Cours 2

Electronique de puissance
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Chapitre I LES COMPOSANTS DE PUISSANCE
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L’objet de ce chapitre n’est pas de décrire le comportement semi-

conducteur de ces divers éléments mais de mettre en évidence quelques
particularités de mise en œuvre et de fonctionnement en commutation
des diodes de puissance, thyristors, transistors bipolaires, transistors
MOS, G.T.O, ….
Ces commutateurs sont caractérisés par deux états stables : un
état dit ‘bloqué’ (interrupteur ouvert) et un état ‘saturé’ (interrupteur
fermé) et par deux régimes transitoires correspondant au passage de l’un
à l’autre de ces états.
L’élément de base sera donc un interrupteur destiné à assurer
l’ouverture ou la fermeture du circuit.
Pour des questions de rendement, la caractéristique idéale d’un
interrupteur devra se rapprocher le plus possible de celle de la figure
1avec les conventions de la figure 1-2.
F. NACERI Page 1
interrupteur ouvert : le courant

I dans l’élément doit être négligeable.
Interrupteur fermé : la d.d.p aux
Courant direct bornes de l’élément doit être faible.
Tension inverse Tension directe

V
Courant inverse
-a- Figure 1-1 -b-
Les différents composants se différencient, au delà de leur

réalisation technologique, par la ‘fonction interrupteur’ qu’ils
remplissent, selon les critères suivants :
• Leur caractéristique statique : suivant leur constitution, la
caractéristique de fonctionnement pourra se limiter à 2 ou
3 branches de la caractéristique idéale.
• La possibilité ou non de commander leur blocage et/ou
leur amorçage (caractéristique dynamique).
1- DIODE
Les diodes à jonction ont une structure PN ou PN − N + (encore
appelée PIN) suivant qu’il s’agit de composants destinés à supporter à
l’état bloqué une tension inverse de faible ou forte valeur. Comme dans
tous les interrupteurs de puissance, cette structure est réalisée dans
l’épaisseur de la pastille de silicium afin que le courant dispose de toute
la section de la pastille pour circuler.
Le contact relié à la zone P constitue l’anode (A), celui relié à la zone
N + la cathode (C).
La figure 2-a indique le symbole utilisé pour représenter la diode et les
conventions de signe adoptées pour le courant I et la tension V.
F. NACERI Page 2
Le comportement statique et dynamique des diodes à jonction se déduit

directement de l’étude de la jonction PN.
Anode
A
P
iF
VF
N−
N C
Cathode
-b-
-a-
Figure 1-2 : -a- Structure d’une diode à jonction et –b- Symbole

électrique
1-1 Caractéristique statique :
i i
If
VRM
v
v
Vs
Caractéristique idéalisée
Figure 1-3
F. NACERI Page 3
Dans le sens direct, la caractéristique présente un coude brusque

dans la zone des très faibles courants. Au delà de la tension de seuil V S
(0.6V pour le silicium) le courant croit très vite, la variation de tension
reste faible.
Il apparaît une chute de tension directe anode-cathode, de l’ordre du volt
pour les diodes au silicium. Elle est généralement faible devant les
tensions mises en jeu dans les convertisseurs.
Dans le sens inverse, il ne circule qu’un très faible courant

jusqu’à une certaines valeur de la tension inverse, (tension d’avalanche)
au-delà de laquelle le courant inverse augmente brutalement.
1-2 Caractéristique dynamique :
Elles concernent le passage de l’état bloqué à l’état passant

(amorçage) et inversement (blocage).
1-2-1 Blocage
Le blocage d’une diode est caractérisé par l’annulation du
courant direct qui la traversait, puis l’apparition d’une tension inverse à
ses bornes.
La figure 4 montre la forme du courant et de la tension pendant
toute la durée du phénomène, c’est à dire jusqu’à ce que la diode
retrouve son pouvoir de blocage.
F. NACERI Page 4
i
IF
diF
dt
t r t ri
v
VF t2 t
t0 t1 dir
I RM dt
Figure 1-4 : Caractéristique dynamique
diF
La décroissance du courant direct dépend du circuit
dt
extérieur. A l’instant t 0 le courant passe par 0 puis apparaît un courant
inverse de même pente jusqu’à l’instant t1 . Au voisinage de t1 , la diode

commence à retrouver son pouvoir de blocage, la pente du courant
change de signe et le circuit extérieur étant généralement inductif, il
apparaît une surtension inverse aux bornes de la diode. A l’instant t 2 , le
courant s’est annulé, il ne reste aux bornes de la diode que la tension
inverse composée par le circuit extérieur. La diode est bloquée.
Le paramètre important sera le temps de recouvrement
t off = t r + t ri , celui-ci ainsi d’ailleurs que la pointe de courant inverse
di
I RM dépend de F dt . Ce temps, généralement de quelques s peut
descendre jusqu’à 100 ns avec certaines diodes dites rapides.
F. NACERI Page 5
L’amplitude de la surtension inverse dépend essentiellement de la
pente dir du courant inverse de recouvrement et de l’inductance du

dt
circuit extérieur. Dans le cas ou l’amplitude de cette surtension est trop
importante, un circuit RC placé aux bornes de la diode permet de la
protéger.
1-2-2-Amorcage
Généralement le phénomène transitoire à l’amorçage présente

une importance plus faible. L’établissement du courant dans une diode
peut se faire en déchargeant un condensateur conformément au schéma
de la figure 5.
IF
Io
+ R L
E C
VF VFP
tfr
Figure 1-5 : Amorçage d’une diode
F. NACERI Page 6
Cette surtension VFP et le temps de recouvrement direct t fr sont
les deux paramètres qui vont caractériser la rapidité de la mise en

conduction de la diode.
On peut évaluer la perte d’énergie lors de la mise en conduction
de la diode en envisageant le cas le plus défavorable d’une montée très
rapide du courant. L’évolution de la tension VF et du courant IF est alors
schématisée par la figure
6.
IF
Io
VF tfr
VFP
Vo
Figure 1-6
− VFp − Vo
t fr
W =  Io ( .t + VFp )dt
0
t fr
VFp − Vo t 2fr
W =− . + VFP .I o .t fr
t fr 2
F. NACERI Page 7
Une diode peut avoir un comportement différent suivant

l’environnement dans lequel se situe.
1-2-3- Notions sur les diodes spéciales :

Une diode est d’autant plus performante que la tension inverse
qu’elle peut supporter à l’état bloqué est plus élevée, que sa chute de
tension directe à l’état passant est plus faible et que ses temps de
commutation sont plus brefs. Comme ces trois conditions ne peuvent
etre remplies simultanément, il faut choisir la diode en fonction de
l’application à laquelle elle est destinée.
- Diodes haute tension
- Diodes à avalanche contrôlée
- Diodes rapides
- Diodes à faible chute de tension directe : Diodes
Schottky
2- THYRISTOR : (Silicon Controlled Rectifier : S.C.R)

Le thyristor est un semi-conducteur de structure PNPN
assimilable à un ensemble de trios jonctions.
F. NACERI Page 8
N
G P
Figure 1-7 : Symbole électrique du thyristor
• L’extrémité P est l’anode A

• L’extrémité N est la cathode K
• L’électrode de contrôle (gâchette) est issue de la couche centrale
P.
2-1 Caractéristique statique :
i
V
G
i K I
if
v v
VRM Im
VDM
Caractéristique idéale
Figure 1-8 : caractéristique statique
F. NACERI Page 9
En l’absence du courant de gâchette, la caractéristique statique

est celle de la figure 8. Dans le sens direct, le thyristor est pratiquement
non conducteur tant que la tension appliquée est inférieure à VDM . Si la
tension appliquée dépasse VDM , il y a amorçage du thyristor par effet

d’avalanche . Le thyristor ne peut revenir à l’état bloqué que par
diminution du courant i au dessous de la valeur du courant im , ou
courant de maintien. Dans le sens inverse, le thyristor est bloqué tant que
la tension inverse ne dépasse pas la tension inverse maximale.
• Amorçage par la gâchette :

Dans le sens direct la tension d’avalanche VDM est une fonction
inverse du courant ig envoyé dans la gâchette. Pour une valeur igm de ce
courant la caractéristique directe ne présente plus de retournement.
Le thyristor étant placé dans un circuit actif, avec une tension

directe appliquée inférieure à VDM , il apparaît donc la possibilité
d’amorcer le thyristor en envoyant dans sa gâchette une impulsion de
courant de valeur supérieure à igm (phénomène d’avalanche locale).
La chute de tension directe anode-cathode est alors supérieure à
celle d’une diode ( 1 à 2 VOLTS).
L’extinction du thyristor n’est pas contrôlable et ne peut avoir

lieu que si le courant direct devient inférieur au courant de maintien.
F. NACERI Page 10
• Température :
L’augmentation de la température modifie sensiblement les
caractéristiques de gâchette et peut entraîner un amorçage
intempestif du thyristor.
Lors d’une grande vitesse de croissance de la tension anode –cathode
dV , la jonction polarisée en inverse se comporte comme un
dt
condensateur.
P N P N
Figure 1-9 : Schéma équivalent du thyristor
Et laisse passer une pointe de courant qui peut entraîner la mise en

conduction du thyristor.
Pour éviter ce phénomène parasite il convient de choisir un thyristor
pouvant supporter un dV supérieur à celui imposé par le circuit. Si

dt
cela n’est pas possible on lui adjoindra un circuit RC de limitation du
dV/dt. R étant de l’ordre de 20 à 50  et C de 50 à 200 nF.
Ce circuit protége également le thyristor contre les surtensions
inverses dues aux circuits extérieurs. On peut augmenter son efficacité
en limitation du dV/dt direct en shuntant la résistance par une diode.
F. NACERI Page 11
2-2 Caractéristique dynamique :

2-2-1 Amorçage :
Pour amorcer le thyristor une impulsion de courant est envoyée
sur le thyristor à l’instant to. Le passage de l’état bloqué à l’état passant
s’effectue pendant un temps t gt qui est la somme de deux temps (figure
10).
ig
10 0 0 t
td tr
v
90 0 0
10 0 0
t
Figure 1-10 caractéristique dynamique
Le temps td est appelé ‘ retard à la croissance commandé par la

gâchette’.
Le temps tr est appelé ‘temps à la croissance commandé par la
gâchette’.
F. NACERI Page 12
Le temps tgt (ton) est la somme des deux précédents. De l’ordre de

1 s pour les petits thyristors, il peut atteindre 5 s pour les gros
thyristors.
Les paramètres principaux intervenant au niveau de sa durée
sont :
• L‘amplitude et la pente de l’impulsion de gâchette
• La vitesse d’établissement du courant d’anode di

dt
Si le di d’établissement est trop élevé, les contraintes thermiques

dt
à l’amorçage du thyristor peuvent être destructives, si l’effondrement
de la tension n’est pas assez rapide.
Les précautions à prendre au niveau de l’amorçage sont les
suivantes :
1- Attaquer la gâchette ‘en courant’ par exemple par le secondaire
d’un transformateur d’une amplitude de 10V alimente la gâchette
à travers une résistance en série r.
2- Prévoir une impulsion de courant d’amplitude nettement
supérieure à la valeur minimale i gm .
3- Prévoir un flanc de montée de l’impulsion de courant aussi court
que possible (0.1à 1 s ) surtout si le di à l’amorçage est

dt
élevé.
4- Prévoir une durée d’impulsion suffisante pour que le courant
principal ait le temps de dépasser la valeur du courant de
maintien.
F. NACERI Page 13
5- Limiter éventuellement le di par une inductance saturable ou

dt
non en série avec le thyristor.
2-2-2 Blocage
Le blocage du thyristor dépend du circuit extérieur : il y a tout
d’abord extinction du courant, généralement par commutation
naturelle ou forcée, puis application d’une tension inverse, aux
bornes du thyristor jusqu’à complète récupération du pouvoir de
blocage.
La figure 11 montre l’évolution des phénomènes accompagnant le
blocage
F. NACERI Page 14
tinv
IF i
diF
dt
tq
tr trg
0 t
to t1
Figure 1-11 : Caractéristique dynamique
A L’instant to , le courant s’annule puis change de signe avec une
pente di imposée par le circuit extérieur. Au voisinage de t1 la pente

dt
au courant change rapidement de signe et l’apparition de la tension
inverse s’accompagne d’un dépassement du à l’inductance du circuit
extérieur.
Le temps de blocage t q ( ou temps de désamorçage) est défini
comme le temps qui sépare le passage par zéro du courant et l’instant ou

une tension directe peut être réappliquée aux bornes u thyristor. Il est la
somme de :
- du temps de recouvrement inverse (ou de récupération) t r de la
jonction inverse (de l’ordre de 1 s ).
F. NACERI Page 15
- Du temps de recouvrement de la gâchette t rg (jonction directe)
beaucoup plus important : 10 à 400 s . Il dépend :
• Du courant initial et de sa décroissance di

dt
• De la tension inverse appliquée
• De la vitesse de croissance de la tension réappliquée
• De la température.
Le paramètre t q est tés important dans les circuits à commutation
forcée ou le temps d’application de la tension inverse tinv devra
toujours être nettement supérieur au t q du thyristor si l’on veut que
ce dernier retrouve à coup sur son pouvoir de blocage dans le sens

direct.
Influence du dV
dt
Lorsqu’un thyristor est bloqué, une croissance trop rapide de la
tension directe appliquée ( dV ) peut provoquer son amorçage.

