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Cours de M. PERRIN - Directeur du C.M.E.B.A?
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1. Microscopie électronique à balayage


1.1. Historique 

Le tableau I donne un rappel historique succinct. La conception du MEB date


de 1929, la première réalisation de 1938. Il a fallu attendre le début des
années 1960 pour voir la première commercialisation, mais depuis lors la
technique s'est considérablement développée et le MEB est maintenant
considéré comme un outil standard en sciences des matériaux. ?

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HIGHLIGHTS IN THE DEVELOPMENT OF SCANNING ELECTRON


MICROSCOPY?

1897? Discovery of the electron ? J. J. Thompson ?

1924? Particule and wave theory ? L. deBroglie ?

1926? Electromagnetic lens ? H. Busch ?

Demonstration of electron C. J. Davisson and L. H.


1927?
diffraction ? Germer?

1929? Theoretical description of SEM ? H. Stintzing ?

Construction of first electron


1932? M. Knoll and E. Ruska ?
microscope (transmission) ?

Demonstration of scanning electron


1935? M. Knoll?
microscope theory ?
1938? First SEM constructed ? M. von Ardenne ?
First commercial transmission B. von Borries and E.
1939?
electron microscope ? Ruska ?
V. K. Zworykin, J. Hillier
1942? Production of electrostatic lens SEM ?
and R. L. Synder ?

Production of electromagnetic lens


1956? K. C. A. Smith ?
SEM?

X-ray microanalyzer with a scanning V. E. Cosslett and P.


1956?
probe ? Duncomb ?
Improved secondary electron T. E. Everhart and R. F. M.
1960?
detector ? Thornley ?
early Cambridge Instrument
First commercial SEM ?
1960's ? Co., Ltd. ?

Construction of a STEM with a field


1971? A. V. Crewe and J. Wall ?
emission source ?

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1.2. Principe de base 

Un faisceau très fin d'électrons, monocinétique, balaie la surface d'un


échantillon où se produisent des interactions détectées par un capteur qui
contrôle la brillance d'un oscilloscope cathodique dont le balayage est
synchronisé avec celui du faisceau d' électrons ; on peut ainsi comparer le
MEB à un système de télévision en circuit fermé. ?

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1.3. Principaux organes 

La figure 1 représente un schéma général du microscope électronique à


balayage qui comporte deux parties distinctes : la colonne à gauche du
schéma, l'écran cathodique à droite. ?

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1.3.1. Le canon à électrons 

Les électrons sont produits par effet thermoélectronique à partir d'un filament
de tungstène porté à haute température puis extraits au niveau du "Wehnelt"
qui a aussi pour fonction, grâce au dessin de ses lignes de champ, de
focaliser les électrons en un point ("cross over") qui sera l'équivalent d'une
source lumineuse ponctuelle dans la suite (figure 2). ?

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Haute tension?

Filament?

Wehnelt?

Anode?

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Le filament de tungstène (en forme d'épingle à cheveux afin de localiser


l'émission par effet de pointe pour obtenir une source plus ponctuelle et plus
brillante) est souvent remplacé par une pointe tail lée dans un monocristal de
LaB6 qui possède un meilleur rendement thermoélectronique (travail de sortie
de 2,7 au lieu de 4,5 eV). Dans les instruments les plus récents, les électrons
sont émis par effet de champ : on utilise pointe métallique très aiguë, dont
l'extrémité ne comporte qu'un ou quelques atomes. Le champ électrique
local, extrêmement intense car lié à l'inverse du rayon de courbure, est
suffisant pour extraire les électrons avec un fort rendement (brillance) à partir
d'une surface très faible (ponctualité de la source), permettant un gain
considérable sur les performances de l'instrument. Dans tous les cas, les
électrons sont accélérés par la différence de potentiel entre le Wehnelt et une
anode (diaphragme), mise à la masse pour des raisons de sécurité. Les
tensions d'accélération classiques (typiquement V 0 = 10 à 50 kV) fixent
l'énergie des électrons qui forment un faisceau presque monocinétique avec :
v = (2eV 0 /m)½ et par l = h/mv l(nm) = [1,5/V 0(volts)]½ ?

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1.3.2. L'optique de focalisation 


On sait que la trajectoire d'un électron en mouvement est déviée quand il
traverse un champ électrique (F = -e.E) ou magnétique (F = m.dv/dt = -ev^B).
Dans le microscope électronique, on utilise habituellement des bobines
magnétiques qui introduisent moins d'aberrations. Elles sont constituées
d'un enroulement enfermé dans une armature en acier canalisant le flux et
comportant une ouverture (figure 3). La forme des lignes de champ
magnétique est telle qu'un électron sera d'autant plus dévié que sa trajectoi re
diverge plus par rapport à l'axe du système qui se comporte donc comme une
lentille convergente : on parle donc de lentilles magnétiques, dont on peut
faire varier aisément la distance focale en variant le courant passant dans la
bobine. ?

