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Maître ETRE Année 2021-2022

Séance d'exercices n°3

NIVEAUX QUASI-FERMI, TENSION IMPLICITE EN CIRCUIT OUVERT,

I. Tension implicite en circuit ouvert et niveaux de quasi-Fermi

Dans un semi-conducteur sous éclairement et/ou polarisation en tension, la thermalisation dans chaque bande conduit à des trous
et des électrons de conduction formant deux populations distinctes qui sont considérées localement à quasi-
équilibre thermique, dont chacun a son propre « niveau quasi-Fermi » (respectivement et ) :

une. Dans une plaquette dopée, nous supposons généralement que même sous éclairage, la majorité
la concentration des porteurs ne change pas beaucoup. Cependant, le porteur minoritaire
la concentration peut varier de plusieurs ordres de grandeur. Pour une telle plaquette dopée, par quoi
la concentration en porteurs minoritaires changera-t-elle pour une division de niveau Quasi-Fermi de kT ?
10kT ? 40 kT ?

Nous considérons maintenant une plaquette de silicium de type p sous un éclairage solaire permanent avec les éléments suivants
Propriétés:
- épaisseur w =200µm ;
- E g = 1.12eV,
- N c = 03/02/10 19 / cm 3 ,
- N v = 08/01/10 19 / cm 3
- N A = 10 16 / cm 3 )
Nous sommes en mesure d'estimer le flux de photons incidents avec des énergies supérieures au gap du silicium :

- φ = 2.7.10 17 cm -2 s -1 .
b. Estimez le taux moyen de génération de paires électron-trou par unité de volume <G>.

Si l'excès de densité de porteurs ∆ n qui résulte de l'éclairement est faible par rapport à N A (« low-
injection»), on peut s'attendre au taux de recombinaison net (c'est-à-dire le taux de recombinaison qui n'est pas
compensée par génération thermique) pour avoir la forme :

où n est une constante qui a la dimension d'un temps. τ n est appelé « durée de vie du porteur minoritaire ».

c. Si nous supposons que tous les photons à des énergies supérieures à la bande interdite sont convertis en électrons.
paires de trous, estimer la densité volumique moyenne des électrons de conduction lorsque la minorité
les valeurs de durée de vie des porteurs sont respectivement de 10 µs, 100 µs et 1 ms. L'hypothèse de faible injection est-elle
obéi ?
ré. En supposant que la densité de porteurs de quasi-équilibre est uniforme, dérivez une expression pour le
séparation entre les niveaux quasi-Fermi d'électrons et de trous et commentaire.

Contact : Erik Johnson (LPICM) erik.johnson@polytechnique.edu 1

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e. Expliquer pourquoi la séparation entre les niveaux quasi-Fermi est une limite supérieure du circuit ouvert
tension V oc qui pourrait être obtenue à partir d'une cellule solaire utilisant cette plaquette de silicium comme absorbeur (également
connue sous le nom de « tension implicite en circuit ouvert »).
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Contact : Erik Johnson (LPICM) erik.johnson@polytechnique.edu 2