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UNIVERSITAIRE DE
NICE SOPHIA-ANTIPOLIS
Travaux Dirigés
d’électronique analogique
Quadripôles
Diodes
Transistors bipolaires
Pascal MASSON
3
Epreuves d’électronique analogique N°3 - 2010-2011 ......................................... 111
4
Quadripôles TD No. 1 : Détermination des paramètres impédances
I1 I2 I1 I2
R1 R3
V1 R2 V2 V1 R V2
a b
I1 I2 I1 I2
R R1 R3
V1 V2 V1 R2.I2 R4.I1 V2
c d
Figure I.1.
II.1. On se propose d’étudier le quadripôle de la figure (II.1.a) qui représente le schéma petit
signal du transistor MOS (MétalOxideSemiconducteur).
II.2. Le schéma petit signal du transistor bipolaire est donné à la figure (II.1.b).
5
II.3. Comme l’indique la figure (II.1.c), on suppose que µ = 0 pour le transistor bipolaire et on
ajoute une résistance R3 au montage électronique (ici une résistance d’émetteur).
II.3.b. Retrouver le résultat de la question (II.3.a) en utilisant deux lois des mailles.
II.3.c. En vous inspirant de la question (I.4) de l’exercice (I), donner une nouvelle
représentation de ce quadripôle.
I1 I2 I1 I2
R1
V1 R1 gm.V1 R2 V2 V1 .V2 .I1 R2 V2
a b
I1 I2
R1 .I1 R2
Figure II.1.
V1 V2
R3
6
Quadripôles TD No. 2 : Caractéristiques des quadripôles
Un exemple de quadripôle passe-bas du premier ordre, aussi appelé filtre passe-bas, est donné
à la figure (I.1). Il est constitué d’une résistance et d’une capacité et ne laisse passer que les
signaux de fréquences inférieures à une certaine fréquence de coupure, F C.
I1 I2
R Figure I.1.
RG
EG V1 C V2 RL
I.2.a. Donner les expressions des paramètres Z en fonction des éléments du quadripôle.
I.3. Montrer que le quadripôle peut se mettre sous la forme équivalente donnée à la figure
(I.2). On donnera les expressions des éléments.
I1 I2
RS Figure I.2.
RG
EG V1 RE EGS V2 RL
7
I.4.a. Donner l’expression du module du gain Av0.
I.4.c. On obtient la pulsation de coupure, C0, lorsque le gain chute de 3 dB. Pour le cas
présent, cela correspond à : 20.logAV0 = 3 dB. Déterminer l’expression de la pulsation
et de la fréquence de coupure.
I.4.e. Donner la valeur de 20.logAV0 pour une pulsation très inférieure à C0.
I.4.g. Quelle est la pulsation de coupure, C, du gain AV ? La comparer avec celle du gain
AV0.
Q2 Q1
I1 I2
RG R
EG V1 C V2 C RL
R
Figure II.1.
Un exemple de quadripôle (Q1) passe-bande, aussi appelé filtre passe-bande, est donné à la
figure (II.1). Il est constitué d’un filtre passe-haut en série avec un filtre passe-bas (étudié à
l’exercice (I)). Pour simplifier l’exercice, nous étudions le quadripôle Q 2 (quadripôle en T), et
nous supposons que la charge RL n’influence pas les performances du circuit (c’est notamment
le cas lorsque ce filtre est connecté à l’entrée d’un AOP – Amplificateur Opérationnel).
II.1. Donner les expressions des paramètres Z en fonction des éléments du quadripôle.
II.2. En vous aidant de l’exercice (I), montrer que le gain en tension, Av, est de la forme :
8
A0
AV (I.1)
0
1 j.Q.
0
9
10
Quadripôles TD No. 3 : Détermination des paramètres admittances
I1 I2 I1 I2
Y2 Y
V1 Y1 Y3 V2 V1 V2
a b
I1 I2 I1 I2
Y1 Y3
V1 Y V2 V1 V2
Y2.V2 Y4.V1
c d
Figure I.1.
I1 I2
Figure II.1.
R2
V1 R1 Y1.V1 R3 V2
II.2. Retrouver le résultat de la question (II.1) en utilisant deux lois des noeuds.
11
II.3. En vous inspirant de la question (I.4) de l’exercice (I), donner une nouvelle représentation
de ce quadripôle.
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Quadripôles TD No. 4 : Représentation des quadripôles
Le tableau (I.1) regroupe les paramètres des matrices de quatre quadripôles actifs. R et Z
représentent des impédances. Y est une admittance. Les paramètres , et sont sans unité.
Paramètre
Quadripôle 11 12 13 14
1 R1 Z Z R2 Tableau I.1.
2 Z Y
3 1/R1 Y Y 1/R2
4 100 0 15 10 S
II.1. Exprimer les paramètres de la matrice hybride en fonction des paramètres de la matrice
admittance.
II.2. Exprimer les paramètres de la matrice hybride en fonction des paramètres de la matrice
impédance.
I1 I2
R1 Figure III.1.
V1 .V2 .I1 R2 V2
13
14
Quadripôles TD No. 5 : Association de quadripôles
I.1. Donner l’expression des matrices de transferts des quadripôles de la figure (I.1).
I1 I2 I1 I2
Figure I.1.
R1
V1 V2 V1 R2 V2
a b
I.2. En vous aidant de la question (I.1), donner l’expression des matrices de transferts des
quadripôles de la figure (I.2).
I1 I2 I1 I2
R1 R1 R3
V1 R2 V2 V1 R2 V2
a b
I1 I2
R2
V1 R1 R3 V2
Figure I.2.
Répondre aux questions suivantes pour les deux quadripôles de la figure (II.1).
II.1. Montrer que les deux quadripôles peuvent être considérés comme l’association de deux
quadripôles en parallèle et donner les schémas correspondants.
II.2. Déterminer les éléments des matrices Y’ et Y’’ de chacun des quadripôles constituant
cette association. En déduire la matrice Y des quadripôles.
15
R2 C2 C2
I1 I2 I1 I2
R1 R1 R1 R1
V1 C V2 V1 R2 C1 V2
a b
Figure II.1.
16
Quadripôles TD No. 6 : Pour aller plus loin
I1 I2
Figure I.1.
R2
V1 R1 Y1.V1 R3 V2
I.5. Montre que ce quadripôle est équivalent au quadripôle Q 1 auquel on a ajouté une
résistance en parallèle sur l’entrée et une résistance en parallèle sur la sortie qui dépendent
de R2 et du gain AV0.
RG RG L
EG RE EG C VE RE
a b
Figure II.1.
Dans notre cas RE est très inférieur à RG et on intercale entre le générateur et le quadripôle un
quadripôle d’adaptation d’impédance constitué d’une capacité (Z = 1/(j.C.) = j.XC) et d’une
self (Z = j.L. = j.XL).
17
II.3. Donner les expressions des résistances d’entrée et de sortie de ce quadripôle.
II.4. A quoi doit être égale la résistance d’entrée pour avoir une adaptation d’impédance entre
le générateur et le quadripôle d’adaptation ?
II.5. Donner finalement les expressions de XC et XL pour avoir une adaptation d’impédance.
Quelle doit être la condition sur RG et Rint pour garantir l’existence de X C et XL.
18
Diodes TD No. 1 : Prise en main de la diode PN
I I1 I2 I3
D1 D3 Figure I.1. Les diodes sont identiques et
D2 on a pour les résistances : R1 = R2 = 100 ,
EG
R3 = 200
R1 R2 R3
I.2. On considère que les diodes ont une tension de seuil VS = 0.5 V avec RS = 0.
I.3. On considère que les diodes ont une tension de seuil V S = 0.5 V avec RS = 100 .
Remarque : on pourra utiliser les graphiques donnés à la fin de ce TD et conserver les mêmes
échelles afin de mieux appréhender l’impact des paramètres des diodes.
19
Exercice III : Point de polarisation et droite de charge
10
8 I
R
6 EG
ID (mA)
a
2
b VD (V)
10
8 I
R
6 EG
ID (mA)
a
2
b VD (V)
Le circuit que l’on étudie ici est donné à la figure (IV.1.a) et la caractéristique de la diode à la
figure (IV.1.b).
20
10
6
ID (mA)
Figure IV.2.
On applique une tension alternative de faible amplitude additionnée à une tension continue :
IV.1.a. En utilisant la méthode de la droite de charge, donner les valeurs extrêmes que
prennent la tension aux bornes de la diode et le courant I.
IV.1.b. Tracer sur la figure (IV.2) l’évolution temporelle de la tension aux bornes de la
diode et du courant I.
21
Figure IV.3.
10
Figure IV.4.
6
Caractéristique plus
ID (mA)
réaliste de la diode.
4
VD (V)
On applique à présent une tension alternative de grande amplitude additionnée à une tension
continue :
22
10
6
ID (mA)
Figure IV.5.
23
24
Diodes TD No. 2 : Redressement d’un signal
C'est la valeur de la tension continue qui provoquerait la même dissipation de puissance que
u(t) si elle était appliquée aux bornes d'une résistance :
tT
1
Veff u2 t dt
T
t
I Figure I.1.
EG R V
On applique la tension EG = E.cos(t) au circuit de la figure (I.1). Pour les trois cas suivants,
tracer l’évolution temporelle de la tension V aux bornes de la résistance et déterminer
l’expression de la tension moyenne, Vmoy. On déterminera l’expression de la tension efficace,
Veff, pour le premier cas.
I Figure II.1.
EG C R V
II.4.b. Quelle doit être la valeur de la C pour que l’ondulation soit au maximum de 1 V ?
II.4.c. Quelle est la tension supportée par la diode à la mise sous tension ?
D1
R D4
Figure III.1.
V
EG
D2
D3 C
III.1. Pour cette question, on ne prend pas en considération la présence de la capacité. Pour
les trois cas suivants, tracer l’évolution temporelle de la tension V aux bornes de la résistance
et déterminer l’expression de la tension moyenne, V moy. On déterminera l’expression de la
tension efficace, Veff, pour le premier cas.