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La longueur focale varie avec la vitesse (énergie) des électrons : un


diaphragme placé à proximité du point de focalisation permet d'éliminer les
électrons dont l'énergie n'a pas la valeur nominale ou qui divergent trop par
rapport à l'axe du système. ?

La première lentille (cf. figure 1) s'appelle "condenseur" car son réglage


permet de contrôler la densité du faisceau d'électrons en jouant sur sa
divergence. ?

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1.3.3. Le balayage 

Le contrôle du balayage de la surface de l'échantillon est assuré par des


bobines de déflexion, alimentées par une source électrique délivrant un
courant en dents de scie (déviation en x) et un courant en escalier (déviation
en y) : le faisceau se déplace donc sur la surface de l'échantillon suivant des
lignes xx' qui se décalent parallèlement à elles mêmes selon la direction y
(figure 4). ?

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Un oscilloscope cathodique est synchronisé avec ce balayage : on applique


simplement un courant provenant de la même source aux bobines de
déflexion de la colonne et de l'oscilloscope. Il y a donc une relation bi -
univoque entre un point de l'échantillon et un point de l'écran. Le
grossissement obtenu est le rapport des dimensions balayées sur
l'échantillon et sur l'écran (figure 5) ; il peut atteindre 400 000 sur les
instruments récents. On le contrôle simplement à l'aide d'une boite de
résistances qui permettent de modifier la tension appliquée aux bornes des
bobines de la colonne. ?

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1.3.4. La mise au point 

Une bobine finale (cf. figure 1) permet de contrôler la conicité du faisceau


d'électrons afin de le focaliser exactement sur la surface de l'échantill on : en
effet la résolution maximale (capacité à séparer deux points) est directement
liée au diamètre du faisceau à la surface. De petites bobines supplémentaires
permettent de corriger les aberrations, en particulier l'astigmatisme. ?

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1.3.5. Parties annexes 

La colonne du microscope est maintenue sous vide pour deux raisons : d'une
part pour éviter l'oxydation de la source, d'autre part pour éviter le freinage et
la déviation des électrons par collision avec les molécules d'air. Dans les
instruments courants on utilise une pompe à diffusion d'huile couplée à une
pompe primaire à palettes permettant d'atteindre 10 -5 - 10 -6 torrs. Les
instruments de haut de gamme comportent généralement une pompe
supplémentaire (pompe ionique) au niveau du canon afin de prol onger la
durée de vie de la pointe LaB 6 ou de la pointe à effet de champ. L'introduction
de l'échantillon se fait à travers un sas pour éviter de casser le vide dans la
colonne. ?

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p HANTILLON?

e- primaires?

e- Auger?

athodoluminescence?

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e- rétrodiffusés?

Rayons X ?
e- transmis?

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Signalons l'apparition récente d'instrument "environnementaux" dans


lesquels le spécimen reste à la pression atmosphérique ce qui évite sa
deshydratation (échantillons biologiques, ciments, etc...) : dans ce cas, la
colonne est munie d'un pompage différent iel, permettant de maintenir un
gradient de pression entre le canon et l'échantillon. ?

Le système comporte également une source haute tension continue,


constituée d'un transformateur et d'un redresseur noyés dan une cuve
étanche remplie d'huile afin d'éviter les phénomènes de claquage. Enfin
l'échantillon est placé sur une platine micrométri que (éventuellement
motorisée) permettant des déplacements en x, y et z , une rotation autour de
sa normale et un basculement autour d'une direction perpendiculaire à l'axe
optique. Cette platine est dite "eucentrique" car elle est conçue pour que les
rotations n'affectent pas le point d'impact du faisceau. ?

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1.4. Formation des images

Les schémas de la figure 6 et le tableau II résument les principales


interactions électron-matière : ?

- les électrons rétrodiffusés, d'énergie comparable à celle des électrons


incidents - les électrons secondaires, arrachés à la matière par les électrons
incidents ou rétrodiffusés, d'énergie beaucoup plus faible. ?

- les électrons Auger, de très faible énergie, ne pouvant être étudiés que dans
des conditions d'ultra-vide - les photons visibles (cathodoluminescence)
spécifiques de certains matériaux ou impuretés. ?

- les photons X, donnant accès à l'analyse. ?

