Chapitre II : Transistor

I- Introduction
1 ) Utilisations du transistor :
 Amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant, de puissance
 Etre utilisé comme une source de courant
 Agir comme un interrupteur commandé : essentiel pour l’électronique numérique.
2)Formes du transistor :
 Composant discret.
 Circuit intégré́ : de quelques unités (ex : AO) à quelques millions de transistors par circuit
microprocesseurs).
3)Types de transistors :
 Transistor bipolaire : source de courant pilotée en courant
 Transistor à effet de champs (JFET ou MOSFET) : source de courant pilotée en tension.
II- Transistor Bipolaire
II-1-Constitution et Principe physique
 Un transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal, il est constitué de trois couches semi-
conductrices dopées P ou N séparées par deux jonctions. Ces trois couches sont appelées :
émetteur (E), base (B), collecteur(C). Il existe deux types de transistors : le transistor NPN et
le transistor PNP .

Schéma équivalent
Interrupteur S est ouvert : Le courant entre la base et l’émetteur est nul. La jonction Base -
collecteur est polarisée en inverse, donc bloquée. Une courant de fuite de quelques nanoampères.
circule .
Interrupteur S est fermé: Lorsque le potentiel de la source E1 est légèrement supérieur à la
tension de seuil (0,7 V), la diode B-E conduit. Il s’établit un mouvement ou courant d’électrons de
l’émetteur vers la base ( sens conventionnel du courant électrique de base vers l’émetteur). L'
épaisseur de la base est extrêmement faible. Lorsque les électrons arrivent dans la zone de base, ils
sont attirés par la tension positive de collecteur plus élevée que la tension de base. Ils traversent la
zone base collecteur ( diode en inverse pour les électrons) et se retrouvent au collecteur . On récolte
ainsi au minimum 98 % des électrons
partis de l'émetteur sur le collecteur et au
maximum 2 % de ces électrons sur la
base, c'est l'effet transistor.
En général, Ic est de 99,8 à 98 % de IE et
IB est de 0,2 à 2 % de IE .
II-2- Symbole graphique et Schéma électrique (NPN)

Symbole analogie à diodes

• La flèche sur la borne émetteur indique le sens direct de la diode base – émetteur.

Lois de Kirchhoff appliquée au transistor IE=IB+IC

𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 (1 + ) (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
𝑉𝐴
KT
𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑉𝑇 =
q
IS : Courant de saturation inverse de la jonction émetteur base ~ 10 -14 A

II-3)Transistor PNP
II-3-1- Principe physique et Schéma équivalent

Le comportement physique est similaire à celui du transistor NPN avec les différences suivantes :
• Le courant est un courant de trous au lieu d'un courant d'électrons

• Les polarités des alimentations sont inversées. Le pôle négatif de E2 qui attire les trous de l'émetteur
vers le collecteur.
• Le sens physique du mouvement des charges correspond au sens conventionnel du courant.

II-3-2- Symbole graphique et schéma électrique

Symbole analogie à diodes

Les mêmes remarques que pour le transistor NPN s'appliquent au transistor PNP.
𝑉𝐶𝐸 𝑉
− 𝐵𝐸
−𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 (1 + ) (𝑒 𝑉𝑇 − 1)
𝑉𝐴
II-4. Les paramètres des transistors .

Lorsque le transistor est polarisé correctement, on peut définir plusieurs rapports de courants
statiques (courants continus), alpha statique et bêta statique. A l' entrée du transistor, un petit courant
de base commande un grand courant de collecteur en sortie. Le transistor est donc un composant actif
commandé en courant et amplifiant ce courant entre l'entrée et la sortie. Le rapport de démultiplication de
ce courant est
IC
𝛽 = 𝛽𝐷𝐶 = hFE =
IB

que nous appellerons rapport d'amplification ou gain en courant

• β (bêta) ou h que l'on trouvera plus couramment dans les catalogues de données techniques.
FE

Ce coefficient d'amplification est le rapport du courant de sortie sur le courant d'entrée.

