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Chapitre 1 

: L’état solide cristallin

L’ÉTAT SOLIDE CRISTALLIN

I- NOTIONS DE CRISTALLOGRAPHIE

I-1- Notions de symétrie ponctuelle :

Un élément de symétrie ponctuelle est un opérateur capable de transformer un


point A en un point équivalent B identique ou indiscernable. L’ordre ou le degré d’un
élément de symétrie ponctuelle ou locale est le nombre d’équivalents. On distingue
trois types d’éléments de symétrie :
-Centre de symétrie C (ordre2) : inversion par un centre de symétrie.
-Plan de symétrie m (ordre 2) : réflexion par un plan miroir.
-Axe direct An (ordre n) : Partant d’un point P, les équivalents sont générés par
2
rotations successives de .
n

Figure 1 : Les éléments de symétrie ponctuelle.

I-2- Définitions élémentaires :

- Réseau : on appelle réseau cristallin l’arrangement triplement périodique de


points qui correspondent aux extrémités des vecteurs T, T = ua + vb + wc ; u, v et w 3
entiers ; (a, b, c) sont trois vecteurs non coplanaires formant la base du réseau.
- Nœud : c’est tout point du réseau, correspondant au sommet du
parallélépipède construit à partir des vecteurs de base du réseau.
- Maille : c’est l’unité de base à partir de laquelle on peut reconstituer tout le
cristal par translations selon les directions des 3 axes ox, oy et oz. La maille est donc
un parallélépipède dont les sommets A, B et C sont définies par les 6 paramètres
géométriques : 3 longueurs OA=a, OB=b et OC=c et les 3 angles  (b,c),  (a,c) et
(a,b).

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

Figure 2 : Différentes mailles simples et Figure 3 : Schéma d’une maille
multiples dans un réseau bidimensionnel. simple.

Le choix des vecteurs a et b et c étant quelconque : Le même cristal plan peut


être décrit par une infinité de mailles élémentaires. On retient cependant la maille qui
met le mieux en évidence la symétrie du réseau. Dans certains cas, une maille multiple
permet une meilleure représentation des symétries du cristal.

- Motif : Pour définir le contenu d’une maille, les nœuds du réseau sont
remplacés par les entités qui constituent le motif de la maille. Le motif peut être un
atome, un ion ou une molécule.

Réseau Motif Cristal

Figure 4 : Construction du cristal à partir du réseau et du motif.

Structure cristalline = réseau + motif 

- Multiplicité d’une maille : La multiplicité ou l’ordre de la maille notée m ou


Z représente le nombre de nœuds contenus dans une maille compte tenu des partages

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

avec les mailles voisines. Lorsque m=1 la maille est dite simple ou primitive, si n>1 la
maille est multiple.

 Le nombre de nœuds contenu dans une maille est calculé :


m= ni + ns/8 + na/4 + nf/2
Avec ni : Nombre de nœuds situés à l’intérieur de la maille,
ns : Nombre de nœuds situés aux sommets de la maille,
na : Nombre de nœuds situés sur les arêtes de la maille,
nf : Nombre de nœuds situés aux milieux des faces de la maille.

 Le volume d’une maille élémentaire est le produit mixte : Vm= (ab).c


a, b et c : vecteurs de base du réseau.
Une maille multiple d’ordre m a un volume : Vm = m.Vm.

- Rangée réticulaire : Toute


droite orientée passant par deux nœuds
du réseau, elle en contient donc une
infinité. Le symbole d’une rangée est
[uvw], le vecteur période est R = ua + vb
+ wc, u, v et w sont premiers entre eux,
négatifs, positifs ou nuls.

Figure 5 : Rangées réticulaires dans


un réseau bi-dimensionnel.

- Plan réticulaire : c’est tout plan passant par trois nœuds non colinéaires du
réseau P, Q et R, il en contient donc une infinité.
Chaque famille de plans (PQR) est définie par
les indices de MILLER h,k et l.
Indices de MILLER : Soit une maille de
paramètres a, b et c dans un réseau
tridimensionnel, une famille de plans
réticulaires (hkl) d’indices h, k et l est un
ensemble de plans parallèles et équidistants
dont le premier plan appelé représentant de la
famille coupe le paramètre a en h parties
égales telles que (OA=a/h), le paramètre b en
k parties égales (OB=b/k) et le paramètre c en
Fig . 6 : Exemples de plans réticulaires.
l parties égales (OC=c/l).

