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Ecole Mohammadia d’Ingénieurs

Département Génie Electrique

Semi-conducteurs
Première année Génie Electrique

Marouane SEBGUI
2017 - 2018
Ecole Mohammadia d’Ingénieurs 1ère Année G. Électrique

Chap. 1. Introduction aux semi-conducteurs


I. Introduction
Les semi-conducteurs ont permis la révolution électronique et numérique qu’on vit aujourd’hui.
Ils sont aujourd’hui utilisés au cœur de toutes les technologies modernes. Ils ont pu remplacer la
mécanique et l’électrique dans plusieurs domaines. Mais ils ont surtout permis la révolution
numérique par le passage au calcul numérique. On peut dire que l’histoire de ces semi-conducteurs
commence avec Michael Faraday en 1833.

1. Histoire des Semi-Conducteurs


En 1833, Michael Faraday (qui travaille sur le Sulfure d’Argent) remarque que pour certains
« métaux » le pouvoir conducteur augmente avec la température, contrairement aux métaux
classiques dont la résistivité augmente avec la température (c’est-à-dire que le pouvoir conducteur
diminue avec la température). Cette découverte restera à ce stade et n’aura aucune suite avant
1903.
Entre temps les tubes à vide se développent plus rapidement et s’intègrent à la technologie de
l’époque. En effet en 1883 Thomas Edison dépose le brevet du phénomène de l’émission
thermoïonique. Ce phénomène à base de la création du tube à vide, permettra à John Fleming de
concevoir la diode à vide en 1903 et en 1907 à Lee De Forest d’inventer la triode à tube.
En 1903, Greenleaf Whittier Pickard qui travaille sur les récepteurs télégraphiques invente le
détecteur cristal à base de Silicium, cette invention n’est brevetée qu’en 1906. S’en suit une époque
de modélisation et d’approche théorique durant laquelle en 1931, Alan Herries Whilson établit la
théorie des bandes et la notion du gap. En 1935, Walter H. Schottky et Nevill Francis Mott
développent un modèle mathématique pour la barrière de potentiel et caractérisent la jonction
Métal Semi-conducteur (communément appelé la diode Schottky).
L’année 1947 connait un grand exploit dans le domaine des semi-conducteurs. Cette année
l’équipe John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain (Groupe de recherche au sein des Bell
Labs) découvre l'effet transistor, ce qui permet de créer le transistor bipolaire. Ces travaux seront
couronnés par un prix Nobel de physique en 1956.

Figure 1.1 : De gauche à droite, John Bardeen, William Shockley and Walter Brattain

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En 1958 Jack Kilby réalise le premier circuit intégré. Et en 1971 Intel lance son premier
microprocesseur 4004 (2300 transistors) déclenchant la nouvelle ère du numérique. Cette dernière
va connaitre une évolution exponentielle, cette évolution est décrite par la loi de Moore.

2. La loi de Moore
La loi de Moore est une loi qui traite de l’évolution des semi-conducteurs en termes de
complexité et de puissance de calcul. Cette loi qui a été énoncée en 1965 par Gordon E. Moore qui
est un des co-fondateurs d'Intel a constitué une prédiction quasi exacte de l’évolution des semi-
conducteurs.
Gordon E. Moore, en observant l’évolution des produits d’Intel et de ses concurrents, constate
que la « complexité des circuits semi-conducteurs proposés en entrée de gamme » doublait tous les ans
à coût constant depuis 1959. Cette loi est dite « première loi de Moore » parce qu'elle a été réajustée
par Moore lui-même, en distinguant les microprocesseurs des circuits intégrés simples formés de
composants indépendants.
En effet, Moore énonce sa deuxième loi en 1975, affirmant que « le nombre de transistors des
microprocesseurs sur une puce de silicium double tous les deux ans à coût constant ». Cette prédiction
s'est révélée étonnamment exacte. De 1971 à 2001, la densité des transistors a doublé chaque 1,96
année. En conséquence, les machines électroniques sont devenues de moins en moins coûteuses et
de plus en plus puissantes.
Cette loi trace une évolution tellement énorme, que Bill Gate a eu l’idée de décrire son
importance en la comparant à l’évolution des voitures. Lors d’une exposition d’informatique
COMDEX (COMputer Dealer's EXhibition) Bill Gates déclare que si les voitures de General Motors
avaient évolué de la même vitesse que les ordinateurs, on roulerait dans des voitures de 25$, qui
consommeront 1litre pour 425km. Cette plaisanterie à laquelle GM n’a pas manqué de répondre,
permet de voir à quel point l’évolution des semi-conducteurs est exceptionnelle. Le tableau Tab. 1.1
relève cette évolution entre 1945 et 1990 (suite à une étude l’ENIAC).