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Type de Effets ? Applications ?


collision ?
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Elastique ? Electrons rétrodiffusés Contraste atomique ?


"backscattered electrons" ?
?? Effets de diffraction ?
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Inélastique ? ?? ??

- " Bremmstrahlung " ou Microanalyse X ?


rayonnement de freinage
entraînantl'émission de rayons ??
X caractéristiques ??
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Analyse de surface ?
- Electrons Auger ?
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Cathodoluminescence ?
- Effets radiatifs ?
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Topographie ?
- Emission d'électrons
secondaires ? ??

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- Génération de paires électron- Courant induit (EBIC) ?


trou?
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Etat cristallin -
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- Electrons transmis ? ??

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- Electrons absorbés ? ??

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- interaction élastique : ?

- avec le noyau : pas de recul du noyau = électrons rétrodiffusés avec angle


de déviation très important et peu de perte d'énergie = électrons
rétrodiffusés. ?

- avec le nuage électronique : électrons rétrodiffusés avec faible déviation et


faible perte d'énergie. ?

- interactions inélastiques - freinage = "bremsstrahlung" = fond continu


rayons X - éjection d'électrons de conduction (peu liés) = électrons
secondaires - éjection d'électrons internes : électrons secondaires +
désexcitation = photons X Augers cathodoluminescence. ?

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Note : l'interaction électron -matière conduit à des effet d'accumulation de


charges à la surface ; ces charges sont évacuées vers la masse dans le cas
d'un échantillon conducteur ; par contre dans le cas d'un isolant leur
accumulation déforme le faisceau d'électrons et modifie son énergie effective
: il faut donc déposer une couche -mince de métallisation à la surface (or, or -
palladium, carbone). ?

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La figure 7 schématise le domaine d'émission de ces différentes particules et


de ces rayonnements. ?

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1.4.1. Images en électrons secondaires (SEI) 

Les électrons secondaires (d'énergie d'environ quelques dizaines d'eV) émis


en chaque point sous l'impact du faisceau (d'un diamètre de l'ordre de
quelques nm) sont collectés (grâce à un champ électrique positif de l'ordre de
500 V) sur un scintillateur (figure 8). Les photons produits sont transmis à
l'aide d'une fibre optique jusqu'à la couche sensible d'un photomultiplicateur
situé à l'extérieur du système et le signal, ainsi amplifié, module la brillance
de l'oscilloscope cathodique. ?

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Le rendement d'émission des électrons secondaires (produits sur une


profondeur inférieure à 5 nm) est fonction du numéro atomique des atom es
constitutifs du spécimen, mais surtout de l'angle entre le faisceau incident et
la surface analysée (figure 9) : en effet, si R0 est la profondeur maxi
d'échappement des ES à incidence normale et si la surface est tiltée d'un
angle q, alors la longueur de parcours efficace des primaires dans
l'échantillon augmente et devient R = R0 / cosq ; comme la vitesse de
propduction des ES est constante le long du trajet, une surface inclinée
apparaitra plus claire sur l'image : le sigal S sera relié à S0 à inciden ce
normale par S = S0 / cos q, et, en dérivant : dS / dq = (S0 / cos²q).sinq dS / S =
[(S0 / cos²q).sinq.dq.cosq] / S0 = tgq dq —?

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Faisceau d'électrons?

Bon rendement?

Fort rendement ?

(effet de pointe)?

Pauvre rendement?

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La plus faible différence d'inclinaison détectable à l'oeil (variation de


contraste de 5 %) est alors de l'ordre de dq = 1° pour q ~ 60°. L'image obtenue
sera donc représentative de l'état de surface (topographie) de l'échantillon
(figure 10). On atteint des résolutions de l'ordre de quelques nm. La photo de
la figure 11 donne un exemple de surface d'un circuit intégré. ?

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1.4.2. Images en rétrodiffusés (BEI) 

1.4.2.1. Suppression de la polarisation 

Ce que l'on observe en SEI est en fait une série de changements de pentes au
niveau du spécimen, et il est parfois difficile (exemple figure 12) de définir
sans ambigüité si un motif est en relief ou en creux. Cependant l'échantillon
émet également des électrons rétrodiffusés, dont l'énergie est de l'ordre de
grandeur de celle des électrons incidents : ils se déplacent donc en ligne
droite. Si l'on supprime la polarisation du collecteur, ils sont pratiquement les
seuls à atteindre le détecteur : on visualise alors nettement le relief de
l'échantillon (on observe l'équivalent d'une image en éclairage rasant, le
détecteur se trouvant en général approximativement dans le plan de
l'échantillon). ?