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

- Systèmes et réseaux cristallins : La juxtaposition de mailles ne peut aboutir


qu’à 7 symétries différentes qui définissent les 7 systèmes cristallins obtenus à partir
des 6 paramètres géométriques décrivant la maille a, b, c, , et . Ces systèmes sont
répartis sur 14 réseaux appelés réseaux de Bravais. Les modes de réseaux sont :

P : Primitif, Z = 81/8 = 1 : Un nœud par maille,


I : Centré : un nœud supplémentaire au centre de la maille, Z = 1+ 81/8 = 2 :
deux nœuds par maille.
C (A ou B) : deux nœuds supplémentaires situés aux centres des deux faces
opposées de la maille, Z = 21/2 + 81/8 = 2 : Deux nœuds par maille,
F : Faces centrées : 6 nœuds supplémentaires situés aux centres des faces de la
maille, Z = 61/2 + 81/8 = 4 : quatre nœuds par maille.

Figure 7 : Les 7 systèmes cristallins et les 14 réseaux de Bravais.

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

- Distances inter réticulaires : La distance inter-réticulaire est l’équidistance


entre deux plans consécutifs appartenant à la même famille de plans réticulaires (h k l).
Elle est liée aux indices de Miller h , k , l et les paramètres du réseau : a , b , c ,  ,  et
 . On montre que la relation dans le cas du système cubique est :
a
d hkl 
h  k 2  l2
2

avec a paramètre de la maille cubique.

II– INTERACTION RAYONS X - MATIÈRE

II-1- Nature des rayons X :

La nature électromagnétique des rayons X a été prouvée par des expériences de


réflexion et de diffraction. La longueur d’onde de cette radiation est de l’ordre de
quelques angströms même ordre de grandeur que la distance interatomique dans une
structure cristalline.
Le principe de production des rayons X consiste à bombarder par des électrons
projectiles hautement accélérés une cible métallique : la cathode constituée d’un
filament de tungstène. L’anticathode, cible des rayons X, étant une plaquette
métallique très pure (Cu, Pb, Mo..). Les électrons projectiles provoquent l’éjection
d’un électron de la couche K d’un atome de l’anticathode, ce dernier est ensuite
remplacé par un électron d’une couche supérieure (L, M, …) qui s’accompagne par
l’émission d’une radiation X suite à cette transition électronique.

II-2- Le phénomène de diffraction :

La diffraction est un des phénomènes observés dans le cadre des interactions


rayonnement - matière. Les rayons X excitent les atomes du cristal en faisant vibrer
ses électrons, chaque atome devient une source de rayons X de même longueur
d’ondes que le rayonnement incident. Les atomes constituent donc un nombre infini de
sources, leurs interférences se superposent et donnent un rayonnement détectable dans
le cas d’interférences constructives. Le phénomène de composition des ondes est
appelé diffraction.

- Condition de diffraction : Loi de Bragg

On considère deux plans P1 et P2 consécutifs et équidistant appartenant à la


même famille de plans (h k l). Après diffraction, la différence de marche entre les
rayonnements incidents et diffractés arrivant sur le plan P1 et celui sur le plan P2 est :
 = HN + NK = d sin + d sin = 2 d sin.

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

Le maximum d’intensité diffracté est obtenu lorsque les deux ondes sont en
phase c’est à dire la différence de marche  = n (condition de Laue)
d’où la relation de Bragg :
2 d sin  = n

d : Distance réticulaire,


 : Angle de diffraction,
 : Longueur d’onde la radiation X,
n : Entier, ordre de diffraction ; n =1 : diffraction du premier ordre.

Figure 8 : Diffraction par deux plans consécutifs : relation de Bragg.

II-3- Etude expérimentale :

Les techniques expérimentales de détermination de la structure cristalline par


diffraction des RX, dépendent de l’état de l’échantillon. On distingue deux types de
méthodes : méthodes des poudres et du monocristal. Parmi les méthodes des poudres
les plus simples :
-La méthode des poudres de Debye – Scherrer : L’échantillon est réduit à
l’état de poudre finement broyé (quelques microns) placé au centre d’une enceinte
sphérique dite chambre Debye – Scherrer  puis irradié par les RX. L’échantillon étant
constitué d’un très grand nombre de cristallites dont un certain nombre présentent au
faisceau incident une famille de plans (hkl) donnant une réflexion sélective telle que :

sin   (n=1).
2.d hkl

Les raies diffractées forment un cône autour du faisceau non dévié avec un
angle d’ouverture de 2. L’intersection de ces cônes des rayons X diffractés avec un

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

film photographique placé dans un cylindre enroulé autour de la chambre. Les


différents anneaux correspondent aux pics, obtenus avec le diffractomètre, constituent
les raies de diffraction. Ils indiquent une valeur de la distance réticulaire de la famille
des plans ayant diffractée les RX.
L'identification des raies du diagramme Debye – Scherrer est réalisée
manuellement ou automatiquement par les logiciels d'identification et les banques de
données disponibles.