1945 ENIAC ==> 1990 : Pentium 68040

Complexité 18 000 tubes x 100 1 200 000 transistors

Encombrement 200 m3 x 10 -8 2 cm3

Vitesse 150 opérations /s x 10 5 20. 106 opérations /s

Consommation Enrg 10 kW x 10 -4 1W

Coût 1 000 000 $ x 10 -3 1000 $

Fiabilité Qlq heures x 1000 Qlq années


Tab. 1.1 : Evolution des caractéristiques des ordinateurs.

II. Les semi-conducteurs sur le tableau de Mendeleïev


Les semi-conducteurs peuvent être définie comme étant des matériaux qui ont les
caractéristiques électriques d'un isolant, mais qui peuvent dans certaines conditions se comporter

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en conducteur. Quoique leur conductivité reste faible en comparaison aux conducteurs, ils
présentent d’autres avantages électriques.
Les semi-conducteurs les plus évidents sont ceux qui appartiennent à la colonne 4 du tableau de
Mendeleïev (Figure 1.2). Ils se caractérisent par le fait d’avoir 4 électrons en couche de valence et
qui ont une structure cristalline.
Cette description correspond au Carbone (C), Silicium(Si), Germanium(Ge) et à l'étain (Sn).
Toutefois l’appartenance du Carbone et de l’étain à la famille des semi-conducteurs est à prendre
avec précaution. En effet, L’étain gris (α-Sn) qui constitue une structure cristalline de l’étain
(structure cubique) est une forme rare de l’étain. L’étain gris change au-dessus de 13,2°C en étain
blanc (β-Sn) qui est la forme usuelle de l’étain. Quant au carbone, il ne présente de caractéristique
semi-conducteur que lorsqu’il est à l’état cristallin c’est-à-dire sous forme de diamant. Plus encore,
sa bande de gap (un aspect qui sera traité plus loin dans ce document) est de 5,4eV ce qui dépasse la
limite de 2eV. Le diamant n’est valable en tant que semi-conducteur que pour les grandes
puissances et en haute température (Electronique de puissance).
Hélium
Nombre Atomique =2

Silicone
Nombre Atomique =14

Figure 1.2 : Tableau de Mendeleïev


Les éléments de la 4ème colonne ne constituent pas les seuls semi-conducteurs possibles. Des
combinaisons d’éléments des colonnes 3 et 5 permettent aussi d’obtenir des matériaux semi-
conducteurs qu’on appelle semi-conducteurs composites en opposition aux semi-conducteurs
simples, qui sont constitués d’un seul élément. De même la combinaison entre les éléments de la
colonne 2 et 6 permet le même résultat, ainsi que d’autres combinaisons plus complexes. Le tableau
Tab. 1.2 illustre quelques exemples de différents semi-conducteurs utilisés.
Pour la suite de ce document on s’intéressera à la famille des semi-conducteurs simples du
groupe 4 à savoir le Silicium(Si) et Germanium(Ge). Ces deux matériaux ont constitué pendant
longtemps la grande part des semi-conducteurs commercialisés.

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Type Exemples

Diamant(C), Silicium(Si), Germanium(Ge), l'étain gris (α-Sn),


Groupe 4
Carbure de silicium (SiC), Silicium-germanium (SiGe)

Nitrure de bore (BN), Phosphure de bore (BP), Arséniure de bore (BAs),


Groupe 3-5 Nitrure de gallium (GaN), Arséniure de gallium(GaAs)

Nitrure de gallium-aluminium (AlGaN), Nitrure de gallium-indium (InGaN)

Sulfure de cadmium (CdS), Séléniure de cadmium (CdSe), Tellurure de


cadmium (CdTe), Sulfure de mercure (HgS),
Groupe 2-6
Tellurure de mercure-cadmium (HgCdTe), Tellurure de zinc-mercure
(HgZnTe)

Chlorure de cuivre(I) (CuCl), Tellurure de bismuth (Bi2Te3), Phosphure de


Autre
zinc (Zn3P2), Iodure de plomb(II) (PbI2)
Tab. 1.2 : Structure semi-conducteurs

III. Les caractéristiques des semi-conducteurs


Les semi-conducteurs ont deux caractéristiques qui font d’ailleurs leur importance. Qui sont la
structure cristalline et la faible énergie de gap.

