) d'électrons. Cependant c'est elle qui permet aux électrons de circuler dans le solide.

Dans les conducteurs (métaux), la bande de conduction et la bande de valence se chevauchent.


Les électrons peuvent donc passer directement de la bande de valence à la bande de conduction
et circuler dans tout le solide.

Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont séparées par une bande
interdite, appelée couramment par son équivalent anglais plus court « gap ». L'unique différence
entre un semi-conducteur et un isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne à
chacun ses propriétés respectives.

Dans un isolant cette valeur est si grande (aux alentours de 6 eV pour le diamant par exemple)
que les électrons ne peuvent passer de la bande valence à la bande de conduction: les électrons
ne circulent pas dans le solide.

Dans les semi-conducteurs cette valeur est plus petite (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour
le germanium, 2,26 eV pour le phosphure de gallium). Si on apporte cette énergie (ou plus) aux
électrons, par exemple en chauffant le matériau, ou en lui appliquant un champ
électromagnétique, ou encore dans certains cas en l'illuminant, les électrons sont alors capables
de passer de la bande de valence à la bande de conduction, et de circuler dans le matériau.
Notion de gap direct, gap indirect[modifier | modifier le code]

Structure de bande du silicium. Le minimum de la bande de conduction est situé sur l'axe Δ, en k≠0, ce qui en fait un

semi-conducteur à gap indirect.

La famille des matériaux semi-conducteurs, isolant à bande interdite de l'ordre de 1eV, peut être
divisée en deux groupes : les matériaux à gap direct, comme la plupart des composés issus des
colonnes III et V du tableau périodique des éléments chimiques, et les matériaux à gap indirect,
comme le silicium (colonne IV).

La notion de gap direct et indirect est liée à la représentation de la dispersion énergétique d'un
semi-conducteur: Diagramme E (Énergie) - k (Vecteur d'onde). Ce diagramme permet de définir
spatialement les extrema des bandes de conduction et de valence. Ces extrema représentent,
dans un semi-conducteur à l'équilibre, des domaines énergétiques où la densité de porteurs type p
pour la bande de valence et type n pour la bande de conduction sont importantes.

On parle de semi-conducteur à gap direct lorsque le maximum de la bande de valence et le


minimum de la bande de conduction se situent à valeur voisine du vecteur d'onde k sur le
diagramme E(k). Inversement, on parle de semi-conducteur à gap indirect lorsque le maximum de
bande de valence et le minimum de la bande de conduction se situent à des valeurs distinctes du
vecteur d'onde k sur le diagramme E(k).

Dans le cadre des applications en émetteur de lumière (interaction lumière/matière), on privilégie


les matériaux à gap direct. En effet, les extrema de bandes étant situés à des valeurs de k
semblables, la probabilité de recombinaison radiative des porteurs (rendement quantique interne)
est supérieure grâce à la conservation de la quantité de mouvement (même vecteur d'onde k).

Caractéristique spécifique aux matériaux à gap


direct[modifier | modifier le code]
Dans le domaine de l'opto-électronique, un paramètre essentiel à la compréhension des
phénomènes de générations / recombinaisons de porteurs, est la notion de coefficient
d'absorption. Celui-ci a deux caractères communs à l'ensemble des semi-conducteurs à gap
direct. Il présente tout d'abord un comportement assimilable en première approximation à une
marche d'escalier. Ainsi pour une énergie incidente inférieure à l'énergie de bande interdite, le
matériau est « transparent » au rayonnement incident, et le coefficient d'absorption est très faible.
À partir d'une valeur proche de l'énergie de bande interdite, ce coefficient présente une valeur
constante aux alentours de α ≈ 104 cm −1.
On parle ainsi de seuil d'absorption optique.

Modification des caractéristiques


électriques[modifier | modifier le code]
Semi-conduction intrinsèque[modifier | modifier le code]
Article détaillé : Semi-conducteur intrinsèque.

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur : il ne comporte aucune impureté et son
comportement électrique ne dépend que de la structure du matériau. Ce comportement
correspond à un semi-conducteur parfait, c'est-à-dire sans défaut structurel ou impureté chimique.
Un semi-conducteur réel n'est jamais parfaitement intrinsèque mais peut parfois en être proche
comme le silicium monocristallin pur.