Figure 9 : Principe de la diffraction dans la chambre de Debye - Scherrer.

F, C = fente, collimateur du rayonnement X


E = place de l'échantillon
P = puits d'absorption des rayons X

Figure 10 : Diagramme de Debye - Scherrer sur film.

II-4- Application : Etude d’un cristal cubique par la méthode des poudres de
Debye - Scherrer :

a) Les extinctions systématiques :

Dans le système cubique, trois modes de réseau sont possibles : P, I ou F. On


montre que les indices de Miller des plans ayant diffractés les RX (les plans existants)

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

pour chaque type de réseau sont régis par certaines relations, déterminées par des
calculs de facteurs de structure F(hkl) appelés des extinctions systématiques :
- Réseau cubique simple P : dans tout réseau primitif il n'y a pas d'extinctions
systématiques : Toutes les familles de plans (hkl) diffractent avec des intensités
non nulles.
- Réseau cubique centré I : Il existe des extinctions systématiques quand la
somme h+k+l est impaire : seuls les plans tels que : h + k + l = 2 n diffractent
avec des intensités non nulles.
- Réseau cubique à faces centrées F : Il existe des extinctions systématiques
quand les indices sont de parité mixte : seuls les plans tels que h, k, l de même
parité diffractent avec des intensités non nulles.

Tableau 1 : Indices de Miller relatifs aux premiers plans de diffraction dans les 3
modes cubiques (la valeur de h2 + k2 + l2 permet un classement)

h2 + k2 + l2 P I F P I F

1 100 – –   12 222 222 222


2 110 110 – 13 320 – –
3 111 – 111 14 321 321 –
4 200 200 200 16 400 400 400
5 210 – – 17 410 – –
6 211 211 – 18 411 411 –
8 220 220 220 19 331 – 331
9 221 – – 20 420 420 420
  300   –
10 310 310  
11 311 311

b) Détermination du mode de réseau : Méthode des rapports 

a
En appliquant la relation d hkl  on aura les distances réticulaires dhkl
h  k 2  l2
2

des plans de diffraction (dans l’ordre décroissent) :


a a a a a a a
- Pour le mode P : a, , , , , , , ,…
2 3 4 5 6 8 9
a a a a a a a
- Le mode cubique centré : , , , , , , ,…
2 4 6 8 10 12 14

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

a a a a a a a
- Le mode CFC : , , , , , , ,…
3 4 8 11 12 16 19

2 2 2
d  d  d 
Si on calcule respectivement les rapports :  1  , 2  1  et 3  1  pour le
 di   di   di 
mode P, I et F, les valeurs obtenues sont des entiers correspondant à la somme
(hi2 + ki2 + li2).
Cette succession de rapports (tableau I) permet d’identifier le mode de réseau
auquel appartient le matériau cristallisé.

Remarque : Le mode F peut être distingué à partir de la 2emme raie alors que les
modes P et I ne peuvent être distingués qu’à partir de la 7emme raie.

APPLICATIONS

Exercice 1

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

1/ Rappeler la définition des indices de Miller.


2/ Dessiner les plans réticulaires d’indices suivants (111) et (221).
3/ On désigne par Pi les plans qui interceptent les axes ox, oy et oz d’un repère
orthonormé en Ai, Bi et Ci. Retrouver les indices de Miller dans les cas suivants :
(OA=1, OB=1/3 et OC=1/2), (OA=-1, OB= 1 et OC=2) et (OA=, OB= 1/3 et
OC=1/2).

Exercice 2

Un élément chimique E cristallise dans le système cubique. Les plans d’indices


(222) diffractent pour =54,12° lorsque la longueur d’onde des rayons X est de 1,54
Å.
1/ Représenter le 1er plan de l’origine de cette série de plans.
2/ A quel angle observera-t-on la réflexion précédente si la longueur d’ondes des
rayons X est de 0,7107 Å ?
3/ Calculer le paramètre de la maille de E.
4/ préciser le mode de réseau su système cubique.
5/ Déterminer le rayon atomique de l’élément chimique E.
Données : =16,6 g.cm-3 ; M=180,94 g.mol-1.

Exercice 3

Le cuivre, de masse molaire 63,54 g.mol-1, cristallise dans le système cubique.


