Quelques propriétés

Cristal cubique

• Il existe trois réseaux différent

Cubique face centré

Cubique simple Cubique centré

• Plans cristallographiques
 Quelques propriétés
Bandes d’énergie

• Les électrons d’un atome isolé prennent des niveaux discrets d’énergie
qui sont en fait constitués de sous-niveaux.
• Si on rapproche deux atomes: niveaux (ou sous-niveaux) vont se dédoubler

• Si on rapproche N atomes:

-Apparition des bandes d’énergie (niveaux discrets très rapprochés)

-Séparation à nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue

• Apparition d’une bande interdite (‘Gap’).

 Quelques propriétés
Bandes d’énergie

• Exemples de largeur de bande interdite et de distances inter-atomique.

Gap direct ou inderect

Energie de l'électron
• Ec,v (k): relations de dispersion ;
Ec est le bas de la bande de conduction
Ev le haut de la bande de valence et
k le vecteur d’onde
• Ec et Ev se produisent pour la même valeur de k (∆𝑘=0) : SC à gap direct
• Ec et Ev se produisent pour ∆𝑘 ≠ 0 : SC à gap indirect
 Quelques propriétés
Conduction par électron ou par trou

• Apporte une énergie à une liaison de valence

• Arrache un ou plusieurs électrons
• Cet électron de la bande de valence passe dans la bande de conduction
• L’électron se comporte comme une particule quasi-libre dans le semi-conducteur
car il y subit l’influence du réseau.
• On lui affectant une masse effective mn différente de la masse m0 (0.91 1030kg) de l’électron libre dans le vide.
• En fait, il apparait aussi un trou libre .
 Quelques propriétés
Conduction par électron ou par trou
Au voisinage d’un extremum des bandes (BV ou BC), on peut approcher les relations de
dispersion E(k) par un développement limité :

On peut calculer le nombre de « places » disponibles (occupées ou non) par les électrons (dans la BC) et les trous (dans la BV).
Cette ’densité d’états’ s’obtient par exemple pour les électrons (dans la BC) en écrivant :

On obtient au final :
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur intrinsèque

• Semi-conducteur non pollué par des impuretés

• Pour une température différente de 0 K, des électrons peuvent devenir libres
 Passer de la BV à la BC , où leur concentration est notée n.
 Ces électrons laissent des trous dans la BV (avec une concentration notée p) eux-aussi libres
 de se déplacer avec, de plus, une égalité entre les concentrations n et p.
• La concentration intrinsèque ni (égale aux concentrations n et p) :

Où A est une constante spécifique du matériau

 Plus le gap (EG) est grand et plus l’énergie qu’un électron doit acquérir devient importante
 Un matériau à grand gap a une meilleure stabilité en température : intéressant pour
l’électronique de puissance

• ln (𝑛𝑖) en fonction de 1/T est une droite de pente -𝐸𝐺 /2𝑘 ce qui donne la
possibilité de déduire expérimentalement 𝐸𝐺.
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur extrinsèque : dopage
 Semi-conducteur de type n

• Atomes (ou impuretés) de type donneur (d’électrons) ont été introduits (en général en faible quantité) afin de
privilégier la conduction par électrons plutôt que par trous.
• Les atomes peuvent être de la colonne V (phospore) si le cristal initial est constitué d’atomes de la colonne IV
(Si).
• Un faible apport d’énergie (0,04 eV), par exemple dû à une température différente de 0 K, peut libérer le
cinquième électron de l’atome de phosphore qui se retrouve alors ionisé positivement (charge fixe).
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur extrinsèque : dopage
 Semi-conducteur de type n

• Ce phénomène correspond à l’apparition d’un niveau d’énergie ED dans la bande interdite (avec EC - ED= 0,04 eV).
• à partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont « dégelées ».
• La concentration n0 en électrons (appelée concentration en porteurs « majoritaires ») sera alors égale à la
concentration en dopant ND (n0 = ND >> ni >> p0 concentration en trous concentration en trous,
• minoritaires).
• Comportement intrinsèque du matériau se produit pour une température supérieure à 500 K.

a. T0 = 0 K, n0 = p0 = 0.
b. 0 < T1 < 50 K, les impuretés s’ionisent (se dégèlent).
c. 50 K < T2 < 500 K, n0 ≈ ND >> ni(T2) >> p0.
d. T3 > 500 K, n0 ≈ p0 ≈ ni(T3).
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur extrinsèque : dopage
 Semi-conducteur de type P

• Atomes (ou impuretés) de type accepteur (d’électrons) en faible quantité afin de privilégier la conduction par
trous plutôt que par électrons.

• Le cristal de la colonne IV (Si) => atomes la colonne III (Bore).

• Un faible apport d’énergie permet à l’atome de bore de subtiliser un électron à proche voisin.
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur extrinsèque : dopage
 Semi-conducteur de type p

• Apparition d’un niveau d’énergie EA dans la bande interdite

• A partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont « dégelées ».
• p0 = NA >> ni >> n0 pour 50 K < T2 < 500 K
• Comportement intrinsèque du matériau pour T> 500 K.

a. T0 = 0 K, n0 = p0 = 0.
b. 0 < T1 < 50 K, les impuretés s’ionisent.
c. 50 K < T2 < 500 K, p0 = NA >> ni (T2)>> n0 .
d. T3 > 500 K, n0 ≈ p0 ≈ ni(T3).
 Semi-conducteurs dopés et non dopés
Semi-conducteur extrinsèque : dopage
 Semi-conducteur compensé

• Les impuretés qui restent dans un semi-conducteur sont appelées les impuretés résiduelles.

• Ces impuretés peuvent jouer le rôle de donneurs ou d’accepteurs. Si un semi-conducteur contient des impuretés
d’un type donné, on peut le doper avec des impuretés de type opposé afin décompenser l’effet des impuretés
résiduelles.
• Les impuretés dopantes (ou même profondes) de type différent peuvent se compenser, partiellement ou
totalement.
• Semi-conducteur Parfaitement compensé (NA = ND) : un semi-conducteur intrinsèque par compensation.

Diagramme de bandes d’un semi-conducteur de

type n en partie compensé (NA < ND).
a. T0 = 0K.
b. T1 > 50 K : le dopage équivalent (à Tambiante ) est
(ND - NA) ≈ n0.