Dans un semi-conducteur intrinsèque, les porteurs de charge ne sont créés que par des défauts
cristallins et par excitation thermique. Le nombre d'électrons dans la bande de conduction est égal
au nombre de trous dans la bande de valence.

Ces semi-conducteurs ne conduisent pas, ou très peu, le courant, excepté si on les porte à haute
température.

Dopage[modifier | modifier le code]
Généralités[modifier | modifier le code]
Article détaillé : Dopage (semi-conducteur).

La formation des bandes interdites étant due à la régularité de la structure cristalline, toute
perturbation de celle-ci tend à créer des états accessibles à l'intérieur de ces bandes interdites,
rendant le gap plus « perméable ». Le dopage consiste à implanter des atomes correctement
sélectionnés (nommés « impuretés ») à l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin d'en
contrôler les propriétés électriques.

La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l'intérieur du matériau semi-


conducteur. Si elle augmente la densité d'électrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle
augmente celle des trous, il s'agit d'un dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés
semi-conducteurs extrinsèques.

Dopage N[modifier | modifier le code]


Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-conducteur. Pour
ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes riches en électrons dans le semi-conducteur.

Par exemple, dans le cas du silicium (Si), les atomes de Si ont quatre électrons de valence,
chacun étant lié à un atome O voisin par une liaison covalente formant un tétraèdre. Pour doper le
silicium en N , on inclut un atome ayant cinq électrons de valence, comme ceux de la colonne V
(VA) de la table périodique : le phosphore (P), l'arsenic (As) ou l'antimoine (Sb)…

Cet atome incorporé dans le réseau cristallin présentera quatre liaisons covalentes et un électron
libre. Ce cinquième électron, qui n'est pas un électron de liaison, n'est que faiblement lié à l'atome
et peut être facilement excité vers la bande de conduction. Aux températures ordinaires,
quasiment tous ces électrons le sont. Comme l'excitation de ces électrons ne conduit pas à la
formation de trous dans ce genre de matériau, le nombre d'électrons dépasse de loin le nombre
de trous. Les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires. Et
parce que les atomes à cinq électrons ont un électron supplémentaire à « donner », ils sont
appelés atomes donneurs.

Dopage P[modifier | modifier le code]


Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-conducteur. Pour le
faire, on inclut un certain nombre d'atomes pauvres en électrons dans le semi-conducteur afin de
créer un excès de trous. Dans l'exemple du silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III du
tableau périodique), généralement un atome de bore. Cet atome n'ayant que trois électrons de
valence, il ne peut créer que trois liaisons covalentes avec ses quatre voisins créant ainsi un trou
dans la structure, trou qui pourra être rempli par un électron donné par un atome de silicium voisin,
déplaçant ainsi le trou. Quand le dopage est suffisant, le nombre de trous dépasse de loin le
nombre d'électrons. Les trous sont alors des porteurs majoritaires et les électrons des porteurs
minoritaires.

Jonction P-N[modifier | modifier le code]


Article détaillé : Jonction P-N.

Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé N et d'un semi-
conducteur dopé P. La jonction entraîne l'égalisation des niveaux de Fermi par décalage des
bandes. Si l'on applique une tension positive du côté de la région P, les porteurs majoritaires
positifs (les trous) sont repoussés vers la jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires
négatifs du côté N (les électrons) sont attirés vers la jonction. Arrivés à la jonction, soit les porteurs
se recombinent (un électron tombe dans un trou) en émettant un photon éventuellement visible
(LED), soit ces porteurs continuent leur course au travers de l'autre semi-conducteur jusqu'à
atteindre l'électrode opposée : le courant circule, son intensité varie en exponentielle de la tension.
Si la différence de potentiel est inversée, les porteurs majoritaires des deux côtés s'éloignent de la
jonction, bloquant ainsi le passage du courant à son niveau. Ce comportement asymétrique est
utilisé notamment pour redresser le courant alternatif.

La jonction P-N est à la base du composant électronique nommé diode, qui ne permet le passage
du courant électrique que dans un seul sens. De manière similaire, une troisième région peut être
dopée pour former des doubles jonctions N-P-N ou P-N-P qui forment les transistors bipolaires.
Dans ce cas-là, les deux semi-conducteurs de même type sont appelés l'émetteur et le collecteur.
Le semi-conducteur situé entre l'émetteur et le collecteur est appelé la base, et a une épaisseur de
l'ordre du micromètre. Lorsqu'on polarise la jonction émetteur-base en direct, celle-ci est passante
alors que la jonction base-collecteur est bloquée. Cependant la base est assez fine pour permettre
aux nombreux porteurs majoritaires injectés depuis l'émetteur (fortement dopé) de la traverser
avant d'avoir le temps de se recombiner. Ils se retrouvent ainsi dans le collecteur, produisant un
courant contrôlé par ce courant de base.