Un diagramme de diffraction des rayons X de premier ordre, réalisé avec une
anticathode de cuivre (=1,54 Å) conduit à des pics de diffraction pour les angles
suivants : 21,74 ; 25,20 ; 37,11 ; 44,98 ; 47,66 ; 58,55 ; 68,36 et 72,46°.
1/ Faut-il dire diffraction ou réflexion des rayons X ? Expliquer.
2/ Reconstruire le film obtenu par la chambre de Debye - Sherrer de circonférence
C=240 mm.
3/ Rappeler les conditions sur les indices de Miller dans le système cubique.
4/ Identifier le réseau de Bravais du cuivre. Donner les indices de Miller des plans
correspondants aux pics de diffraction.
5/ Déterminer la valeur approchée du paramètre de la maille.
6/ Calculer la densité du cuivre.

Exercice 4

On se propose d'étudier la structure cristalline du nickel (Ni). Pour cela on réalise une
.analyse par diffraction des rayons X de longueur d'onde λ=1,5405 Å

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

A partir du diffractogramme (cliché), on a consigné, sur le tableau, les valeurs des


.distances(Li) entre les raies symétriques dues à quelques plans réticulaires

I 1 2 3 4
Plans )111( )200( )220( )311(
Li 88,98 103,70 152,76 185.86

Sachant que la circonférence (C) de la chambre de Debye-Scherrer est égale à


:360mm
Exprimer l'angle de diffraction θi ( en degrés) en fonction de Li ( en mm) /1
.Déterminer les valeurs des distances interarticulaires dhkl des différents plans i /2
:Sachant que le nickel cristallise dans le système cubique/3
a) Établir la relation reliant la distance interréticulaire dhkl et le paramètre a de la
maille du nickel
.b) Calculer une valeur moyenne de ce paramètre en Å
.c)Selon les valeurs de h, k et l, préciser le mode du réseau
Dessiner cette maille en perspective en figurant les atomes de nickel par des cercles/4
.pleins
?a) Combien d'atomes y a-t-il dans cette maille
Calculer la masse volumique du nickel/5
.Représenter dans une maille cubique les plans réticulaires (1-10) et (110) /6
.En déduire le vecteur directeur de la rangée définie par l'intersection de ces plans
.Préciser les coordonnées des nœuds appartenant au plan(111) /7
Données:- Masse molaire atomique du nickel ( en g.mol-1) Ni=58,7
Nombre d'Avogadro : NA=6,023 1023mol-1 -

CORRECTIONS
Exercice 1

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

1- Les indices de Miller d’un plan (PQR) sont définis tels que :
OP=a/h ; OQ=b/k ; OR=c/lh k et l des entiers  positives, négatives ou nuls premiers
entre eux
2-

3-

OA=1, OB=1/3 et OC=1/2 : le plan (132)


OA=-1, OB= 1 et OC=2 : le plan (-221)
OA=, OB= 1/3 et OC=1/2 : le plan (032)

Exercice 2

1- La famille des plans (2 2 2) est défini tel que : OP=a/2 ; OQ=b/2 ; OR=c/2 ;


2- sin   2.d (n=1)
hkl

'
sin  '  (n=1)
2.d hkl

'
sin  '  sin 

 ' = 21,93°
3-
dlkh h 2 k 2 l 2 =a

a=3,3 Å

4- ρ=Z M /Na a3
Z= 2 mode I du système cubique

Exercice 3


sin   (n=1).
2.d hkl
dhkl = /2sinΘ
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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

Θ(°) 21,74 25,20 37,11 44,98 47,66 58,55 68,36 72,46°


dhkl(Å) 2 ,08 1,8 1,27 1,09 1,04 0,9 0,83 0,8
d 
2
1 1,34 2,67
P  1 
 di 
d 
2
2 2,68 5,34
I :2  1 
 di 
F :3 3 4 ,02 8,03 11,03 12,02 16,01 19,03 20,28
2
 d1 
 
 di 
h2+k2+l2 3 4 8 11 12 16 19 20
(h k l) (111) (200) (220) (311) (222) (400) (331) (420)
a(Å) 3,602 3,6 3,592 3,615 3,602 3,6 3,617 3,58

a
d hkl  a= h 2  k 2  l 2 d hkl
h  k2 l2
2

amoy= 3,6 Å
Les plans (hkl) sont tels que h,k et l de même parité : mode F du système cubique

Exercice 4
Li = 4R Θ
C=2 Π R
Θ(°) =Li/4

I 1 2 3 4
Plans )111( )200( )220( )311(
Li(mm) 88,98 103,70 152,76 185.86
)°(Θ 22,24 25,92 38,19 46,46
dhkl(Å) 2,034 1,76 1,24 1,06
a(Å) 3,52 3,52 3,52 3,52

dhkl = /2sinΘ
dlkh h 2 k 2 l 2 =a
Les quatre plans sont de même parité : Ni est cubique à faces centrées
Z = 4 Ni/maille

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Chapitre 1 : L’état solide cristallin

ρ=Z M /Na a3 =8,9 g/cm3

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