III.1.b. On considère que les diodes ont une tension de seuil VS 0 avec RS = 0.
III.1.c. On considère que les diodes ont une tension de seuil V S 0 avec RS 0.
26
27
28
Bipolaire TD No. 1 : Prise en main du transistor NPN
VDD
VBE
EG
RE
RB RC RB RC RB RC Les caractéristiques du
transistor sont : VBE = 0,6 V,
= 100, VCEsat 0.2 V.
T1 T2 T3 Les DEL sont identiques et
ont une tension de seuil
VS = 0,6 V, RS = 0.
R1 RE R2 RE R3 RE
On considère le circuit électrique de la figure (II.1) où E G est une tension qui varie de 0 à 4 V
II.1. A partir de quelle tension EG le transistor T1 se débloque ? Quel est le courant qui circule
dans la diode D1 et la tension VCE lorsque EG = 4 V ? Dans ce cas, est ce que I B peut être
négligé dans le pont de base ? Reprendre si nécessaire le calcul de VCE .
R3
30
31
32
Bipolaire TD No. 2 : Le transistor en émetteur commun
Exercice I : L’inverseur
VDD
Figure I.1. On pose RC = 10 , RB = 450 ,
VDD = 5 V. Le gain du transistor est = 100 et
RC
les courbes I B(VBE) et I C (VCE) sont données
aux figures (I.2) et (I.3).
RB
VE VS
VBE
I.7. Si VE = 2,95 V, quelle est l’allure de la courbe I C(VCE ) si on fait varier RC de 0,1 à 10 k ?
10
6 Figure I.2.
IB (mA)
33
1000
800
400
200
1 2 3 4 5
VCE (V)
3
Figure I.4.
VS (V)
0
0 1 2 3 4 5
VE (V)
34
Exercice II : L’amplificateur en classe A
VDD
R2 RC C3
C1
VBE RL VL
EG
R1 RE C2
Figure II.1. On pose RC = 232,5 , RE = 17,5 , R1 = 8,3 k, R2 = 21,4 k, RL = 1 k,
VDD = 5 V. Le gain du transistor est = 100 et les courbes I B(VBE) et IC (VCE) sont données aux
figures (II.2) et (II.3). EG est un générateur de signaux.
On supposera que + 1
t
E G 0,02. sin 2 (II.1)
TP
On considèrera qu’à la fréquence FP = 1 / TP, les capacités C1 à C3 ne peuvent pas suivre les
variations du signal.
35
TP
200
160
120
IB (µA)
IB (µA)
80
40
Figure II.2.
TP
c
TP
20
16
12
IC (mA)
IC (mA)
a 1 2 3 4 5 b
VCE (V)
Figure II.3.
TP
c
36
II.4. Etude en dynamique de la boucle de sortie sans RL
37
38
Bipolaire TD No. 3 : Test des batteries
VDD
La défaillance de la batterie de voiture (en général en hiver) est la principale cause d’absence
des étudiants en cours. On se propose ici d’étudier un dispositif électronique très simple
(Figure I.1) qui permet l’allumage d’une LED lorsque la tension d’une batterie passe en
dessous d’un seuil critique (signe qu’il faut changer la batterie).
I.2. On considère maintenant que la tension de la batterie de voiture est passée à V DD = 10,5 V
39
Exercice II : Indicateur de niveau de tension
VDD
VE
R1 Figure II.1. On pose R1 = 100 k ,
R2 = 500 . VDD = 9 V.
V3
R2 D3 Les LED D1 à D3 sont identiques avec
AOP3
VLED = 1,5 V et RLED = 1 k.
R1
La tension de sortie des AOP est comprise
entre 0 et 9V.
V2
R2 D2
AOP2
R1
V1
R2 D1
AOP1
R1
Le circuit de la figure (II.1) sert à tester la valeur d’une tension comprise ente 0 et 9 V (valeur
de VDD)
II.2. Expliquer le fonctionnement de la portion de circuit constituée par les composants AOP1,
R2 et D1.
40
Exercice III : Indicateur de tension à fenêtre
VDD VE
R1
On souhaite savoir si la tension d’une batterie se situe dans une certaine gamme. On utilise
pour cela le circuit de la figure (III.1).
III.2. Expliquer le fonctionnement du circuit en indiquant les conditions d’allumage des LED
D1 à D3.
41
42
Bipolaire TD No. 4 : Convertisseur analogique - numérique
Dans tous les domaines de l’électronique (ordinateur, lecteur MP3, RFID, radio, télé,
téléphone…) la part du traitement numérique de l’information ne cesse de croître par rapport
au traitement analogique. Cette prédominance du numérique tient aux avantages techniques
tels que la souplesse du traitement de l’information, l’excellente reproductibilité des
résultats…
Il existe plusieurs types de convertisseur analogique numérique et cet exercice se focalise sur
l’étude de convertisseur FLASH (figure (I.1)). Le mot FLASH signifie que la conversion est
très rapide. Le convertisseur choisi pour ce TD a une résolution de 3 bits et il est constitu é de
4 parties :
2) 7 AOP
I.2. Regrouper dans le tableau (I.1) les valeurs de V E , des sorties des AOP et des sorties du
circuit de décodage sachant que S 0 est le bit de poids faible et S2 le bit de poids fort.
t
VE 1 sin 2 (I.1)
TP
On choisi une fréquence d’horloge du circuit mémoire FH = 8 kHz. Sur la figure (I.2), donner la
valeur binaire (mot) du signal VE échantillonné sur une période. Le premier échantillon sera
pris à t = 0.
43
VDD
VE
R
G
R
F
R S2
E
Circuit de décodage
R S1
D Circuit
mémoire
R S0
C
R
B
R Horloge
A
VE G F E D C B A S2 S1 S0
Tableau I.1.
44
2
VE (V)
0 TP/2 TP
Figure I.2.
Le convertisseur numérique – analogique étudié dans cet exercice est constitué d’un circuit
mémoire (qui applique sur ses sorties S 0, S1 et S2 des mots binaires avec une fréquence FH), de
transistors bipolaires utilisés comme interrupteur (bloqué – saturé), d’une batterie de
résistances pondérées (R, 2.R et 4.R) et de deux AOP montés en amplificateur.
Horloge
VDD
R
T2 R
R
S2
2.R
R
R1 T1
S1
Circuit
mémoire 4.R
VS
R1 T0
S0
R1
Figure II.1. Les trois transistors et les 2 AOP sont identiques. La tension de saturation des
transistors est VCEsat = 0 V. La configuration du circuit est telle que la sortie des AOP ne peut
pas saturer. R1 = 10 k et VDD = 1 V.
II.1. Déterminer les expressions des courants qui peuvent traverser les résistances pondérées.
II.2. Pour le mot S2S1S0 = 001, donner la valeur des courants dans les résistances pondérées
ainsi que la valeur de VS.
II.6. La mémoire donne en sortie la suite binaire donnée au tableau (II.2). La fréquence entre
chaque mot est FH = 8 kHz et le mot reste en sortie jusqu’à ce qu’il soit modifié. Donner la
valeur de VS et représenter VS(t) sur la figure (II.2).
45
S2 S1 S0 VS
0 0 0
0 0 1
0 1 0
Tableau II.1. 0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
H S2 S1 S0 VS
0
1 1 0
TH
1 1 1
2.TH
1 1 1
Tableau II.2. 3.TH
1 0 0
4.TH
0 0 1
5.TH
0 0 0
6.TH
0 0 0
7.TH
0 1 1
8.TH
1 1 0
2
VS (V)
0 TH 2.TH
Figure II.2.
46
47
Bipolaire TD No. 5 : Liaison optique
Rappel :
VDD
R5
Figure I.1. On pose R1 = 100 k, R2 = 150 k,
V1
R3 = 10 k , R4 = 1 k , R5 = 22 , C = 10 nF,
VDD = 4,5 V.
D1
T1 est un transistor PNP avec 1 = 100 et
VCEsat1 = 0 V, VS1 = 0,6 V, RS1 = 1 k.
V2 T2 est un transistor NPN avec 2 = 100 et
R1 R3 VCEsat2 = 0 V, VS2 = 0,6 V, RS1 = 1 k.
Vous en avez marre des émissions télés de votre petite sœur ou petit frère, ou tout simplement
vous voulez faire une bonne blague à quelqu’un : le bloqueur de télécommande est fait pour
vous. Le but de ce circuit (figure (I.1)) est d’inonder le récepteur d’informations (0 et 1)
inexploitables qui feront passer le signal en provenance de la télécommande comme un bruit
supplémentaire. La base du circuit est un oscillateur à deux transistors (T 1, T2) de type PNP et
NPN et d’une capacité dont la charge bloque ou rend passant (T 1 linéaire et T2 saturé) ces
transistors. Les tensions V1 à V6 sont référencées par rapport à la masse.
Dans tout l’exercice on considérera que le courant qui circule dans les résistances R 1 et R2 est
négligeable devant les courants qui circulent dans R 3 et T2.
On rappelle que la tension aux bornes de la capacité d’un circuit R.C évolue su ivant
l’équation :
t
Vt A. exp B (I.1)
R .C
48
I.1. On se place à t = 0 et on suppose que la capacité est déchargée.
I.1.1. Dire si la diode D1 est passante ou bloquée et si les transistors T1 et T2 sont bloqués
ou passants (linéaires ou saturés).
I.3. Une fois débloqué, le transistor T1 reste en régime linéaire et son courant collecteur sature
le transistor T2.
I.3.2. Déterminer l’expression et la valeur de V4 ainsi que I B1à t = t1+. On remarquera que
la capacité C3, via T1, devient l’alimentation des résistances R1 et R2.
I.6.1. Déterminer la période du signal (par exemple de la tension V3) à partir des
questions (I.4) et (I.5).
49
I.6.2. Tracer l’évolution temporelle de la tension V3 sur la figure (I.2) en considérant les
instants t1, t2 et t3.
I.6.4. Tracer l’évolution temporelle de la tension V2 sur la figure (I.3) et indiquer les
plages temporelles qui correspondent à la diode IR peu ou très lumineuse.