dt
L’ordre de grandeur du dV admissible est de 50 V/ s pour des

dt
thyristors courants, certains pouvant admettre de 500 à 1500 V/ s .
On peut améliorer la tenue au dV en plaçant une résistance ou

dt
un condensateur entre gâchette et cathode.
F. NACERI Page 16
De même, un réseau RC connecté entre anode et cathode et

associé à l’inductance du circuit extérieur permettra de limiter le
dV aux bornes du thyristor.
dt
F. NACERI Page 17
3- TRANSISTOR BIPOLAIRE :
Le transistor est un semi-conducteur de structure PNP ou NPN,
C’est actuellement la structure NPN qui est utilisé pour les transistors
haute tension et fort courant.
Collecteur
N
Base
P
$
N
Emetteur
Figure 1-12 : Schéma synoptique d’un transistor
Le schéma de la figure 12 montre une symétrie de structure qui

ne correspond pas à la réalité : la jonction de collecteur a une surface
plus grande que celle de l’émetteur et les caractéristiques directes et
inverses seront très différentes.
Le transistor est un élément bidirectionnel avec un sens de
conduction privilégié : collecteur → émetteur, dans le cas d’un NPN.
3-1 Caractéristiques statiques générales :

Le transistor est un dispositif amplificateur de courant dont les
caractéristiques statiques VCE ( I c ) sont présentées sur la figure 1-13.
F. NACERI Page 18
C
Ic
IB
B VCE I
VBE
Ic
E
V
IB IB = 0
IB = 0 Caractéristique idéalisée (en commutation)
IB = 0 VBE  0
VCE
Figure 1-13
Dans le cas le plus général, les limites statiques d’utilisation d’un

transistor sont définies dans le plan VCE ( I c) par l’aire de sécurité.
3-2 Caractéristiques statiques en régime de commutation :

L’utilisation du transistor en tant qu’élément interrupteur nous
impose de ne considérer comme points utiles de fonctionnement statique
que ceux qui se trouvent au voisinage des axes :
- à l’état bloqué : axe 0 VCE
- à l’état passant : axe 0 ic
F. NACERI Page 19
3-2-1 Etat bloqué – limites en tension
L’état bloqué correspond à un courant de base nul. Les valeurs

maximales de la tension directe VCE admissibles sont :
VCEO : base ouverte
VCER : base reliée à l’émetteur par une résistance
VCEX : fonction base émetteur polarisée en inverse
Notons que le transistor n’admet qu’une tension inverse très

faible, ce qui limitera son utilisation pour certaines structures de
convertisseurs.
3-2-2 Etat passant

Si nous considérons les caractéristiques statiques VCE ( I C ) du
transistor au voisinage de l’axe vertical, nous pouvons distinguer trois

zones de fonctionnement (figure 14).
F. NACERI Page 20
Ic
3 2 1
VCE
Figure 1- 14
• La zone 1 ou zone de fonctionnement linéaire

C’est dans cette zone qu’est défini le gain en courant d’un
transistor  = I c I à VCE donné.

B
Rappelons que  varie fortement avec le courant Ic. Au

voisinage du courant nominal les valeurs courantes de  pour des
transistors de puissance sont de l’ordre de 20 à 10.
• La zone 2 ou zone de quasi-saturation
Elle correspond à de faibles valeurs de la tension VCE ; le rapport
 = I c I pour une même valeur de Ic décroît rapidement ainsi que la

B
tension VCE nommée VCE (sat).
• La zone 3 ou zone de saturation
F. NACERI Page 21
Dans cette zone, toute augmentation du courant I B ne modifie pas la
valeur de VCE (sat) en fonction du gain forcé  F .
VCE (sat )
LIN
QUASI
SAT
Ic
0
IB
Figure 1-15
En régime de commutation les points de fonctionnement statique

à l’état passant correspondent à un VCE (sat) aussi faible que possible
donc à un fonctionnement en saturation ou tout au moins en zone de

quasi-saturation.
Les paramètres importants seront :
• I C (sat) – courant collecteur pour lequel la tension de saturation
est garantie par le constructeur.
• I B (sat) – courant base nécessaire pour saturer le transistor à un
courant collecteur donné.
• VCE (sat) – tension de saturation pour I C et I B donnés.
F. NACERI Page 22
3-3 Fonctionnement dynamique :

En régime de commutation, on est amené à étudier le
comportement dynamique du transistor lors du passage de l’état
bloqué à l’état saturé et inversement, lorsqu’une commande
appropriée est imposée à la base.
Cette étude est complexe car de nombreux paramètres
interviennent simultanément et l’influence du circuit extérieur est
prépondérante.
Le constructeur définit toutefois des temps de commutation sur
charge résistive. Une impulsion de courant de forme et de durée
parfaitement définies est envoyée sur la base et permet de mesurer
(figure 16).
• Le temps de montée (du courant) t r : de l’ordre de la s
• Le temps de stockage t s : c’est le temps nécessaire au
moment du blocage pour l’évaluation ou la recombinaison

interne des charges stockées (il peut atteindre plusieurs s .
• Le temps de descente t f : de l’ordre de la s .
F. NACERI Page 23
IB
t
IC
Figure 1-16 t
tr ts t f
Amorçage Blocage
Certains transistors ont bénéficié récemment d’améliorations

importantes de leurs temps de commutation.
Le transistor présente sur le thyristor l’évidence supériorité de
pouvoir bloqué par son électrode de commande : la base.
En effet :
• Pour saturer un transistor il faut envoyer dans sa base un courant
supérieur à I c

• Pour le bloquer, il suffit théoriquement de ne plus alimenter sa
base.
Pratiquement les processus optimaux d’amorçage et de blocage sont
plus complexes.
F. NACERI Page 24
3-3-1 Mécanismes de commutation sur charge inductive en

conduction continue
+E
ID
Charge
(L, R)
I B1 Ic
VB1 VCE
ou I B 2 VBE
VB 2
Figure 1-17
Nous étudierons la commutation dans le cas d’un hacheur car

c’est celui ou les contraintes sur le transistor sont les plus dures.
Hypothèse : durant les temps très courts de commutation (
 1s ) le courant dans la charge est constant. On a :
I C + I D = I ch = C te
Nous appelons I ch1 le courant dans la charge au moment de
l’amorçage, I ch 2 le courant au moment de la coupure.
✓ Amorcage :
Le transistor est initialement bloqué par la tension VB 2 0
appliquée au circuit de base : VBE = VB 2 .
F. NACERI Page 25
Le courant I ch1 imposé par la charge circule à travers la diode D.
Lorsqu’on applique la tension de commande VB1  0 on observe tout
d’abord un temps de retard (  100ns ) pendant lequel I c et VCE ne
changent pas.
Lorsque VBE atteint le seuil de conduction (  0.5V ) le courant

commence à circuler dans le collecteur.
Tant que I C  I ch1 la diode D reste conductrice, ( I D = I ch − I c ) et
par conséquent VCE = + E . Le courant I c croit jusqu’à I ch1 temps
de montée du courant  1s .
Lorsque I c = I ch1 , D cesse de conduire. La tension VCE décroît
jusqu’à VCEsat =1V. Temps de descente de la tension t fv = 200ns .
On notera que pendant toute la montée de I c , la tension VCE est
maximale ( VCE = E ) et que pendant la chute de VCE , le courant
collecteur est égal à la totalité du courant de charge ( I ch1 ) .
Les pertes dont donc élevées.
F. NACERI Page 26
Commande Amorçage Coupure

T
VB1
VB 2
I B (t )
I B1 (t )
I B 2 (t )
VBE (t )
I ch 2
I ch1
I C (t )
VCE (t )
VCE (sat)
IC
I B1
VB1 VCE
VB 2 I B2
VBE
Figure1-18
F. NACERI Page 27
✓ Blocage :
Lorsqu’on tente d’appliquer la tension de blocage VB 2 0 , le
transistor reste saturé pendant le temps de stockage t s . Plus le transistor
est saturé, plus t s est grand ; il peut atteindre plusieurs s . Ce temps
écoulé VCE monte de VCEsat à E (temps de montée  200ns ). Durant cette
montée I c = I ch et jusqu’à ce que VCE = E .
A Partir du moment ou VCE = E , la diode D peut conduire et le
courant I c décroît. (Temps de descente du courant : t fI = 1s ).
Ici encore on aura des pertes élevées car la montée de VCE se fait
à courant collecteur maximal ( I c = I ch 2 ) et la décroissance de I c se fait
à tension maximale VCE = E .
Les temps de commutation sont d’autant plus courts (donc les

pertes réduites) qu’on envoie un I B1 important à l’amorçage et qu’on
extrait un I B 2 grand à la coupure.
3-3-2 Circuit d’aide à la commutation (C.A.L.C)

Nous venons de voir que les pertes étaient élevées durant les
commutations. On se propose d’essayer de réduire ces pertes en ajoutant
un circuit auxiliaire dit « circuit d’aide à la commutation » (C.A.L.C).
Ce circuit devra ralentir la montée du courant et de la tension de façon à
ne jamais avoir l’existence simultanée d’un courant I c élevé et d’une
tension VCE élevée. Pour cela on peut utiliser le circuit de la figure 19.
F. NACERI Page 28
• Amorçage
Une inductance  de faible valeur (quelques dizaines de H ) placée
en « tampon » entre la charge et le transistor limite la vitesse de montée
du courant I c .
La tension VCE peut s’effondrer de E à VCEsat en u temps t on très
court (quelques 100 ns) avant que le courant n’ait atteint une valeur
E
importante. Lorsque VCE = VCEsat , on a : I C = I ON = .tON .
l
Cette inductance  , traversée par le courant I c du transistor
1
pendant la saturation emmagasine une énergie  .I c2 . Cette énergie est
2
évacuée au moment du blocage suivant par le circuit D .r .
F. NACERI Page 29
+E
L, R DRL
r

D
r
D
Figure 19. Circuit d’aide à la commutation
La résistance r a pour but d’accélérer cette évacuation en
prévision d’un nouvel amorçage, ceci au prix d’une surtension voisine

de r .I c aux bornes du transistor.
F. NACERI Page 30
• Blocage :
Un condensateur  (quelques dizaines de nF) placé en parallèle sur
le condensateur absorbe le courant coupé dans ce dernier et limite la
vitesse de montée de la tension VCE . Le courant I c s’annule avant que
VCE ait atteint une valeur importante. Pour I c =0, on :
I ch
VCE = VOFF = .t off
2
Lorsque tout le courant est coupé dans le transistor, le
condensateur  absorbe tout le courant de la charge. La tension VCE
augmente linéairement jusqu’au moment ou VCE ayant légèrement
dépassé E, la diode de roue libre D conduit.

Le condensateur  chargé sous la tension E se décharge lors de
la mise en conduction suivante du transistor à travers  et une résistance
r destinée à limiter la surintensité (voisine de E ).

r
Pour un fonctionnement correct de ce montage il faut que les

périodes de conduction et de blocage soient suffisamment longues pour
laisser le temps à  de se décharger et à l’énergie emmagasinée dans 
d’être dissipée..
F. NACERI Page 31
Sans C.A.L.C
VCE
Avec C.A.L.C
Ic t fv = tON
Figure 1-20
I ON
t fI = toff
Amorçage Coupure
I C (lin )
I ch 2
Figure 1-21
I ch1 Coupure
Amoracge
I ON
VCE max
VCE (lin )
VOFF
La forme du cycle obtenue avec C.A.L.C (figure 20) permet

d’utiliser en toute sécurité le transistor au maximum de ses possibilités.
F. NACERI Page 32
La puissance maximale qu’il peut commuter est alors voisine de

VCE max .I c max .
D’autre part la réduction des pertes pendant les commutations
entraîne une diminution de l’échauffement du transistor, ce qui permet
de réduire la taille du radiateur et contribue à augmenter la fiabilité.
3-4 LE MONTAGE DARLINGTON :

Le Darlington est connu en électronique linéaire pour son gain
élevé. En électronique de puissance ce sera un moyen d’augmenter la
puissance commutée.
Les transistors de puissance, travaillent avec un « gain forcé »
relativement faible ; par exemple le courant I csat des transistors haute
tension est spécifié avec un gain forcé de 5. Cela oblige à fournir un

courant de base important ce qui augmente la complexité et le coût du
circuit DRIVER. Le Darlington permet de surmonter cet handicap.
T1 I C1 Ic
IC 2
I B1
I c = I c1 + I c 2
T2
I B1 + I C1 I B 2 = I c1 + I B1
Figure 1-22 Montage Darlington
F. NACERI Page 33
• Gain en courant :
Le gain statique en courant est relativement élevé. Considérons le
schéma de la figure 22 on a :
I c = I c1 + I c 2 avec Ic1 = 1.I B1 et Ic2 =  2 .I B 2
D’où I c = 1.I B1 +  2 .I B 2
Ou I c = 1.I B1 +  2 .( I c1 + I B1 )
I c = 1.I B1 +  2 .(1.I B1 + I B1 )  I c = (1 +  2 + 1. 2 ) I B1
Le gain du Darlington serait alors :  = 1 + 2 + 1.2

