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Mini Tutorial: Circuitos Térmicos y Disipadores de Calor

Nicolás Moreno Köhler – IEE2172


nmoreno@ieee.org

Los elementos de circuitos de potencia, por ejemplo, algunos transistores y en


nuestro caso, reguladores de voltaje, requieren conducir corrientes del orden de amperes y
disipar potencias de varios Watts, y difieren en su estructura física, paquetes y
especificaciones con respecto a los elementos de pequeña señal. Un cuerpo que conduce
una corriente eléctrica pierde parte de energía en forma de calor por efecto Joule. En el caso
de semiconductores, esto se presenta principalmente en las uniones PN.
En nuestro caso de la fuente de poder, utilizaremos reguladores de voltajes lineales,
que si bien, son muy simples de usar, no son muy eficientes en el manejo de potencia, por
lo que especial interés tendremos en diseñar mecánicamente nuestra fuente para poder
contrarrestar esta ineficiencia del regulador.

Temperatura de Unión

Los elementos de circuitos de potencia disipan grandes cantidades de ésta en sus


uniones (entre colector y base por ejemplo entre el caso de un transistor). Esta potencia
disipada en un espacio muy reducido se convierte en calor, que eleva la temperatura de la
unión de los semiconductores. Sin embargo, no debe permitirse que esta temperatura Tj

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supere el máximo especificado Tjmax, ya que de otra forma, el elemento podría sufrir daños
estructurales permanentes. Entre estos daños podemos mencionar cambios a nivel de
estructura atómica del semiconductor (fusión térmica de la unión), como también
rompimiento de los contactos internos en el elemento, que por lo general son de oro. Para
dispositivos de silicio, esta temperatura Tjmax está entre 150ºC y 200ºC, y se puede obtener
en cada caso en las hojas de datos de los fabricantes (datasheets).

Disipación de potencia y resistencia térmica

Consideremos el caso de un regulador que opera al aire libre, es decir, sin


dispositivos especiales para enfriamiento. El calor disipador internamente será retirado de
las uniones hacia la caja del regulador, y de ésta hacia el ambiente. En un estado estable en
que el regulador disipa PD watts, el calentamiento de la unión con respecto al ambiente está
dado por la siguiente ecuación:

TJ − TA = θ JA ⋅ PD
donde JA es la resistencia térmica entre la unión y el ambiente. Por la ecuación vemos que
ésta resistencia tiene unidades de ºC/W. Este valor JA está siempre especificado en las
hojas de datos de los elementos de potencia y por lo general, también se especifica en
aquellos que son de señal, incluso en algunos chips con paquetes DIP. Podemos ver que
mientras más chico el valor de la resistencia térmica, mayor puede ser la potencia que
disipa el elemento con la misma diferencia de temperatura entre unión y ambiente.
Este proceso de conducción térmica es similar al de conducción eléctrica dado por
la ley de ohm V=R*I. (se deja al lector identificar y relacionar los términos).

Fig 1. Circuito eléctrico equivalente del


proceso de conducción térmica

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EJEMPLO: Consideremos el siguiente circuito con un regulador de voltaje

Bajo el supuesto de que no circula corriente por el pin 2 del regulador (por lo
general es una corriente del orden de 5mA), tenemos que en la entrada de éste hay un
voltaje de 12 V y a la salida 5 V, y una corriente de 1 A circulando entre el pin 1 y el 3.
Esto significa que el regulador tiene que disipar una potencia de:

PD = ∆V ⋅ I = (12 − 5) ⋅ 1 = 7 Watts

Según la hoja de dato, la resistencia térmica del regulador 7805 para un paquete
TO-220, es de JA=50ºC/W. Por lo tanto, considerando una temperatura ambiente de 25ºC,
la temperatura en la unión está dada por:

TJ = T A + θ JA ⋅ PD = 25 + 50 ⋅ 7 = 375 ºC

lo cual es mortal para el regulador.

Debemos por lo tanto, reducir la resistencia térmica de alguna forma para evitar que
la temperatura de unión alcance su temperatura máxima de150ºC.

