Semi-conducteur à l'équilibre

 Rappels de Physique du Semi-conducteur

 Structure cristalline et bandes d’énergie
 S.C. à l’équilibre
(i) SC n
(ii) SC p

Semi-conducteurs et applications - 1
L’occupation des états par les électrons se fait de létat de plus basse
énergie jusqu’au niveau de Fermi.

Afin d'obtenir le nombre effectif d'électrons et de trous dans chacune des

bandes, la densité d'état ne suffit pas, il faut aussi connaître la probabilité
de présence d'un électron sur un niveau d'énergie E. Cette probabilité est
donnée par la fonction de Fermi-Dirac :

Semi-conducteurs et applications - 2
 Statistique d ’Occupation des États Électroniques

 Électrons = fermions
 Principe d’exclusion de Pauli
 Statistique de Fermi - Dirac
 La probabilité d’occupation d’un état d’énergie E est donnée par la
fonction de Fermi :
f (E) = 1
E− EF
1+exp( )
kT

 EF = niveau de Fermi
 EF est le « potentiel chimique » des électrons : EF = 

G 

Ne  T,P,V




À L’ÉQUILIBRE EF EST CONSTANT EN TOUT POINT DU MATÉRIAU

Semi-conducteurs et applications - 3
 Fonction et Niveau de Fermi

Les propriétés électroniques

d ’un S.C. sont contrôlées par
la position du niveau de Fermi
dans le gap
Semi-conducteurs et applications - 4
Semi-conducteurs et applications - 5
 Approximation pour S.C. « non dégénéré »

 Ordres de grandeur à 300 K

 kT ≈ 0,025 eV
 Gap Si : Eg = 1,12 eV

 Pour les états possibles pour les e- libres (dans B.C.) :

 (E-EF) >> kT ==> exp >> 1
 f(E) ≈ exp[- (E-EF)/kT] Approximation par statistique de Boltzmann

 Probabilité d’avoir un état vide (un trou dans B.V.)

1 E− EF
f p(E)= 1− f(E)= exp( )
EF −E) kT
1+exp(
kT

Semi-conducteurs et applications - 6
 Densités de porteurs libres

Porteurs libres = électrons dans B.C. et trous dans B.V.

 M.Q. --> densité d ’états dans B.C. et B.V. Nc(E) (E − Ec )1/2

Nv (E) (Ev − E)1/2

 D ’où :

Ecmax 
n=  Nc (E) f (E)dE   Nc (E) f (E)dE
Ec Ec
Ev Ev
p =  Nv (E)1 − f (E)dE   Nc (E)1 − f (E)dE
Evmin −

Semi-conducteurs et applications - 7
 n et p dans S.C. non dégénéré
 Approximation de Boltzmann entraîne :

Densités équivalentes d ’états:

Ec − EF
n = Nc exp(− )  2 m* kT  3 / 2
kT e,h
Nc,v = 2 

E − Ev  h 2

p = Nv exp(− F )
kT

« Si » à 300 K : Nc = 2,7.1019 cm-3

Nv = 1,1.1019 cm-3

 Relation fondamentale :
Ec − Ev Eg
n.p = Nc Nv exp(− ) = Nc Nv exp(− ) = ni2
kT kT

Semi-conducteurs et applications - 8
 S.C. intrinsèque

 Densité de porteurs intrinsèques

Eg « Si » à 300 K
n = p = ni = Nc Nv exp(− )
2kT ni ≈ 1,5.1010 cm-3

 Niveau de Fermi intrinsèque

Ec + Ev 1 N E + Ev
Ei = + kT.Log( v )  c
2 2 Nc 2

Semi-conducteurs et applications - 9
Liaisons Covalentes et Dopage
Si pur

Semi-conducteurs et applications - 10
 Liaisons Covalentes et Dopage
Donneur Accepteur
X0 --> X+ + e- X0 --> X- + h+

P, As, Sb B, (Al, In)