Pratiquement ce montage n’est jamais utilisé sous cette forme et
on lui adjoint des résistances R1 et R 2 pour stabiliser les courants de
fuites, résistances qui diminuent légèrement le gain.
Ic
T1
I C1
I B1 IC 2
IB I B2
VBE1 T2
R1
R2 VBE 2 Figure 1-23
F. NACERI Page 34
4- LE MOSFET DE PUISSANCE
La théorie sur les transistors à effet de champ (Field Effect
Transistor) a été conçue dans les années 1920 – 1930, soit 20 ans que
le transistor bipolaire fut inventé. A cette époque J. E. Lilienfeld
(USA) propose un modèle de transistor basé sur le contrôle du
courant par l’application d’un champ électrique. William Shockely
proposa un premier transistor JFET en 1952. Les premiers produits
industriels firent définitivement leur apparition dans les années 1970.
• LE MOSFET EN MODE INTERRUPTEUR.
Le transistor MOSFET est un interrupteur unidirectionnel en
tension et bidirectionnel en courant.
Figure 1-24. Représentation du MOSFET sur la forme d’un interrupteur
F. NACERI Page 35
• STRUCTURE DU MOSFET
On diqstingue trois types de structures :
Figure 1-25. Structure des MOSFET

• CAS PARTICULIER DU DMOSFET
La structure la plus répandue pour les MOSFET de puissance
utilisés en commutation est celle correspond au DMOSFET. Un
MOSFET de puissance est formé généralement d’un grand
nombre de cellules élémentaires mises en parallèle.
F. NACERI Page 36
Figure 1-26. (a) Représentation symbolique, b) Structure en nid

d’abeille
Le symbole usuel du MOSFET de puissance est représenté à la
figure 26 (a).
La figure 26 (b) représente une vue en coupe de deux cellules
voisines :
- l’embase métallique sur laquelle est posée la
pastille de silicium constitue le contact de drain D.
- La zone de contact avec l’embase est une zone du
type N appelée substrat. La partie N − faiblement
dopée sert à assurer la tenue en tension à l’état
F. NACERI Page 37
bloqué. La partie N + évite que l’épaisseur totale

ne soit excessive.
- A la surface du substrat ont été diffusés des îlots
de type P et dans ces îlots ont été diffusés des îlots
de type N + .
- Une première couche d’oxyde isole la
métallisation de grille G de la surface de la pastille
entre les îlots N + et le substrat.
- Une deuxième couche d’oxyde isole la
métallisation de grille de la métallisation de
source S qui relie entre elles les diverses cellules
élémentaires.
3-1 MODE DE FONCTIONNEMENT DU MOSFET
En électronique de puissance, le MOSFET est utilisé comme
élément de commutation et par conséquent présente deux états distincts.
3.1.1 Caractéristiques statiques :
• Caractéristique I D = f (VDS ,VGS ) .
Pour mesurer cette caractéristique on définit, à une valeur de

température de jonction initiale, les tensions VGS et VDS ainsi que
la durée de l’impulsion appliquée.
F. NACERI Page 38
Fig. 1-27 Caractéristique I D = f (VDS ,VGS , T j )
On peut voir que cette caractéristique est fortement dépendante

de la température de jonction. On voit que pour des tensions
VGS  6V , le coefficient en température est positif ce qui signifie
qu’une augmentation de température entraîne une augmentation

du courant dans la zone active . Cette situation n’est pas
favorable pur la mise en parallèle car la répartition des courants,
durant les commutations, n’est pas auto asservie.
3.1.2 Caractéristiques dynamiques :
Les caractéristiques dynamiques permettent l’estimation
des temps de commutation du MOSFET. Elles donnent
également des indications essentielles pour le dimensionnement
F. NACERI Page 39
de la commande. Dans le but d’être le plus clair possible, une

description de méthode de test est donnée pour les paramètres les
plus importants.
Figure 1-28 Caractéristiques dynamiques
F. NACERI Page 40
• Caractéristique de transfert I D = f (VGS )
Cette caractéristique n’a de signification que pour la région

active, c'est-à-dire lorsque le MOSFET fonctionne en source de
courant contrôlé en tension. Pour s’aasurer que nous nous
trouvons en région active, il faut respecter la condition suivante
sur la tension VDS
VDS  2I D .RDSON
La pente de cette courbe représente la transconductance. Cette
derniere est donnée par la relation :
 I 
g fs =  D 
 VGS VDS , I D
La transconductance est un paramètre important dans le calcul
des temps de commutation. Cette caractéristique est mesurée
pour des impulsions de tension Grille-Source de t p =10 s . Pour
de forts courants, l’augmentation de la température de jonction

durant la mesure (10 s ) provoque une diminution de la
transconductance. On remarque ce phénomène sur la figure 29.
−
 T 
g fs (T j ) = g fs(3000 K )  j   
avec Tj en 0 K
 300 
 2.3 pour une structure tench
Avec  = 
3/2 pour une structure CoolMos
F. NACERI Page 41
Figure 1-29 Caractéristique de transfert I D = f (VGS )
5- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Un IGBT est considéré comme l’association d’un transistor bipolaire
(BJT) piloté par un MOS dans une configuration pseudo-darlington.
Figure 30 donne le symbole et le schéma équivalent d’un IGBT.
On associe l’intérêt du MOS (vitesse de commutation, courant
crête, facilité de commande, aire de sécurité, … etc.) au
caractéristique d’un bipolaire bipolaire (V faible)
TON = 100ns, TOFF = 700ns
F. NACERI Page 42
C Résistance C
De grille
G
E Transistor
parasite
Résistance
G De corps
Figure 1-30 Transistor IGBT

Temps de blocage de l’IGBT :
TOFF = Tr + Tc + Tt
Tr = temps de retard (environ 100ns)

Tc = Temps de coupure (environ 10 ns)
Tt = traînage (blocage du bipolaire) environ 600 ns
F. NACERI Page 43
6- LE THYRISTOR BLOCABLE. GTO: (Gate

Turn Off)
A IA Zone thyristor
I
IA
Zone transistor
G
K Caractéristique V
Caractéristiques VAK idéalisée
statiques
Figure 1-31caractéristique statique

• Le GTO est un dispositif bistable quatre couches semi-
conductrices proche du thyristor, dont on peut
commander l’amorçage et le blocage par une électrode de
commande (gâchette).
• La possibilité de commander obtenue grâce à une inter
digitalisation très poussée entre grille et cathode.
• L’amorçage s’effectue comme celui d’un thyristor par
une impulsion de gâchette positive de quelques s .
• Le blocage s’effectue comme celui d’un transistor par
extraction d’un courant inverse de gachette sous une
tension de commande gachette –cathode négative entre -
10 et -50V.
F. NACERI Page 44
• Pour un blocage efficace, le courant inverse de gâchette

doit être important, de 20 0 0 à 100 0 0 du courant d’anode.
• La durée de ce courant inverse est de quelques dizaines

de s .
• La chute de tension à l’état passant est plus élevée que

pour un thyristor (2 à 4V). On peut la réduire et se
rapprocher ainsi de celle d’un transistor saturé en
envoyant pendant la durée de la conduction un courant de
gâchette.
• La forme optimale du courant de gâchette est donc très
proche de celle du courant base d’un transistor et les
circuits de commande d’un GTO et d’un transistor sont
similaires.
F. NACERI Page 45
• REFERENCES
1- Electronique & Composants,

World Electronic Industries, 2010-2015
2- Philipe Ferrari, ‘ Interrupteurs semi-conducteurs de puissance’
3- Mrac Corevon, ‘ Electronique de puissance’ cours complet
4- Cyril W. Lander, ‘ Electronique de puissance, Cours et exercices’
Ecole de génie électrique et électronique, Leicester Polytechnic,
Mc Graw Hill
F. NACERI Page 46
Chapitre II LES REDRESSEURS
__________________________________________________________
2-1 REDRESSEMENT NON COMMANDE
2-1-1 MONTAGE MONOPHASE SIMPLE ALTERNANCE
Considérons le montage représente par la figure 2-1 ou entre le

réseau alternatif et le récepteur est intercalé une seule soupape, le
récepteur est résistant, inductif et comporte une f.c.em E.
F. NACERI Page 47
En l’absence de conduction de la diode la différence de potentiel

coté réseau est v = Vm .sin t (pour simplifier on pose :  = t ) et la
différence de potentiel coté récepteur est uc = E' . On a donc aux bornes de
la diode une différence de potentiel u = v − uc . Il y aura conduction dés que
l’on aura u  0 soit v  uc la conduction commencera donc à partir d’un
angle  tel que VM . sin  0 = E ' . Cet angle  0 qui correspond à
0
l’amorçage naturel d’une diode, sans aucune intervention extérieure est

dit ‘angle de commutation naturelle’.
La diode, étant mise en conduction, un courant i va circuler dans

le sens anode cathode de la diode dans le récepteur. La forme de ce
courant dépend des caractéristiques du récepteur. C’est ce courant que
nous allons étudier maintenant en fonction des caractéristiques du
récepteur.
• L=0, R  0
Lors de la conduction, le courant est donné par la relation :
VM . sin  − E
VM . sin  = E + R.I d' ou i =
R
Ce courant à l’allure représentée par la figure 2.2, il s’annule en  −  0

et on a alors interruption de la conduction. Sa valeur moyenne est :
 − 0  − 0
1 VM . sin  − E
I =  i.d =  d
0 2  0
R
F. NACERI Page 48
• Figure 2-2 redressement monophasé L=0, R  0
I=
VM
cos( −  0 ) + cos 0  − E ( −  0 −  0 )
2R 2R
F. NACERI Page 49
VM E
I= cos  0 − ( − 2 0 )
R 2R
On peut également calculer la valeur moyenne de la tension redressée

aux bornes du récepteur.
1  0  − 0 2 
Uc =   E.d +  VM . sin  +  E.d 
2  0 0  − 0 
UC =
1
E ( + 2 0 ) + 2.VM cos  0 
2
Enfin dans le cas particulier d’une diode, et d’un récepteur purement

résistant c'est-à-dire E=0, on aurait :
VM V
I= et U c = m
R 
• L  0 , R=0
Lors de la conduction, le courant est alors donné par la relation :
di di
VM = E + L. ou VM . sin  = E + L..
dt d
Le courant correspond à un angle  quelconque est donc :

1
L. 0
i= (VM sin  − E )d
F. NACERI Page 50
Ou i=
VM
cos 0 − cos  − E ( 0 −  )
L. L.
di
Ce courant passe par un maximum pour = 0 soit pour un angle  tel
dt
que VM sin  = E , c'est-à-dire en  −  , Fig. 2-3.
F. NACERI Page 51
Figure 2-.3 redressement monophasé L  0 , R=0
Il décroît ensuite et s’annule pour un angle 1 tel que :
0=
VM
cos 0 − cos1  − E' (1 −  0 )
L. L.
F. NACERI Page 52
On peut écrire que l’on a en 1