Figure I.2
Figure I.3
Figure I.4
50
Exercice II : Liaison Infra-Rouge
Emission Réception
VDD VDD
R2 R3
D1 T2
T3
T4
R1
T1
R4 VH
VE
On considère que le signal VE(t) est binaire avec VE = 0 V pour un 0 et VE = VDD pour un 1.
II.1.1. Déterminer les valeurs de IB1 et VBE1 pour les deux valeurs possibles de VE .
II.1.2. Déterminer si la diode D1 émet des IR pour les deux valeurs possibles de V E .
On s’intéresse au flux de photons, émis par la diode IR, qui parcourt la distance r pour arriver
sur la base du transistor comme l’indique la figure (II.2). Soit F D une grandeur, sans unité,
relative à la conversion en photons du courant de la diode IR (I IR) donnée par :
FD 0,2.IIR (II.1)
L’angle d’émission des photons () est pour cette diode de 40°.
où FD’ est la portion de FD reçue par la base du transistor dont la surface (S B) est de 1 mm2.
51
II.2.1. Donner l’expression de FD’ en fonction de , r et FD. On supposera que la base est
totalement intégrée dans la surface de la sphère de rayon r.
40°
D1 T2
r
Figure II.2.
II.3.2. Déterminer les différentes voies qui pourraient permettre d’augment la tension de
sortie pour VE = VDD.
52
53
Epreuves de Quadripôles et Diodes N°1 –2007-2008
I1 Quadripôle I2
RG
EG V1 R1 .I1 R2 V2 X Figure I.1.
I.1.2. Par la méthode de votre choix, déterminer l’expression des paramètres hybrides du
quadripôle en fonction de ses éléments. (2 pts)
I.2.2. Donner l’expression du gain AV si on enlève la charge X ? Ce gain sera noté AV0.
(0.5 pt)
I.2.3. Que fait le courant .I1 lorsque l’on enlève la charge X ? (0.5 pt)
I.2.4. Déterminer l’expression du gain composite AVG = V2 / EG en fonction de RG, R1, R2,
et X). (0.5 pt)
I.3.1. Montrer que le gain AV peut se mettre sous la forme (1.5 pts) :
G
AV (I.2)
1 j C
I.3.4. A quel type de filtre correspond l’association du quadripôle avec une self en sortie
et que représente C ? (0.5 pt)
EG R VA VD
10
6
ID (mA)
Figure II.2.
II.2.1. Montrer (avec Thévenin) que, pour la diode, le montage de la figure (II.1) est
équivalent au montage de la figure (II.3). (1.5 pts)
0,5.EG VD
55
II.2.2. Donner l’expression de la droite de charge du montage ? (1 pt)
II.2.3. La tension du générateur est EG = 1,5 V. Donner les coordonnées de deux points
particuliers de la droite de charge. (1 pt)
II.2.4. Tracer sur la figure (II.4.a) la droite de charge lorsque EG = 1,5 V. (1 pt)
2,6
EG 1,5 .t 1,3 pour t [0 ; TP] (II.1)
TP
II.3.1. Tracer sur la figure (II.4.a) les deux droites de charge qui correspondent au
maximum et au minimum de EG ? (0.5 pt)
II.3.3. Sur la figure (II.4.b), tracer l’évolution temporelle de I D sur au moins une période.
(1.5 pts)
II.3.4. Sur la figure (II.4.c), tracer l’évolution temporelle de V D sur au moins une période.
(2 pts)
10
6
ID (mA)
TP
Figure II.4.
TP
56
Epreuves de Quadripôles et Diodes N°2 – 2007-2008
I1 Quadripôle I2
RG
EG V1 gm.V1 R V2 X
I1 I2
RG R2
EG V1 R1 .V1 V2 X
Quadripôle
57
3. (2 pts) Donner les I1 I2
paramètres impédances et la
résistance d’entrée de ce
quadripôle ainsi que le gain R
du circuit : V1 2.R V2 2.R
I1 I2 (0.25 pt) Z 12 =
(0.25 pt) Z 21 =
V1 2.R V2
R 3.R
(0.25 pt) Z 22 =
Y1 Y3
(0.25 pt) Y21 =
V1 V2
Y2.V2 Y4.V1
(0.25 pt) Y22 =
58
7. (1 pt) Donner les paramètres impédances de
(0.25 pt) Z 11 =
ce quadripôle :
I1 I2 (0.25 pt) Z 12 =
R
(0.25 pt) Z 21 =
V1 V2
(0.25 pt) Z 22 =
10
D1 D2 D3
8
6 D4
ID (mA)
59
10. (1.5 pts) Soit le circuit ci-
contre dont les éléments sont :
R
EG = 5 V, R = 50 .
R EG
ID
(1 pt) Droite de charge :
2.R VD 2.R
60
Epreuves de Quadripôles et Diodes N°3 – 2007-2008
RAPPELS :
Résistance d’entrée * : V Z .Z
RE 1 Z11 12 21
I1 Z22 X
CENSURE
EXERCICE II : Quadripôle en représentation impédance (5 pts)
I1 I2
Figure II.1.
RG R
EG V1 C .V1 V2 X
Quadripôle
I.1. Par la méthode de votre choix, déterminer les paramètres impédances de ce quadripôle
61
I.2. (1 pt) Déterminer l’expression du gain en tension AV = V1/V2.
I.5. (1 pt) Déterminer l’expression du gain en tension composite A VG et montrer qu’il est de la
forme :
V2 G
A VG (II.1)
EG
1 j
C
I.6. (0,5 pt) Déterminer l’expression du module du gain en tension composite |A VG| en
fonction de G et C.
I.7. (0,5 pt) Du point de vu de la charge, que se passe t’il si la fréquence du générateur est très
supérieure à C/(2.) ?
ID
R
Figure III.1.
EG X VD
III.1. (0,5 pt) Quel est le générateur de Thévenin équivalent, E th et Rth, vu par la diode
Zener ?
III.3. (0,5 pt) En ne considérant que la diode Zener et en supposant qu’elle est passante,
donner l’expression de VD en fonction de RZ, VZ et ID.
III.4. (1 pt) A partir des questions (III.1), (III.2) et (III.3), donner l’expression de VD en
fonction de RZ, EG, R et X lorsque la diode Zener est passante. On pourra mettre ce résultat
sous la forme :
A.EG VZ
VD (III.1)
1B
III.5. Pour la régulation en tension il faut que V D soit le plus proche possible de la tension VZ.
RX
III.5.2. (1 pt) Qu’est ce que cela impose pour le terme R Z . et donc pour X par
R.X
rapport à R ?
62
EXERCICE IV : Redressement simple alternance avec écrêtage (5 pts)
D1
Figure IV.1.
D2
EG X V
4V
IV.1.1. (1 pt) Quelle tension peut-on avoir au maximum aux bornes de X et à quelle
condition est-ce qu’on l’obtient ?
IV.1.2. (1 pt) Quelle tension peut-on avoir au minimum aux bornes de X et à quelle
condition est-ce qu’on l’obtient ?
IV.2. (2 pts) L’évolution temporelle de la tension EG est donnée à la figure (IV.2). C’est une
sinusoïde qui présente par moment et de façon aléatoire des sur-tensions (sauts de tension).
Représenter sur cette figure (en rouge, bleu ou vert) l’évolution temporelle de la tension aux
bornes de X.
2
EG (V)
0
2.TP t
2
4
6
8
Figure IV.2.
IV.3. (1 pt) D’après vous, quel est le but de la présence de la diode D2 en série avec la tension
de 4 V par rapport au circuit électronique (représenté par X) ?
63
64
Epreuves d’électronique analogique N°1 – 2008-2009
RAPPELS :
Résistance d’entrée * : V Z .Z
RE 1 Z11 12 21
I1 Z22 X
Résistance de sortie * : V2 Z .Z
RS Z22 12 21
I2 Z11 RG
65
2. (1 pt) Par la méthode de votre choix,
(0.25 pt) Z 11 =
déterminer les paramètres impédances de
ce quadripôle :
(0.25 pt) Z 12 =
I1 I2
(1 pt) RE = (1 pt) AV =
I1 (0.5 pt) Z 12 =
I2
(0.25 pt) Z 21 =
C C
V1 L L V2
66
5. (2.5 pts) Soit le circuit
ci-contre dont les ID
R 0,5.R
éléments sont : EG = 4 V,
R = 20 . D1
EG R D2 VD
ID1 ID2
(0.5 pt) Donner les valeurs de deux points particuliers de cette droite :
6. (4.5 pts) Par la méthode de votre choix, donner les paramètres impédances et la résistance
d’entrée de ce quadripôle ainsi que le gain, le gain à vide et le gain composite du circuit :
I1 Quadripôle I2
RG
EG V1 R1 gm.V1 R2 V2 X
67
7. (2 pts) Donner la tension de seuil et la résistance série de ces quatre diodes :
10
D1 D2 D3
8
6 D4
ID (A)
2 4 6 8 10
VD (V)
68
10. (1.5 pts - BONUS) 4.R
I1 I2
Par la méthode de votre choix, 4.R
déterminer les paramètres R R
impédances de ce quadripôle.
V1 V2
4.R
4.R
69
70
Epreuves d’électronique analogique N°2 – 2008-2009
RAPPELS :
I.1. Quelle sont les valeurs des tensions VA et VR entre les instants t0 et t1 ? (0.5 pt)
I.4. Représenter l’évolution temporelle des tensions VA et VR sur la figure (I.2). (2 pts)
71
EG (V)
VDD
a
0
t0 = 0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t
VA (V)
VDD
Figure I.2. b 0
t
VDD
VR (V)
VDD
c 0
t
VDD
VDD
Figure II.1.