Semi-conducteurs et applications - 11
 S.C. Dopé

Equation de neutralité : n + Na− = p + Nd+ ; n - p = N d - Na

Relation fondamentale : n.p = ni2 Équation du 2nd d°

Type N Type P
Nd >> Na Na >> Nd

n=
1
2
N d + N d2 + 4ni2  p=
1
2
N a + N a2 + 4ni2 
p = ni2 / n n = ni2 / p

si Nd >> ni : n ≈ Nd si Na >> ni : p ≈ Na

Semi-conducteurs et applications - 12
 Position de EF
Type N Type P

Nc Nc Nv Nv
E F = Ec − kT.Log  Ec − kT.Log E F = Ev + kT.Log  Ev + kT. Log
n Nd p Na

 q F
 kT.Log(N / n )  n = ni exp( )
 d i  kT
q F = EF − Ei   
−kT.Log(N / n )  q F
 a i  p = ni exp(− )
 kT

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Semi-conducteurs et applications - 14
Semi-conducteurs et applications - 15
 Influence de la Température
Type N, Nd fixé
Densité de porteurs libres
1) : gel des porteurs
2) : épuisement, ionisation totale
(ni << Nd)
3) : régime intrinsèque (ni > Nd)
L'évolution de la densité des porteurs négatifs (n) par
rapport à la densité des impuretés (nd) en fonction de la
température montre les caractéristiques suivantes :
1) La production intrinsèque est négligeable par rapport
à la production extrinsèque. Lorsque la température
augmente, les atomes donneurs s’ionisent
progressivement : ce domaine de température est appelé
domaine d’ionisation des donneurs ou régime de gel.
2) Tous les atomes donneurs sont ionisés, mais la
production intrinsèque n’est plus négligeable. Ce
domaine de température est appelé domaine ou régime
d’épuisement des donneurs. C'est le domaine de
fonctionnement "normal" des dispositifs.
3) La production d’électrons à partir d’atomes donneurs
reste inchangée, mais celle qui résulte de l’ionisation
des atomes du cristal croit fortement. C’est le processus
intrinsèque qui l’emporte. Ce domaine de
température est appelé domaine intrinsèque ou régime
intrinsèque.
Semi-conducteurs et applications - 16
 Type N, Nd fixé
Densité de porteurs libres Niveau de Fermi

Semi-conducteurs et applications - 17
Mobilité des électrons et des trous :
Les électrons et les trous n’ont pas la même mobilité dans le cristal. Si les
électrons se déplacent librement dans la bande de conduction, les trous, par
contre se déplacent par sauts dans la bande de valence.
Sous l’action du champ électrique les électrons se déplacent avec des
vitesses respectives :

Où n est la mobilité des électrons et p la mobilité des trous.

Le signe (-) de la deuxième relation indique que les trous se déplacent en sens
inverse de celui des électrons.
Semi-conducteurs et applications - 18
Conductivité électrique dans les semi-conducteurs :

Lorsqu’on applique un champ électrique E aux bornes d’un cristal, dopé ou

non, il circule un courant électrique dont la densité J est :

Où  est la conductivité du cristal. Celle-ci dépend de la concentration des porteurs de

charges ainsi que de leur mobilité. Elle est en fait la somme de deux mobilités n et p, celle
des électrons et celle des trous :

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Les conductivités n et p ont pour expressions :

Où e : charge de l’électron
n : Concentration des électrons libres dans la bande de conduction.
p : Concentration des trous dans la bande de valence.
L’expression générale de la conductivité d’un semi-conducteur extrinsèque
est :

Semi-conducteurs et applications - 20
* Pour un semi-conducteur dopé N où les porteurs majoritaires sont les
électrons, la conductivité due aux trous devient négligeable et on a :
On dit que la conductivité est du type N.

* Pour un semi-conducteur dopé P où les trous sont les porteurs majoritaires,

la conductivité sera du type P et on a :

* Pour un semi-conducteur intrinsèque où on a les mêmes concentrations

d’électrons et de trous (n=p=ni), la conductivité est fonction de la
concentration intrinsèque ni du cristal et on a :

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