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1.4.2.2. Utilisation d'un détecteur spécifique 


Les rétrodiffusés étant énergétiques, ils peuvent être détectés à partir de la
formation de paires électrons-trous dans un cristal semiconducteur (figure 13
a). L'intérêt de ces détecteurs à s emi-conducteurs vient essentiellement de la
possibilité de les associer par paires (situées juste sous les pièces polaires)
et par traitement du signal (figure 13 b), d'amplifier ou au contraire supprimer
le contraste topographique. ?

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Le rendement d'émission des rétrodiffusés est proportionnel à racine de Z (Z


= n° atomique) (figure 14 a) et relativement peu sensible à l'inclinaison de la
surface de l'échantillon, du moins pour des angles pas trop importants (figure
14 b) : on peut ainsi obtenir des images en contraste de composition, en
particulier avec des échantillons polis Un exemple en est donné sur les
photos de la figure 15 : l'échantillon est constitué de deux plaquettes, de
cuivre pur (à gauche) et de cupro -manganèse (à droite) ; il a été inclus et poli
; sur la photo du haut (SEI) on ne voit rien hormis quelques poussières et une
fissure à l'interface, par contre la photo du bas, en mode composition laisse
apparaître en contraste plus clair la zone de Z moyen le plus élevé (Cu p ur). ?
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1.5. Spécificités du MEB

- Utilisation simple, peu de contraintes pour la préparation de l'échantillon ;


cependant celui-ci doit être conducteur électrique (ou rendu conducteur par
dépôt d'une couche mince d'or ou de graphite) afin d'éviter l'accumulation de
charges. ?

- Grande profondeur de champ en comparaison avec le microscope optique


(dans la gamme des grossissements où une telle comparaison peut être
faite). ?

- Matériel assez courant malgré un coût relativement élevé (1 MF). ?

- Très efficace pour la détection de défauts tels que trous, fissures, amas. -
Donne accès à la microanalyse (voir §2). ?
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2. Microanalyse électronique 
2.1. Principe

L'échantillon est bombardé par un faisceau d'électrons d'énergie de l'ordre de


10 à 40 keV (en pratique, souvent d ans un microscope électronique à
balayage standard). L'impact provoque l'émission des rayons X
caractéristiques des éléments constituant l'échantillon (figure 16). L'émission
se produit dans une "poire" de dimensions de l'ordre du micromètre (voir
figure 7), avec deux conséquences : ?

- la résolution spatiale de l'analyse est de l'ordre du µm. ?

- la profondeur analysée est également de l'ordre du micron, ce qui peut


poser des problèmes particuliers pour l'analyse de petites particules ou de
films minces. ?

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M?

N?

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ƒ?

š?

|érie L?

|érie M?
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Vlectron incident?

Photon X?
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La source peut être également un faisceau de rayons X "blanc" (fond continu)


de haute énergie ("analyse par fluorescence X"). Dans ce cas, la résolution
spatiale devient millimétrique et la profondeur de pénétration très importante. ?

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2.2. Détection ?

On distingue les détecteurs en spectroscopie d'énergie et ceux en


spectroscopie de longueur d'onde ; ceci est un abus de langa ge, puisque
l'énergie et la longueur d'onde des photons sont couplées par la relation E =
hc / l à titre d'exemple, la radiation Ka du cuivre peut se définir par EKaCu =
8,041 keV ou lCuKa = 1,5418 Å Figure 16 : Production des rayons X et
nomenclature des raies. ?

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2.2.1. Spectrométrie en énergie (Energy dispersive spectrometry) 

Le détecteur EDS est un monocristal de silicium, dopé au lithium et polarisé


(figure 17 a). Un photon X d'énergie E 0 produit dans le cristal un nombre N de
paires électrons-trous proportionnel à l'énergie du photon : N = E 0 / 3,8,
l'énergie d'ionisation du Si étant de 3,8 eV Q = E 0.e/ 3,8 est la charge collectée
par les électrodes V = Q / C collectée aux bornes d'une ca pacité en série avec
le préamplificateur est donc également proportionnelle à l'énergie du photon
incident. Un analyseur multicanaux permet de classer le nombre
d'événements en fonction de leur énergie, et donc de reconstituer le spectre
d'émission de l'échantillon (figure 17 b). ?

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Le cryostat dans lequel le cristal est maintenu à la température de l'azote


liquide est représenté sur la figure 18. ?

Il est nécessaire de maintenir le détecteur à basse température pour deux


raisons : ?

- avoir une conductivité électrique minimale du semic onducteur en dehors de


la présence de paires électrons -trous. ?

