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11-PROPRIEDADES ELÉTRICAS,

TÉRMICAS, ÓPTICAS E MAGNÉTICAS


DOS MATERIAIS

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PROPRIEDADES ELÉTRICAS
CONDUTIVIDADE ELÉTRICA ()
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É o movimento de cargas
elétricas (elétrons ou íons) de
uma posição para outra.
 = 1/= n.q.
= condutividade elétrica (ohm-1.cm-1)
= resistividade elétrica (ohm.cm)
n= número de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do elétron= 1,6x10-19 R =  . l/A
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga
(cm2/V.s)
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PROPRIEDADES ELÉTRICAS
SEMICONDUTORES
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 Tem resistividade entre metais e isolantes

10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm


A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrário dos metais)
A resistividade diminui com a adição de
certas impurezas
A resistividade aumenta com a presença de
imperfeições nos cristais.

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PROPRIEDADES ELÉTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
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 Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela


Periódica)
 GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Periódica)
 PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Periódica)

95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com


Silício
 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-
V são para uso militar
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EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
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SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS


SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E
OPTOELETRÔNICOS
 Transistor
 Diodos
 Circuito integrado
 LEDS
 Detetores de infravermelho
Células solares, etc.

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CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS
DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES
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 Indústria de computadores (memórias,


microprocessadores, etc.)
 Indústria aeroespacial
 Telecomunicações
 Equipamentos de áudio e vídeo
 Relógios
 Na robótica
 Sistemas industriais de medidas e controles
 Sistemas de segurança
 Automóveis
 Equipamentos médicos,...
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LIGAÇÃO QUÍMICA
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A- METAIS
Os elétrons de valência não estão ligados a
nenhum átomo específico (estão livres)
Há atração entre os elétrons livres (de valência) e os
íons positivos (núcleo mais elétrons de valência)
Os metais têm elevada condutividade elétrica
devido os elétrons estarem livres para moverem-se
(alta mobilidade).
No entanto, a agitação térmica reduz o livre
percurso médio dos elétrons, a mobilidade dos
mesmos e como conseqüência a condutividade.

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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
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EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
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ESTRUTURA PERFEITA A MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS


BAIXA TEMPERATURA ALTA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELÉTRONS


EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
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LIGAÇÃO QUÍMICA
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B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores têm ligação
covalente, com 4 elétrons de valência. Os
semicondutores compostos (grupos III-V e II-
VI) têm 4 elétrons de valência em média.

RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA


PARA UM SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia
que liberta transportadores de cargas
adicionais.
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BANDAS DE ENERGIA
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Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura


eletrônica em bandas de energia.
Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes
interagem entre si quando são aproximados um do outro,
como acontece em um sólido cristalino. Isso faz com que
novos níveis de energia sejam estabelecidos, originando
então bandas de energia (são níveis discretos de energia,
mas com diferenças apenas infinitesimais)
A banda de energia corresponde à um nível de energia
de um átomo isolado
 As bandas de energia nem sempre se sobrepõem
 Assim como orbitais, as bandas de energia podem
comportar no máximo dois elétrons. 11
GAP DE ENERGIA (BANDA
PROÍBIDA)
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É o espaço entre as bandas de energia

É o que distingue um semicondutor de


um condutor ou isolante.

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NÍVEL DE DE ENERGIA DE
FERMI
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É definido como o nível de energia


abaixo do qual todos os estados de
energia estão ocupados a 0K.

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CONDUTOR
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Os elétrons não
preenchem todos os
estados possíveis da
banda de valência e por
isso a condução ocorre Nível de Fermi
na banda de valência.
Num metal o nível de
Fermi esta localizado na
banda de valência. Banda de valência
incompleta
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ISOLANTES
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Os elétrons BANDA
preenchem todos os DE
estados possíveis da CONDUÇÃO
banda de valência e por
Nível de fermi GAP DE ENERGIA
isso a condução NÃO
ocorre na banda de BANDA
valência. DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV


 Gap de um isolante é maior
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SEMICONDUTOR
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Da mesma forma BANDA


que nos isolantes, DE
CONDUÇÃO
os elétrons
preenchem todos os Nível de fermi GAP DE ENERGIA
estados possíveis
da banda de BANDA
valência. DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALÊNCIA
energia

 Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV


 Gap de um isolante é maior
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SEMICONDUTOR
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Num semicondutor, os elétrons


podem ser excitados para a banda de
condução por energia elétrica,
térmica ou óptica (fotocondução)

 Quando um elétron é excitado para a


banda de condução deixa um buraco ou
uma vacância na banda de valência
que contribui também para a corrente. 17
CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)
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É a condução resultante dos


movimentos eletrônicos nos materiais
puros.
 Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução
devido aos buracos) ou tipo "n" (condução
devidos aos elétrons)
 Este tipo de condução se origina devido a
presença de uma imperfeição eletrônica ou
devido a presença de impurezas residuais.

