Le transistor bipolaire

Constitution- Symbole _______________________________________________________ 2

1. Caractéristiques – Fonctionnement_________________________________________ 2
1.1. Caractéristiques d’entrée IB=f(VBE) ___________________________________________ 2
1.2. Caractéristiques de Transfert IC=f(IB) _________________________________________ 3
Caractéristiques de sortie IC=f(VCE) _______________________________________________ 4
1.4. Résumé – réseau de caractéristiques __________________________________________ 5
2. Utilisation et mode de fonctionnement ______________________________________ 6
2.1. Fonctionnement statique : ___________________________________________________ 6
2.2. Fonctionnement Dynamique: ________________________________________________ 7
2.3. Modélisation du transistor bipolaire : ________________________________________ 10
2.3.1. En régime de commutation : ____________________________________________________ 10
2.3.2. En régime linéaire : ___________________________________________________________ 11
2.4. Caractéristiques constructeur - critères de choix _______________________________ 13
2.4.1. Limites d’emploi _____________________________________________________________ 13
2.4.2. Caractéristiques électriques : ____________________________________________________ 14
2.4.2.1. Caractéristiques statiques __________________________________________________ 14
2.4.2.2. Caractéristiques dynamiques ________________________________________________ 14
2.4.3. Cahier des charges d’un transistor________________________________________________ 15

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Constitution- Symbole
Un transistor bipolaire est constitués de 2 jonctions PN et existe sous 2 polarités :

NPN PNP

COLLECTEUR COLLECTEUR

N P

BASE P BASE N

N P

EMETTEUR EMETTEUR

COLLECTEUR COLLECTEUR
BASE BASE

EMETTEUR EMETTEUR

La géométrie du système (base mince) aboutit à l’effet transistor qui se traduit par un fort
courant collecteur commandé par un faible courant de base (voir les car caractéristiques de
fonctionnement).

1. Caractéristiques – Fonctionnement
1.1. Caractéristiques d’entrée IB=f(VBE)
C’est la caractéristique qui relie les deux grandeur d’entrée :
- Courant de base IB
- Tension base émetteur et VBE
En observant la structure, on s’aperçoit qu’il s’agit d’une jonction PN. On retrouvera donc
une caractéristique de transfert identique à celle d’une diode.

Le schéma de principe du tracé de la caractéristique IB=f(VBE) est le suivant.

On fait varier la tension VBE puis on relève le courant de base correspondant.
Cette caractéristique est
IC généralement donnée pour
IB différentes valeur de la tension VCE,
VCE ce qui justifie la deuxième source de
tension dans le montage.
VBE

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 IB(µA) On retrouve, comme prévue, l’allure de la
caractéristique courant - tension d’une diode.
N’existe un courant dans la base que pour
VBE>0.

VBE(V)

1.2. Caractéristiques de Transfert IC=f(IB)

IC IC(mA)
IB
VCE

VBE

Schéma de principe de relevé de la

Caractéristiques de Transfert IC=f(IB) IB(µ A

Cette carétéristique représente la fonction principale du transistor : l’amplification en courant.

En effet, on remarque que la caractéristique de transfert est une droite, ce qui traduit une
relation linéaire entre le courant de base et de collecteur. On note le coefficient de
proportionnalité β, ce qui donne :
IC = β IB

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 1.3. Caractéristiques de sortie IC=f(VCE)
Dans le schéma ci contre, on doit tout
IC d’abord fixé un courant de base pour
IB qu’il y ait existence d’un courant de
VCE collecteur. C’est le rôle de la source
de tension VBEo.
VBEo Dans un deuxième temps, on fait
varier VCE avec une source de tension
réglable, puis pour chaque valeur de
VCE on relève le courant IC
correspondant.
Schéma de principe de relevé de la On retranscrit les mesure sur un
Caractéristiques de Transfert IC=f(VCE) graphe ce qui donne :

Sur cette caractéristique, on peut remarquer IC(mA)

que le courant collecteur croit très
rapidement pour se stabiliser autour de la IB1> IBo
valeur βIBn.
IBo

VCE(V)

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 1.4. Résumé – réseau de caractéristiques
On retrouve dans beaucoup de d’ouvrage une représentation synthétique de ces différentes
courbes, communément appelé « réseau de caractéristique du transistor bipolaire ».