- réduire au maximum le bruit de la chaîne d'acquisition ; le préamplificateur,


constitué d'un transistor à effet de champ (FET) est d'ailleurs également
refroidi. ?

Le cryostat, maintenu sous vide, est fermé par une fenêtre qui doit rester
transparente aux photons X : elle peut être en béryllium (permettant la
détection des éléments à partir du sodium) ou en polymère ultramince
(permettant la détection à partir du bore). L'inconvénient de ce dernier type
de fenêtre est d'être extrêmement fragile. ?

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L'électronique associée comporte un dispositif de rejet d'empilement : en


effet, si deux photons arrivent presque simultanément dans le cristal, les
paires électrons-trous créées par les deux photons s'additionnent et le
système détecte un faux photon d'énergie égale à la somme de celles des
deux photons incidents. Pour éviter cet artefact, la chaîne électronique
élimine systématiquement les deux mesures si l'arrivée d'un nouveau photon
est détectée avant que la décroissance du nombre de paires créées par l e
premier ne soit complète. Il s'ensuit un blocage de la chaîne correspondant à
un "temps mort" (exprimé en pourcentage du temps d'acquisition). ?

Ce temps mort est lié à la densité du faisceau incident : ?

- si le courant de faisceau est très faible, les ph otons arrivent statistiquement


à des intervalles de temps importants et le temps mort est nul ou très faible ;
par contre la statistique de comptage est mauvaise. ?

- si au contraire le courant de faisceau est trop fort, la probabilité de recueillir


quasi-simultanément plusieurs photons augmente, le temps mort devient très
important et on peut même aboutir à un blocage complet du système. De plus
on augmente également la probabilité d'événements simultanés à l'échelle
des constantes de temps de la chaîne, qui les considère donc comme
provenant d'un photon unique : ceci conduit à l'apparition de pics "somme"
non rejetés. ?

- un bon compromis est de travailler avec un temps mort de l'ordre de 30 %


qui est contrôlé en jouant sur le courant de faisceau à l'aide de la bobine
condenseur du MEB. ?

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2.2.2. Spectrométrie en longueur d'onde Wavelenght Dispersive Spectrometry


ou "microsonde de Castaing". 

On utilise la relation de Bragg : il y a interférence constructive de deux


faisceaux de rayons X si leur différence de marche est un nombre entier de
longueurs d'onde (figure 19 a) : 2d sinq = nl. ?

Le détecteur est constitué d'un monocristal d'orientation connue. 2d est fixé,


donc à tout qi est associé un li et en balayant en angle, on balaie
successivement l'ensemble des longueurs d'ondes (figure 18). Il y a une
limite mathématique : sin q = 1, donc 2 d = n l soit l = 2d / n Donc on peut
détecter au mieux (n minimum = 1) : l = 2 d Pour des énergies faibles
(notamment atomes légers) l est grand, donc il faut un cristal analyseur avec
d grand (ex : stéarate de plomb). Par ailleurs, la résolution (plus faible
différence Dl que l'on puisse mesurer) est Dl = d D (sin q). On a intérêt, pour
un pas du moteur, à diminuer d pour avoir Dl petit. On utilise donc en fait un
jeu de plusieurs cristaux afin d'avoir le meilleur compromis en fonction du
domaine de l à étudier. ?

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2.3 Comparaison des deux méthodes 

- Détectabilité : à partir de Na (Z = 11) pour EDS avec fenêtre de béryllium, à


partir de B avec fenêtre polymère organique ultramince ; même gamme pour
le WDS selon les fenêtres et les cristaux analyseurs ; sensibilité de l'ordre du
pourcent - Résolution : Quelques eV pour le WDS, env. 150 eV pour l'EDS
(problèmes de déconvolution). ?

- Temps d'acquisition : quelques dizaines de secondes en EDS pour tout le


spectre, quelques minutes pour un seul pic en WDS (n'e st donc pas très
adaptée à une analyse qualitative d'échantillon inconnu). ?

- Caractéristiques de faisceau : l'EDS se satisfait d'une densité de faisceau


plus faible et n'exige pas une stabilité de faisceau parfaite puisque tous les
pics sont enregistrés en même temps. ?

- Contraintes particulières : l'EDS exige le refroidissement constant à l'azote


liquide du cristal détecteur. Le WDS exige un polissage parfait de
l'échantillon et son positionnement vertical à 1/4 µm près. ?

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2.3. Analyse quantitative

Le rapport ("k-ratio") de l'intensité d'un pic d'émission (hauteur ou aire) de


l'échantillon à celle d'un étalon pur donne en principe la concentration
pondérale de cet élément dans l'échantillon. En fait, le problème est plus
complexe car : ?

