Vous êtes sur la page 1sur 9

Ecole Mohammadia d’Ingénieurs

Département Génie Electrique

Transistor Bipolaire
Première année Génie Electrique

Marouane SEBGUI

La triple jonction PNP/NPN

• Constituer de 3 couches
PNP ou NPN => deux types
– Une couche externe large
et fortement dopée : émetteur
– La couche du milieu est
mince et faiblement dopée :
la base
– Une couche externe
et faiblement dopée : collecteur

1
3

Transistor Bipolaire

• Lorsque le transistor n’est pas


polarisé, les deux jonctions PN
créent deux zones dépeuplées avec champs opposés
• Si on polarise la triple jonction dans
un sens ou dans (de E à C) l’autre,
il y a renforcement du blocage
de l’une des deux diodes et donc
opposition au passage du courant,
ceci n’a aucun intérêt pratique

Transistor Bipolaire

• Lorsqu’on ajoute une deuxième tension entre


la base et l’émetteur la jonction BE est polarisée
en direct, il y aura donc passage de courant
de B vers E et aussi réduction de la zone
dépeuplée.
• Etant donné que la base est mince et incapable de récupérer tous
les électrons envoyés par l’émetteur. Ces derniers se trouvent cumulés
sur le semiconducteur base.
D’un autre côté les trous constituent les
porteurs libres majoritaires du collecteur ce qui
attire fortement les électrons vers le collecteur créant ainsi un fort
courant de C vers E

2
5

Transistor Bipolaire

• Par simplification on a
IE=IB+IC
IC=β IB
• avec β appelé gain de courant très grand

Transistor Bipolaire

• Réellement on a
IC=βIB+ICE0
• Pour la même variation
de IB (20μA) on n’a pas la
même variation de IC :
– β dépend aussi de IC
• Les courbes ne sont pas vraiment horizontales
IC=βIB+ICE0+ 1/ρ Vce

3
7

Polarisation du Transistor

• Polarisation par résistance


à la base
VBB = RB I B +VBE + RE I E
VBB - 0.7
Þ IC = b I B =
RB + (b +1)RE

On a aussi VCC = RC IC +VCE + RE I E


b +1
Þ VCE = VCC - (RC + RE )IC
b
(appelée équation/la droite de charge)

Point de fonctionnement

• Le point de croisement entre la droite de charge


et la caractéristique du transistor constitue le
point de fonctionnement du montage

pour VCC, RE et RC donnés


pour IB donné (fixé par VBB)

on a un unique (VCE,IC)

4
9

Point de fonctionnement

• Polarisation par VCC à la base


• Exp : VBB=VCC=12V, β=100
RB=750k RE=1K RC=4K,
=> (VCE,IC)=(5.35V,1.33mA)

• Polarisation par pont à la base


permet de choisir un VBB ≠ VCC
mais sans avoir besoin d’un autre
générateur (VBB).

10

Polarisation du Transistor

• Pratiquement il s’agit de définir RE,RB et RC pour


avoir un point de fct voulu pour
une alimentation VCC donnée
• Les mailles donnent 2eq alors
qu’on a 3 inconnus, il suffit de fixer
un paramètre : pratiquement c’est VE
• Exp : VE=2V
Avec VCC=12V pour fonctionner à (5V,1mA) il faut que
RB=930K, RE=1.98K, RC=5K

5
11

Régime dynamique

• On a Ic = b IB
une variation DIB => variation DIC = b DIB

• Mais aussi VCE=VCC-(RC+RE)IC


D’où DVCE = (RC+RE) DIC

12

Régime dynamique

6
13

Régime dynamique

• Le transistor est caractérisé en basses fréquences

• D’où le schéma équivalent du transistor

14

Régime dynamique

– impédance d’entrée : dépend de b

– gain de courant

– gain de tension : valeur très petite

– impédance de sortie = r valeur très petite

• Ce qui nous ramène au


schéma équivalent simplifié

7
15

Le transistor saturé

VCC
b +1
RC +
b
RE
• Lorsqu’on augmente VCC
on déplace la droite de
charge à gauche
• Pour un IB constant je
déplace le point de
fonctionnement dans le
même sens.
VCC Question : jusqu’à où ?

• Dans la zone de saturation on a : plus Ic = b IB on


dit que IB ne contrôle plus IC

16

Le transistor saturé

• Nous avons la droite de charge qui donne :


b +1
VCE = VCC - (RC + RE )IC
b
• Lorsque IB augmente IC augmente et puisque VCC
reste constante on a VCE qui diminue or:
VCB = VCE -VBE

• VBE est cte (BE directe =0.7V)


on a donc VCB qui diminue jusqu’à devenir
nulle puis <-0.5V, à cet instant BC commence à
conduire et là on perd l’effet transistor => IC≠b IB

8
17

Le transistor saturé

• Au point de transition S on a :
ICsat=bIBsat
• En ce même point on a :
VCE=VCEsat
• Or VCEsat bien connue =0.2V et indépendante de IB
1 VCC - 0.2
I Bsat =
b (RC + RE )
• Autrement dit pour une polarisation donnée, Ibsat
est la commande maximale qu’on peut donner au
transistor tout en ayant une amplification linéaire

18

Le transistor saturé

• Au delà de IBsat si on continue à augmenter IB on


a plus de relation IC = b IB on peut supposer que
IC reste égal à la valeur de saturation puisque
VCE ne varie pas.
VCC - 0.2
I Csat =
(RC + RE )

• L’utilité de ce genre de
montage est l’utilisation
en mode commutation.
exp : inverseur R < b R
b c

Vbb Vcc

Vous aimerez peut-être aussi