II.1.1. Quelle est la valeur de la tension de seuil, VS, de la diode ? (0.5 pt)
II.2.2. Donner les coordonnées de deux points particuliers de la droite de charge. (0.5 pt)
t
E G 0,6 0,4. sin 2 pour t [0 ; TP] (II.1)
TP
II.3.1. Pour les valeurs min et max de EG, tracer les deux droites de charge sur la figure
(II.2.a). Donner les valeurs de VBE lorsque IB = 0 pour ces deux droites de charge. (0.5 pt)
II.3.2. Donner le domaine de variation (valeurs min et max) de I B et VBE pour un période
de EG. (0.5 pt)
II.3.3. Sur la figure (II.4.b), tracer l’évolution temporelle de IB sur au moins une période.
(1.5 pts)
II.3.4. Sur la figure (II.4.c), tracer l’évolution temporelle de V BE sur au moins une
période. (2 pts)
TP
10 10
8 8
6 6
IB (mA)
IB (mA)
4 4
2 2
Figure II.2.
TP
V1 R V2
74
Epreuves d’électronique analogique N°3 – 2008-2009
RAPPELS :
t
VC t A. exp B
R .C
ib ic
Dans cet exercice, on se propose d’étudier le circuit de la Figure (I.1) qui s’appelle un octaveur
et qui permet de doubler la fréquence d’un signal. Son utilisation sur la voix humaine permet
de l’amener à mis chemin entre la voix robot et celle du canard.
PARTIE 1 PARTIE 2
VDD
R5 R6
R1 R3 C2 D1
V2 ’ V2 V4
C1
C4
V1 R7
T1
V3 ’ V3 D2
VBE
VE VS
R2 R 4 C3 R8
Figure I.1. Les valeurs des composants sont : R1 = 22 k, R2 = 15 k, R3 = R4 = 2,2 k,
R5 = 39 k, R6 = R7 = 100 k, R8 = 10 k. Les capacités seront équivalentes à des fils aux
fréquences considérées. Les trois transistors sont identiques : = 100, VCEsat = 0,2 V, pour la
diode de base VS = 0,6 V et RS = 1 k. On considérera que 1+ (soit IC IE ). Les diodes D1
75
et D2 sont identiques avec VSD = 1 V et RSD = 10 (indice D pour faire la différence avec la
diode du transistor). La tension d’alimentation est V DD = 15 V.
I.1.2. Donner l’expression et la valeur de VBE , IB, IC et VCE . Dans quel régime est polarisé
le transistor T1 ? (2.5 pts)
On considérera que l’on peut négliger l’impédance d’entrée de la PARTIE 2 devant R3 et R4. On
supposera aussi que les variations de VE sont suffisamment faibles pour que le transistor reste
en régime linéaire.
I.2.1. Donner le schéma équivalent en petit signal de la PARTIE 1 du circuit (1.5 pts)
V '
I.2.2. Donner l’expression et la valeur du gain en tension A V2 2 . Simplifier cette
VE
expression en considérant les valeurs de RS et R4. (1 pt)
V '
I.2.3. Donner l’expression et la valeur du gain en tension A V3 3 (1 pt)
VE
Les deux diodes D1 et D2 sont passantes mais à la limite du blocage (VD proche de VS).
Donner les valeurs :
de la tension V2 =
de la tension V3 =
de la tension V4 =
t
VE 1. sin 2 pour t [0 ; TP] (I.1)
TP
Pour les questions qui suivent, il faudra garder à l’esprit qu’il y a un étage (PARTIE 1) entre
VE et la PARTIE 2.
76
I.4.1. A t = 0,25.TP, donner les valeurs : (2 pts)
de la tension v 2 =
de la tension v 3 =
de la tension V2 =
de la tension V3 =
du courant qui circule dans D 1 =
du courant qui circule dans D 2 =
de la tension V4 =
I.4.2. A t = 0,75.TP, donner les valeurs : (2 pts)
de la tension v 2 =
de la tension v 3 =
du courant qui circule dans D 1 =
du courant qui circule dans D 2 =
de la tension V2 =
de la tension V3 =
de la tension V4 =
I.4.3. Tracer l’évolution temporelle de la tension V4 sur la figure (I.2) où la tension VE est
déjà indiquée. On indiquera sur le graphique les instants qui correspondent aux diodes D1
et D2 passantes. (1 pt)
2
Tension (en V)
0
t
1
VE
2
3
Figure I.2.
R3
R1 C1 RP C2 R4 R6
R2
T3
R5 VB
T1 VA
T2
La résistance de la peau, RP, est prélevée avec un capteur constitué de fils distants de 1 à
2 mm. On considérera que RP peut varier de 1 M à 100 k lorsque le doigt est posé sur le
capteur sinon elle est infinie.
II.1. Donner les valeurs min et max de la tension VA. (0.5 pt)
VAmin =
VAmax =
II.2. On considère qu’à l’instant t = 0, le transistor T1 devient passant et que par conséquent,
T2 se bloque. La tension de la base de T2 devient alors égale à 0,6 VDD et la tension
VA = VCEsat . Donner l’expression de l’évolution temporelle de la tension V BE2 du transistor T2 en
fonction de VDD, VS, R2 et C1. (1.5 pts)
où TT1 correspond au temps durant lequel le transistor T1 est passant et TT2 correspond au
temps durant lequel le transistor T2 est passant.
II.3.1. Le transistor T2 reste bloqué tant que VB2 est inferieur à VS. Donner l’expression
de TT1. (1 pt)
TT1 =
RP = FP =
RP = 1 M FP =
RP = 100 k FP =
78
Epreuves d’électronique analogique N°4 - 2008-2009
RAPPELS :
t
VC t A. exp B
R.C
Valim
R
R’ C C R’
Schéma électrique de l’oscillateur Abraham R
Block
TA TB
VA
R R
C R
VB
Il existe plusieurs méthodes pour obtenir un signal d’horloge. Cet exercice met en œuvre un
AOP utilisé en comparateur, 3 résistances identiques et une capacité. Les tensions VA à VC sont
référencées par rapport à la masse. Pour bien suivre l’évolution de ces tensions, vous pouvez en
tracer l’évolution temporelle dans la partie BROUILLON.
79
I.1. On se place à t = 0 et on suppose que la capacité est déchargée et que VC = VDD.
VDD
Emission
40°
D1
VDD
Réception
Alarme
R1
T1 VA
Set Q
Chambre Oscillateur
Abraham Block
Reset Q
Figure II.1. VDD = 3 1,5 = 4,5 V, R1 = 1 k. Les caractéristiques de la diode IR sont :
VIR = 1,5 V, RIR = 1 k, angle de la lumière IR est = 40°. Le photo transistor IR a pour
caractéristiques = 100, VCEsat = 0 V. L’impédance d’entrée des entrées SET et RESET de la
mémoire RS est RE = 1 k. Le 0 logique correspond à 0 V et le 1 logique à VDD. VA est
référencé par rapport à la masse.
Le schéma électrique (simplifié) d’un détecteur de fumée est donné à la figure (II.1) et se
compose de quatre éléments :
2) La zone, que nous appellerons la chambre, dans laquelle entre la fumée (début
d’incendie ou tartine restée trop longtemps dans le grille pain).
II.4.3. Est-ce que la sirène continue de retentir si il n’y a plus de fumée. (0,5 pt)
VDD
R4 I R5
Vref
R2
VDD
V3
vd
V1
ID VDD V4
R3
V2
R1 D1
Le thermomètre électronique que nous étudions dans cet exercice est basé sur la lecture de
la tension d’une diode polarisée en directe mais avant le seuil (0 V < V D < VS). Dans ce cas, le
courant de la diode est donné par :
q.VD
ID IS exp (III.1)
k.T
où IS = 1016 A, k = 1.3811023 J K1, T (en Kelvin, °K) = T (en Celsius, °C) + 273,15 et
q = 1,61019 C.
81
Seul la caractéristique de la dio de dépend de la température. L’AOP est utilisé dans
sa partie linéaire (donc non saturé).
III.1. Sachant que le courant consommé par la diode est négligeable par rapport à celui qui
passe dans les résistances R1 et R2, donner l’expression et la valeur de la tension V 1. (0,5 pt)
III.2. Pour simplifier l’exercice, on suppose que le courant qui traverse la diode reste
constant avec la température, I D = 1,157 µA. On a de plus V2 = VD (de l’équation (III.1)).
Donner l’expression et la valeur de la variation de la tension V 2 par rapport à la température :
(1,5 pt)
V2
VAR (III.2)
T
R5
V4 Vref (III.3)
R4
III.3.5. A T = 0°C la tension VD est de 0,518 V. Donner la valeur de V4. (0,5 pt)
82
Epreuves d’électronique analogique N°1 – 2009-2010
RAPPELS :
Résistance d’entrée * : V Z .Z
RE 1 Z11 12 21
I1 Z22 X
Résistance de sortie * : V2 Z .Z
RS Z22 12 21
I2 Z11 RG
83
2. (1 pt) Par la méthode de votre choix,
(0.25 pt) Z 11 =
déterminer les paramètres impédances de
ce quadripôle :
(0.25 pt) Z 12 =
I1 I2
(0.25 pt) Z 21 =
R R
V1 V2 (0.25 pt) Z 22 =
(1 pt) RE = (1 pt) AV =
(0.5 pt) Donner les valeurs de deux points particuliers de cette droite :
84
5. (1.5 pt) Par la méthode de votre choix et pour
le quadripôle ci dessous, donner les paramètres (0.5 pt) Z 11 =
impédances :
I1 I2 (0.5 pt) Z 12 =
L L/2
(0.25 pt) Z 21 =
V1 C/2 C/2 V2
L L/2
(0.25 pt) Z 22=
6 D4
ID (A)
2 4 6 8 10
VD (V)
85
7. (4.5 pts) Par la méthode de votre choix, donner les paramètres impédances et les
résistances d’entrée et de sortie de ce quadripôle ainsi que le gain, le gain à vide et le gain
composite du circuit :
Générateur Quadripôle
I1 I2
R
EG V1 R .I1 R V2 R
(1 pt) AVG = V2 / EG =
I1 I2 (0.25 pt) Z 12 =
R/3 R R/3
(0.25 pt) Z 21 =
V1 R R V2
(0.25 pt) Z 22 =
86
10. (1.5 pt BONUS) Par la méthode de votre
choix et pour le quadripôle ci dessous, donner les (0.5 pt) Z 11 =
paramètres impédances. Pour des raisons de
lisibilité, les résistances ne sont pas représentées
par des rectangles. (0.5 pt) Z 12 =
I2
2R (0.25 pt) Z 21 =
I1 R 2R
R
V2 (0.25 pt) Z 22=
R
R
V1
2R
R 2R
R
87
88
Epreuves d’électronique analogique N°2 – 2009-2010
RAPPELS :
Quadripôles en I1 I2
série
Z’
V1 V2 Z Z' Z' '
Z ’’
Q
ID
R 0,5.R
On considère le circuit électrique
D1
2.EG R D2 VD
de la figure (I.1) où les diodes D 1 et
D2 ne forment qu’un seul composant ID1 ID2
I.1. Donner l’expression de la droite de charge I D(VD) du circuit de la figure (I.1) (0.5 pt)
I.2. A partir de la figure (I.2) qui met en évidence les courants respectifs des deux diodes,
donner la valeur des tensions de seuil et des résistances internes de ces deux diodes. (1 pt)
VS1 = VS2 =
RS1 = RS2 =
89
I.3. A t = 0, EG a une valeur nulle (= 0). Tracer la droite de charge sur la figure (I.2.a) et
donner la valeur du courant I D et de la tension VD. (0.5 pt)
ID = VD =
I.4.a. Tracer sur la figure (I.2.a) les droites de charges qui correspondent aux valeurs
minimale et maximale de EG. (1 pt)
IDmin = IDmax =
VDmin = VDmax =
T
4 D1 4
2 2
ID (mA)
0 IB (mA) 0
2 2
D2
4 4
Figure I.2.