1 1
L. 0
0= (VM sin  − E ' )d ou
1 1
 (V
0
M sin  − E ' )d =  (V
 −
M sin  − E ' )d
A partir de 1 , la tension aux bornes du récepteur est alors E’ et il faudra

attendre que l’on ait V  E ' . La valeur moyenne de la tension est :
1  0 1 2 
Uc =   E ' d +  VM sin  +  E ' d 
2  0 0 1 
2-1-2 MONTAGES MONOPHASES DOUBLE ALTERNANCE
2-1-2-1 Montage avec transformateur à point milieu
L’alimentation alternative constituée d’un transformateur dont le

secondaire doit avoir un point milieu accessible et qui constitue l’une
des bornes du réseau continu.
F. NACERI Page 53
Figure 2.4 Montage redresseur à prise médiane
• 1er cas L = 0, R  0 :
Le fonctionnement est comparable à celui que nous avons étudié

précédemment avec une seule diode mais on a un intervalle de
conduction au cours de chaque alternance. Fig.2.5
F. NACERI Page 54
Figure 2.5 ( L = 0, R  0)
F. NACERI Page 55
La valeur moyenne de la tension redressée est donnée par la

relation :
 − 0  + 0
1
Uc =
 

VM sin d + 
 
−
E ' d
0 0
Lors de la conduction on a :
VM sin  − E '
VM sin  = E '+ R.ic  ic =
R
2 eme cas L  0, R  0 :
Pendant la conduction le courant est donné par l’équation générale :
di
VM sin  = E '+ R.I + L
d
La solution de l’équation précédente donne :
− R
E' VM L
i = K .e L − + sin(  − ), avec tg =
R R 2 + L2 2 R
2-1-2-2 Pont monophasé :
Le montage que nous venons d’étudier présente l’inconvénient de

mal utiliser le transformateur dont chaque moitié du secondaire ne
travaille que la moitié du temps. Le montage en pont donne
également un redressement double alternance, il a l’avantage
d’utiliser mieux le transformateur (sans point milieu au secondaire)
mais a l’inconvénient de nécessiter quatre diodes.
F. NACERI Page 56
Figure 2.6 redresseur en pont de Greatz
Nous supposerons que l’inductance du récepteur est suffisamment

grande pour que l’ondulation du courant puisse être considérée
comme négligeable. Cela revient à dire que le courant ic est égal à sa
valeur moyenne Ic.
Lorsqu’il y’a conduction de S1, le courant ic revient au transformateur
par S2. Inversement lorsque c’est S’1 qui conduit ic, revient au
transformateur par S’2. On peut donc caractériser de la façon
suivante le fonctionnement de ce dispositif.
F. NACERI Page 57
Figure 2.7
F. NACERI Page 58
• Conduction par S1 et S2
i = i S 1 − i S 2 = ic u1 = u 2 = 0 u'1 = u' 2 = −v et uc = v
• Conduction par S’1 et S’2
i = iS '1 − iS '2 = ic u'1 = u' 2 = 0 u1 = u 2 = v et u c = −v
L’alternance de conduction entre S1 et S2 et S’1 et S’2 s’effectue à  .
F. NACERI Page 59
2-1-3 MONTAGES TRIPHASES
On n’étudiera dans cette partie que l’allure des tensions obtenues au

moyen de montages redresseurs triphasés. Puis on déduira les formules
générales pour les systèmes de tension polyphasés. Les diodes sont
supposées parfaites et le courant à la sortie du montage redresseur
continu (charge fortement inductive). On supposera également
négligeable l’inductance ramenée au secondaire du transformateur.
La figure 2-8 représente le montage P3, avec le commutateur à trois
diodes. Seul le secondaire en étoile du transformateur est représenté.
v1
v D1
v2
i D1 D1
M
D2
v3
ud
D3
Figure 2_8 Redresseur triphasé simple alternance. Montage Parallèle P3
Seule la diode dont l’anode est au plus haut potentiel peut conduire.
Supposons qu’à un instant donné, v1 est la tension la plus élevée. Si la
diode D2 conduit ( v D 2 = 0, u d = v2 ) , D1 se trouve sous la tension :
v D1 = v1 − u d = v1 − v2  0 et devient passante,
On a lors : vD1 = O et vD2 = v2 − v1 0
Donc la diode D2 se bloque. On a donc :
u d = v1 quand v1  v2 et v3
F. NACERI Page 60
On obtient le graphe de la figure 2-9.
D1 1 0 0 1
D2 0 1 0 0
D3 0 0 1 0
ud v1 v2 v3 v1
v D1 0 u12 u13 0
Figure 2-9 tension redressée
F. NACERI Page 61
Ainsi chaque diode conduit pendant un tiers de période. On a

représenté dans le tableau sous le graphe les intervalles de conduction
des diodes (0 : diode bloquée ; 1 : diode passante) ainsi les expressions
des tensions u d et v D1 .
v D1 = v1 − u d
Soit v D1 = 0 lorsque D1 conduit
vD1 = v1 − v2 lorsque D2 conduit
v D1 = v1 − v3 lorsque D3 conduit
2-1-3-1 Etude de la tension redressée :
La tension redressée u d est périodique de période T (T ) .

3 p
Entre -T/6 (-T/2p) et +T/6(+T/2p), cette tension s’exprime par :
u d = U dM cos t
Avec U dM = V 2 , V étant la valeur efficace des tensions simples.
• Valeur moyenne :
On note U di 0 la valeur moyenne de u d (t ) dans le cas idéal envisagé

(indices : i pour idéal (Id = Cte) ; 0 pour moyenne ; d pour
disponible).
+T / 6
1 sin(  / 3)
On calcule : U di0 = 
T / 3 −T / 6
u d .dt = U dM
 /3
= 0.83U dM
+T / 2 p
1 sin(  / p)
Dans le cas général : U di0 = 
T / p −T / 2 p
u d .dt = U dM
/p
F. NACERI Page 62
• Valeur efficace :
On calcule :
+T / 6
1 U sin( 2 / 3)
: U dieff =  u d2 .dt = dM 1 +
T / 3 −T / 6 2 2 / 3
= 0.84U dM
Dans le cas général :
+T / 2 p
1 U dM sin( 2 / p)
U dieff =  = 1+
2
u .dt
2 / p
d
T / p −T / 2 p 2
• Facteur de forme :
sin( 2 / 3)
1+
U dieff 1 2 / 3
F= = = 1.02
U di0 2 sin(  / 3)
 /3
sin( 2 / p )
1+
U dieff 1 2 / p
Dans le cas général : F = =
U di 0 2 sin(  / p )
/p
Pour un système monophasé et un redressement simple alternance ;
le facteur de forme est égal à  / 2 = 1.57
• Etude des courants :
- Courants dans la charge :
Ce courant est constant par hypothèse (charge fortement

inductive).
F. NACERI Page 63
Le montage de la figure 2-8 présente à chaque instant une diode

susceptible d’être passante. L’hypothèse d’avoir Id constant est donc
réaliste.
- Courant dans une diode :
Le courant dans les diodes est égal à Id lorsque la diode

considérée est passante. Il est égal à 0 si la diode est bloquée.
Chaque diode est donc parcourue par un courant d’intensité Id
pendant une fraction 1/q de la période T des tensions d’alimentation.
L’intensité i D1 du courant D1 évolue comme l’indique la figure 2-10.
Id
i D1
Id
i D1 iD 2
iD 2 T / 2q T
T / 2q 3T / 2q
Figure 2-10 Courant dans une diode
On en déduit aisément les valeurs moyenne et efficace du courant

dans une diode pour q=3 :
+T / 6 +T / 6
1 Id 1 I
I Di0 = 
T −T / 6
I d dt =
3
et I Dieff =  I d2 dt = d
T −T / 6 3
F. NACERI Page 64
+T / 2 q +T / 2 q
1 I 1 Id
=  I d dt = d et I Dieff = I dt =
2
I Di 0 d
T −T / 2 q
q T −T / 2 q
q
- Courant dans les enroulements secondaires du

transformateur
Le courant dans un enroulement secondaire est identique au courant

passant dans la diode qui lui est connecté. D’où les valeurs
caractéristiques de son intensité I s :
Id I
I si0 = I Di 0 = et I sieff = I Dieff = d
q q
• Tension inverse maximale aux bornes d’une diode :
Le choix des composants d’un montage redresseur nécessite la

connaissance de la valeur maximale de la tension inverse appliquée à
chaque diode.
Si on note V la valeur efficace des tensions secondaires simples,
la valeur maximale de la tension inverse supportée par D1 vaut :
U iM = Max(v1 − v3 ) = Max(v1 − v2 ) = U 2 = 3V . 2 = V 6
U est la valeur efficace des tensions composées secondaires.

On exprime ces grandeurs en fonction de la valeur moyenne de la
tension redressée.
U dM sin(  ) =
3 3 2 3 2 3
U di 0 = V sin(  / 3) = V
 3  2
F. NACERI Page 65
2
D’où : U iM = U di0 = 2.10U di0
3

- pour q impair : U iM = 2V 2 cos
2q
- pour q pair : U iM = 2V 2
2-1-4 Redressement parallèle double ou en pont.
La figure 2-11 représente le redresseur PD3. seul le secondaire

du transformateur est représenté.
Ce montage est à comparer au pont de Graetz en monophasé et à
ce titre il peut également être appelé triphasé double alternance.
v1
Id
v D1
D1 D2 D3
v2
u12 u
31
u 23 ud
v3
D1 ’ D' 2 D' 3
Figure 2-11 redresseur PD3
Le secondaire du transformateur est couplé en étoile et connecté

à deux groupes de diodes : un commutateur à cathode commune comme
F. NACERI Page 66
( D1, D2, D3) et un commutateur commune (D’1, D’2, D’3). L’existence

d’un courant continu dans la charge exige la conduction de deux diodes
à tout instant, une de chaque commutateur.
La règle pour déterminer les diodes passantes est la même que le
montage triphasé simple.
• Pour le commutateur à cathode commune, la diode dont l’anode
est au potentiel le plus élevé conduit, d’où la dénomination
‘+positif’.
• Pour le commutateur à anode commune, la diode dont la cathode
est au potentiel négatif le plus faible conduit, d’où la
dénomination ‘-négatif’.
Donc :
- Lorsque v1  v3  v2 , D1 et D’2 conduisent : u d = v1 − v2 ;
Chaque diode conduit ainsi pendant un tiers de période.

Sur la figure 2-12, on a représenté l’allure de la tension redressée
u d ainsi que la tension aux bornes de la diode D1(v D1 )
F. NACERI Page 67
D1
1 0 0 0 0 1
D2
D3
0 1 1 0 0 0
D’1 0 0 0 1 1 0
D’2 0 0 0 0 1 1
D’3 0 0
1 1 0 0
ud U13 U23 U21 U23 U32 U12
v D1 0 U12 U12 U13 U13 0
Fig. 2.12
F. NACERI Page 68
2-1-4-1 Etude de la tension redressée :
La tension redressée u d est périodique de période T (T ) .

6 p
Entre 0 et +T/6(+T/p), cette tension s’exprime par :
u d = U dM cos t
Avec U dM = U 2 , U étant la valeur efficace des tensions
composées.
• Valeur moyenne :
+T / 12
1 sin(  / 6)
On calcule : U di0 = 
T / 6 −T / 12
u d .dt = U dM
 /6
= 0.95U dM
• Valeur efficace
+T / 12
1 U dM sin( 2 / 6)
U dieff =  = 1+ = 0.94U dM
2
u .dt
2 / 6
d
T / 6 −T / 12 2
• Facteur de forme
sin( 2 / 6)
1+
U dieff 1 2 / 6
F= = = 1.0009
U di0 2 sin(  / 6)
 /6
Ce résultat montre clairement que la forme de la tension redressée

est plus proche du continu. (F = 1.0009).
F. NACERI Page 69
2-1-4-2 Etude des courants :

• Etude dans une diode
Chaque diode conduit pendant T/3, on obtient :
+T / 3 +T / 3
1 Id 1 I
I fi0 =
T 
0
I d dt =
3
et I fieff =
T 0 I d2 dt = d
3
Dans le cas général
Id I
I fi0 = , I fieff =
3 q
2-1-5 chutes de tension inductives dues à la commutation des

diodes : Phénomène d’empiétement :
Les enroulements primaires et secondaires du transformateur

présentent des inductances de fuites, en conséquence l’intensité du
courant ne peut varier de façon discontinue dans ces éléments et la
commutation des diodes ne peut être instantanée. L’intensité du
courant dans la diode qui s’éteint ne peut passer instantanément de Id à
0 tandis que celle de la diode qui s’enclenche passe de 0 à
F. NACERI Page 70
I
v1
v D1
v2
iF1 D1
M
D2
v3
ud
D3
Fig.2.13 commutation des diodes
F. NACERI Page 71
Nous allons considérer la commutation entre deux diodes.

L’intensité Id du courant est constante et nommons l l’inductance totale
de fuites .
- A l’instant t0 ou v1(t)=v2(t) les diodes commutent : iF2 prend la
valeur Id à l’instant t 0 +  l’intensité iF1 dans D1 est passée de Id
à l’instant t0 à 0.
- A l’instant t 0 +  . Pendant la durée  les deux diodes sont
simultanément conductrices ; c’est le phénomène
d’Empiétement ( la diode D1 reste enclenchée au delà de la
limite idéale de conduction et empiète sur la région de
conduction de D2.
- Pendant la durée d’empiétement le tension redressée doit
satisfaire :
di di
U d = v1 − l.(i F 1 ) = v 2 − l. (i F 2 )
dt dt
Le courant de charge est supposé d’intensité constante, ce qui impose :
d d
i F 1 + i F 2 = I d = cons tan te; (i F 1 ) + (i F 2 ) = 0
dt dt
D’où :
di di v + v2
U d = v1 − l. (i F1 ) = v2 + l. (i F 2 ) = 1
dt dt 2
Pendant la durée de l’empiétement la tension redressée vaut donc

v1 + v2
au lieu de v2. Au déla de l’instant t 0 +  , on a :
2
d
i F 1 = 0, i F 2 = I d = cons tan te; U d = v 2 − l (i F 2 ) = v 2
dt
L’empiétement se traduit donc par une chute de tension instantanée :
v1 + v2 v −v
U d = U di − U d = v2 − ( )= 2 1
2 2
F. NACERI Page 72
Et on peut exprimer la tension redressée durant l’empiétement par :
v2 − v1
U d = U di − U d = v2 − ( )
2
Si le commutateur comprend q diodes, la période de Ud est égale à T/q et

la valeur moyenne de Ud vaut :
t +
1  
t 0 +T / q
v −v
Ud0 =   (v 2 − 2 1 dt +  v 2 dt 
T / q  t0 2 t 0 + 
t + Tq t 0 +