- le rendement d'émission varie d'un élément à l'autre . ?

- le rayonnement émis par un élément est absorbé par la matrice. De plus, les
spectres d'absorption de rayons X présentent des discontinuités (cf. le
filtrage Ka -Kb du cuivre par une feuille de Ni). ?

- le rayonnement émis par un élément A peut provoquer la fluorescence d'un


élément B de la matrice : il s'ensuit que la concentration de A est sous
estimée, celle de B surestimée (cf le couple Cu -Fe). Des programmes de
calculs informatisés (tableau III), travaillant par itération, permettent
d'effectuer ces corrections (programmes ZAF ou phi-rho-z). Le programme
calcule d'abord une composition approximative à partir de laquelle il évalue
les effets de matrice (absorption et fluorescence) qui lui permettent de
corriger la composition initiale et ainsi de suite par itération, jusqu'à
convergence de la composition. ?

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Problème des étalons 

Le mode WDS (sonde de Castaing ) utilise toujours des étalons qui sont soit
des éléments purs (métaux peu oxydables) soit des oxydes, sulfures ou
fluorures monocristallins pour lesquels on effectue une acquisition, dans des
conditions absolument identiques, juste avant la mesure de l'éc hantillon.
Dans le cas d"étalons complexes, on revient à la contribution de l'élément
pur à l'aide du programme de correction de matrice (ZAF), utilisé en inverse.
Dans le mode EDS, on peut travailler dans des conditions analogues.
Cependant les constructeurs proposent également des processus "sans
étalon", utilisant une base de données mise en mémoire par le fabriquant. Ce
type de programmes permet un gain de temps considérable et donne
d'excellents résultats pour les éléments classiques de la métallurgie. Pour les
éléments plus exotiques, il y a parfois des surprises. L'inconvénient majeur
des programmes "sans étalons" est qu'il normalise systématiquement la
somme des éléments analysés à 100 % : s'il y a des éléments oubliés ou non
dosables (parce que trop légers), on ne peut pas le détecter (au contraire,
avec un programme avec étalons, la somme n'atteint pas 100 %). ?

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2.4. Exemples d'application

2.4.1. Analyses 

Nous prendrons l'exemple d'un alliage Al -Ni brut de fusion. La photo SEI
(figure 20) ou BEI d'un échantillon tronçonné et poli montre la présence de
trois phases, à partir des contrastes de l'image. ?

- une analyse qualitative (temps d'acquisition 50 secondes) montre la


présence des deux éléments Al et Ni (figure 21) à l'exclusion de tout autre
élément détectable au seuil de sensibilité de la méthode. ?

- une analyse quantitative sans standards d'une large zone donne une
composition globale voisine de 50 % en masse (table IV). ?

- des analyses en mode ponctuel des zones de différents contrastes : les


résultats sont rassemblés dans les tableaux V et peuvent être comparés aux
données relevées sur le diagramme de phases de la figure 22. On voit que les
résultats sont très réalistes. ?

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2.4.2. Profils de concentration 

Le faisceau n'est plus piloté par le système de balayage du MEB mais par
l'ordinateur du système de microanalyse et déplacé selon une ligne, choisie à
l'avance sur l'image, de point en point avec un pas déterminé par l'opérateur. ?

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a) intensité des pics et visualisation de la ligne analysée ?

b) analyse quantitative point par point sur cette même ligne (échantillon Cu :
Mn-Cu) La figure 23 a montre le résultat de la mesure des intensités des pics
Ka de Cu et Ni à l'interface des deux matériaux de la figure 15. On met bien en
évidence, qualitativement, un phénomène de diffusion du manganèse dans le
cuivre. Il est possible de réaliser une analyse quantitative point par point et
de reporter les résultats sur un diagramme tel que celui de la figure 23 b, qui
permet une étude quantitative des processus de diffusion. Un autre exemple
est donné sur la figure 24, dans le cas de l'échantillon Al -Ni : on remarque
une composition constante à l'intérieur des domaines avec une interface
inclinée sur une dizaine de microns, valeur bien supérieure à la résolution :
comme, d'après le diagramme de phases, il n'y a pas de possibilité de
variation continue de stoechiométrie (du moins entre Al et Al3Ni), cela prouve
qu'en profondeur on analyse deux cristaux à la fois (voir paragraphe 2.5.3).
Figure 24 : Profil de concentration dans l'exemple de l'échantillon Al -Ni. ?

