INTRODUCCION

Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito

electrónico. Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.

Un diodo es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente
eléctrica a través de el, pero depende de las características de esta corriente para que el dispositivo tenga
un comportamiento que nos sea útil.
La gran utilidad de el diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de
la corriente eléctrica que este fluyendo en el, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos
los diodos tienen la opción de ser usados en elementos electrónicos en los que estos facilitan el trabajo.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada
barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en
el diodo de silicio. En una situación ideal, se comporta como un interruptor común con la condición especial
de que solo puede conducir en una dirección. Tiene un estado encendido, el que en teoría parece ser
simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus características
terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0
V) el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado (R= 0 ) y la corriente que circula a través de este
esta limitada por la red en la que este instalado el dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo
se encuentra en el estado de circuito abierto (R= ) e ID = 0 mA.

El diodo ideal presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un voltaje con polaridad
determinada, el diodo permite el flujo de corriente con resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad
opuesta no permitirá el paso de corriente.
 OBJETIVOS

1. Reconocer la importancia del diodo en el desarrollo de la Electrónica.

2. Asumir la necesidad de abordar el estudio del diodo, con el fin de comprender algunos de los
aspectos del entorno científico/tecnológico en que se desenvuelven, dominado por la Electrónica.
3. Conocer y distingan el comportamiento de un diodo en polarización directa e inversa.
4. Interpretar la característica I-V ideal de un diodo.
5. Conocer las aplicaciones del diodo como protector de circuitos y en circuitos de rectificación
elementales.
 MARCO TEÓRICO

UNIÓN P-N

Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos
entre si.

Este conjunto sería del tipo N, ya que deja un electrón libre pues le sobra del enlace, con lo que el átomo
(azul) se convierte en un ión positivo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un electrón libre

En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en un ión negativo al mismo
tiempo que contribuye con la generación de un hueco libre.

Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión se atraen, cruzan la unión y
se neutralizan.

Según este proceso inicial, la zona N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto queda cargada
positivamente. Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con lo que queda cargada
negativamente.
Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona P que
quieren atravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el paso de los
electrones provenientes de la zona N

Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial
interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no pudiendo existir corriente.

POLARIZACIÓN DIRECTA

Si aplicamos una tensión exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo
en anchura. A mayor tensión aplicada externamente corresponderá una barrera interna menor y podremos
llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.

En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en disposición de pasar a la
zona P. Exactamente igual están los huecos de la zona P que quieren "pasar" a la zona N.

A la tensión externa que anula la barrera de potencial de la unión y la deja preparada para el paso de los
respectivos portadores mayoritarios, se le denomina tensión Umbral. Se la representa po Vu y sus valores
prácticos son:

Para el Silicio Vu = 0,4 - 0,5 voltios

Para el Germanio Vu = 0,05 - 0,06 voltios

Al conjunto de tensiones que crean corriente proporcional en el diodo se les llama tensiones de polarización
directa o de funcionamiento. Sus valores típicos son:

Para el Silicio 0,5 - 0,8 voltios

Para el Germanio 0,06 - 0,15 voltios

Flujo de corriente en un diodo polarizado en directo

Llegará un momento en que el proceso, aumento de tensión exterior, aumento de corriente en la unión,
tendrá que parar. Y esto es así, porque a partir de un determinado valor de la tensión exterior aplicada, los
electrones se neutralizan en mayor número con los huecos en el interior del diodo y son pocos los que
pueden salir al circuito exterior. Es decir que el aumento es absorbido por el mismo diodo. A esta tensión a
partir de la cual la corriente a través del diodo se mantiene constante, (en la práctica aumenta ligeramente)
se le denomina tensión de saturación.

Sus valore típicos son:

Para el Silicio Vsat 0,8 - 0,9 voltios

Para el Germanio Vsat 0,15 - 0,2 voltios

Cualquier intento de provocar un aumento de corriente puede originar a partir de este momento la
destrucción del diodo.

SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR

Estructura

Símbolo gráfico

El material tipo P recibe el nombre de ánodo.

El material tipo N recibe el nombre de cátodo

La flecha indica el sentido convencional de la corriente.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL

Si el diodo está polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado, pequeña
resistencia.

Con polarización inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.

CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los átomos
generan calor que hará aumentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conducción en
el diodo.
 Característica I/V de un diodo semiconductor

Tensión umbral, de codo o de partida (Vu ).La tensión umbral (también llamada barrera de
potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma
que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad.
Corriente inversa de saturación (OC ).Es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura
Tensión de ruptura (Vr ).Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse
el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación;
en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta
la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los
que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco
que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se
aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se
aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez.
El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se
produce para valores de la tensión superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de
la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V
entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo
eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser
capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.
 A partir de C, zona de avalancha
Vs Tensión de saturación
OA Tensión de saturación
AB Zona de conducción

MODELOS MATEMÁTICOS

El modelo matemático más empleado es el de Shockley que permite aproximar el comportamiento del diodo
en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensión entre sus

extremos.
IS es la corriente de saturación
q es la carga del electrón
T es la temperatura absoluta de la unión
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26 mV a
temperatura ambiente (300 K ó 27 ºC).

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más sencillos), en
ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por
tramos rectos; son los llamados modelos de continua que se muestran en la figura. El más simple de
todos (4) es el diodo ideal.

TIPOS DE DIODO

Diodo Zener: Los diodos zener o también llamado diodos de avalancha, son diodos semiconductores de
unión pn cuyas propiedades están controladas en las zonas de polarización inversa y por esto son muy
útiles en numerosas aplicaciones.
Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:

a.- Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión zener.- Es la tensión que el zener va a
mantener constante.

b.- Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es menor, no hay seguridad en
que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornes

c.- Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el máximo valor de la
corriente que puede soportar el Zener.

Diodo Schottky Un diodo schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n. Por lo general se
utilizan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
En estos diodos el platino actúa como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio n y
así los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta difusión hace que el material tipo n
(silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unión y por consiguiente que adquiera un potencial
positivo que se caracteriza por la falta de electrones. Cuando esta tensión llega a ser suficientemente alta,
impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensión positiva suficientemente
grande entre las terminales, los electrones de la región n están sometidos a un potencial positivo en el lado
del metal de la unión y surge una circulación de electrones.

Diodo Emisor De Luz (Led) Un foto diodo es un dispositivo de dos terminales cuyas características de
corriente en función de la iluminación se parece mucho a las de corriente en función de voltaje de un diodo
común.
Diodos varactor Los diodos de unión perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo
de polarización inversa el diodo varactor se fabrica específicamente para operar en este modo. La
capacitancia es una función de la inversa de tensión. Por tanto, el diodo actúa como capacitor variable,
donde el valor de la capacitancia es una función de la tensión de entrada.
Un uso común de este diodo es en el oscilador controlado por tensión (VCO).

Diodos túnel (diodo Esaki) El diodo túnel está más contaminado que el diodo zener, provocando que la
zona desértica sea más pequeña. Esto aumenta la velocidad de operación, por lo que el diodo túnel es útil
en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarización directo, la corriente aumenta con
mucha rapidez hasta que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae rápidamente. El diodo túnel es útil
debido a esta cesión de resistencia negativa. La región de resistencia negativa de un diodo túnel se
desarrolla de manera característica en el intervalo de 50 mV a 250 mV.

Diodos PIN
El diodo que tiene la región poco contaminada y casi intrínseca entre las regiones de y n se llama diodo
Pinto. El nombre se deriva del material intrínseco entre las capas p y n. Debido a su construcción, el diodo
quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicación en frecuencias altas. Cuando se polariza en
directo, la inyección de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la región intrínseca. Cuando se
polariza en inverso, la región i se vacía totalmente de portadores y la intensidad del campo a través de la
región es constante.

OBSERVACIONES

Cada diodo tiene su nomenclatura y caracteristicas

La nomenclatura esta directamente relacionada con el uso que se va a hacer del diodo.

Las características nos dirán las tensiones y corrientes que cada uno puede soportar

El Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en sus bornes a un
valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores
comprendidos entre el valor mínimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener máxima
que puede disipar.
 BIBLIOGRAFIA

Electrónica

J.M. Calvert

M.A.H. McCausland

Edit. Lumisa

Fundamentos de electrónica

Robert L. Boylestad

Louis Nashelsky

Cuarta edición

Edit. Person Education

Circuitos electrónicos

Donald L. Schilling

Charles Belove

Tercera edición

Edit. Mc Graw Hill