q  q v − v 
Ud0 =   (v 2 dt -  2 1 dt 
T  t0 T t0 2 
 
On peut calculer la chute de tension moyenne U d

Pendant la commutation :
di
v 2 = U d + l. (i F 2 )
dt
di di
v1 = U d + l. (i F 1 ) = U d − l. (i F 2 )
dt dt
v2 − v1 d
D’où : U d = ( ) = l. (i F 2 )
2 dt
t 0 + t0 +
v2 − v1
I
q q d q d q
Et U d =
T 
t0
(
2
)dt =
T 
t0
l.
dt
(i F 2 )dt =  l.di F 2 = l.I d
T 0 T
F. NACERI Page 73
2-1-5-1 Calcul de la durée  de l’empiétement en fonction de l, w et U
U est la valeur efficace de la tension composée appliquée entre les anodes de deux
diodes qui commutent.
Les relations
di di di
U d = v1 − l. (i F1 ) = v2 − l. (i F 2 ) = v1 + l F 2
dt dt dt
Impliquent :
di F 2
2l = v2 − v1 = u 21 = U 2 sin(  (t − t 0 ))
dt
D’où
−U 2
iF 2 = cos( (t − t 0 )) + c te
2l
A L’instant t=t0 , début de la commutation, l’intensité iF2 est nulle, ce qui
permet de déterminer la constante d’intégration :
U 2
C te =
2l
D’où :
U 2
iF 2 = (1 − cos( (t − t 0 )))
2l
L’instant t 0 +  définit la fin de l’empiétement à laquelle iF2 prend la
valeur Id Donc :
U 2
id == (1 − cos( ))
2l
1 2l
T 2l
D’où : = ArcCos(1 − Id ) =
ArcCos(1 − Is )
 U 2 2 U
La durée de l’empiétement est donc d’autant plus grande que l’intensité
du courant à commuter est importante et que l’inductance de fuite est
plus élevée.
F. NACERI Page 74
2-2 REDRESSEMENT COMMANDE
On nomme redresseur commandé un montage redresseur dont une partie

des diodes à été remplacée par un ensemble équivalent de thyristors.
2-2-1 Redressement monophasé simple alternance
• L=0, R  0
Lors de la conduction, le courant est donné par la relation :
VM . sin  − E
VM . sin  = E + R.I d' ou i =
R
Ce courant à l’allure représentée par la figure 2.14, il s’annule en  −  0

et on a alors interruption de la conduction. Sa valeur moyenne est :
 − 0  − 0
1 VM . sin  − E
I =  i.d =  d
 0 +
2  
0+
R
I=
VM
cos(0 +  ) + cos0  − E ( − 20 −  )
2R 2R
La valeur moyenne de la tension est :
1  0 +  − 0 2 
Uc =   E .d +  V . sin  +  E.d 
2
M
 0  0 +  − 0 
UC =
1
E ( + 20 +  ) + .VM cos(0 +  ) + cos0 
2
F. NACERI Page 75
•
Figure 2.14 redressement monophasé commandé
• L=0, R  0
F. NACERI Page 76
• L  0, R = 0
Lors de la conduction le courant est donné par la relation :
di di
VM = E + L. ou VM . sin  = E + L..
dt d

1
L.  0+
i= (VM sin  − E )d
i=
VM
cos(0 +  − cos  − E ( − 0 −  )
L. L.
On peut calculer la valeur moyenne de la tension :
1  0 + 1 2 
Uc =   E.d +  VM .sin  +  E.d 
2  0  0 + 1 
F. NACERI Page 77
Fig. 2.15 redressement commandé pour L  0 , R = 0
F. NACERI Page 78
2-2-2 MONTAGES MONOPHASES DOUBLE ALTERNANCE

• Montage avec transformateur à point milieu
• L=0, R  0
Le fonctionnement est comparable à celui que nous avons étudié pour le

cas du montage à diodes.
Dans le cas du thyristor la valeur moyenne de la tension redressée est
donnée par la relation :
 − 0  + 0 + 
1
  + 
Uc = VM sin d + E ' d
0  
− 0
Lors de la conduction on :
VM sin  − E '
VM sin  = E '+ R.ic  ic =
R
Fig. 2.16 Montage avec transformateur à prise médiane
F. NACERI Page 79
Fig. 2.17 redressement commandé double alternance

• L=0, R  0
F. NACERI Page 80
• L  0, R = 0
• Fig. 2. 18 redressement commandé L  0 , R = 0

La valeur moyenne de la tension est :
 +
1 2
uc =  (VM sin d ) = VM .cos
 

F. NACERI Page 81
Le courant i à travers S donné par la relation :

di
VM sin  = E '+ L
d
Est encore maximum pour VM sin  = E' , puis il décroit et s’annule en θ1
Tel que :
1
 (VM sin  − E ' )d = 0
 − 0 1
Ou  (V

M sin  − E ' )d = 0 = -  (V
 − 0
M sin  − E ' )d
Ce qui correspond à l’égalité des aires comprises entre la sinusoïde et la

droite E’, de part et d’autre de π-θ0.
- Si, lors de la commande de S’, le courant i à travers S n’est pas
encore nul, soit θ1>π + α, la conduction est continue et le courant
i’ prend la suite de i figure 2.19 b.
- Si, lors de la commande de S’, le courant i s’est déjà annulé en

θ1, θ1 < π + α, il y a eu alors extinction de S et la tension est
remontée à E’. De θ1 à π + α la conduction est interrompue. Elle
reprendra seulement en π + α lors de la commande de S’. On dit
que la conduction est discontinue. Figure 2.19 c.
F. NACERI Page 82
- Si le courant i à travers S s’annule juste lors de la commande de

S’, θ1 = π + α, on est alors à la limite de la conduction continue
Fig. 2.19 a.
Fig. 2. 19 – c -
Lorsque la conduction est continue figure 2.19 b le courant est maximum

en π – θ0 est minimum en π + α.
VM E'
i max = cos( −  0 ) − ( −  0 ) + K
L. l.
VM E'
i min = − cos( +  ) − ( +  ) + K
L. l.
On peut donc calculer l’ondulation : ∆i = imax - imin
1
i = [VM (cos( +  ) − cos( −  0 )) + E ' ( +  −  +  0 )]
L.
1
i = [VM (cos  0 − cos  ) + E ' ( +  0 )]
L.
On dit que l’inductance a un effet de lissage du courant.
F. NACERI Page 83
• R  0, L  0
Pendant la conduction le courant est donné par l’équation générale :
di
VM sin  = E '+ R.i + L
d
di
Ou R.i + L = VM sin  − E ' dont l’intégrale est :
d
− R
E' VM
i = K .e L − + sin(  −  )
R R 2 + L2 . 2
L
avec tg = , posons Z = R 2 + L2 . 2
R
Si comptons encore le retard à l’amorcage α à partir du zéro de la
sinusoïde de tension v, la limite de la conduction continue est
caractérisée par un courant nul pour les angles α et π + α soit :
− R
E ' VM
i ( ) = 0 = K .e L − + sin(  −  )
R Z
D’où
R
 E' V 
K =  − M sin(  −  ).e L
R Z 
− R ( +  )
E ' VM
i ( +  ) = 0 = K .e L
− + sin(  +  −  )
R Z
R
 E' V  E' V
0 =  − M sin(  −  ).e L − + M sin(  +  −  )
R Z  R Z
−R −R
E ' L. V
.(e − 1) = M sin(  −  )(e L + 1)
R Z
Il n’est pas nécessaire, pour avoir une tension variable, d’utiliser 4

thyristors, on peut utiliser 2 diodes et 2 thyristors.(Pont mixte)
F. NACERI Page 84
• Pont Monophasé
Le montage à prise médiane présente l’inconvénient de mal utiliser

le transformateur dont chaque moitié du secondaire ne travaille que
la moitié du temps. Le montage en pont donne également un
redressement double alternance, il a l’avantage d’utiliser mieux le
transformateur sans point milieu mais a l’inconvénient de nécessiter
quatre soupapes.
ic
u1 S1 S’1 u’1
u’2 S’2 S2 u2
Fig. 2.20 Pont monophasé
Nous supposerons que l’inductance et suffisamment grande pour que

l’ondulation du courant puisse être considérée comme négligeable.
Cela veut à dire que le courant ic est égal à sa valeur moyenne Ic ;
Lorsqu’il y a conduction de S1, le courant ic revient au

transformateur par S2, inversement lorsque c’est S’1 qui conduit, ic
revient au transformateur par S’2.
- Conduction par S1 et S2
i = iS1 = iS2 = ic u1 = u2 = 0 u’1 = u’2 = -v et uc = v
- Conduction par S’1 et S’2
i = iS’1 = iS’2 = ic u’1 = u’2 = 0 u1 = u2 = v et uc =- v
L’allure de la tension et du courant sont représentés par la figure 2.21
F. NACERI Page 85
Figure 2.21 Redressement bialternance
F. NACERI Page 86
2-2-3 REDRESSEMENT TRIPHASE SIMPLE P3 :
Pour cette étude, nous supposerons que les thyristors sont parfaits (pas
de chute de tension aux bornes lors du fonctionnement enclenché) ainsi
que le transformateur d’alimentation (pas d’inductance de fuites, d’où
commutation instantanée). Pour le cas d’une charge inductive nous
considérons le courant id soit ininterrompu et d’intensité constante Id.
Etudions le fonctionnement d’un montage P3 tout thyristors dont les
composants sont commandés à la fermeture avec un retard angulaire
sur l’amorçage naturel (commutation naturelle de diodes remplaçant les
thyristors).
Id
VT1
Ud
V1 v2 v3
Fig 2.20 Redresseur triphasé commandé P3
- Au déla de l’instant t0 la tension v1(t) devient supérieure à v2 et v3

et le thyristor T1 est polarisé en direct (vT1= u13 >0 car T3 est
conducteur) ; il est donc susceptible d’etre enclenché par un
signal de commande : t0 est l’instant d’amorcage naturel . Tant
que T1 ne recoit pas d’impulsionde commande le thyristor T3
reste conducteur (puisaque la charge impose un courant
ininterrompu) et :
Ud = v3, iT1 = 0, vT1 = u13
F. NACERI Page 87
- La commande de la fermeture de T1 arrive à l’instant t1 = t0 + t

(soit avec un retard angulaire ). Le thyristor est polarisé sous
tension directe positive si u13 >0 ;
Le retard à l’amoracage est inférieur à .
Alors T1 s’enclenche : ud = v1 , vT1 = 0, et le redresseur
commandé T3 qui conduisait se trouve sous tension négative (vT3
= u31<0) et se bloque ; d’où iT1 = Id.
- L’élement T1 reste enclenché tant que T2 n’est pas commandé,

c'est-à-dire à l’instant t2 = t1 + T/q (q=3 dans le cas de P3) . Au
déla de t2 on a :
Ud = v2, vT1 = u12 et iT1 =0
D’où les courbes ud(t), vT1(t) et iT1(t) établis à la figure 2.

On voit que, dans le cas d’une commutation instantanée, il n’y a
toujours qu’un composant redresseur enclenché et que la tension
continue ud(t) est formé de q portions de sinusoides.
On remarque aussi :
1- La tension aux bornes d’un composant est formée de portions

des tensions composées à redresser ; mais, en redressement
commandé, les thyristors doivent supporter une tension
directe à l’état bloqué.
2- L’intensité du courant dans l’élement redresseur vaut Id
pendant T/q.
F. NACERI Page 88
Fig. 2.21 Redresseur Triphasé simple
2-2-4 REDRESSEMENT TRIPHASE DOUBLE PD3 :
Dans le cas triphasé PD3 l’allure des résultats ne dépend pas du

couplage secondaire du transformateur.
On constate que ud(t) comporte toujours 2q = 6 portions de sinusoides et
que chaque thyristor est traversé par Id pendant T/q = T/3.
F. NACERI Page 89
Id
T1 T2 T3
u12 u31 ud
u23
T’1 T’2 T’3
Fig. 2.22 redresseur triphasé double
F. NACERI Page 90
- Valeur moyenne de la tension :

-
On vient de voir que la tension ud(t) est composé de p portions de
sinusoides (déphasées entre elles de 2 /p) par période des
tensions alternatives. Un choix judicieux de l’origine des temps
permet d’exprimer ud sous la forme : ud = UdM.cos
Entre les instants t1 et t2 tels que :
t1 = t0 + t = -T/2p +
t2 = t1 + T/p = T/2p +
Fig. 2.23
D’où la valeur moyenne de la tension ud :
Udi =
F. NACERI Page 91
2-2-5 EMPIETEMENT EN COMMUTATION