1. La structure cristalline
Les semi-conducteurs s’organisent en structure cristalline stable. Ainsi chaque atome est en
relation de covalence avec 4 autres atomes voisins (comme le montre la Figure 1.3-a). Ces relations
de covalence sont réalisées par la mise en covalence d’1 électron par chaque atome. Ainsi, comme le
montre la Figure 1.3-b, chaque atome se retrouve avec 8 électrons sur leurs bandes de valence
atteignant une stabilité qui forme la structure cristalline du semi-conducteur. Cette structure est
représentée de façon plane dans la Figure 1.3-c.

(a) (b) (c)


Figure 1.3 : Représentations de la structure cristalline d’un semi-conducteur

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Ainsi donc, le semi-conducteur tel que décrit par sa structure cristalline ne dispose pas d’électron
libre. On pourrait en conclure que, ne disposant pas de porteur de charge libre, le semi-conducteur
est un isolant. Toutefois ceci n’est vrai qu’à la température de 0°K, et ceci est lié à la deuxième
caractéristique.

2. Le faible gap énergétique


Origine du gap énergétique
Dans ce document on se place dans un cadre de mécanique quantique. Il faut comprendre qu’en
quantique (contrairement aux anciens modèles planétaires de l’atome), on ne considère plus que les
électrons d’un atome sont en orbite autour du noyau, mais qu’ils occupent de manière probabiliste
certaines régions de l’espace autour du noyau. Ainsi la mécanique quantique explique de façon
détaillée la structure d’un atome isolé en se basant sur le principe de la « quantification » des
niveaux d’énergie des électrons dans un atome. Autrement dit, l’énergie d’un électron ne peut
prendre que certaines valeurs. On parle des niveaux de l’énergie autorisés pour les électrons.
On ne s’intéresse donc plus à la position de l’électron par rapport au noyau (qui est très peu
connue) mais de son niveau d’énergie.
De plus le nombre des électrons sur une couche est limité : deux électrons sur la première couche
(niveau d’énergie le plus bas), huit sur la deuxième, dix-huit sur la troisième etc... Toutes les couches
ne sont pas nécessairement remplies. Toutefois, les électrons remplissent les couches à partir de la
couche à énergie la plus faible.
La Figure 1.4 représente un exemple des états énergétiques des électrons sur un diagramme des
énergies. Il faut bien comprendre qu’il ne s’agit pas de la position spatiale des électrons mais d’une
carte de l’espace des énergies, l’électron peut aussi, sous certaines conditions, se déplacer dans cet
espace (comme le montre la Figure 1.4). Il s’agit d’une acquisition d’énergie de l’électron sans avoir
une précision quant à ses coordonnées spatiales.

Figure 1.4 : Niveaux d’énergie quantique dans un atome isolé


Lorsque les atomes sont associés dans un réseau cristallin d’un corps solide, l’interaction entre
les atomes modifie la distribution des états autorisés pour les électrons. Il est donc nécessaire
d’apporter une modification des états énergiques, c’est ce que propose Wolfgang Ernst Pauli en se

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basant sur le principe d’exclusion. Ainsi, dans un système composé de plusieurs atomes, les états
d’énergie se séparent pour former des états multiples plus ou moins rapprochés. Ce phénomène,
représenté par la Figure 1.5, dépend de la distance atomique (noté d).
Si le système est composé d’un très grand nombre d’atomes (ce qui est le cas de tous les cristaux
de dimensions macroscopiques), les niveaux individuels se transforment en zones énergétiques
avec un très grand nombre d’états très rapprochés. On parle, donc d’un continuum énergétique.

1/d 1/d

Figure 1.5 : Effet de la distance atomique d sur la formation des continuums énergétiques
Dans un corps solide, qui a une distance atomique connue (représentée par da dans la Figure 1.6),
on se retrouve avec des bandes d’énergie qui sont possibles pour la présence d’électrons et d’autres
qui sont interdites. En particulier, on s’intéresse aux deux bandes supérieures : la bande de
conduction et la bande de valence.
- La bande de conduction : c’est la première bande totalement vide en absence d’apport
énergétique (c’est-à-dire à la température T=0°K). Elle représente les énergies des électrons
qui échappent à l’attraction atomique et qui devient « libres ».
- La bande de valence : c’est la dernière bande occupée par les électrons (totalement ou
partiellement) en absence d’apport énergétiques. Elle contient donc, des électrons liés avec le
réseau cristallin.
- Les bandes sont séparées par une zone énergétique interdite : c’est la plage des énergies que
les électrons ne peuvent pas posséder. Cette zone s’appelle gap énergétique. C’est un
paramètre propre au matériau.