On trouve dans la gamme commerciale β entre 20 et 900.
I peut être 20 fois (transistors de forte puissance) à 900 fois (transistors petits signaux) supérieur à I .
C B

β est très peut reproductible d’un composant à l’autre,

Un autre paramètre α
IC
𝛼= avec 0.98< α < 0.998
IE

Cela signifie que pour 100% des électrons partant de l'émetteur, 98% à 99,8% se retrouvent au collecteur.

III. Le transistor considéré comme un quadripôle

Le transistor ayant trois électrodes, l'une
d'elles sera commune à l'entrée et à la
sortie. Il en résulte trois montages
principaux. Emetteur commun
(EC),Collecteur commun(CC),Bas e
commune (BC)

IV. Réseaux de caractéristiques d’un transistor bipolaire

IV.1 Le courant de collecteur IC en fonction du courant de base IB et de la tension collecteur
émetteur V
CE
 Réseau obtenu

 Zone d'amplification I dépend peu de V mais se trouve dans un rapport β = 100 par
C CE
rapport à I .
B

 Zone de saturation :à comportement résistif (La tension V doit vaincre la résistance

CE
du silicium avant d'atteindre le courant I imposé par I ).
C B
 Zone de claquage. Si la tension V dépasse la tension maximum admissible entre
CE
collecteur et émetteur, on a une brutale augmentation du courant entraînant la
destruction du transistor si elle n'est pas contrôlée.


VA : Tension d’Early, paramètre technologique ~ 100V

𝐼𝐶
𝑉𝐴 = − VCE
∂𝐼
( 𝐶 )
∂VCE V
BE

IV.2 Le courant I en fonction de la tension base émetteur V

B BE
C'est la mesure de la caractéristique de diode base - émetteur analogue à la caractéristique directe
d'une diode au silicium.
 IV.3. Les réseaux de caractéristiques
La figure ci-dessous représente les caractéristiques électriques d’un transistor bipolaire NPN
en montage émetteur-commun dont les différentes fonctions et régimes sont :

 La fonction Ic = f (VCE) correspond aux caractéristiques de sortie. Le courant dépend de la

valeur du courant de base (IB).
 La caractéristique d’entrée du transistor correspond à la fonction VBE = f(IB)
 La fonction IC = f(IB) est la caractéristique de transfert en courant. C'est un faisceau de droites
de pente β. On peut donc dire que le transistor se comporte comme un générateur de courant
commandé (ou "piloté") par un courant.
On peut séparer deux domaines :
 un domaine linéaire IC = βIB qui correspond sur les caractéristiques de sortie aux positions de
courbes où IC varie peu avec VCE pour une valeur de Ib donnée.
 un domaine de saturation du courant de sortie Ic qui correspond à la partie coudée des courbes
de sortie ; en effet quand la tension VCE diminue pour devenir très faible, la jonction
collecteur-base cesse d'être polarisée en inverse, et le courant Ic décroît alors très rapidement.
  VBE ne dépend pratiquement pas de VCE , le réseau d'entrée ne comporte qu'une seule
courbe.
 IC dépend faiblement de VCE , le réseau de transfert ne comporte souvent qu'une seule
courbe.
 La puissance dissipée par un transistor est limitée à Pmax.
 Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie.
 Il existe une dispersion des caractéristiques pour des transistors de mêmes références.
 Ordres de grandeurs : VBE : 0.2 à 0,7 V ; VCE : 1 à qq 100 V ; IC : mA à A ; IB : μA.

 Le point de fonctionnement peut être porté sur le réseau .

IV.4. Influence de la température
 Lorsqu'un transistor est traversé par un courant, sa température augmente.
 Ceci a pour effet de diminuer le seuil de tension de la diode B-E.
 Conséquence : si V diminue, le courant I augmente
BE B

 • Si I augmente, I augmente , le transistor chauffe davantage

B C

 Ceci entraîne une nouvelle diminution du seuil V . C'est l'emballement thermique dû au

BE
coefficient de température négatif des semi-conducteurs au silicium et au germanium. Cet
emballement peut entraîner la destruction du transistor si aucune disposition n'est prise dans le
montage.

V.Régimes de fonctionnement du transistor bipolaire

Régimes de fonctionnement :

 Si IB = 0 (VBE ≤ 0) : transistor
bloqué, rien ne circule.