CHUTE DE TENION EN CHARGE
Si on considere le cas simple d’une commutation parallele

entre deux thyristors T1 et T2, il ya empiétement entre les instants
t1(ou T2 recoit l’impulsion de commande) et t’1 (ou T1 se
bloque). Pendant ce temps, la tension continue délivrée par le
redresseur vaut :
di di di
U d = v1 − l. (iT 1 ) = v2 − l. (iT 2 ) = v1 + l T 2 =
dt dt dt
v1 + v2
=
2
D’où l’allure de la figure réprésenté sur la figure 2.24
Fig. 2.24 phénomène d’empiétement
F. NACERI Page 92
La tension ud subit donc une chute instantanée, due à l’empiétement,

d’amplitude :
d d v −v
U d = U di − U d = v2 − (v2 − l. (iT 2 ) = l. (iT 2 ) = 2 1
dt dt 2
On en déduit la valeur moyenne de la tension en charge :
1 1 
t1 +T / p
v2 − v1
t' t'
p 1
T / p  t1
Ud =  (v 2 − dt +  v2 dt  = U di −  u .dt
2 t '1  T t1
La chute de tension moyenne s’exprime par :
p.l.I d
t' I
p 1 d p.l d p.l.I d
U d =  l. (iT 2 ).dt =  diT 2 = =
T t1 dt T 0 T 2
On pourrait aussi calculer la durée t’1 – t1 de la commutation
2.l
 (t '1 −t1 ) = Arc cos(cos  − .I d ) − 
U 2
F. NACERI Page 93
Fig. 2.25 redressement triphasé double
La figure 2.25 montre ce que deviennent la tension ud(t), la d.d.p

vT1(t) et l’intensité du courant dans un thyristor lorsqu’on tient compte
de l’empiétement, pour un montage triphasé en pont (PD3).
F. NACERI Page 94
2-2-6 MONTAGES REDRESSEURS A CONDUCTION

INTERROMPUE
Nous avons supposé auparavant le redresseur débitant un courant

ininterrompu dans la charge, mais certaines charges ne permettent pas un
tel fonctionnement ; citons :
- Les charges purement passives (résistances) ou ud ne peut
devenir négative que si Id change de sens.
- Les charges inductives (et éventuellement les moteurs à courant
continu) aux bornes desquelles on a disposé d’une diode de roue
libre destinée à protéger les thyristors contre les surtensions.
Fig. 2.26 tension de charge – conduction interrompue
L’instant t0 d’amorçage naturel de T1 est défini par :
T0= -T/2p
F. NACERI Page 95
Le thyristor T1 est enclenché à l’instant :

t1= t0+∆t=-T/2p+α/ω
et la tension ud est alors égale à v1 (on néglige l’empietementà, on

devrait avoir ud = v1 pendant T/p, c'est-à-dire jusqu’à l’instant
t1= t0+T/p= T/2p+α/ω
La valeur moyenne de la tension ud vaut alors :
T /4 T /4 T /4
. cos t.dt = ( p / T ).Ud M sin t 

1
U di  =
T/p  v .dt = p / T  U
t1
1
t1
dM
t1
U di  = ( p / 2 ).U dM .1 − sin(  −  / p)
F. NACERI Page 96
• REFERENCES
1- Cours d’Electronique industrielle. Hacheurs et Onduleurs

Autonomes.
Par une équipe d’enseignants de la filière Electrotechnique.
Institut National Polytechnique de Grenoble.
2- Guy Seguier, ‘ Les convertisseurs de l’Electronique de puissance
Tome 3.
3- J.L Dalmasso, Cours d’Electrotechnique. Traitement de l’Energie
Electrique.( Convertisseurs statiques).
4- Hasnaoui Othman, ‘Electronique de puissance’.
F. NACERI Page 97
Chapitre III LES HACHEURS
__________________________________________________________
3-1 GENERALITES
3-1-1 Définition :
Les hacheurs sont des convertisseurs directs du type continu-

continu. Leur utilisation permet la conversion et le traitement de
l’énergie électrique dans les structures ou n’apparaissent que des sources
d’énergie à courant continu avec une souplesse et un rendement
qu’étaient loin d’avoir les contrôles du type rhéostatique.
3-1-2 Principe :
Le principe du hacheur est basé sur l’ouverture et la fermeture

régulière d’un interrupteur statique (thyristor ou transistor) faisant partie
d’un circuit électronique généralement simple placé entre l’entrée et la
sortie. Le réglage relatif des temps d’ouverture et de fermeture de
l’interrupteur permet le contrôle de l’échange d’énergie.
F. NACERI Page 98
3- 2 - Hacheur série (Buck)
C’est le montage le plus simple et le plus ancien. On dit qu’il

s’agit d’un hacheur à un bras. Il permet de relier une entrée de type ‘v’
(qui n’a pas de discontinuité de tension) a une sortie de type ‘ i ‘ (qui n’a
pas de discontinuité de courant). C’est un hacheur ‘Un quadrant’ qui n’a
aucune réversibilité. L’énergie ne peut circuler que de l’entrée vers la
sortie. Il ne comprend qu’un seul interrupteur commande et une diode de
roue libre.
Cependant ce transfert est réglable. Le paramètre de réglage est

le rapport cyclique de la commande de l’interrupteur. Nous allons
voir que ce hacheur est
de type abaisseur, la tension de sortie étant toujours inferieure a la
tension d’entrée.
Historiquement, il s’agissait de hacheurs dits « de traction » qui

permettaient de régler la vitesse des moteurs à courant continu de trains.
L’interrupteur fonctionne périodiquement. La période de « hachage » est

notée T et f la fréquence correspondante. Il est fermé de t= 0 à t = αT et
ouvert de t = αT à T. (α est le rapport cyclique).
i1
K
vL
iK i L
E1 iD
D v E2
Figure 3-1 Hacheur série
F. NACERI Page 99
Lorsque l’interrupteur est fermé, l’entrée est directement reliée à la

sortie. Lorsqu’il est ouvert, entrée et sorties fonctionnent
indépendamment. L’entrée est ouverte, la sortie est en court-circuit grâce
à la diode de roue libre qui assure la continuité du courant de
l’inductance.
Nous allons faire l’étude successive de ces deux régimes de
fonctionnement.
On commencera par le régime DNI (débit non interrompu), puis nous
étudierons le régime DI (débit interrompu).
a- Débit non Interrompu dans la bobine :
Phase active : 0 < t < αT K fermé

Si K fermé, alors v=E1 >0 donc D bloquée
Roue libre : αT < t < T K ouvert

Si K ouvert mais iL≠0, alors D passante ; donc v=0
vL
VL
v
E1 E2 v
Figure 3-2 Fonctionnement du hacheur série

v
0 αT T t
Calculons la valeur moyenne de vD :
F. NACERI Page 100

VDmoy=
La loi des mailles donne par ailleurs : v= vL + E2
Si nous calculons de nouveau la moyenne de vD, en considérant que la

moyenne d’une somme est la somme des moyennes et que la moyenne
d’une constante est égale à cette constante alors :
(v)moy =(vL+E2)moy = (vL)moy+(E2)moy
Vmoy=(vL)moy+E2=0+E2
La valeur moyenne de la tension aux bornes d’une bobine étant toujours

nulle en régime périodique, en identifiant les résultats nous avons :
E2 = α.E1
Comme α est réglable entre 0 et 1, la tension de sortie devient réglable

entre 0 et E1.
Le montage est abaisseur de tension.
Déterminons l’allure de vL afin de calculer le courant dans la bobine.
Dans la phase active vL = E1 –E2 = (1 – α)E1
C’est une constante positive. Le courant croit linéairement avec une

pente [(1-α)E1]/L
En notant I0 la valeur de iL à t=0 le courant sera régit par :
+ .t
A la fin de cette phase il atteint la valeur Iα
F. NACERI Page 101

Dans la phase de roue libre vL = -E2= -αE1
C’est une constante négative. Le courant décroit linéairement ave une

pente (-α.E1)/L. A la fin de cette phase il reprend la valeur I0.
VL
vL
(1-α)E Iα
IO
0 αT T
-αE
Figure 3-3 Allures de la tension et du courant dans L
Le courant dans la bobine fluctue entre I0 et Iα l’ondulation de courant

vaut donc :
αT
Elle est nulle lorsque α vaut 0 ou 1 et elle est maximale lorsque α=0.5,
ainsi :
F. NACERI Page 102

Les chronogrammes des divers courants dans le montage s’obtiennent

simplement ( la loi des nœuds) en entrée donnant : iL=i1 + iD
Iα iL
I0
0 αT T
I1 Iα
I0
0 αT T
ID Iα
I0
0 αT T
Figure 3-4 Allures des différents courants
Plus le courant d’utilisation IL est important plus Iα et I0 augmentent, par

contre l’écart , entre ces deux valeurs reste constant.
On peur calculer facilement I0 et Iα en notant que ILmoy= (1/2) (I0+Iα)
donc :
I0= LLmoy – (1/2). IL et Iα = ILmoy + (1/2). IL
b- Débit interrompu dans la bobine
- Phase active : K fermé

- Si K fermé , alors v=E1 0, donc D Bloquée
F. NACERI Page 103

- Roue libre : K ouvert
Si K ouvert mais iL≠0, alors D passante, donc v=0.
- Repos : K ouvert
Si K ouvert et iL =0= cte, alors D bloquée, et puisque iL =cte alors vL
=0 et v = E2.
v
E1
E2
t
0 αT βT T 2T
(E-VS) vL
Iα IL
0 αT βT T
Figure 3-5 conduction interrompue
Calculons les valeurs moyennes :
F. NACERI Page 104

(1)
(2)
En ordonnant l’équation (1), on obtient :
3- 3 - Hacheur parallèle (Boost)
VL D
I1 iD is
E1 K C + ic vs
- Rc
iK
Figure 3-6 Hacheur parallèle
Le montage possède deux régimes de fonctionnement suivant

que le courant s’interrompt ou non dans la bobine.
La période doit être donc décomposée en deux (ou trois) phases
successives :
- Phase d’accumulation : l’interrupteur est fermé, la tension
v est nulle et la diode D bloquée. C’est C qui assure le courant
d’utilisation. La bobine est soumise à vL = E
F. NACERI Page 105

- Phase active, l’interrupteur est ouvert, le courant dans la

bobine n’est pas nul, la diode D est donc passante.
De ce fait v= VS et vL= E - Vs
Si l’énergie stockée dans la bobine lors de la première phase n’est pas
suffisante pour maintenir le courant jusqu’à la fin de la période, il ya
une troisième phase dite phase de repos.
L’interrupteur est ouvert, la diode bloquée. Tous les courants sont nuls
à l’exception de is qui vaut –iC (c’est C qui assure à nouveau le
courant).
vL
E
Iα IL
I0
0 αT T 2T
(E-Vs)
Figure 3-7
Pour obtenir la valeur de VS il suffit d’exprimer que (vL)moy doit être

nulle, ainsi :
Ce qui donne en ordonnant :
La tension de sortie est supérieure à la tension d’entrée (elle tend même

vers l’infini lorsque α tend vers 1).
F. NACERI Page 106

IL
Iα
I0
0 αT T
iK
Iα
I0
0 αT T
iD
Iα
is
I0
0 αT T
Figure 3-8 Allures des différents courants
F. NACERI Page 107

3-4 – HACHEURS REVERSIBLES
Un hacheur est réversible s’il permet de commander le transfert

d’énergie dans les deux sens.
- 3-4-1 Hacheur réversible en courant :
Si on associé au hacheur série formé de TC1 et D1 le hacheur

parallèle formé de TC2 et D2 on obtient un hacheur réversible en
courant.
Placé entre la source de tension dont la tension E est constante et une

machine à courant continu (source de courant caractérisée par E’, R et
L), il permet :
- de faire varier la vitesse, à couple donné
- de Faire varier le couple, à vitesse donnée.
D2
i11 i
TC1 R
E TC2 D1 U L
E’
Figure 3-9 Hacheur réversible en courant

- En moteur, si TC1 conduit pendant α1T
F. NACERI Page 108

E’= Umoy – R.imoy-L.dimoy/dt

Comme L.dimoy/dt=0, alors E’=Umoy-R.imoy avec imoy≥0
- En génératrice, si TC2 conduit pendant α2.T, on a :
E’=Umoy-R.imoy imoy≤0
- 3-4-2 Hacheur réversible en courant et en tension:
Pour pouvoir faire fonctionner la machine à courant continu
- Tant en moteur ( E’.imoy =E.iHmoy ≥0)
- Qu’en génératrice ( E’.imoy =E.iHmoy ≤0)
iH
D1 TC1 TC2 D2
U
i
E
R L E’
D’1 TC’1 TC’2 D’2
F. NACERI Page 109

- Si on débloque et bloque simultanément TC1 et TC’2 les rendant

conducteurs pendant α1T, TC2 et TC’1 étant constamment bloqués, le
courant i est toujours positif.
• Quand TC1 et TC’2 conduisent :
u= E, iH = i
• Quand TC1 et TC’2 sont bloqués, D’1 et D2 conduisent
u = - E, iH = - i
La tension u à pour valeur moyenne :
- I on débloque simultanément TC2 et TC’1 les rendant conducteurs

pendant α2 T, TC1 et TC’2 étant constamment bloqués, le courant i est
toujours négatif.
• Quand TC2 et TC’1 conduisent
u = - E, iH = - i
• Quand D’2 et D1 conduisent
u = E, iH = i
Umoy = -E(2α2 - 1)
F. NACERI Page 110

- 3-4-3 Hacheur à liaison indirecte

a- Hacheur à Accumulation Inductive
Lorsque la source et le récepteur sont de tension, on utilise une

inductance comme élément de stockage.
I1
TC D
i
E1 E2
L
I2
Figure 3-11 Hacheur à accumulation inductive
Durant chaque période T, le thyristor commandé TC conduit pendant