Bande de Conduction
0 Gap
Energétiqu
e
Bande de Valence
0

0 0
0 0
1/da

Figure 1.6 Bandes énergétiques dans un corps solide


Les électrons des couches inférieures sont très fortement liés au noyau de l’atome. Ils ne peuvent
pas se déplacer dans le réseau cristallin. Les électrons de la bande de valence sont eux qui assurent

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la liaison entre les atomes pour former le réseau cristallin. Ils sont moins liés au noyau de l’atome.
Un apport d'énergie plus au moins faible peut les libérer de l'attraction du noyau et en faire des
électrons libres qui peuvent se déplacer et créer un courant électrique.
Le gap énergétique
Le gap énergétique est important du fait qu’il s’agit de l’énergie minimale nécessaire à un
électron pour passer de la bande de valence à la bande de conduction. Plus cette énergie est faible
plus ils ont de chances de la franchir et devenir libres. Comme le représente la Figure 1.7, dans le cas
des conducteurs, la bande de conduction et la bande de valence chevauchent et donc l’énergie de
gap est absente, elle est par contre très grande pour les isolants, et dans le cas des semi-conducteurs
cette énergie est assez faible (sauf pour le diamant).

Figure 1.7 : Gaps énergétiques pour les différents types de solides


Le tableau Tab. 1.3 représente les énergies de gap pour certains semi-conducteurs. On peut
remarquer qu’elles restent souvent inférieures à la valeur de 2eV. On peut aussi remarquer que
cette énergie dépend de la température (ainsi que d’autres paramètres d’ailleurs). Toutefois dans la
suite de ce document nous supposerons qu’elle est constante.

Tab. 1.3 : Gaps énergétiques de quelques semi-conducteurs usuels

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IV. Comportement des Semi-Conducteurs


Les caractéristiques vues précédemment font que les semi-conducteurs ont un comportement
commun par rapport à la température et à la conduction du courant électrique

1. Effet de la température
Les semi-conducteurs sont des matériaux dont les caractéristiques électriques dépendent
fortement de la température. En effet, à température 0°K tous les électrons de la bande de valence
forment la liaison covalente du cristal. La moindre agitation thermique (c’est-à-dire toute
température > 0°K) est suffisante pour libérer des électrons. Ceci est dû à leurs faibles énergies de
gap.
En effet, comme le montre la Figure 1.8, l’agitation thermique entraine la libération d’un certain
nombre d’électrons qui échappent à l’attraction atomique et qui deviennent libres pour être mobiles
dans le cristal. Cette libération entraine aussi un manque de charge au niveau de la liaison qui a
perdu l’électron. Il s’agit d’une charge positive qu’on appelle un trou.

Figure 1.8 : Création de la paire électron-trou par effet de température.


Par conséquent, un semi-conducteur qui n’est pas à la température 0°K, contient un certain
nombre de paires électron-trou. L’existence de ces porteurs de charge mobiles permet donc de
transporter la charge électrique au sein du semi-conducteur. Conclusion le semi-conducteur devient
conducteur au-dessus de la température 0°K.
Plus encore, la conductivité du semi-conducteur augmente avec la température. En effet, plus la
température augmente plus le nombre de porteurs libres augmente, et plus la conductivité
augmente. Il s’agit là de l’effet observé en 1833 par Michael Faraday, sans pouvoir l’expliquer à
l’époque.

N.B. : Il est évident que le nombre de trou est exactement égal au nombre d’électrons. Ainsi le
semi-conducteur reste neutre. La libération d’électrons à juste un impact sur sa conductivité.

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2. La conductivité d’un semi-conducteur


Lorsqu’un semi-conducteur est soumis à un champ électrique, les porteurs libres (électrons et
trous) peuvent se déplacer sous l’effet du champ créant ainsi un courant électrique. Le courant dans
un semi-conducteur est le résultat de deux déplacements différents :
- Le déplacement des électrons dans le sens opposé du champ électrique. Il s’agit d’un
déplacement de façon libre et sans être capturé par un trou.
- Le déplacement des trous dans le même sens que le champ. En effet, quoi qu’un tel
déplacement ne soit pas intuitif, les trous sont des porteurs de charge mobiles. Ils se
déplacent lorsqu’un électron s’arrache d’un atome et vient remplacer un trou dans un autre,
laissant derrière lui un autre trou. On a la disparition d’un trou et la réapparition d’un autre
ailleurs. On peut conclure que le trou s’est déplacé vers la nouvelle position.
En réalité les deux déplacements sont des déplacements d’électrons. Le déplacement de trou est,
en fait, un déplacement d’électron avec changement de niveau énergétique. Le déplacement de
l’électron est accompagné d’un passage de la bande de conduction à la bande de valence.
Conventionnellement, on parle de courant de trous et courant d’électrons.