 Si IB > 0 : transistor en régime

linéaire IC = βIB (effet
transistor).

 Si IB >IC CC /β ⇒VCE
=0:transistor saturé IC =I CCC.

Le transistor se comporte comme une source de courant pilotée en courant :

caractéristique IC = f (IB ) :

V.1. Le transistor en commutation

– Région de blocage et Région de saturation

V.2. Polarisation du transistor (zone linéaire)

Pour que le transistor fonctionne en régime linéaire, il faut le mettre en conditions statiques de
fonctionnement linéaire : c’est le rôle de la polarisation.
Polarisation = Grandeurs continues et constantes

Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par l'adjonction de sources de
tension continues et de résistances . Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun
des quadrants du réseau de caractéristiques.
 ce point est appelé point de
fonctionnement ou point de
repos .Le point de fonctionne me nt
caractérise deux variables
indépendantes du transistor : IC et
VCE . Il doit être choisi dans la zone
linéaire, mais en dehors des zones
interdites et doit être peut sensible
aux variations de température

V.2.1. Polarisation à deux sources de tension:

C'est un montage peu utilisé car il

nécessite deux sources.

V.2.2 – Polarisation à une source de tension

E − VBE
E = R B 𝐼𝐵 + VBE => 𝐼𝐵 =
RB
E − VBE
𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = β
RB
E − VBE
VCE = E−R C 𝐼𝐶 = E−R C β
RB

C'est un montage instable en

température
V.2.3 – Polarisation par pont et résistance d'émetteur

V.2.3. 1 – Détermination approchée du point de fonctionnement

.
On considère I1 ,I2 >>IB => I1=I2 >>IB

on en déduit:
R2
VBM = E
(R 1 + R 2 )
on a:
VBM = VBE + R E IE = VBE + R E (IC + IB )
Si β est grand, IC>>IB et VBM ≈ VBE + R E IC

d'où
VBM − VBE E. R 2 V
𝐼𝐶 = = − BE
RE (R 1 + R 2 )R E R E

on a

E = R C IC +VCE + R E IE = R C IC +VCE + R E (IC + IB )

≈ R C IC +VCE + R E IC

On en déduit
(R C + R E )R 2 (R C + R E )VBE
VCE = E − (R C + R E )IC = E − E −
(R 1 + R 2 )R E RE

Stabilité en température :si IC ↑ , VE ↑ donc VBE ↓ => IB ↓=> IC ↓

V.2.3 2 – Détermination rigoureuse du point de fonctionnement

R 1R 2 ER 2
𝑅𝐵 = , 𝑉𝐵 =
R 1 +R 2 R 1 +R 2
E = R C IC + VCE + R E (IC + IB )

VB = R B IB + VBE + R E (IC + IB )

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵
 VBE= valeur moyenne
V.2.3.3 – Détermination graphique du point de fonctionnement

En négligeant IB devant IC , on a E = RC IC + VCE + RE IC .

On en déduit l'équation de la droite de charge :

𝐸 − 𝑉CE
𝐼𝑐 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

Connaissant l'un des paramètres, on peut en déduire les autres.

VI – Le transistor en régime dynamique

L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé

lorsqu'on applique de petites variations à l'une des grandeurs électriques.

VI .1. Analyse d'un montage Emetteur commun

VI .1.1. Polarisation
En continu (transistor polarisé), le point de repos est défini par les points P0, Q0 et R0, de
coordonnées VCEo, Ico, Ibo et VBEo.

VI .1.2.Modeles Petits signaux du transistor bipolaire:

Le modèle petit signaux correspond à la linéarisation du fonctionnement du transistor autour de son

point de polarisation.

Petit signaux = Grandeurs périodiques et centrées :

 Capacités de liaison ⇔Fils.
 Tension d’alimentation constantes ⇔Masses.
On utilise pour ce faire le modèle (simplifié) petits signaux du transistor :

Paramètres du modèle :
 rbe=h11 : résistance base-émetteur.
 rce : 1/h22résistance collecteur-émette ur
(souvent négligée
 β : h21 amplification en courant.
 Les capacités de jonctions sont négligées
en BF.