T
I.4.d. Tracer sur la figure (I.2.b) la courbe I D(t) sur au moins une période. On indiquera
les parties où la courbe est une sinusoïde pure. (2 pts)
I.4.e. Tracer sur la figure (I.2.c) la courbe VD(t) sur au moins une période. On indiquera
les parties où la courbe est une sinusoïde pure. (2 pts)
90
EXERCICE II : Porte logique du processeur 1401 d’IBM (8 pts)
II.1. Les entrées A et B sont à l’état 00 (i.e. les deux entrées sont polarisées à : 6 V)
II.1.a. A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D 1, D2 et base-émetteur, dire
en le justifiant si le transistor bipolaire est passant ou bloqué. (1 pt)
IR1 =
IC =
VS =
II.2.a. A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D 1, D2 et base-émetteur, dire
en le justifiant si le transistor bipolaire est passant ou bloqué. (1 pt)
IR1 =
91
II.2.c. Donner la valeur du courant de collecteur, I C. (1 pt)
IC =
VS =
VS =
II.3. Donner la table de vérité du circuit électrique de la figure (II.1). Toute tension
inférieure à 5 V sera considérée comme un 0 logique (0.5 pt)
A B S
0 0
0 1
1 0
1 1
V1 V2
C L
92
Epreuves d’électronique analogique N°3 – 2009-2010
RAPPELS :
t
VC t A. exp B
R.C
Dans cet exercice on s’intéresse au circuit électronique qui gère le fonctionnement des bornes
solaires de jardin dont un exemple est donné à la figure (I.1.a). Le jour, une cellule
photovoltaïque recharge une pile qui alimente une LED la nuit. Le circuit à étudier est donné
à la figure (I.1.b).
R3 R4
D1
R2
D2
T1
Cellule
solaire T2
1,2 V R1
a b
Figure I.1. Les deux transistors sont identiques avec = 100, VCEsat = 0, VBE = 0,6 V.
La résistance de la diode base émetteur sera considérée comme nulle. Si le transistor est
saturé, on considérera que le courant de base reste inchangé. Diode D1 : VS1 = 0,2 V, RS1 = 0 .
Diode LED D2 : VS2 = 0,7 V, RS2 = 10 . R1 = 1000 k, R2 = 100 k, R3 = 1,2 k, R4 = 4 .
On considère que la cellule photovoltaïque ne peut pas mettre la pile en surcharge et que pour
ce circuit elle fournit une tension de ES = 1,4 V pour un courant de 30 mA. La tension de la
pile est EP = 1,2 V
I.1.a. Donner la valeur du courant de base, I B1, du transistor T1. On ne considèrera que
la cellule solaire et les résistances R1 et R2. (1.5 pts)
93
I.1.c. En déduire le régime de fonctionnement du transistor T2 et donc si la LED est
allumée ou éteinte. (1 pt)
I.1.e. Si la borne est au soleil durant 10 h, donner la charge emmagasinée par la pile. On
considérera que la pile est initialement déchargée (1 pt)
I.2.e. Pendant combien d’heures la borne de jardin va-t-elle être allumée ? (1 pt)
On se propose d’étudier un circuit qui permet la détection d’une impulsion très brève (très
courte durée) comme un choc sur un tuyau, une émission de lumière infra rouge...
Cette impulsion est convertie en impulsion électrique plus longue qui permet d’allumer une
LED. Le circuit que nous allons étudier est donné à la figure (II.1) et correspond à un
oscillateur Abraham BLOCH modifié (PARTIE 1) suivi d’un étage qui alimente une LED
(PARTIE 2). La PARTIE 2 ne sera pas étudiée. VE est une entrée et représente la brève
impulsion qui a été convertie en tension.
PARTIE 1 PARTIE 2
R1 VC R4 R7
R2 R3
C1
VDD
VA T3
T1 T2
R6
R5
D1
VE
II.1. Donner les valeurs min et max que peut prendre la tension V A. (0.5 pt)
94
VAmin =
VAmax =
Cet état stable, invariant au cours du temps, est obtenu en absence d’impulsion : VE = 0 V.
Dans ce cas T2 est passant et T1 est bloqué.
II.2.b. Puisque aucune tension et aucun courant ne varie au cours du temps, donner la
valeur de la tension VC1 aux bornes du condensateur. (0.5 pt)
II.2.c. Déterminer la valeur du courant, I B2, dans la base du transistor T2. (0.5 pt)
II.2.d. En supposant que le courant qui passe dans la résistance R 3 est négligeable par
rapport au courant du collecteur de T2, déterminer si ce transistor est saturé et justifier
que le transistor T1 est bloqué. (0.5 pt)
En présence d’une brève impulsion (de quelque µs par exemple), V E devient égale à 5 V. On
définit cet instant comme l’origine des temps.
II.3.d. Donner l’expression et la valeur de t1, temps qu’il faut attendre pour débloquer T2
et donc au temps durant lequel la LED (PARTIE 2) sera allumée. (0,5 pt)
II.3.e. Une fois la tension VBE2 = 0,6 V atteinte, expliquer sans calcul comment le circuit
revient à l’état stable. On suivra successivement l’état du transistor T 2, l’état du
transistor T1 et la charge de la capacité C1 avec la tension VC. (1 pt)
II.3.f. Sur la figure (II.2), tracer l’évolution des tensions V CE1, VCE2 et VBE1 et VBE2 en
fonction du temps (2 pts)
95
9
Impulsions très courtes
VE (V)
0 t (s)
0 1
9
VCE1 (V)
0 t (s)
0,6
t (s)
VBE1 (V)
8,4
9
VCE2 (V)
0 t (s)
0,6
VBE2 (V)
0 t (s)
8,4
Figure II.2.
II.3.g. Proposer une modification de la PARTIE 1 pour qu’on puisse observer l’état de la
LED sans avoir besoin de la PARTIE 2 (0.5 pt)
96
Epreuves d’électronique analogique N°4 – 2009-2010
RAPPELS :
Valim
R
R’ C C R’
Schéma électrique de l’oscillateur Abraham R
Block
TA TB
Emission Réception
VDD VDD
R5
R2 R3 I Haut parleur
R4
I
Vd
Micro D1 T2
VA R6 VS
R1
T1
Ampli.
classe A VE
Micro
97
Deux étudiants sont logés en cité Universitaire dans des chambres distantes de 30 m et qui se
font face. Ils souhaitent pouvoir discuter ensemble (des cours) sans passer par le téléphone.
Pour cela, ils décident de réaliser le montage électronique de la figure (I.1) qui se compose de
quatre parties :
I.1.2. Déterminer l’expression et la valeur de VCE ainsi que la valeur de I C1. Préciser le
régime de fonctionnement du transistor. (2 pts)
VCE
I.1.3. Déterminer l’expression et la valeur du gain dynamique : Av . (1 pt)
VE
En tenant compte de l’angle d’émission de la diode laser, de la distance entre les deux
chambres, de la surface du phototransistor et de sa capacité à convertir les photons en
courant, on peut écrire que le courant de base du phototransistor est donné par :
IB2 = 0,001IC1.
I.2.2. On considère que le courant qui circule dans R 4 est négligeable devant celui qui
circule dans R3. Donner la valeur de la tension VA. On n’oubliera pas de vérifier si le
transistor est saturé (2 pts)
I.2.3. On cherche ici à redémontrer la formule du cours qui donne le gain en tension
V R
du montage avec l’AOP, R4 et R5 : S 5 . Pour cela, vous pouvez utiliser le courant
VA R4
I (indiqué sur le schéma électrique) comme variable intermédiaire en notant que
VS = A Vd et que les entrées + et – de l’AOP ne consomment pas de courant. Au final, il
faudra tenir compte de la valeur du gain de l’AOP : A = 105 qui est très grand devant 1.
(1,5 pts)
98
EXERCICE II : Triple témoin de niveau d’eau (10 pts)
Triple témoin
VDD
Alarme
T2 V1
R1 Set Q
Oscillateur
a a RS Abraham Block
b
R2 c f g b Reset Q
d
e
R2 e c
f d
T1 g
R1
a
Afficheur 7 a
R2
N3 segments
N2
N1
Cuve d’eau
a b
On se propose d’étudier le fonctionnement d’un triple témoin de niveau d’eau qui est composé
de deux parties comme le montre la figure (II.1.a). La partie triple témoin fait apparaître une
cuve, qui peut être plus ou moins remplie d’eau, dans laquelle on a placé 3 fils métalliques dont
l’extrémité basse correspond aux niveaux N1 à N3. La tension VDD est appliquée au fil le plus à
gauche et on rappelle que l’eau conduit l’électricité (on considèrera sa résistance est négligeable
devant R1).
