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L’Antimoniure d'indium (InSb) est le matériau qui a la plus petite bande interdite conducteur pdf
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de tous les composants semi conducteurs  intrinsèque: Eg = 0,18 eV à température
ambiante. Il
est utilisé dans les détecteurs infrarouges. En outre, les valeurs de
certains paramètres utiles
pour l’InSb à température ambiante sont:
Concentration intrinsèque ni = 1,6 × 1016 cm-3, et le
rapport des masse effective des
trous par rapport à celle des électrons est de mh* / me*=35.

1- Déterminer la position du niveau de Fermi dans la bande interdite de l’InSb à


température ambiante. On prendra comme référence énergétique, le haut de la
bande
de valence (EV = 0eV).

2- Déterminer le rapport de la densité effective des états dans la bande de


conduction NC
par rapport à celle dans la bande de valence NV. 

📌
📌 Exercice 2
On considère deux semi-conducteurs  intrinsèques, A et B, ils sont en équilibre et
ont la même densité effective des états (NCA=NCB; NVA=NVB). L'énergie de la bande
interdite
EgA = 1 eV pour A et EgB = 2 eV pour B. 

Trouver le rapport de concentration d'électrons de A


(nA ) par rapport à celle  des
trous de B (pB ) à température ambiante.

📌 Exercice 3
Considérons un échantillon de silicium de type n de longueur 0.1 m dans
lequel le
dopage varie de façon exponentielle de 51017 cm-3 à 51015 cm-3.

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3-  En déduire l’expression du champ électrique à l'équilibre.
dans cet article je vais vous présenter un…

4-  En considère que la densité des dopages suit la relation suivante :


LIRE LA SUITE 
      

Calculer la valeur de l et puis celle du champ électrique à l'équilibre

📌 Exercice 4
Par application d'une contrainte mécanique sur silicium la bande des trous de
légers est
soulevée par rapport à la bande trous lourds jusqu'à. Supposons que:

- La bande de conduction est inchangée.

- Le haut de la bande des trous de légers est


soulevé de 0,05 eV au-dessus du haut
de la
bande des trous lourds.

- La distance entre le haut de la bande des trous


lourds et le bas de la bande de
conduction reste  1,12 eV.

- Pas de cas de dégénéré.

- La masse effective des trous reste mhh* =


0.49 mo and mlh* = 0.16 mo 


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1) Quel est le nombre relatif de trous dans la bande des trous de légers par
rapport à celle
dans la bande de trou lourd?

2) Quel est la masse effective des trous résultante?

3) Quelle est la concentration des porteurs intrinsèque résultante? 

📌 Exercice 5
On considère un semiconducteur de Silicium de densité intrinsèque
ni=1.5x1010cm-
3
à la température T=300K. 

1-   Comment change Ei si on dope du silicium pur avec 1.5x1012 atomes de


phosphore?

2-
  Enéquilibrelescourantsdediffusionetdedriftsonttousdeuxprésents.Enappliquant
une tension EXTERNE (V+ au cote P et V- du cote N), lequel de ces courants est-
ce qu’on favorise?

3-   On dope maintenant le silicium avec 5x1016cm-3 atomes de phosphore. En


supposant que tous les dopants « participent a la conduction », de combien aurait
changé le
niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type
de semi-
conducteur est-ce? (P ou N).

4-   On dope maintenant un autre morceau de silicium avec 1x1018cm-3 atomes de


bore. En
supposant que tous les dopants « participent a la conduction », de
combien aurait
changé mon niveau de fermi par rapport au niveau de fermi
intrinsèque. Quel type de
semiconducteur est-ce? (P ou N)

5-   On connecte maintenant les deux blocs de silicium et on se retrouve avec un


diagramme d’énergie qui ressemble à celui de la figure ci-dessous.  

Trouvez les valeurs de X1, X2 et X3 de cette


figure. Notez que le dessin n’est
probablement pas à l’échelle. 

6-  Calculez le voltage du champ qui se forme entre ces 2 régions. 


On donne : 


✅ Correction
 
exercices corrigés semi con... by ETUSUP on Scribd

 Le niveau a change de 0.260eV

6- On dope maintenant un autre morceau de silicium avec 1x10 18cm-3 atomes de bore. En


supposant que tous les dopants « participent a la conduction », de combien aurait
changé mon niveau de fermi par rapport au niveau de fermi intrinsèque. Quel type de
semiconducteur est-ce? (P ou N)
 
Les atomes de bore ont 3 électrons de valence le Sc est donc de type p, le nombre de
trous se trouvant dans la bande de valence  p0  
  1018 cm-3  

le nombre d’électrons se trouvant dans la bande de conduction est :

ni2  n0 p0  

 (1.5 1010 )2
n0   
 150  
1018

le niveau de fermi change:

( E  F  Ei ) / kT  n0
n0  ni e   kTln  EF  Ei  
ni

   1018 
 Ei  E F   0.025ln  10 
 0.450   Donc  Le niveau a change de 0.450eV  
 1.510 

7- On connecte maintenant les deux blocs de silicium et on se retrouve avec un


diagramme d’énergie qui ressemble à celui de la figure ci-dessous. Trouvez les valeurs
de X1, X2 et X3 de cette figure. Notez que le dessin n’est probablement pas à
l’échelle. 

D’apres les questions precedents on a: 

X2=0.260 eV

X3=0.450 eV

X1=X2+X3=0.260+0.450=0.710 eV

8- Calculez le voltage du champ qui se forme entre ces 2 régions. (2 points) 

 Il y a 2 facons de le faire puisqu’on a 2 equations qui font la meme chose. 

 L’equation la plus simple serait celle-ci puisque toutes les donnees sont la :

 11018 
V B  kTln    0.8259V    
 4500 

Sinon, on pourrait calculer les electrons du cote P et ensuite utiliser l’autre equation  pour
VB: 

n0 
1.510     225
10

11018
 

 5 1016 
V B  kTln    0.8259V  
 225   

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