Transistor Bipolaire Première année Génie Electrique
Marouane SEBGUI
La triple jonction PNP/NPN
• Constituer de 3 couches PNP ou NPN => deux types – Une couche externe large et fortement dopée : émetteur – La couche du milieu est mince et faiblement dopée : la base – Une couche externe et faiblement dopée : collecteur
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Transistor Bipolaire
• Lorsque le transistor n’est pas
polarisé, les deux jonctions PN créent deux zones dépeuplées avec champs opposés • Si on polarise la triple jonction dans un sens ou dans (de E à C) l’autre, il y a renforcement du blocage de l’une des deux diodes et donc opposition au passage du courant, ceci n’a aucun intérêt pratique
Transistor Bipolaire
• Lorsqu’on ajoute une deuxième tension entre
la base et l’émetteur la jonction BE est polarisée en direct, il y aura donc passage de courant de B vers E et aussi réduction de la zone dépeuplée. • Etant donné que la base est mince et incapable de récupérer tous les électrons envoyés par l’émetteur. Ces derniers se trouvent cumulés sur le semiconducteur base. D’un autre côté les trous constituent les porteurs libres majoritaires du collecteur ce qui attire fortement les électrons vers le collecteur créant ainsi un fort courant de C vers E
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Transistor Bipolaire
• Par simplification on a IE=IB+IC IC=β IB • avec β appelé gain de courant très grand
Transistor Bipolaire
• Réellement on a IC=βIB+ICE0 • Pour la même variation de IB (20μA) on n’a pas la même variation de IC : – β dépend aussi de IC • Les courbes ne sont pas vraiment horizontales IC=βIB+ICE0+ 1/ρ Vce
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Polarisation du Transistor
• Polarisation par résistance
à la base VBB = RB I B +VBE + RE I E VBB - 0.7 Þ IC = b I B = RB + (b +1)RE
On a aussi VCC = RC IC +VCE + RE I E
b +1 Þ VCE = VCC - (RC + RE )IC b (appelée équation/la droite de charge)
Point de fonctionnement
• Le point de croisement entre la droite de charge
et la caractéristique du transistor constitue le point de fonctionnement du montage
permet de choisir un VBB ≠ VCC mais sans avoir besoin d’un autre générateur (VBB).
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Polarisation du Transistor
• Pratiquement il s’agit de définir RE,RB et RC pour
avoir un point de fct voulu pour une alimentation VCC donnée • Les mailles donnent 2eq alors qu’on a 3 inconnus, il suffit de fixer un paramètre : pratiquement c’est VE • Exp : VE=2V Avec VCC=12V pour fonctionner à (5V,1mA) il faut que RB=930K, RE=1.98K, RC=5K
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Régime dynamique
• On a Ic = b IB une variation DIB => variation DIC = b DIB
• Mais aussi VCE=VCC-(RC+RE)IC
D’où DVCE = (RC+RE) DIC
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Régime dynamique
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Régime dynamique
• Le transistor est caractérisé en basses fréquences
• D’où le schéma équivalent du transistor
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Régime dynamique
– impédance d’entrée : dépend de b
– gain de courant
– gain de tension : valeur très petite
– impédance de sortie = r valeur très petite
• Ce qui nous ramène au
schéma équivalent simplifié
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Le transistor saturé
VCC b +1 RC + b RE • Lorsqu’on augmente VCC on déplace la droite de charge à gauche • Pour un IB constant je déplace le point de fonctionnement dans le même sens. VCC Question : jusqu’à où ?
• Dans la zone de saturation on a : plus Ic = b IB on
dit que IB ne contrôle plus IC
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Le transistor saturé
• Nous avons la droite de charge qui donne :
b +1 VCE = VCC - (RC + RE )IC b • Lorsque IB augmente IC augmente et puisque VCC reste constante on a VCE qui diminue or: VCB = VCE -VBE
• VBE est cte (BE directe =0.7V)
on a donc VCB qui diminue jusqu’à devenir nulle puis <-0.5V, à cet instant BC commence à conduire et là on perd l’effet transistor => IC≠b IB
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Le transistor saturé
• Au point de transition S on a : ICsat=bIBsat • En ce même point on a : VCE=VCEsat • Or VCEsat bien connue =0.2V et indépendante de IB 1 VCC - 0.2 I Bsat = b (RC + RE ) • Autrement dit pour une polarisation donnée, Ibsat est la commande maximale qu’on peut donner au transistor tout en ayant une amplification linéaire
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Le transistor saturé
• Au delà de IBsat si on continue à augmenter IB on
a plus de relation IC = b IB on peut supposer que IC reste égal à la valeur de saturation puisque VCE ne varie pas. VCC - 0.2 I Csat = (RC + RE )
• L’utilité de ce genre de montage est l’utilisation en mode commutation. exp : inverseur R < b R b c