CONDUÇÃO INTRÍNSECA 18
CONDUÇÃO INTRÍNSECA
(SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)
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É a condução resultante dos movimentos eletrônicos


nos materiais puros.
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CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
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Quando adiciona-se intencionalmente uma


impureza dopante para proporcionar elétrons ou
buracos extras.
Os semicondutores extrínsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons
extras

Os processos utilizados para dopagem são difusão e


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implantação iônica
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
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.Quando adiciona-se intencionalmente


uma impureza dopante para CRIAR
buracos extras.
 Impurezas tipo "p" ou aceitadores 
proporcionam buracos extras
Exemplo: Dopagem do Si (valência 4)
com Boro (valência 3)

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(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
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BORO É UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILÍCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA

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(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
NÍVEL DE FERM I
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(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)
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Impurezas tipo "n"


ou doadores.
proporcionam
elétrons extra
Exemplo: Dopagem
do Si (valência 4)
com Fósforo
(valência 5)

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(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)
NÍVEL DE FERMI
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CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
CONSIDERAÇÕES GERAIS
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 Os elétrons tem maior mobilidade


que os buracos.
 A presença de impurezas pode
alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor.

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OPERAÇÃO DO DIODO
(JUNÇÃO P-N)
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 Dispositivos eletrônicos como transistors,


circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinação de semicondutores
extrínsecos tipo “p” e tipo “n” .
DIODO  é um dispositivo que permite
a corrente fluir em um sentido e não em
outro. É construído juntando um
semicondutor tipo “n” e tipo “p”.

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JUNÇÃO P-N
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-Quando uma voltagem é aplicada


como no esquema abaixo, os dois
tipos de cargas se moverão em
direção à junção onde se
recombinarão. A corrente elétrica
irá fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causará o movimento de
cargas para longe da junção. A
corrente não irá fluir no dispositivo.

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PROPRIEDADES
MAGNÉTICAS

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PROPRIEDADES
MAGNÉTICAS
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A maioria dos elementos e materiais não


exibem propriedades magnéticas.
Materiais que exibem propriedades
magnéticas:

Ferro, Níquel, Cobalto, Gadolíneo, algumas


ligas (SmCo5, Nd2Fe14B, ...)

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Ferromagnetismo
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É a propriedade de concentrar as linhas de força


magnética, caracterizada pela permeabilidade
magnética.

Ferromagnéticos- permeabilidade magnética >1 (subst.


Paramagnéticas) - elétrons desemparelhados
Ferro, Cobalto, Níquel e Gadolínio

Outros metais-permeabilidade magnética <1 (subst.


Diamagnéticas) - elétrons emparelhados

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PERMEABILIDADE
MAGNÉTICA
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Permeabilidade Magnética ()-


está relacionada com a intensidade
de magnetização.
A intensidade de magnetização
varia em função da intensidade do
campo aplicado.
É característica do material
= tg  B/H
É dada em Gauss/Oersted
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Domínios magnéticos
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São regiões da estrutura do


material onde todos os átomos
cooperam magneticamente, ou
seja, são zonas de magnetização
espontânea (<0,05mm).
Quando um campo magnético
é aplicado, os domínios
magnéticos tendem a se alinhar
com o campo e, então, o material
exibe propriedades magnéticas.
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Ponto de Curie
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É a temperatura na qual os domínios


magnéticos são destruídos.

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Curva de magnetização ou de histerese
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Indução residual (Br) - é a indução magnética que se


conserva no corpo magnetizado, depois de anulada a
intensidade do campo.
É dada em Gauss
Força coercitiva (Hc)- é a intensidade de campo que
tem de ser aplicado para desmagnetizar.
É dado em Oersted
Material com elevado Hc = consome energia para
alinhar os domínios magnéticos, de uma direção para
outra. A quantidade de energia necessária para
magnetizar é proporcional a área do ciclo de
histerese.
Permeabilidade Magnética ()- é a intensidade de
magnetização. A intensidade de magnetização varia
em função da intensidade do campo. ë característica
do material
= tg  B/H É
dada em Gauss/Oersted

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Classificação das ligas
magnéticas
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A classificação é feita de acordo com a


forma da curva de histerese.
O nome esta relacionado com as
propriedades mecânicas/metalúrgicas da
liga:

 Ligas Magnéticas Duras


 Ligas Magnéticas Macias

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Ligas magnéticas duras
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- Se caracterizam pelo grande valor de Hc e


alto Br
- São ligas endurecidas com estruturas
desiquilibradas, dispersas
- São utilizadas na fabricação de imãs
permanentes

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Ligas magnéticas macias
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- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas


perdas de histerese e baixo Br.
- São ligas organizadas. Geralmente metais
puros com boa qualidade estrutural.
- São empregadas como ligas a serem
submetidas à magnetização alternada
(núcleos de transformadores)

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CURVA HISTERÉTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E
MACIAS
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Papel dos elementos de liga
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 Aumentam a força coercitiva ou “dureza” magnética


 Diminuem o tamanho de grão
A formação de uma segunda fase, pela adição de elementos
de liga (acima do limite de solubilidade), contribui para o
aumento do Hc. Quanto mais elevada a dispersão da segunda
fase maior o Hc.
O endurecimento causado pela transformações de fase ou
pela diminuição do tamanho de grão aumentam o Hc, porque
evitam a redistribuição ao acaso dos domínios magnéticos.

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INFORMAÇÕES ADICIONAIS
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No xerox encontram-se tabelas com


exemplos de materiais magnéticos moles e
duros

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ESTUDAR (XEROX)
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ASSUNTOS:
SUPERCONDUTIVIDADE (Van Vlack)
EFEITO PIEZOELÉTRICO (CALLISTER)
PROPRIEDADES ÓPTICAS:
OPACIDADE, TRANSPARÊNCIA E
LUMINESCÊNCIA, LASER (Van Vlack)

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