L’afficheur 7 segments est constitué de 7 LEDs rouges en forme de barre dont la connexion dans
le circuit est donnée à la figure (II.1.b).
La partie alarme permet d’avertir par un signal sonore si la cuve est trop pleine. Elle est
constituée d’un oscillateur Abraham Block et d’une mémoire RS. La mémoire RS est alimentée
avec VDD et une tension en entrée inférieure à 4 V est considérée comme un 0 logique
alors qu’une tension supérieur est considérée comme un 1 logique. Les entrées de cette mémoire
ne consomment pas de courant.
II.1.1. Quel que soit le niveau de l’eau dans la cuve, une des 7 diodes est toujours
allumée. Dire quelle est cette diode et donner la valeur du courant qui la traverse.(0,5
pt)
99
II.1.4. Quel est la valeur du courant de collecteur du transistor T2 lorsque celui-ci
devient passant. (0,5 pt)
II.1.5. Parmi les diodes qui peuvent s’éclairer, est ce qu’il y en a une en particulier qui
s’éclaire plus que les autres et est ce que les diodes risquent d’être détruites ? (1 pt)
II.2.1. Initialement la sortie Q est à 0. Quelle valeur binaire prend la sortie Q lorsque
le niveau de l’eau dépasse N3 ? On donnera la valeur de la tension V1. (0,5 pt)
100
Epreuves d’électronique analogique N°1 - 2010-2011
R R
(0.25 pt) Z21 =
V1 R V2
R R
V1 V2 (0.5 pt) Z21 =
R
101
4. (1 pt) Par la méthode de votre choix,
(0.25 pt) Z11 =
déterminer les paramètres impédances de ce
quadripôle :
(0.25 pt) Z12 =
I1 I2
R
(0.25 pt) Z21 =
V1 L1 L2 C V2
V1 V2
(0.5 pt) Z22 =
R 2R
R 2R
I1 I2
V1 Quadripôle V2 R
102
7. (2 pts) Par la méthode
I1 Quadripôle I2
de votre choix,
déterminer les
paramètres impédances, V1 R gm.V1 R V2 R
le gain et le gain à vide de
ce quadripôle :
V2 V2
(0.5 pt) A v (0.5 pt) A v0
V1 V1
7. (4,5 pts) Par la méthode de votre choix, donner les paramètres impédances et
la résistance d’entrée de ce quadripôle ainsi que le gain, le gain à vide et le gain
composite du circuit :
Générateur Quadripôle
I1 I2
R R
EG V1 R R.I1 V2 C L
(0.25 pt) Z 11 =
(0.25 pt) Z 12 =
(0.25 pt) Z 21 =
(0.25 pt) Z 22=
V2 1
(1,5 pts) Montrez que le gain peut se mettre sous la forme : A V
V1 0
1 jQ
0
Q=
0 =
AV
103
8. (5,5 pts) Soit le
circuit ci-contre dont les ID
2.R R
éléments sont : E G = 1,6 D
EG 2.R VD
V, R = 50 .
La caractéristique
ID(VD) de la diode est
donnée ci-dessous
10
6
ID (mA)
(1,5 pt) Déterminer les valeurs de la tension de seuil et de la résistance série de la diode et
donner l’expression du courant I D lorsque la diode est passante.
VS = RS =
ID =
(1 pt) Transformer le circuit pour ne faire apparaitre qu’une seule maille. Dessiner ce circuit
et donner les expressions et valeurs des nouveaux éléments.
(1 pt) Tracer la droite de charge sur le graphique précédant et donner le point de polarisation
(ID,VD)
(ID ;VD) =
104
Epreuves d’électronique analogique N°2 - 2010-2011
RAPPELS :
ib ic
Schéma électrique
B C
équivalent du transistor
bipolaire NPN en régime vbe RS .ib 1/hoe vce
de petit signal
E
C C C
IC IC IC
VBC
IB IB IB
B B B
P
VBE
N
IE b IE c IE
a
E E E
Figure (I.1).
105
A l’aide de la figure (I.1), décrivez le fonctionnement interne du transistor bipolaire suivant
ses trois régimes : bloqué (a), linéaire (b) et saturé (c). Vous pourrez ajouter le mouvement
des électrons et des trous sur les figures.
bloqué (a)
linéaire (b)
saturé (c)
VDD
R1 RC
C1
Figure II.1.
VBE VO
EG
R2 RE C2
I1 I1 Ib I2
Figure II.2.
V1 C1 RS .ib Roe V2 RC
RB
Le schéma petit signal du pré-ampli est donné à la figure (II.2) et ne fait apparaître que la
capacité C1 (C2 ne joue aucun rôle dans ce schéma aux fréquences considérées).
II.1.c. Donner la matrice impédance du quadripôle facile délimité par les pointillés. Pour
les calculs, on posera Req = RB // RS et ib sera déterminé en fonction de I1 à partir d’un
diviseur de courant. (1 pt)
I1 I2
ib
V1 V2 RC
RE C2
Le schéma petit signal du pré-ampli est donné à la figure (II.3) et ne fait apparaître que la
capacité C2 (C1 ne joue aucun rôle dans ce schéma aux fréquences considérées).
II.2.b. Donner la matrice impédance du quadripôle facile délimité par les pointillés sans
prendre en compte C2. Simplifier cette matrice en considérant que Roe >> RE . (1 pt)
II.2.d. Donner le gain du montage en tenant compte cette fois de la capacité C 2. Il faudra
juste modifier le résultat de la question (II.2.c) (0.5 pt)
II.2.e. Vers quelles valeurs tend AV lorsque tend vers 0 et l’infini ? Donner le type de
filtre auquel pourrait s’apparenter ce montage ainsi que l’expression de la fréquence de
coupure. (1.5 pts)
II.2.f. Si on se place à présent aux bornes de la résistance R E , quel serait le type de filtre
correspondant au gain AV = VRE / V1. Que pouvez-vous dire sur la variation de la tension
aux bornes de RE pour des fréquences supérieures à la fréquence de coupure (0.5 pt)
107
EXERCICE III : Autre pré-amplificateur de vocalises (7 pts)
VDD
R2 R3
Figure III.1. Les deux
transistors sont identiques C2
avec un gain . On supposera
que 1 + = . La jonction base- C1 R1
émetteur est caractérisée par
VS et RS. T2
T1
VL
EG
III.1.a. Identifier les courants qui passent dans la résistance R 2. (0.5 pt)
III.1.b. En supposant que I B20 << IC10, déterminer l’expression de I B10. (0.5 pt)
108
VCE2
III.2.d. Donner finalement l’expression du gain en tension A V . (0.5 pt)
EG
Faire le schéma petit signal du circuit de la figure (III.1) en négligeant les résistances R oe (=
v
1/hoe) et déterminer l’expression du gain A V L
EG
109
110
Epreuves d’électronique analogique N°3 - 2010-2011
RAPPELS :
t
VC t A. exp B
R.C
VDD
RC1 RC2
A B
Set Q D1 LED
verte LED
D2
RS rouge
RB1
Reset Q T1
R1 R2 RB2
T2
Figure (I.1). R1 = R2 = 4,7 M, RB1 = RB2 = 4,4 k, RC1 = RC2 = 10 ,VDD = 6 V. Pour les deux
transistors : VCEsat = 0 V, = 100 ( + 1 ), RS = 1 k, VS = 0,6 V. Pour la LED verte :
VS1 = 1 V, RS1 = 10 . Pour la LED rouge : VS2 = 1,2 V, RS2 = 10 .
111
que les entrées ne consomment pas de courant
qu’une tension en entrée inférieure à VDD / 2 correspond à un 0 logique
qu’une tension en entrée supérieure à VDD / 2 correspond à un 1 logique
En sortie un 0 logique correspond à 0 V et un 1 logique à VDD.
I.1. Qu’elle est la valeur logique de la sortie Q si on pose le doigt sur la zone A (0.5 pt)
Q=
I.2. Qu’elle est la valeur de la sortie Q si on enlève le doigt de la zone A (0.5 pt)
Q=
I.3. Qu’elles sont les valeurs logiques des sorties Q et Q si on pose le doigt sur la zone B (0.5
pt)
Q= Q =
I.4. Si Q = 0, quelle est la LED qui est éteinte avec certitude ? (0.5 pt)
I.5. Si Q = 1, quelle est la LED qui est éteinte avec certitude ? (0.5 pt)
I.6. Pour Q = 1,
IB1 =
VCE1 =
I.7. Que ce passe t’il si on appuie en même temps sur les zones A et B ? (0.5 pt)
112
EXERCICE II : Programme minceur (12 pts)
PARTIE 1 PARTIE 2
VDD
Electrode +
R7
R3
R1 R4 T3
R2 D2 L1 L2
LED
D1
rouge
R5 Electrode
C1 C2
VA T4
T1 T2
R6
curseur
L’été approche et il est grand temps d’affiner sa silhouette pour aller sur la plage.
Plus sérieusement, le montage de la figure (II.1) est un stimulateur musculaire qui permet de
contracter les muscles via des décharges électriques pour des applications fitness ou
thérapeutiques. C’est aussi le principe du pacemaker qui contrôle le rythme cardiaque.
ATTENTION : on ne tentera pas de réaliser et d’utiliser ce montage.
A. Etude de la partie 1
II.1. Sans tenir compte de la partie 2, donner les valeurs min et max de la tension VA. (0.5 pt)
VAmin =
VAmax =
où TT1 correspond au temps durant lequel le transistor T1 est passant et TT2 correspond au
temps durant lequel le transistor T2 est passant.