Jonction PN en polarisation directe.

Jonction PN en polarisation inverse.

Population des porteurs : 3.4 Semiconducteur


intrinsèque.
Si la bande permise est presque vide, la conduction de l'électricité est
proportionnelle à la densité des électrons libres. Si la bande permise est
presque pleine, la conduction de l'électricité est proportionnelle à la densité
des trous.

3.4.1 Semiconducteurs.
 Considérons les cristaux "isolants", ils possèdent des hauteurs de bande
interdite (Gap) différentes . Cette hauteur dépend principalement de la
structure cristalline (paramètres du réseau).

Valeurs des "Gap" en eV


  300 K   0 K
C 5.47 5.51
Ge 0.66 0.75
Si 1.12 1.16
SiC 3.0 3.1
GaAs 1.43 1.52
GaP 2.25 2.35
GaSb 0.68 0.81
InSb 0.17 0.24
InAs 0.36 0.42
InP 1.29 1.42
A T = 0 K, il n'y a
pas de porteurs dans
la BdC et dans la BdV
: on est dans le cas
ISOLANT

 Lorsque T   0 K et
si Eg est relativement
faible,  quelques
électrons du haut de la
BdV peuvent franchir
la bande interdite et se
retrouver dans le bas
de la BdC.

Le nombre de
porteurs libres croît
exponentiellement en
fonction de la
température, l'isolant
est de moins en moins
"bon", il devient
"semiconducteur".

 La distinction entre


isolant et
semiconducteur est
purement
quantitative :

 si Eg < 2 eV,
on a un
semiconducteu
r.
 si Eg > 5 eV,
on a un
isolant.

3.4.2 La génération recombinaison.


 Certains électrons de valence sont "excités" thermiquement.

 Si l'énergie gagnée est > Eg l'électron quitte sa position de liaison et se trouve alors
dans un état quasi libre dans le cristal.

 En quittant sa liaison d'origine, l'électron laisse derrière lui un site vide : c'est un
trou.
 Ce trou peut attirer un électron de valence d'une liaison proche qui en quittant son
site fait apparaître un trou. Le trou est mobile.
La rupture d'une laison fait apparaître 2 porteurs
: un négatif et un positif. C'est la paire électron-
trou.

 ce phénomène de génération de paire électron-


trou est d'autant plus important que l'énergie
thermique est forte c'est à dire la température du
cristal élevée.
 Lorsqu'un électron quasi-libre passe à proximité d'un trou, il est attiré par celui-ci et
peut aller occuper le site vide.

 Quand le trou disparait, l'électron redevient électron de liaison et il restitue l'énergie


qu'il avait acquis sous forme d'énergie thermique. Il y a disparition d'une paire électron
trou. C'est le phénomène derecombinaison.

 Dans le schéma énergétique, la génération  se traduit par le passage d'un


électron d'un état de la BdV à un état de la BdC.

Dans le schéma énergétique, la génération  se traduit par le passage d'un


électron d'un état de la BdV à un état de la BdC.

 La distance à Ec de l'état occupé dans la BdC  par l'électron correspond à
son énergie cinétique.

 La distance à Ev de l'état occupé par un trou dans la BdV correspond à
son énergie cinétique.

3.4.3 Le semiconducteur intrinsèque.


 Semiconducteur intrinsèque : c'est un semiconducteur pur sans défaut
de structure.
 Dans un semiconducteur intrinsèque, à chaque électron de la BdC
correspond un trou dans la BdV donc :

n = p = ni

 En remplaçant n et p par leur expression on trouve :

EFi : position du niveau de FERMI dans un semiconducteur intrinsèque.

A T = 0 K, le niveau de FERMI dans un semiconducteur intrinsèque est


exactement au milieu de la bande interdite.

Lorsque T augmente, le niveau de FERMI s'éloigne légèrement du milieu


sauf si me = mh.

Il est possible en introduisant les notions de nombre intrinsèque et de


niveau de FERMI d'écrire :

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