CHAPITRE 

3: La diode à jonction PN
1. Introduction aux propriétés électriques des solides
1.1. Notion de bandes d’énergie
Si on considère un seul atome séparé des autres, ses électrons
occupent des niveaux d’énergie Ei séparés les uns des autres.
• Bande de conduction (BC): Regroupe les niveaux d’énergie
pouvant occupés par les électrons de conduction.
• Bande de valence (BV): Regroupe les niveaux d’énergie
pouvant être occupés par les électrons de valence.
• Bande interdite (BI): Regroupe l’ensemble des état interdits.
• Bande de conduction (BC): Regroupe les niveaux d’énergie
pouvant occupés par les électrons de conduction.
• Bande de valence (BV): Regroupe les niveaux d’énergie
pouvant être occupés par les électrons de valence.
• Bande interdite (BI): Regroupe l’ensemble des état interdits.
 1.2. Catégorisation des matériaux

• Conducteur: BI absente, BC et BV se chevauchent.

• Isolants: BC et BV sont séparés par BI (>3ev).
• Semi-conducteur: BC et BV sont séparés par BI(<2ev).
1.2. Catégorie des matériaux

Cuivre Téflon Germanium

2. Les semi‐conducteur
Par définition la résistivité des semi-conducteurs décroit en
augmentant la température et vice-versa.
2.1. Structure des semi‐conducteurs
Le germanium et le silicium sont les semi-conducteurs les plus
connus et les plus utilisés.

Si
Si
2. Les semi‐conducteur
Par définition la résistivité des semi-conducteurs décroit en
augmentant la température et vice-versa.
2.1. Structure des semi‐conducteurs
Le germanium et le silicium sont les semi-conducteurs les plus
connus et les plus utilisés.
 2.2. Semi‐conducteurs intrinsèque
A faible température, les électrons périphériques sont fixés par les
liaisons de covalence. Le semi conducteur dans ce cas peut être
considérer comme un isolant.

En augmentant la température (Ionisation thermique), plus de

couples électron-trous sont créés.
2.2. Semi‐conducteurs intrinsèque

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si
+
+
 2.3. Semi‐conducteurs extrinsèque
2.3.1. Dopage type N
• L'ajout de petites quantités d'impuretés peut affecter
considérablement les propriétés d’un semi-conducteur pur.
• Certains matériaux causent un excès d'électrons et produisent un
semi-conducteur de type n. exemple : phosphore, arsenic ou
antimoine.
2.3.1. Dopage type N
 2.3.2. Dopage type P

• Certains matériaux causent un excès de trous et produisent un

semi-conducteur de type p. exemple : Indium, Bore ou
Aluminium.
• Les matériaux de type N et de type P ont une conductivité
beaucoup plus grande que les semi-conducteurs purs.
• C'est la conduction extrinsèque.
2.3.2. Dopage type P
Les porteurs de charge dominants dans un semi-conducteur dopé
(par exemple des électrons dans un matériau de type n ) sont
appelés porteurs de charge majoritaires. Les autres types sont
les porteurs de charges minoritaires.
3. La jonction P‐N
Lorsque des matériaux de type P et de type N sont joints, on forme
une jonction PN.
3.1. Descriptif du phénomène
La mise en contact de ces matériaux génère une barrière de
potentiel à la base du champ électrique permanent. Cette barrière,
appelée zone de déplétion, est formée par recombinaison du
surplus de trous et d’électrons des zones P et N remises en contact.
3.1. Descriptif du phénomène
 3.2. Jonction PN à l’équilibre
Le champ interne empêche le mouvement des porteurs de charge
majoritaire, il n’y a qu’un faible mouvement de porteurs de charge
minoritaire dans les deux sens avec intensité égale.
 3.3. Jonction PN hors équilibre
3.3.1. Jonction PN polarisée en direct
En appliquant une tension directe, le côté de type P rendu positif
par rapport au côté de type N. Alors plus de porteurs de porteurs
majoritaire ont suffisamment d’énergie pour circuler. Le courant de
diffusion augmente donc, alors que le courant de dérive reste le
même.
 3.3.1. Jonction PN polarisée en direct
Pour déclencher le passage de courant dans le sens directe il faut
dépasser la tension de seuil.
 3.3.2. Jonction PN polarisée en inverse
Dans ce cas la circulation des porteurs majoritaires est bloquée,
seul un courant de minoritaires est possible dans le sens inverse.
C’est le courant de fuite ou courant de dérive.
 4. La diode à jonction
En pratique la jonction PN est la diode (généralement en
germanium ou en silicium)
Anode

+ Courant
direct
-

Cathode
 4.1. Caractéristique d’une diode idéale
Une diode idéale est un composant électronique qui laisse passer le
courant électrique dans un sens mais pas dans l'autre.
I

V
 4.2. Caractéristique d’une diode réelle
En appliquant une tension positive aux bornes de la diode, un
courant est circule en rapport exponentiel avec la tension.