II.4.1. Donner l’expression du temps durant lequel le transistor T1 est passant. (1 pt)
113
II.4.2. Donner la valeur de TT1. (0.5 pt)
TT1 =
II.4.2. Donner l’expression du temps durant lequel le transistor T2 est passant. (1 pt)
TT2 =
FP =
A. Etude de la partie 2
IB3 =
VA =
II.6. On suppose que le transformateur (L1-L2) n’est pas branché et on souhaite faire passer un
courant de 20 mA dans la diode D 1.
VCE =
VBE =
R=
114
II.7. On rebranche le transformateur (L1-L2). Les pulses de tension aux bornes de L1 se
retrouvent aux bornes de L2 avec une amplitude d’environ 200 V et quasiment aucun courant
(ce qui évite l’électrocution). Sachant que le courant dans une bobine ne peut pas s’annuler
instantanément, donner le rôle de la diode D 2 dite diode de roue libre. (0.5 pt)
VDD VE
VE
R1
D5
V5
R2
VD Figure III.1. VDD = 3 V. D1 et D2 sont des
R1
LED orange, D3 et D4 sont des LED vertes et
D4 D5 est une LED rouge. Toutes les diodes ont
V4
R2 les mêmes caractéristiques : VS = 1 V,
VC RS = 10 . Les AOP sont alimentés entre 0 et
R1
VDD. Les tensions V1 à V5 et VA à VE sont
D3 référencées par rapport à la masse.
V3
R2
VB
R1
D2
V2
R2
VA
R1
D1
V1
R2
R1
Le circuit de la figure (III.1) permet de visualiser le volume sonore via la tension VE provenant
d’un micro.
V1 V2
V3 V4
V5
115
III.2. Compléter le tableau ci-après en indiquant pour chaque domaine de variation de VE , les
tensions en sorties des AOP et si les diodes sont éteintes (E) ou allumées (A). (2 pts)
116
Epreuves d’électronique analogique N°1 - 2011-2012
RAPPELS :
t
VC t A. exp B
R.C
I1 I2
R
1 V1 R V2 Y11 Y12
Y21 Y22
117
2. Par la méthode de votre choix,
1 (0.25 pt) Y11 =
déterminer les paramètres admittances
de ce quadripôle :
(0.25 pt) Y12 =
I1 I2
R
(0.25 pt) Y21 =
V1 C L V2
(0.25 pt) Y22 =
R R (0.5 pt) Z 21 =
V1 2.R V2
R 3.R (0.5 pt) Z 22 =
ID
R
On se propose d’étudier le montage de
la figure (IV.1). La valeur de la EG
résistance est : R = 60 . Comme VD
l’indique la figure (IV.2.a), la diode est
bloquée dans la zone 0 et passante
dans les zones 1 et 2.
Figure IV.1.
VS1 = RS1 =
VS2 = RS2 =
On applique au circuit EG = 1 V.
118
IV.2.2. Est-ce que la droite de charge dépend des paramètres de la diode ?
0.25
OUI NON Ca dépend du montage
IV.2.3. Donner les coordonnées de deux points particuliers de la droite de charge. 0.5
0.5 IV.2.5. Déterminer graphiquement les valeurs du courant qui circule dans la diode et de
la tension à ses bornes ?
ID = VD =
t
EG 1 0,3. sin 2 pour t [0 ; TP] (IV.1)
TP
0.5 IV.3.1. Pour les valeurs min et max de EG, tracer les deux droites de charge sur la figure
(IV.2.a).
0.5 IV.3.2. A partir de ces deux droites de charge, déterminer graphiquement le domaine de
variation (valeurs min et max) de I D et VD pour une période de EG.
ID [ ; ]
VD [ ; ]
TP
Zone 0 Zone 1 Zone 2
10 10
8 8
6 6
ID (mA)
ID (mA)
4 4
2 2
Figure IV.2.
119
EXERCICE V : diode et quadripôle (5.5 pts)
R Thevenin
On se propose d’étudier le montage de
la figure (V.1). La valeur de la I1 I2
résistance est : R = 50 . La résistance EG ID
série de la diode est RS = 50 . R
R V1 D V2 R
Quadripôle
Figure V.1.
Attention : Dans cette partie de l’exercice, on considère que la tension de seuil de la diode est
VS = 0 V.
Eth = Rth =
V.2.1. Représenter le schéma petit signal du circuit sur la figure (V.2). eth est la partie 1
alternative de la tension Eth.
i1 i2
Rth
Figure V.2. v1 v2 R
Quadripôle
120
Z11 Z12
Z21 Z22
v
Av 2
v1
v2
A vG
eth
0.5
V.2.5. Déterminer l’expression du gain en courant.
i
Ai 2
i1
VC
On se propose d’étudier le montage de
la figure (VI.1). Les valeurs des D
composants sont : R1 = 1 k, I1 I2
R2 = 100 k, C = 10 nF. C
Les caractéristiques de la diode sont : V1 V2 V3
VS = 1 V et RS = 0 . R1 R2
Figure VI.1.
VI.1.1. La capacité C est initialement déchargée et la tension V 1 est de 0 V. Quelle est la 0.25
valeur de la tension VC ?
VC =
VC =
V2 t
121
0.5 VI.1.5. La constante de temps du circuit est RC = 10 µs et au bout de 1 ms, la tension V 1
redevient nulle. En se plaçant à 1 ms comme origine des temps, déterminer l’expression
de la tension VC (t). (0.5 pt)
VC t
V2 t
0.5 VI.1.7. Le signal V1(t) est donné à la figure (VI.2.a) Représenter l’évolution temporelle de
la tension V2 sur la figure (VI.2.b)
0.25 VI.2.1. Quelle est la condition sur V2 pour que la diode soit passante ?
0.5 VI.2.2. Lorsque la diode est passante, que pouvez vous dire de l’amplitude du courant I 2
par rapport à celle de I 1 ?
122
4
V1 (V)
2
a
0
1 2 3 4 5
t (ms)
2
V2 (V)
2
4 b
1 2 3 4 5
t (ms)
2
V3 (V)
2
4 c
1 2 3 4 5
t (ms)
123
124
Epreuves d’électronique analogique N°2 - 2011-2012
RAPPELS :
anode
Modèle électrique équivalent de la diode ID
lorsqu’elle est passante : VD = VS + RS.ID
P
VD
N
Modèle électrique équivalent de la diode
lorsqu’elle est bloquée : ID = 0
cathode
collecteur collecteur
IC IC
IB N IB P
base VCE P base VCE N
N+ P+
VBE IE VBE IE
émetteur émetteur
Transistor NPN Transistor PNP
C C C
IC IC IC
VBC
IB IB IB
B B B
P
VBE
N
IE b IE c IE
a
E E E
Figure (I.1).
125
A l’aide de la figure (I.1), décrivez le fonctionnement interne du transistor bipolaire suivant
ses trois régimes : bloqué (a), linéaire (b) et saturé (c). Vous pourrez ajouter le mouvement
des électrons et des trous sur les figures.
d’humidité
RST1 = 1 k
Capteur
RH R3
La valeur de la résistance RH dépend du VE1
pourcentage (noté X) d’humidité dans l’air LED D1
suivant la relation R H 30.X ; où RH est en rouge
et X en %
Eth = Rth =
IR3 =
VE1 =
VCE1 =
II.1.5. Déterminer l’expression du courant I B1 en fonction de Eth, Rth, , VST1, RST1, VSD1, 1,5
RSD1 et R3.
IB1 =
126
II.2. Pourcentage d’humidité détecté
Eth =
RH =
II.2.4. Déterminer alors le pourcentage d’humidité qui permet de débloquer le transistor 0,5
(et la diode)
X=
VE1 = VCE1 =
127
EXERCICE III : Robot Microbug MK127 de VELLEMAN (8 pts)
VDD
VBE2
Thevenin
R1 T2 VCE2
IB2
R3
IC2
RL IC1
IB1 R4
T1
moteur
VCE1
M
R2 D1 LED
VBE1 rouge
Figure III.1. La tension d’alimentation est V DD = 3 V et les valeurs des résistances du montage
sont : R1 = R3 = 100 , R2 = 1,1 k, R4 = 220 et la valeur de RL est de 4 k en présence de
lumière et 20 M dans l’obscurité. M est un moteur dont l’influence sur les courants ne sera pas
prise en considération dans cette étude.
Tableau III.1. VST2sat sera considéré comme une constante bien que cela soit inexact.
On se propose d’étudier la partie électronique du Kit MK127 de VELLEMAN. Une fois monté,
ce Kit est un robot qui rampe vers la lumière à l’aide de deux moteurs. Le circuit
d’alimentation de chaque moteur est donné à la figure (III.1) et certains éléments du montage
sont donnés au tableau (III.1).
ATTENTION : Il faut garder 2 chiffres significatifs après la virgule (3,62 par exemple
et non 3,6)
1 III.1.1. Déterminer les expressions des éléments du générateur en fonction de VDD, R1, R2
et RL.
Eth = Rth =
128
III.2. Base du transistor T1.
IB1 =
On suppose ici que le moteur n’est pas branché et on cherche à savoir quel est le régime de
fonctionnement de T2. On supposera aussi que le transistor T1 est en régime linéaire.
0,5 III.3.1. Quel est le lien entre le courant de collecteur de T1 et le courant de base de T2.
IC1 = IB2 IC1 > IB2 IC1 = IB2 IC1 < IB2
Expression : VCE2 =
Valeur : VCE2 =
III.3.4. Dire alors si le transistor T2 est saturé et pourquoi. Donner aussi la véritable 0,5
valeur de VCE2.