IC(mA)

IB3> IB2

IB2> IB1
À VCE=
constante IB1> IB0

IB0>0

IB=0

IB(µA) VCE(V)

À VCE=
constante

VBE(V)

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2. Utilisation et mode de fonctionnement
2.1. Fonctionnement statique :
On parle de fonctionnement statique quand toutes les grandeurs (courants et tensions) sont des
grandeurs continues, c’est-à-dire qui ne varient pas dans le temps.

On les notera en MAJUSCULE.

Le point de fonctionnement est imposé Caractéristique d’entrée

par le circuit d’attaque.
IB(µA)
Circuit d’attaque
RB IBo
Point de
fonctionnement
VP
VP VBEo RB
IBo

On peut le déterminer graphiquement en

traçant la droite d’attaque, d’équation:
1 V
IB = − VBE + P
RB RB
Généralement, VP est connue et il faut
choisir RB pour fixer IB0. VBEo VBE(V)

IB0 étant fixé, on peut en déduire la valeur de IC0 Caractéristique de transfert

par :
IC0 = β IB0, IC(mA)
Ou graphiquement par l’exploitation de la
caractéristique de transfert du transistor.
Or cela est vrai si on autorise le passage d’un
courant collecteur, c’est à dire si il existe un circuit
de charge.
IC0

IC0

RC

RB IBo VCC

IB0 IB(µA)

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La valeur de VCE0 est fixée par VCC
et RC, et peut être déterminée Caractéristique de sortie
graphiquement en traçant la droite de
charge d’équation:
IC(mA)
1 V VCC
I C = − VCE + CC
RC RC RC

La droite de charge passe forcément IBo

par IC0. IC0

En pratique, VCC est généralement

connue, on choisit alors RC pour fixer
IC0 et VCE0.
VCE0 VCC VCE(V)

En résumé :
On retiendra que :
• VP et RB fixe le courant IB0.
• VCC et RC fixe la tension VCE0.

C’est ce qu’on appelle POLARISER le transistor.

2.2. Fonctionnement Dynamique:

On parle de fonctionnement dynamique quand toutes les grandeurs (courants et tensions) sont
des grandeurs variables dans le temps.
On les notera en MINUSCULE.

Généralement l’étude se fait en régime sinusoïdal, autour du point de polarisation, c’est-à-dire

pour :
ve(t) =VP+v(t), avec : v(t)=V.sin(2ππft)

Lorsque v(t) varie de –V à +V, ve(t) varie de

VP-V à VP+V. La droite d’attaque se déplace
RB B alors dans le plan (IB,VBE) et le point de
fonctionnement se déplace entre les points
v(t) A et B au rythme (à la fréquence) de v(t).
ve(t) Le signal variable v(t) conduit à une
VP vBE
variation de VBE et IB entre les point A et B
(voir figure page suivante).

Circuit
d’attaque

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 IB(µA) IB(µA)

IBo

t VBEo VBE(V)

VBE(V)

L’exploitation de la caractéristique de transfert permet de la même façon de déterminer les

variations du courant IC autour de IC0.
IC(mA)
IC(µA)

ICM

IC0

ICm

t IB0 IB(µA)

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D’après le schéma, lorsque IC IC
varie, la tension aux bornes de la
résistance de polarisation RC
varie également et par RC
conséquent la tension VCE aussi.
Graphiquement, la variation de iB RB VCC
autour de IB0 se traduit par le
balayage de toutes les v(t)
caractéristiques de sortie ve(t)
(translation) correspondant aux VP
différentes valeurs de iB
parcourues.
On retrouve alors les mêmes
variations de IC entre ICM et ICm
qu’avec la caractéristique de IC(mA)
transfert.
On retrouve également la VCC
variation de la tension VCE entre: RC
VCEm = VCC-RCICM
ICM IBo
VCEM = VCC-RCICm
IC0
L’ensemble des raisonnements ICm
précédents peut être résumé dans
le réseaux de caractéristiques du
transistor, en partant d’une
variation de VBE et en passant VCE0 VCC VCE(V)
d’une caractéristique à l’autre. VCEm VCEM

IC(mA) IC(mA)

IB3> IB2

IB2> IB1

À VCE= constante IB1> IB0

IB0>0

IB=0

IB(µA) VCE(V)

À VCE= constante

Dans ce cas le
VBE(V)
fonctionnement est linéaire.