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Diferentes paquetes y disipadores de calor

Vimos que en un elemento, la resistencia térmica entre la unión y el ambiente es de


vital importancia, y que el diseñador se debe preocupar de reducirla de alguna forma. Esta
resistencia se puede expresar como:

θ JA = θ JC + θ CA

donde JC es la resistencia térmica entre la unión y la caja del elemento (paquete), y CA es
la resistencia térmica entre la caja y el ambiente. Para un elemento dado JC está fijada por
el vendedor (no el vendedor de Casa Royal ni Victronics, sino el fabricante) y el paquete
del dispositivo, y el mismo vendedor es el encargado de reducir JC tanto como sea
necesario utilizando cajas metálicas grandes y conectando éstas a las uniones donde se
disipa más calor (el colector en el caso de un transistor). En circuitos integrados de
potencia, los paquetes más comunes son el TO-220 y el TO-3.
En la siguiente tabla compararemos las resistencias térmicas de estos dos paquetes
(encapsulados) con un típico de un transistor de señal.

TO-3 (potencia) TO-220 (potencia) TO-92 (señal)

θ JC ≈ 4 ºC / W θ JC ≈ 3 ºC / W θ JC ≈ 83 ºC / W
θ JA ≈ 35 ºC / W θ JA ≈ 60 ºC / W θ JA ≈ 200 ºC / W

Ahora bien, el diseñador no tiene control sobre JC una vez que el elemento está
seleccionado, pero si puede reducir considerablemente CA por debajo de su valor al aire
libre. Esta reducción se puede efectuar si se cuenta con medios para facilitar la

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transferencia térmica de la caja al ambiente. Un método muy utilizado es atornillar el chasis
del elemento a una superficie metálica extendida; esta superficie metálica funciona
entonces como disipador de calor. El calor es fácilmente conducido de la caja del
transistor al disipador, es decir, la resistencia térmica CS es muy pequeña. Del mismo
modo, el calor se transfiere de manera eficiente (por convección y radiación) del disipador
al ambiente, resultando una baja resistencia térmica. Por lo tanto si se utiliza un disipador
de calor, la resistencia térmica de la caja al ambiente está dada por

θ CA = θ CS + θ SA
donde CS depende de la forma de acoplar el elemento al transistor, ya sea directamente, o
mediante una mica aislante o pasta de silicona u algún otro material aislante, y SA depende
de la geometría y material del disipador.
Por lo tanto, después de introducir todos estos elementos en nuestro diseño, la
ecuación que debemos resolver es la siguiente:

TJ − T A = PD (θ JC + θ CS + θ SA )

A continuación una tabla para encontrar la resistencia térmica CS para diferentes
tipos de encapsulados y materiales entre caja y disipador, entre los cuales nos interesa el
TO-3 y el TO-220:

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Ya mencionamos que los circuitos térmicos se manejan exactamente igual que los
circuitos eléctricos, por lo tanto, podemos hacer cálculos más complejos utilizando
configuraciones en paralelo de resistencias térmicas. Este es el caso cuando conectamos dos
o más elementos de potencia a un solo disipador (se deja al lector hacer el cálculo). La
conclusión en éste ultimo caso es que podemos ahorrar plata en disipadores si conectamos
varios transistores o reguladores a un mismo disipador. Además podemos disminuir la
resistencia térmica de un disipador si utilizamos otros métodos adicionales de enfriamiento,
como forzar aire mediante un ventilador. Esto se utiliza mucho en los computadores, ya que
la CPU disipa una gran cantidad de potencia, y si bien, el disipador que lleva encima no es
tan grande, sí lleva uno y a veces dos ventiladores encima.

Es difícil encontrar información sobre circuitos térmicos, y la información está


dispersa y a veces incompleta. Para tener más información sobre diferentes fabricantes y
datasheets de disipadores y pastas disipadoras, además de otro tipo de información, se
pueden visitar los siguientes links:

• http://www.thermalloy.com/
• http://www.semikron.com/

Además podemos encontrar información y precios de diferentes disipadores en


Victronics (www.victronics.cl) , RS Chile (www.rschile.cl) y Casa Royal.

Bibliografía

1. Sedra / Smith, “Circuitos Microelectrónicos”, cuarta edición; Oxford University Press,


2000
2. Apuntes del curso IEE3422 – Electrónica Avanzada, del profesor Luis Camilla.
3. WEB INTERNET

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