Valeur : VCE2 =
Valeur : IC2 =
Expression : VBE2 =
Valeur : VBE2 =
Expression : VBE2 =
Valeur : VBE2 =
Expression : VCE1 =
129
III.4.2. Donner la valeur de VCE1 et dire alors dans quel régime est polarisé le transistor
T1. 0,5
Valeur : VCE1 =
III.4.3. Si on suppose que T2 n’est pas saturé, que devient la valeur de VCE1 ? 0,5
Valeur : VCE1 =
130
Epreuves d’électronique analogique N°3 - 2011-2012
RAPPELS :
anode
Modèle électrique équivalent de la diode ID
lorsqu’elle est passante : VD = VS + RS.ID
P
VD
N
Modèle électrique équivalent de la diode
lorsqu’elle est bloquée : ID = 0
cathode
Schéma électrique ib ic
équivalent du transistor
B C
bipolaire NPN en régime
de petit signal vbe RS .ib 1/hoe vce
t
VC t A. exp B
R.C
VDD
R1 RC
C1
VBE V3
EG V1 R2 RE C2 V2
Eth = Rth =
0.5 I.1.2. Donner l’expression et la valeur du courant de base du transistor.
IB0 =
VBE0 =
0.5
I.1.4. Déterminer l’expression et la valeur du courant I C0.
IC0 =
VCE0 =
132
0.5 I.1.9. Quel est le rôle de la résistance RE ?
1.5 I.2.1. Représenter ci-dessous le schéma petit signal du circuit étudié. La résistance 1/h oe
du transistor sera négligée devant RC.
0.5
I.2.2. Donner l’expression et la valeur du gain en tension.
v
AV 3 =
eg
I.2.3. Donner l’expression de la résistance d’entrée, RE , que voit le générateur eg. 0.5
RE =
EXERCICE II : Robot Microbug MK165 de VELLEMAN (12,5 pts + bonus 1,2 pts)
PARTIE 1 PARTIE 2
VDD
R3 R6 T5
R1 R4
R2
R8
VC2
RL
C1 C2 R5 R9
T4
moteur
VA
M
T1 T2 T3 R7 D1 LED
rouge
Figure II.1. La tension d’alimentation est V DD = 3 V et les valeurs des résistances du montage
sont : R1 = R4 = 1 k, R2 = R3 = 20 k, R5 = 100 k , R6 = 100 , R7 = 1,1 k et la valeur de
RL est de 4 k en présence de lumière et 20 M dans l’obscurité. Les capacités sont identiques :
C1 = C2 = 22 µF. M est un moteur.
T1 et T2 VS = 0,6 V RS = 0 VCEsat = 0
T4 VST4 = 0,6 V
Tableau II.1.
133
On se propose d’étudier la partie électronique du Kit MK165 de VELLEMAN qui fait suite au
DS n°2 de cette année sur le KIT MK127. Une fois monté, ce Kit est un robot qui rampe par à-
coups vers la lumière à l’aide de deux moteurs. Le circuit d’alimentation de chaque moteur est
donné à la figure (II.1) avec la partie 2, la partie 1 étant commune aux deux moteurs. Certains
éléments du montage sont donnés au tableau (II.1).
A. Etude de la partie 1
II.1. Sans tenir compte de la partie 2, donner les valeurs min et max de la tension VA. 0.5
VAmin = V Amax =
II.2. On considère qu’à l’instant t = 0 le transistor T2 devient passant. La tension sur la base
de T1 devient alors égale à VS VDD et il se bloque.
II.2.2. Quelle est la valeur de VC2 qui permet de rendre le transistor T1 passant ? 0.5
VC2 =
II.2.3. Donner alors l’expression du temps TP1 durant lequel le transistor T2 est passant. 0.5
TP1 =
II.2.4. Sur la figure (II.2.b), tracer approximativement l’évolution temporelle de V C2 dans 0.5
l’intervalle de temps [0 ;TP1].
II.3. A t = TP1 le transistor T1 devient passant et on utilise pour la suite un changement d’axe
temporel en considérant que cela se produit à t = 0.
0.5 II.3.3. Donner alors l’expression du temps TP2 durant lequel le transistor T1 est passant.
TP2 =
II.4.2. Sur la figure (II.2.b), tracer approximativement l’évolution temporelle de VC2 dans 0.5
l’intervalle de temps [TP1 ;TP1 + TP2].
II.4.3. Compléter alors le tracer de la courbe VC1(t) dans l’intervalle de temps [0 ;TP1]. 0.5
134
TP TP1 TP2 =
VDD
a
VS
0
t
VS VDD
VC2 (V)
VDD
b
VS
0
t
VS VDD
VA (V)
VDD
c
0
0 t
Figure II.2.
B. Etude de la partie 2
Dans cette partie, on considère que les valeurs V Amax et VAmin sont celles données à la question
(II.1). I B4 est négligeable devant les autres courants.
IB3 =
IC3 =
VR7 =
135
II.7.5. Dire alors dans quel régime se trouve le transistor T3 et quelle est la valeur de la 0.5
tension VR7.
Régime :
VR7 =
Tableau II.2.
136
Epreuves d’électronique analogique N°4 - 2011-2012
RAPPELS :
P
VD
Modèle électrique équivalent de la diode N
lorsqu’elle est bloquée : ID = 0
cathode
Schéma électrique ib ic
équivalent du transistor B
bipolaire NPN en régime C
de petit signal vbe RS .ib 1/hoe vce
VA VA V1
On notera aussi que : .
VB V1 VB
VDD
R1 RC
C1
VBE V3
EG V1 R2 RE C2 V2
A) Passe bas.
B) Passe haut.
C) Passe bande
D) Coupe bande
138
I.1.6. Pour V2 et EG, la capacité C2 forme un filtre ?
0.5
A) Passe haut.
B) Passe bas.
C) Passe bande
D) Coupe bande
I.2.1. Représenter ci-dessous le schéma petit signal du circuit étudié. La résistance 1/h oe 1
du transistor sera négligée devant RC.
0.5
I.2.2. Donner l’expression et la valeur du gain en tension.
v
AV 3 =
eg
0.5 I.3.1. Représenter ci-dessous le schéma petit signal du circuit étudié. La résistance 1/h oe
du transistor sera négligée devant RC.
v
A V1 1 =
eg
FC1
I.3.4. On souhaite amplifier la voix humaine qui est comprise entre 10 Hz et 20 kHz. 0.5
Quelle valeur faut t’il donner à FC1 et déterminer l’expression et la valeur que l’on doit
donner à la capacité C1.
FC1
C1
0.5
I.3.5. Déduire de la question I.3.2. l’expression du gain en tension.
v
A V3 3 =
eg
139
0.25 I.3.6. Vers quelle valeur tend le gain du montage lorsque la fréquence tend vers 0.
A V F 0
0.25 I.3.7. Vers quelle valeur tend le gain du montage lorsque la fréquence tend vers l’infini.
A V F
1.5 I.4.1. Représenter ci-dessous le schéma petit signal du circuit étudié. La résistance 1/h oe
du transistor sera négligée.
v
A V2 2 =
eg
FC2
0.5 I.3.4. On souhaite amplifier la voix humaine qui est comprise entre 10 Hz et 20 kHz.
Quelle valeur faut t’il donner à FC2 et déterminer l’expression et la valeur que l’on doit
donner à la capacité C2.
FC2
C2
0.25 I.3.5. Vers quelle valeur tend le gain du montage lorsque la fréquence tend vers 0.
A V2 F0
0.25 I.3.7. Vers quelle valeur tend le gain du montage lorsque la fréquence tend vers l’infini.
A V2 F
140
EXERCICE II : Suivi d’une tension (8,5 pts)
VDD
VDD
R3 AOP1 R6 R7
VDD
V1
Vd1
D1
VA 0
0
R4 Vers
VDD ordinateur
Vd2 T1
R1 V2
0
VE R2 AOP2 VB
R5
Figure II.1. Les éléments du montage sont : VDD = 9 V, R1 = 20 k, R2 = 10 k, R3 = 51 k,
R4 = 10 k, R5 = 51 k, R6 = 22 k, R7 = 390 . Pour le transistor : VS = 0,6 V, RS = 0 ,
= 100 + 1, VCEsat = 0 V. Pour la diode LED D 1 rouge : VSD1 = 1,2 V et RSD1 = 10 . Les AOP
sont alimentés en 0 V et V DD, ils ont un gain A = 200000 et les courants qui entrent dans les
bornes + et seront négligés. Les tensions VA, V1 et V2 sont référencées par rapport à la masse.
ATTENTION : L’étage de sortie des 2 AOP n’est pas un Push-Pull mais un simple transistor
NPN dont l’émetteur est connecté à l’alimentation basse de l’AOP et le collecteur à la sortie
(comme indiqué en haut à gauche de la figure II.1). La tension V CE de saturation de ce
transistor est : VCEsatAOP = 0,25 V
V1 =
V2 =
VA =
VB =
VB =
141
II.3.4. Pour obtenir une telle valeur pour VB et en regardant bien la maille de sortie (VDD,
0.25 R6 et l’AOP1), il faudrait que le courant qui rentre dans l’AOP1 soit :
0.25 II.3.6. En déduire dans quel régime est polarisé le transistor de sortie de l’AOP1 ?
0.25 II.3.7. Quelle devrait être la valeur de la tension V B imposée par l’AOP2 ?
VB =
0.25 II.3.8. En déduire dans quel régime est polarisé le transistor de sortie de l’AOP2 ?
IBT1 =
VCET1 =
II.4. Pour V E = 0 V.
VA =
II.4.3. Quelle devrait être la valeur de cette tension imposée par l’AOP1 ? 0.25
VB =
II.4.4. En déduire dans quel régime est polarisé le transistor de sortie de l’AOP1 ? 0.25
II.4.5. Quelle devrait être la valeur de la tension VB imposée par l’AOP2 ? 0.25
VB =
II.4.6. En déduire dans quel régime est polarisé le transistor de sortie de l’AOP2 ? 0.25
II.4.7. En déduire dans quel régime est polarisé le transistor T1. 0.25
142
Régime : Bloqué Linéaire Saturé
VE VA VB D1
Allumée / Eteinte
Allumée / Eteinte
Allumée / Eteinte
143
ECOLE POLYTECHNIQUE
UNIVERSITAIRE DE
NICE SOPHIA-ANTIPOLIS
Pascal MASSON
Polytech'Nice Sophia-Antipolis, Département électronique
1645 route des Lucioles
06410 BIOT
Tél : 04 92 38 85 86
Email : pascal.masson@unice.fr
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