1
𝑍𝑐 =
jC𝜔
pour ω =0 Zc→∞ 0 , circuit ouvert

pour ω≠0 , ZC≈0 si C est grand,

court circuit
CLE , CLS : condensateurs de liaison.
On considère la charge infinie. Le point de fonctionnement se déplace alors entre R1 et R2, Q1 et
Q2 et P1 et P2.

Remarques :
 Quand VBE ➚ , IB donc IC ➚ et VCE ➘.
 ∣ΔVBE∣ = ∣VBE1 – VBE2∣ << ∣ΔVCE∣ = ∣VCE1 – VCE2∣

⇒ amplification de tension mais en opposition de phase.

 Les grandeurs électriques comportent une composante continue et une composante alternative.

On peut donc décomposer l'analyse

du montage en : 𝑣𝐵𝐸 (t) = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)
 une étude en continu (statique) 𝑖 𝐵 (t) = 𝐼𝐵0 + 𝑖 𝑏 (𝑡)
pour calculer le point de repos, 𝑣𝐶𝐸 (t) = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
𝑖 𝐶 (t) = 𝐼𝐶0 + 𝑖 𝑏𝑐 (𝑡)
 une étude en dynamique pour
calculer les gains

En appliquant le théorème de superposition :

 +
Si la source E est de bonne qualité, r0 = 0 :

Q : quadripôle équivalent Q au
transistor en régime dynamique.

Statique Dynamique

Statique Dynamique

VI.2 – Modèle en régime dynamique

En régime dynamique, le transistor peut être considéré comme le quadripôle suivant :

 𝒗𝒃𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟏𝟐 𝒗𝒄𝒆

𝒊𝒄 = 𝒉𝟐𝟏 𝒊𝒃 + 𝒉𝟐𝟐 𝒗𝒄𝒆

En utilisant les paramètres hybrides :

𝒗𝒃𝒆 𝒊𝒄
𝒉𝟏𝟏 = |𝒗 = 𝟎 𝒉𝟐𝟏 = |𝒗 = 𝟎
𝒊𝒃 𝒄𝒆 𝒊𝒃 𝒄𝒆

𝒊𝒄 𝒗𝒃𝒆
𝒉𝟐𝟐 = |𝒊 = 𝟎 𝒉𝟏𝟐 = |𝒊 = 𝟎
𝒗𝒄𝒆 𝒃 𝒗𝒄𝒆 𝒃

𝒅𝒗𝑩𝑬
𝒉𝟏𝟐 = | 𝑰 = 𝒄𝒔𝒕𝒆
𝒅𝒗𝑪𝑬 𝑩

𝒅𝒊𝑪
𝒉𝟐𝟏 = | 𝑽 = 𝒄𝒔𝒕𝒆
𝒅𝒊𝑩 𝑪𝑬

𝒅𝒊𝒄
𝒉𝟐𝟐 = | 𝑰 = 𝒄𝒔𝒕𝒆
𝒅𝒗𝑪𝑬 𝑩

Les valeurs des paramètres dépendent du pt de polarisation

Remarques :
 θ= 0 ⇒ tan(θ) = 0 donc h12 = 0.
 pour de faibles valeurs de IC ,τ est très faible ⇒ tan(τ) est très faible donc h22 ≈ 0 on peut
donc simplifier le schéma équivalent

donc ic = h21 ib
sachant que IC = β IB , on a h21 = β
Si IC augmente, les caractéristiques
IC= f(VCE) ne sont plus horizontales
et h22 n'est plus négligeable.

On suppose que les paramètres sont réels. Ceci n'est vrai qu'aux basses fréquences. Pour les
hautes fréquences, les capacités parasites qui existent dans le transistor conduisent à des expressions
complexes pour les paramètres.

 Les valeurs des paramètres varient avec le point de polarisation du transistor .