αT, la diode D pendant (1 – α)T. Quand TC est passant, le courant i
dans l’inductance L augmente (Charge) ; quand D est passante, i
diminue (décharge).
• Pour
Quand t = αT
• Pour
i = i2, E2 = -Ldi/dt,
Quand t = T,
En écrivant qu’en régime établi iT égal i0, on obtient :
F. NACERI Page 111

b- Hacheur à Accumulation Capacitive
Lorsque la source et le récepteur sont de courant, l’élément

d’accumulation est une capacité.
uc
i1
u1 TC D u2
i2
Figure 3-12 Hacheur à accumulation capacitive

• Pour , D conductrice, TC bloqué, la source charge
C
i = i1, uc = uco + i1.t
Quand t = αT, uc = uco +i1.αT
• +décharge dans le récepteur.
i= - i2, uc = uco + i1.αT- i2 ( t- αT)
Quand t = T, uc = uco + iαT – i2(1-α)T= uco
D’où :
F. NACERI Page 112

ANNEXE :
HACHEURS DIRECTS :
1- Hacheur série :
Le hacheur série commande le débit :
• D’un générateur de tension,
• Dans un récepteur de courant
a) Générateur et récepteur parfaits :
Le hacheur est formé d’un interrupteur T et d’une diode D
vT
i=iT i’
U vD u’
iD
Fig. 1
Quand T est fermé:
u’ = U, i = i’
vT = 0, iT = i’, vD = -U, iD = 0
Quand T est ouvert:

u’ = 0, i=0
vT = +U, iT = 0, vD = 0, iD = i’
F. NACERI Page 113

Si T est la période de fonctionnement et αT la durée des intervalles de

conduction du transistor, la tension de sortie u’ a pour valeur moyenne :
U’ = α.U
En faisant varier α de 0 à 1, on fait varier U’ de 0 à U.
b) Conséquences de l’imperfection de la charge :
Le récepteur de courant ne saurait avoir une inductance infinie. Puisque

la tension u’ à ses bornes est formée de créneaux rectangulaires, le
courant i’ ne peut présenter une ondulation nulle.
- Si le récepteur est passif, de constantes R et L, le calcul de l’ondulation
du courant de sortie i’ est aisé :
- Pour 0 < t < αT, l’interrupteur relie l’entrée et la sortie :
di'
R. i' = L. =U
dt
−t
U  ' U L
Alors : i' = +  i0 − e  , avec  =
R  R R
- Pour αT < t < T, la diode court-circuite le récepteur
(1 − T )
i' = iT .e −
'

Le courant i’ croit pendant le premier intervalle, décroit pendant le
second. De la continuité de i’ et se périodicité on déduit :
T
− 1−T
U 1− e 
= . = iT .e
' ' 
i T
R −T
, i0
1− e 
F. NACERI Page 114

u’
0 αT T t
i’αT
I’
i’0
0 αT T
T D T D
Fig. 2
Le courant i’ a pour valeur moyenne :
I’moy= Umoy/R = αU/R. son ondulation ∆i’ est donnée par :
−T
 .U 1 − e  T
−(1− )
i' = i' T −i' 0 = . −T
(1 − e 
R
1− e 
A valeur donnée de U/R et de τ, l’ondulation est maximale pour α=0.5 et
vaut alors :
U T
i' max = th
R 4
Soit, si τ est faible devant T :
U T
i' max = .
R 4
F. NACERI Page 115

c) Correction du générateur d’entrée :
Le générateur alimentatnt le hacheur doit se comporter comme une

source de tension, c'est-à-dire que sa réactance doit etre faible.
Si tel n’est pas le cas, il faut dériver un condensateur C à l’entrée du
hacheur.
On augmente souvent la valeur de la capacité de ce condensateur et on
place entre celui –ci et le générateur une inductance supplémentaire.
L’ensemble formé par C et L constitue un filtre d’entrée.
Ce filtre à deux effets :
- Il réduit l’ondulation de la tension u à l’entrée du hacheur
- Il réduit l’ondulation du courant is fourni par le générateur de tension.
F. NACERI Page 116

2- Hacheur paralléle
Le hacheur parallèle commande le débit

• D’un générateur de courant
• Dans un récepteur de tension
I vD i’=iD
D
iT
= u T vT U’ =
Fig. 3
- Pour 0 < t < αT, le thyristor conduit :

u= 0, i’ = 0
iD = 0, vD = -U’, iT = I, vT =0
- Pour αT < t< T, la diode conduit
u = U’ , i’ = I
iD = I, vD = 0, iT = 0, vT = U’
- La tension d’entrée u a pour valeur moyenne:
Umoy = (1 – α)U’
Umoy va de 0 à U’ quand α va de 1 à 0.
• Comme pour le hacheur série, la principale imperfection est la valeur
limitée de l’inductance du générateur de courant ; elle entraine
l’ondulation du courant ique celui-ci débite.
F. NACERI Page 117

• Si la conduction est continue, en désignant par R, L, E les constantes

du générateur de courant :
- Pour 0 < t < αT :
di
R. i = L. =E
dt
Le courant i croit
U’
0 αT T t
i
iαT
i0
0 αT T t
T D T D
Fig. 4
Le courant i croit
t
E − L
i = i 0 + ( − i0 ).e  , avec  =
R R
F. NACERI Page 118

- Pour αT < t < T :
di
R. i = L. = E - U'
dt
Le courant i décroit, puisque E < U’
( t −T )
E −U' − L
i = i T + ( − iT ).e  , avec  =
R R
L’ondulation du courant i est d’autant plus faible que le rapport τ/T est
plus grand.
• Lorsque la valeur moyenne Imoy du courant est insuffisante, la
conduction est discontinue : pendant l’intervalle αT/T, le courant i
s’annule. A la limite quand I tend vers 0, Umoy tend vers 0 quel que
soit α
REFERENCES :
1- M. Garnero, ‘La Conversion DC –DC, Les Hacheurs’

2- Une équipe d’enseignants de la filière Electrotechnique de l’institut
national polytechnique de Grenoble, ‘ Hacheurs et Onduleurs
autonomes’
3- G. Séguier, Electronique de puissance, les fonctions de base et
leurs principales applications, 7e édition, Dunod
F. NACERI Page 119

Chapitre IV LES ONDULEURS AUTONOMES
__________________________________________________________
Les onduleurs sont basés sur une structure en pont en H, constituée le

plus souvent d'interrupteurs électroniques tels que les IGBT, transistors
de puissance ou thyristors. Par un jeu de commutations commandées de
manière appropriée (généralement une modulation de largeur
d'impulsion), on module la source afin d'obtenir un signal alternatif de
fréquence désirée.
Il existe deux types d'onduleurs : les onduleurs de tension et les

onduleurs de courant. On distingue aussi les onduleurs autonomes et les
onduleurs non autonomes.
Onduleurs autonomes
Un onduleur autonome délivre une tension avec une fréquence soit fixe,
soit ajustable par l'utilisateur. Il n'a pas toujours besoin de réseau
électrique pour fonctionner ; par exemple un convertisseur de voyage
F. NACERI Page 120

que l'on branche sur la prise allume-cigare d'une voiture utilise le 12 V

continu du véhicule pour générer du 120 ou 230 V, alternatif en 50 ou
60 Hz ;
Les onduleurs sont notamment employés pour la réception de la TV en

mode nomade (récepteur satellite dans un camping-car par exemple})
dépourvu d'entrée alimentation électrique basse tension (~12 V).
Onduleurs non autonomes
Un onduleur non autonome est un montage redresseur tout thyristors

(pont de Graetz) qui, en commutation naturelle assistée par le réseau,
auquel il est raccordé, permet un fonctionnement en onduleur (par
exemple par récupération de l'énergie lors des périodes de freinage dans
les motrices électriques). À la base du développement des entraînements
statiques à vitesse variable pour moteurs à courant continu et alternatif,
cycloconvertisseurs, onduleurs de courant pour machines synchrones et
asynchrones, jusqu'à des puissances de plusieurs MW, ce type de
montage est progressivement supplanté, au profit de convertisseurs à
IGBT ou GTO.
Onduleurs hybrides ou intelligents
Les onduleurs hybrides ou intelligents sont une nouvelle génération

dédiée aux applications d'énergie renouvelable pour l'autoconsommation
et en particulier pour les panneaux solaires photovoltaïques (onduleur
solaire). L'énergie des panneaux solaires photovoltaïques est active
F. NACERI Page 121

seulement pendant la journée et principalement à l'heure de midi: elle est

donc fluctuante et non synchronisée avec la consommation des
habitations. De ce fait, il est nécessaire de stocker l'excédent de
production avant utilisation.
4-1 Principe de fonctionnement des onduleurs – Formes d’onde :

- Schéma de base :
Avec un onduleur de tension, on impose une tension E aux bornes

de la charge quelque soit le signe du courant dans la charge. Pour
cela, il faut utiliser deux hacheurs tête-bêche.
T1 D1
E Vch
E Ich D2 T2
Figure 4.1 Onduleur monophasé
A l’instant t = 0 on ferme T1, on a Vch = +E le courant i s’établit

dans la charge avec une loi fonction de cette dernière (exponentielle
si c’est une charge R + L.
A l’instant t= t1 on ouvre T1, si la charge est inductive le courant
ne peut pas varier instantanément et c’et la diode D2 qui se met à
F. NACERI Page 122

conduire de courant, on a Vch = -E. On dit qu’il y a commutation de

T1 à D2.
Pendant que D2 conduit, T2 ne peut pas s’amorcer puisque la
tension est négative à ses bornes. Dés que le courant s’annule
(instant t2) on peut amorcer T2 la phase de t1 à t2 est la phase de
récupération. Fig. 4.2
T1 T1 Commande
T2 T2
D1 T1 D2 T2 D1
Conduction D
Ouverture de T1 Ouverture de T2
+E
Vch
Ich
t0 t1 t2
Fig. 4.2 Formes d’ondes du courant et de la tension

Commande adjacente
F. NACERI Page 123

T1 T1
T
Commande T2 T2
T1 D2 T2 D1 T1
Conduction ouverture de T1 ouverture de T2
Vch
+E
Ich
t1 t2
Fig.4.3 Formes d’ondes du courant et de la tension

Commande disjointe
Si on amorce T2 dés que la tension à ses bornes le permet, on

réalise une ‘commande adjacente’. A noter que l’on enverra le signal
de gâchette sur T2dés l’instant t1 pou être certain d’amorcer T2 dés le
passage par zéro du courant q.q.s la charge.
Si on attend un certain temps après le passage du courant pour
amorcer T2 on réalise une ‘commande disjointe’. Fig. 4.3
Dans la pratique la source continue est unique et cela conduit à la
structure des onduleurs en pont.
F. NACERI Page 124

4-2 Onduleur Monophasé en pont :
La Figure 4.4 représente le schéma d’un onduleur monophasé en

pont. On envoie sur les gâchettes des thyristors T1 et T4 des signaux
complémentaires. On envoie aussi sur les gâchettes des thyristors T2
et T3 des signaux complémentaires mais décalés d’un angle θr par
rapport aux précédents. Fig. 4.4
F. NACERI Page 125

D1 T1 Ich T3 D3
Vch
D4 T4 T2 D2
θr
T1 T4 T1
Commande
T2 T3 T2
T1 D4 T4 D1 T1
Conduction
T2 D3 T3 D2
Fig. 4.4 Vch
t3 t4 t5
t0 t1 t2 t6
phase de roue libre : t1 – t2, t4 – t5

phase de récupération :t2 – t3, t5 – t6
F. NACERI Page 126

T1 T4 T1 T4
Commande T2 T3 T2 T1
T1 D4 T4 D1
Conduction
T2 D3 T3 D2
Vch
Ich
t0 t1 t2 t
t1 – t2 : phase de récupération
Fig.4.5 Courant et tension pour θ = 0
F. NACERI Page 127

T1 T4
Commande
T2 T3
T1 D4 T4 D1
Conduction
T2 D3 T3 D2
+E Vch
Ich
-E
Fig. 4.6 Commande disjointe
A l’instant t0, i=0 et Vch =+E. De t0 à t1, les thyristors T1 et T2

conduisent, un courant positif circule dans la charge et l’on a
VCH=+E.
A l’instant t1, on ouvre le thyristor T2. Si la charge est inductive,
le courant ne peut pas varier instantanément et c’est la diode D3 qui
se met à conduire. La tension aux bornes de la charge est nulle : c’est
la phase dite « roue libre ».
A tout instant de cette phase de roue libre, nous pouvons passer à
une phase dite de récupération en ouvrant T1, il a alors commutation
T1D4. Cette phase de récupération durant laquelle VCH=-E se termine
lorsque le courant s’annule ( instant t3).
Les thyristors t4 on ouvre T3, D2 se met à conduire et on peut
continuer le raisonnement comme ci-dessus.
On dispose donc d’une tension qui délivre une tension +E, 0, -E.
Si on choisit un angle =0,Fig. 4.5 c’est un cas particulier du
précédent, on dispose d’une tension +E, -E.
F. NACERI Page 128

La figure 4.6 précise l’allure de VCH et iCH lorsque on utilise une

commande disjointe.
4-3 Onduleur Triphasé en pont :