𝒆𝑽
𝜼𝒌𝑻
𝑺

Où est le courant de saturation, la charge de l’électron (1,6.10‐

19C), la tension appliquée à la jonction, la constante de
Boltzmann (1,38.10‐23J/K), T la température absolue (en degré
Kelvin) et une constante comprise entre 1 et 2 déterminée par le
matériau de la jonction.
4.2. Caractéristique d’une diode réelle
 4.3. Schéma équivalent à une diode
• Une diode passante est remplacée par un générateur de f.e.m,
seuil de la diode, en série avec une résistance direct .
• A l’état bloqué, la diode est remplacée par une résistance de
très grande valeur.
 4.4. Résistance statique:
est définit comme étant la résistance équivalente de la diode
lorsqu’elle est parcourue par un courant constant
 4.5. Résistance dynamique:
La résistance dynamique est définit comme étant la résistance
équivalente de la diode en régime variable.
5. Applications électroniques utilisant la diode
5.1. Redressement simple alternance positif
• Le redressement est une fonction primordiale en électronique
analogique, qui consiste à convertir un signal bipolaire en un
signal unipolaire.
• Le redressement simple alternance positif consiste à supprimer
l’alternance négative et de ne garder que l’alternance positive.
 5.2. Redressement simple alternance négatif
• Dans ce cas l’alternance positive est supprimée.
• Seule l’alternance négative est maintenue.
 5.3. Redressement double alternance
• Le redressement double alternance consiste à passer d’un signal
alternatif à un signal possédant des alternances similaires (de
même signe).
• Pour obtenir un signal unipolaire positif, l’alternance positive
est gardée tandis que l’alternance négative est aussi transformée
en alternance positive.
• Vice-versa, pour obtenir un signal unipolaire négatif.
5.3.1. Redressement double alternance avec transformateur à 
point milieu
Dans ce cas la tension au secondaire
du transformateur et divisée en deux
tension en opposition de phases.
 5.3.2. Redressement double alternance avec pont de Graetz

Dans ce cas de redressement, un

pont à diodes est utilisé.
6. Quelque types de diodes (diodes spéciales)
6.1. Diode Zener

• Une diode Zener est un composant en silicium qui permet au

courant de circuler.
• Utilise la tension de claquage inverse, relativement constante,
pour produire une référence de tension.
• La tension de claquage est appelée tension Zener, .
• La diode Zener continue à fonctionner normalement à la tension
de claquage (tension Zener), sans être endommagée.
• Ce fonctionnement reste limité par une plage de courant et de
tension.
 Régulation de tension en utilisant la diode Zener:
La chute de tension à travers la diode Zener reste constante sur une
large gamme de tensions, chose qui rend la diode Zener très
adaptée à la régulation de tension.
 Ecrêtage de tension:
• L’écrêtage de tension permet d’éliminer la crête supérieure de
l’alternance après redressement.
• La tension la plus faible correspond à la tension directe en
polarisation directe.
• La tension supérieure correspond à la tension Zener en
polarisation inverse donnée par la fiche technique du
constructeur.
 6.2. Diode électroluminescente (LED)
• La diode électroluminescente (LED) émet un rayonnement
lumineux lorsqu’elle est traversée par un courant dans le sens
directe.
• Les diodes LED offres la possibilité de moduler l’intensité du
rayonnement en agissant sur l’intensité du courant.
• Elles peuvent être utilisées comme témoins lumineux.
 6.3. Photodiode (PIN: Positive Intrinsic diode)
• La jonction PN formant ce type de diodes peut être éclairée.
• Les photons pénétrant dans le semi conducteur peuvent créer
des photo-porteurs en excès dans les matériaux.
• La diode PIN est insérée dans un circuit électrique alimentée en
inverse par un générateur DC.
• Dans l’obscurité la diode ne laisse passer aucun courant. Dés
que la diode est éclairée elle passer le courant.
 6.4. Diode Varicap
• La diode varicap possède deux régions conductrices séparée par
une région de déplétion isolante.
• La diode varicap est aussi utilisée en polarisation inverse et se
comporte comme une capacité variable, modulée par la tension
inverse appliquée à ses bornes.
 6.5. Diode Shottky:
• Le cœur d’une diode schottky réunit un matériau semi-
conducteur de type N et un métal.
• Selon l’application, les métaux utilisée peuvent inclure du
chrome et du tungstène, ou des métaux plus précieux comme le
platine et le palladium.
• Les diodes Shottky possèdent des seuilles faibles d’environ
et des temps de commutation très faibles.