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2.4.3. Cartographies X 

On fait une acquisition point par point selon une matrice et on reporte sous
forme de niveaux de couleurs, attribuées à chaque éléments, l'intensité du pic
mesuré pendant un temps donné. On obtient ainsi une cartographie de la
répartition des éléments, très représentative dans le cas d'échantillons
fortement hétérogènes. Un exemple est donné sur les photos de la figure 25,
permettant de visualiser la répartition des trois phases présentes dans
l'échantillon Al-Ni. Figure 25 : exemple de cartographie X (écha ntillon Al-Ni) ?

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2.5. Exemples d'artefacts de mesure

La microanalyse électronique, en particulier l'EDS sans étalons, est une


méthode rapide et relativement fiable d'analyse, qui permet en particulier
d'accéder à l'étude de domaines de l'ordre de quelques microns. Cependant
plusieurs facteurs sont susceptibl es de fausser considérablement les
résultats et doivent être connus. ?

2.5.1. Erreurs sur la tension d'accélération 

Il est évident qu'une raie d'émission X ne peut pas être excitée si l'énergie
des électrons incidents est inférieure à l'énergie du photon X correspondant
(Figure 26). Plus généralement, si l'énergie du faisceau d'électrons n'est que
peu supérieure à celle d'une raie d'émission, celle ci ne sera émise qu'avec
un faible rendement. On estime empiriquement qu'une excitation optimale est
obtenue pour une énergie incidente de l'ordre de 1,5 à 2 fois l'énergie de la
raie d'émission : la raie de plus haute énergie utilisée dans la quantification
fixe donc la tension d'accélération optimale pour l'analyse d'un système
donné. On ne peut pas augmenter la tension de manière trop importante, car
alors ce sont les raies d'énergie plus faible qui voient leur rendement
diminuer. Ainsi le rendement relatif de différentes raies d'énergie différente
varie fortement avec la tension d'accélération. Ce fait n'est pa s trop gênant
dans les analyses avec étalon, car l'acquisition des standards permet de
mesurer individuellement les différents rendements d'émission. Dans les
analyses sans étalon, les spectres en mémoire dans la base de données ont
été enregistrés pour de nombreuses tensions d'accélération et le programme
de quantification demande l'introduction de cette donnée de manière à en
tenir compte : c'est pourquoi la valeur introduite est précisée dans le rapport
d'analyse (ex. Tables III à V). Une différence entr e la tension réelle et la valeur
introduite conduit à des erreurs d'analyse considérables. Dans le cas, assez
fréquent, d'échantillons isolants, les charges apportées par le faisceau étant
mal évacuées, la surface acquiert un potentiel négatif et la tensio n effective
peut devenir nettement inférieure à la tension nominale. On peut le détecter
en surveillant la valeur de coupure du fond continu vers les hautes énergies.
Cette limitation est valable même dans le cas d'une analyse avec étalons, les
différents standards et le spécimen pouvant avoir des conductivités très
différentes. Il est donc impératif, en analyse, de veiller attentivement à une
métallisation effective de tous les échantillons. ?

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2.5.2. Effets d'inclinaison et de rugosité 

Seuls sont pris en compte dans l'analyse les photons X qui atteignent le
détecteur et qui se sont donc échappés de l'échantillon selon un angle
d'émergence ("take-off") déterminé par la géométrie du système. Comme ils
sont émis depuis une zone située légèr ement sous la surface de l'échantillon
(typiquement de l'ordre du micron), ils ont parcouru dans la matière une
certaine distance prise en compte dans les programmes de correction (la
valeur du take-off est du reste rappelée dans les rapports d'analyse, ex emple
Tables III-V). Si la surface de la zone analysée n'est pas perpendiculaire à
l'axe optique ou est rugueuse, la valeur du take -off est faussée, et par
conséquent les calculs de correction. Cet effet est encore plus important en
WDS, car le point d'impact sort du cercle de Roland. Pour obtenir des
résultats fiables, on devrait systématiquement travailler sur des échantillons
inclus et polis, ce qui n'est évidemment pas toujours possible. Attention
aussi aux erreurs de ce type faites sur les très petits échantillons (particules
de quelques microns par exemple) pour lesquels les photons peuvent
s'échapper latéralement. ?
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2.5.3. Structure interne de l'éch antillon 

Les particularités que l'on observe sur l'image, joints de grains par exemple,
n'ont pas de raison particulière de se développer verticalement dans le
matériau. La figure 28 illustre ainsi un exemple où le point analysé n'est
absolument pas représentatif de la composition du grain que l'on pense
étudier. Le problème est d'autant plus aigu que les domaines homogènes
sont plus petits. Une bonne façon d'éviter cet artefact est de multiplier les
mesures, ou mieux, de réaliser des profils de conce ntration. La figure 24 en
est une bonne illustration et montre bien les domaines où les données sont
fiables (plateaux, sur lesquels on peut calculer une moyenne) et les zones
d'interface où les résultats d'analyse n'ont aucune signification. Il faut
toujours se souvenir qu'il peut se trouver, sous la surface de l'échantillon,
une inclusion de composition différente, indétectable sur l'image SEI ou BEI. ?