4-3-1 Onduleur en pont à commande disjointe (type 120°)
Le schéma d'un onduleur triphasé en pont est représenté sur la
figure 4.6. Dans le cas d'une commande disjointe (type 120°) chaque
interrupteur est commandé pendant 120°. Il y a donc un trou de 60°
entre les commandes de 2 interrupteurs d'une même verticale, d’où le
nom de commande 'disjointe'. Les commandes des thyristors d'une
verticale sont décalées de 120° par rapport aux thyristors d'une
verticale voisine Fig. 4.7.
Les formes d'ondes dans le cas d'une charge résistive sont
données à la figure 4.7.
Dans le cas d'une charge inductive, à l'ouverture d'un interrupteur
T1 par exemple le courant ne pouvant varier instantanément, c'est
une diode qui prend le relai (D4 lorsqu'on ouvre T1). On inverse
donc la tension VA – V0 jusqu'à l'annulation du courant (Fig. 4.8).
Ainsi, la forme de la tension va dépendre de la nature de la charge.
4-3-2 Onduleur en pont à commande adjacente (type 180°)

Ici chaque interrupteur est commandé pendant 180°, les
commandes de 2 interrupteurs d'une même verticale sont adjacentes,
les commandes des interrupteurs d'une verticale sont décalées de
120° par rapport aux interrupteurs de la verticale voisine.Fig. 4.8
F. NACERI Page 129

• Onduleur Triphasé ( Type 120°)
E/2
1 2 3
A B C
E/2
4 5 6
180°
T1 T4 T1 T4
T3 T6 T3
E/2 1 VA-V0
VB-V0 2
F. NACERI Page 130

Vc-V0
3
6
Charge résistive
VA-VB
VA – V0 Charge inductive
Figure 4-7 Onduleur triphasé type 120°
F. NACERI Page 131

• Onduleur Triphasé (Type 180°)
E/2
1 2 3
A B C
E/2
4 5 6
N
T1 T4 T1
T2 T5
T3 T6
Fig. 4.8
VA0 1 1 1
4 4
VB0 2 2
5 5
F. NACERI Page 132

3 3
VC0
6 6
VAB
VNO
2E/3
VAB E/3
VAN = VA0 + V0N, VBN = VB0 + V0N, VCN = VC0 + V0N

VAN +VBN + VCN = VA0 + VB0 + VC0 +3. V0N
VN0 = (VA0 + VB0 + VC0)/3
Figure 4- 8 onduleur triphasé type 180°
F. NACERI Page 133

ANNEXE
ETUDE DE LA TENSION ET DU COURANT
• Onduleur en pont :
L’onduleur en pont estformé de quatre interrupteurs montés en pont de
Greatz. Les commandes des interrupteurs K1 et K’1 sont
complémentaires : K1 = K’1 et K2 = K’2 , chaque interrupteur est formé
d’un composant commandable et une diode en antiparallèle.
Tr1 D1 Tr2 D2
vc
E ic
T’r1 D’1 T’r2 D’2
Fig. 1 Onduleur en pont

K1 K’2 K2 K’1
vc
ic
Fig. 2 Forme d’onde du courant et de la tension
F. NACERI Page 134

La tension efficace de l’onde de la tension est fixée par la tension

continue d’alimentation.
T
1 2
=  vc .dt = E 2 Veff = E
2
V eff
T0
• Onduleur monophasé à commande décalée

Dans la commande symétrique, les interrupteurs K1 et K’2 sont
commandés ensemble. De même les interrupteurs K2 et K’1 sont aussi
commandés ensemble. En commande décalée les interrupteurs K1 et K’2
sont commandés avec un angle de décalage β. La figure 3 illutre la
forme d’onde de la tension et les intervalles de conduction des
interrupteurs.
K1 K2
vc K’1 K’2 K’1
ωt
β
Fig. 3 Forme d’onde de la tension et intervalle de conduction
F. NACERI Page 135

• Etude de la tension de charge

La tension efficace est gouvernée par l’angle de décalage β. En effet :
2 
1 1  −
=  vc .d (t ) =  
d (t ) = E 2 (
2 2 2
V eff
2
E

)
0
 −
Veff = E.

Si on prend comme origine le milieu de l’alternance positive, le

développement en série de Fourrier donne :
4 
1  −
vc = .E  . sin n( ) cos nt
 n =1 n 2
La figure 4 fournit l’évolution de la tension efficace et des amplitudes du

fondamental, de l’harmonique trois et de l’harmonique cinq.
F. NACERI Page 136

Fig. 4 Evolution du fondamental et des harmoniques trois et cinq

En fonction de l’angle de décalage
• Etude du courant
La charge est supposée inductive de résistance R et d’inductance L.
Pour ωt = θ = 0, le courant ic = I0 < 0.
- θ € [0, β]
−
di
0 = R.i + L. c i c = I 0 .e Q
dt
Avec Q = Lω/R
−
Pour  = t =  , i  = I 0 .e Q
- θ € [β, π]
− ( −  )
di E E
vc = E = R.i + L. c i c = + (i − )e Q
dt R R
F. NACERI Page 137

− ( −  )
E E
i max = + (i − )e Q
Pour ωt = θ =π, R R
- θ € [π, π + β]
− ( − )
di
0 = R.ic + L. c i c = I 0 .e Q
dt
- θ € [ π + β, 2π]
− ( − −  )
di E E
vc = − E = R.ic + L. c i c = − − (i − )e Q
dt R R
Fig. 5 Allure du courant de charge
F. NACERI Page 138

• Onduleur triphasé
La figure 6 donne le schéma de principe d’un ensemble onduleur moteur

asynchrone. L’onduleur est alimenté par une source de tension continue
VDC. Les interrupteurs d’un même bras de l’onduleur sont toujours
complémentaires. Chaque interrupteur de puissance est en réalité réalisé
par un transistor en antiparallèle avec une diode. Ces composants sont
supposés idéaux.
Les interrupteurs de chaque bras de l’onduleur étant complémentaires, il
en est de meme pour les signaux associés de commande. On peut don
écrire :
c4 = 1 – c1 c5 = 1 – c2 c6 = 1 – c3
Les tension simples du moteur sont notées v1(t) , v2 (t) et v3(t)
Les tensions composées du moteur sont notées u12(t), u23(t) et u31(t)
K1 K2 K3 i1 L R
i2
E i3
K4 K5 K6 L R
N
Fig. 6 Onduleur triphasé
F. NACERI Page 139

La tension v10 vaut VDC/2 lorsque c1 = 1 et c4 = 0.

Elle devient (-VDC/2 ) lorsque c1 = 0 et c4 = 1. Le meme
raisonnement est valable pour v20 en utilisant les commandes c2 et c5
d’une part et pour v30 en utilisant les commandes c3 et c6.
Les tensions v10, v20 et v30 sont données par les relations
suivantes.
v10 = (c1 – c4) (VDC/2) = (2.c1 – 1)(VDC/2)
v20 = (c2 – c5) (VDC/2) = (2.c2 – 1)(VDC/2)
v30 = (c3 – c6) (VDC/2) = (2.c3 – 1)(VDC/2)
Les tensions composées s’expriment alors par :
u12 = v10 – v20 = (c1 – c2 )VDC

u23 = v20 – v30 = (c2 – c3 )VDC
u31 = v30 – v10 = (c3 – c1 )VDC
Le système de tension v1, v2 et v3 est équilibré, ce qui permet

d’établir les expressions des tensions simples :
v1 =( u12 – u31)/3
v2 = v1 – u12 = (-2.u13 – u31)/3
v3 = v1 + u31 = (u12 + 2.u31)/3
On tire finalement :
F. NACERI Page 140

v1 = (2.c1 – c2 – c3 )(VDC/3)
v2 = (2.c2 – c1 – c3 )(VDC/3)
v3 = (2.c3 – c1 – c2 )(VDC/3)
Les tensions simples s’écrivent aussi sous la forme matricielle
suivante :
 v1   2 − 1 − 1 c1 
 v  = VDC − 1 2 − 1 c 
 2 3   2 
 v 3  − 1 − 1 2   c3 
La relation montre qu’il existe huit combinaisons possibles de (c1, c2,

c3). A partir de ces combinaisons, nous déterminons huit vecteurs
tensions délivrés par l’onduleur dont six non nuls (v1, …… v6) et
deux sont nuls (v0 et v7). La table 1 illustre les vecteurs tension en
fonction de l’état des interrupteurs.
F. NACERI Page 141

vs=vd + jvq c1 c2 c3 c4
0 0 0 0 v0
0 1 1 1 v7
2 1 3 1 1 0 v2
VDC ( + j )
3 2 2
2 1 3 1 0 1 v6
VDC ( − j )
3 2 2
2 1 3 0 1 0 v3
VDC (− + j )
3 2 2
2 1 3 0 0 1 v5
VDC (− − j )
3 2 2
2 1 0 0 v1
VDC
3
2 0 1 1 v4
V
- 3 DC
Tableau 1 Combinaisons possibles
F. NACERI Page 142

• REFERENCES
[1] ‘Hacheurs et Onduleurs autonomes’, Equipe d’enseignants de la

filière électrotechnique avec la collaboration des chercheurs de
L.E.E.T. Institut National Polytechnique de Toulouse.
[2]Hasnaoui Othman B.A, ‘ Les convertisseurs DC/AC : Les
onduleurs autonomes
F. NACERI Page 143

F. NACERI Page 144

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Electronique de puissance

Chapitre I LES COMPOSANTS DE PUISSANCE

L’objet de ce chapitre n’est pas de décrire le comportement semi-

interrupteur ouvert : le courant

Tension inverse Tension directe

Les différents composants se différencient, au delà de leur

Le comportement statique et dynamique des diodes à jonction se déduit

Figure 1-2 : -a- Structure d’une diode à jonction et –b- Symbole

Dans le sens direct, la caractéristique présente un coude brusque

Dans le sens inverse, il ne circule qu’un très faible courant

1-2 Caractéristique dynamique :

Elles concernent le passage de l’état bloqué à l’état passant

Figure 1-4 : Caractéristique dynamique

inverse de même pente jusqu’à l’instant t1 . Au voisinage de t1 , la diode

descendre jusqu’à 100 ns avec certaines diodes dites rapides.

L’amplitude de la surtension inverse dépend essentiellement de la

pente dir du courant inverse de recouvrement et de l’inductance du

Généralement le phénomène transitoire à l’amorçage présente

Figure 1-5 : Amorçage d’une diode

Cette surtension VFP et le temps de recouvrement direct t fr sont

les deux paramètres qui vont caractériser la rapidité de la mise en

Une diode peut avoir un comportement différent suivant

1-2-3- Notions sur les diodes spéciales :

2- THYRISTOR : (Silicon Controlled Rectifier : S.C.R)

Figure 1-7 : Symbole électrique du thyristor

• L’extrémité P est l’anode A

Figure 1-8 : caractéristique statique

En l’absence du courant de gâchette, la caractéristique statique

tension appliquée dépasse VDM , il y a amorçage du thyristor par effet

• Amorçage par la gâchette :

Le thyristor étant placé dans un circuit actif, avec une tension

L’extinction du thyristor n’est pas contrôlable et ne peut avoir

Figure 1-9 : Schéma équivalent du thyristor

Et laisse passer une pointe de courant qui peut entraîner la mise en

pouvant supporter un dV supérieur à celui imposé par le circuit. Si

2-2 Caractéristique dynamique :

Figure 1-10 caractéristique dynamique

Le temps td est appelé ‘ retard à la croissance commandé par la

Le temps tgt (ton) est la somme des deux précédents. De l’ordre de

• La vitesse d’établissement du courant d’anode di

Si le di d’établissement est trop élevé, les contraintes thermiques

3- Prévoir un flanc de montée de l’impulsion de courant aussi court

que possible (0.1à 1 s ) surtout si le di à l’amorçage est

5- Limiter éventuellement le di par une inductance saturable ou

Figure 1-11 : Caractéristique dynamique

A L’instant to , le courant s’annule puis change de signe avec une

pente di imposée par le circuit extérieur. Au voisinage de t1 la pente

comme le temps qui sépare le passage par zéro du courant et l’instant ou

- Du temps de recouvrement de la gâchette t rg (jonction directe)

beaucoup plus important : 10 à 400 s . Il dépend :

• Du courant initial et de sa décroissance di

forcée ou le temps d’application de la tension inverse tinv devra

toujours être nettement supérieur au t q du thyristor si l’on veut que

ce dernier retrouve à coup sur son pouvoir de blocage dans le sens

tension directe appliquée ( dV ) peut provoquer son amorçage.

L’ordre de grandeur du dV admissible est de 50 V/ s pour des

On peut améliorer la tenue au dV en plaçant une résistance ou

De même, un réseau RC connecté entre anode et cathode et

Figure 1-12 : Schéma synoptique d’un transistor

Le schéma de la figure 12 montre une symétrie de structure qui

3-1 Caractéristiques statiques générales :

Dans le cas le plus général, les limites statiques d’utilisation d’un

3-2 Caractéristiques statiques en régime de commutation :

- à l’état passant : axe 0 ic