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Mais que se passe t’il si on augmente l’amplitude de la variation de VBE ?
IC(mA) IC(mA)

IB3> IB2

IB2> IB1

IB1> IB0

IB0>0

IB=0

IB(µA) VCE(V)

VBE(V)

Si on trace les signaux théoriques, en prolongeant les courbes du transistor, on s’aperçoit que
le point de fonctionnement du montage sort des caractéristiques en deux points qui
correspondent :
Au blocage du transistor : IB=0 et VCE=VCC.

A la saturation du transistor : IC = VCC/RC et VCE= VCEsat=0.

2.3. Modélisation du transistor bipolaire :

2.3.1. En régime de commutation :

C
Au blocage, on a:
IB= 0 et IC = 0 quelque soit VCE. Le transistor est
donc équivalent à un interrupteur ouvert entre
collecteur et émetteur.
E

A la Saturation, on a: C
IC = ICSAT<ββIB et VCE= VCESAT#0. Le transistor est
donc équivalent à un circuit fermé entre
collecteur et émetteur.
E

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 2.3.2. En régime linéaire :
On cherche à modéliser le plus simplement possible le fonctionnement du transistor pour de
faibles variations de iB, VBE, iC et VCE.
Si on reprend le fonctionnement de l’entrée du transistor :
IB(µA) IB(µA)

IBo

t VBEo VBE(V)

VBE(V)

t
On remarque que le rapport entre les variations de iB et VBE correspond à la pente de la
caractéristique autour du point de polarisation.
On peut alors écrire :
δI B
iB = ⋅ v BE
δVBE Mo
Ce qui correspond à l’inverse d’une résistance. En pratique, on note plutôt :
1
v BE = ⋅ i B ⇒ v BE = h11 ⋅ i B
δI B
δV BE Mo
B iB
Où h11 représente la résistance d’entrée dynamique du
transistor. On a alors le schéma équivalent suivant :

vBE h11

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Un raisonnement identiques sur les autres caractéristiques nous amème au schéma équivalent
complet :

B iB iC=h21*iB C

vB h11 vCE
E
1/h22

E
Où :
δVBE
h11 = ⇒ pente de la caractéristique d' entrée autour du point de polarisation
δI B Mo

δI C
h21 = ⇒ pente de la caractéristique de transfert autour du point de polarisation
δI B Mo

1 δVCE
= ⇒ pente de la caractéristique de sortie autour du point de polarisation
h22 δI C Mo

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 2.4. Caractéristiques constructeurs - critères de choix

2.4.1. Limites d’emploi

Nom Description
ICM Courant collecteur maximum admissible.
VCEoM Tension collecteur-émetteur maximale admissible à l’état
bloqué.
VBEoM Tension émetteur base maximale admissible à l’état bloqué.
Ptot Puissance maximale consommée par le transistor.
Ptot = VCEM*ICM
TJ Température maximum de la jonction en fonctionnement.
Fortement lié à la puissance consommée par le transistor.
IC(mA)

IB(µA) VCE(V)

VBE(V)

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 2.4.2. Caractéristiques électriques :

2.4.2.1. Caractéristiques statiques

Nom Description
VCEsat Tension collecteur-émetteur minimale existant quand le
transistor est saturé.
VBEsat Tension base-émetteur minimale existant quand le transistor est
saturé.
IEB0 Courant résiduel maximum parcourant la jonction base émetteur
à l’état bloqué.
ICB0 Courant résiduel maximum parcourant la jonction collecteur
base à l’état bloqué. Ce courant varie énormément avec la
température.
hFE Gain en courant (β) du transistor en régime linéaire.

2.4.2.2. Caractéristiques dynamiques

CBCo Capacité parasite entre la base et le
collecteur (de l’ordre de 10pF). A prendre en
compte en HF.
fT Transition Fréquence de transition. Le gain en courant
frequency chute en fonction de la fréquence. On note fT
la fréquence pour laquelle b=1.
td Delay time temps de retard entre l’application d’un
courant Ib et le début de variation de IC.
tr Rise time temps de montée du courant IC.
ton Switch on time temps de saturation du transistor.
toff Switch off time Switch off time: temps de blocage du
transistor.

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 IB

t
IC

2.4.3. Cahier des charges d’un transistor

Commutation Linéaire
Limites d’emploi ICM ICM
VCEoM VCEM
VBEoM VBE0M
TJ TJ
Ptot Ptot
Performances ton h21
toff fT
Défauts et dérives VCEsat h21=f(Ic)
ICB0 VBE =f(T°)
CBCo CBCo en HF

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