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2.5.4 Les problèmes de déconvolution 

La question ne se pose pas en général en WDS en raison de la résol ution de


la méthode (un cas typique est cependant le système Ti -N). Par contre, en
EDS, on est souvent confronté à des superpositions de pics d'émission X. Il
faut soit choisir une autre raie d'émission (ce qui n'est pas toujours possible,
les éléments les plus légers n'en possédant qu'une), soit effectuer une
déconvolution. Le programme travaille sur les profils des pics et leur dérivée
de manière à ajuster au mieux le profil expérimental avec le profil de la
somme pondérée des pics élémentaires. La pondér ation donne accès aux
intensités relatives. Des précautions sont nécessaires : ainsi les programmes
prévoient habituellement une correction de dérives en énergie des pics qui, si
elle est appliquée, fausse les résultats. Il est préférable de supprimer cett e
option et de recalibrer soigneusement l'analyseur multicanaux en énergie. De
toutes façons, dès qu'il y a une déconvolution, il faut interpréter les résultats
avec circonspection et tester, chaque fois que cela est possible, la fiabilité du
programme en analysant un échantillon similaire de composition connue. ?

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3. La canalisation d'électrons 
Au faisceau d'électrons monocinétique est associée (loi de de Broglie) une
longueur d'onde par la relation : l (nm) = [1,5 / V 0 (volts)]1/2 il s'ensuit que si
l'échantillon est monocristallin (à l'échelle de la dimension du faisceau) on
peut obtenir un phénomène de diffraction chaque fois que l'angle du faisceau
incident passe en position de Bragg. Dans ce cas, les électrons tendent à être
canalisés à l'intérieu r du cristal (figure 29) et le rendement des électrons
rétrodiffusés chute (figure 30). Il en résulte un cliché (figure 31) appelé ECP
(electron channeling pattern) formé de bandes dont l'orientation correspond à
la projection stéréographique des éléments de symétrie du cristal par rapport
à l'axe de zone proche (ou confondu avec) de l'axe de la colonne. La largeur
des bandes, mesurée en angle sur la photographie (voir l'échelle sur le
cliché) permet de remonter à une estimation des distances réticulaires. La
résolution spatiale est millimétrique ou de quelques microns, selon que
l'inclinaison du faisceau est obtenue par basculement autour du diaphragme
objectif, ou autour du point de focalisation sur la surface. Dans ce dernier
cas, en balayant la surface d e l'échantillon avec le faisceau "tilté" à un angle
constant, choisi dans la partie claire ou sombre d'une des bandes, on pourra
faire apparaître un contraste lié à l'orientation des grains dans un échantillon
polycristallin poli. Une variante très récente est l'EBSD (electron
backscattering diffraction), qui utilise un échantillon tilté (environ 70°) et une
caméra numérique à l'intérieur de la chambre du microscope. La résolution
est submicronique, le contraste beaucoup plus important, on peut analyser
une surface importante en déplaçant mécaniquement ?

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l'échantillon et enrégistrer les données. Le système est sensible à une


désorientation des grains de l'ordre de quelques degrés, désorientation que
l'on peut définir par rapport à un référentiel et illustrer en cartographies
couleur. Par ailleurs les bandes sont beaucoup mieux définies (figure 32) et la
numérisation des clichés donne acc ès à la maille cristalline par comparaison
avec des simulations, de faire des calculs de contraintes etc.... ?

Noter tout de même que le coût de cet "accessoire" se situe au niveau du prix
moyen d'un MEB. ?

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4. La microanalyse électronique et les autres


techniques 
Une seule méthode d'analyse est habituellement insuffisante pour
caractériser complètement un matériau. La figure 33, donnée à titre indicatif,
permet de resituer la microanalyse électronique par rapport à d'autres
méthodes, en termes de résolution latérale et de profondeur d'analyse. Noter
que l'EDS est adaptable au microscope électronique à transmission mais
dans ce cas, la profondeur analysée est évidemment limitée à l'épaisseur de
l'échantillon, bien inférieure à un micron (d'environ deux ordres de grandeur)
: il s'ensuit une excellente résolution mais une sensibilité très faible, la
majorité des électrons primaires traversant l'échantillon avant de donner lieu
à la production de rayons X. ?
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