VI.3.Transconductance:
Modèle petit signal peut être présenté suivant le montage suivant:

d𝑉𝐵𝐸 V
𝑟𝜋 = 𝑟𝑏𝑒 = R in = h11 = ≈β T
dIB IC

VT
h11 =≈ h21
IC

d𝑉𝐶𝐸 VA + VCE
𝑟0 = 𝑟𝑐𝑒 = R out = h−1
22 = ≈
dIC IC
la transductance gm

dIC I
gm = ≈ C ; g m vbe = βib = 𝒉𝟐𝟏 ib
dVBE VT

VI.4 – Montages fondamentaux

On considère que l'impédance des condensateurs utilisés est très faible à la fréquence de travail. Ces
condensateurs seront donc remplacés par des court circuits en régime dynamique.

VI.4.1 – Montage émetteur commun

La résistance RE est indispensable

pour obtenir un point de fonctionnement
(point de repos) stable en température

Le condensateur C E s'oppose aux variations de potentiel de l'émetteur. Du point de vue des « petits
signaux », l'émetteur est donc connecté à la masse.
On considère que l'impédance interne de la source est nulle. En remplaçant les condensateurs par des
court circuit et le transistor par un quadripôle équivalent, on obtient le schéma en régime dynamiq ue
suivant :
En régime dynamique, l'émetteur est bien l'électrode commune à l'entrée et à la sortie.
En négligeant les paramètres h12 et h22 , le schéma devient :

a)Etude statique et dynamique dans le plan IC , VCE

RB=R1 ∕∕ R2

E−VCE 1
𝐸 = R C IC+VCE + R E => 𝐼𝐶 = vs = vce = −R C ic => 𝑖𝑐 = − vce
RC+ RE RC

Droite de charge statique : lieu des Droite de charge dynamique : lieu des
variations du point de points de variations du point de points de
fonctionnement en statique. fonctionnement en dynamique. Il s'agit d'une
droite de pente 1/RC
b)Etude dynamique en charge dans le plan IC , VCE
RB=R1 //R2
en charge, on a:

vs = vce = −(R C ∕∕ R Ch )ic

R C+ R ch
=> 𝑖𝐶 = − v
R C Rch ce

L'excursion maximale de vce est inférieure

à E0.

Elle est limitée par le droite de charge

dynamique

(point E1) et par la zone de saturation.

VI.4.2 – Montage collecteur commun

schéma équivalent en dynamique

VI.4.3 – Montage base commune

Schéma équivalent
VI.5 – Caractéristiques des montages
On considère le montage comme un quadripôle alimenté par un générateur de Thévenin eg , rg et
chargé par une impédance Zch.

VI.5.1 – Définitions
v1 v2 v2 ZE
𝑍𝐸 = 𝐴𝑣 = 𝐴𝑣𝑔 = = Av .
i1 v1 eg ZE + R g
i2 v2 v2
𝐴𝑖 = 𝑍𝑠 = | eg = 0 ou | v1 = 0 si rg=0
i1 v1 i2

VI.5.2 – Propriétés des montages fondamentaux

montage
propriétés EC CC BC

Ze moyenne (1K Ω) forte (100K Ω) faible (20 Ω)

Zs moyenne (50K Ω) faible (100 Ω) très forte (1M Ω)

Av négatif fort (-100) Positif (1) Positif fort(100)

Ai Positif fort(50) négatif fort (-50) négatif faible

Applications :
 EC : montage amplificateur (tension – courant).
 CC : montage adaptateur d'impédance (ZE fort, ZS faible), étage de séparation entre deux
étages dont les impédances sont inadaptées (ZS1 >> ZE2).
 BC : montage amplificateur de tension à forte impédance de sortie (qualité parfois recherchée
en HF).


VI.5.3 – Association de montages

L'association de plusieurs étages est nécessaire :

 soit quand le gain d'un seul étage est insuffisant,
  soit quand les impédances d'entrée ou de sortie sont inadaptées.

On associe généralement :
 EC + EC : pour obtenir un gain élevé
 CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée
 EC + CC : si l'impédance de la charge est faible.

 CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant.

VII. Inconvénients des transistors bipolaires :

 Courant de base non nul ⇒ consommation non nulle.

 Risque d’emballement thermique (si RE = 0) : dVBE < 0

 Pilotage en courant (pas en tension)

 On souhaite un autre type de transistor :

 A consommation d’énergie très réduite en commutation.

 Pilotable en tension.

 Sans risque d’emballement thermique (facteur secondaire...)