Champ électrique
Figure 1.9 : Déplacement des électrons et des trous sous l’effet d’un champ électrique

V. Dopage des semi-conducteurs


On a jusqu’ici présenté les semi-conducteurs intrinsèques. Où il est supposé que le semi-
conducteur n’est composé que d’atomes purs. Ceci est non seulement impossible mais aussi pas très
intéressant.
Un cristal de semi-conducteur contient inévitablement des impuretés, qui sont d’abord due aux
processus de fabrication, mais qui sont le plus souvent intentionnellement injectées dans le semi-
conducteur pour un but de dopage. Ceci entraine la modification des caractéristiques électriques du
semi-conducteur. En effet ces atomes injectés, n’ayant pas le même nombre d’électrons en bande de
valence, ils ne pourront pas offrir aux atomes voisins la liaison stable précédemment présentée. Ils
sont toutefois minoritaires et ils seront quand même contraints à rentrer dans la structure

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cristalline du semi-conducteur. Ce qui aura pour conséquence de déséquilibrer le nombre de trous


et d’électrons. Il existe deux types de dopage :
– Dopage N : L’action, représentée dans la Figure1.10-a, qui consiste à injecter des atomes
donneurs (c’est-à-dire des atomes de la colonne 5 comme le phosphore, l’arsenic…).
– Dopage P : L’action, représentée dans la Figure1.10-b, qui consiste à injecter des atomes
accepteurs (c’est-à-dire de la colonne 3 comme le bore, l’aluminium, le gallium…)

(a) (b)
Figure 1.10 : Dopage des semi-conducteurs par des atomes accepteurs et donneurs
On obtient donc un déséquilibre dans le nombre de porteurs puisqu’on aura plus d’électrons
dans le cas N et plus de trou dans le cas P. Toutefois, il faut faire attention au fait que le semi-
conducteur reste neutre. Il n’y a pas ici lieu de création de charge supplémentaire. L’excèdent de
charge négative dû aux électrons en surplus dans le cas N est compensé par la même charge positive
des ions positifs (le même raisonnement peut s’appliquer aux semi-conducteurs dopés P). La
Figure 1.11, représente pour un semi-conducteur du type N, la répartition de charges dans le cristal.

Électrons Électrons dus au


dus à dopage
l’effet T

Porteurs de charge
libres (mobiles)

Trous dus Ions positifs dus


à l’effet T au dopage

Figure 1.11 : La répartition de charges dans un semi-conducteur type N

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A température nulle le nombre d’électrons dus au dopage est exactement égal au nombre d’ions
positifs présents dans le solide. Lorsque la température augmente, il y a création d’une nouvelle
quantité d’électrons mais une même quantité de trous est aussi créé. La somme des charges
positives (trous + ions positifs) est donc exactement égale à la charge négative d’où la neutralité du
semi-conducteur.
Il faut noter que les ions positifs ne sont pas mobiles, ils sont liés à la structure du cristal. Ils ne
peuvent donc pas transporter la charge et créer un courant électrique. Il y a donc un déséquilibre
dans les charges mobiles (libres). Il y a en effet beaucoup plus d’électrons que de trous, on dit alors
que les électrons sont les porteurs majoritaires.
Le raisonnement inverse permet de conclure qu’il y a, dans un semi-conducteur de type P, plus
de trous que d’électrons. Tout en étant dans un état de neutralité, les porteurs majoritaires dans le
semi-conducteur type P sont les trous.

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Chap. 2. Conductivité des semi-conducteurs


I. Introduction
Bien que les semi-conducteurs soient de très mauvais conducteurs, leur conductivité reste un
paramètre très important à étudier. Comme vu précédemment, le courant électrique dans un semi-
conducteur peut être véhiculé par les électrons et par les trous. D’où l’importance d’étudier la
concentration des porteurs de charge.

II. Effet de la température sur les semi-conducteurs


1. La distribution de Fermi-Dirac
A température non nulle. La probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E n’est plus discrète,
mais devient continue. La distribution de la probabilité d’occupation (la probabilité qu’un niveau (E)
soit occupé par un électron) est exprimée par Fermi par l’équation (2.1). Ici k est la constante de
Boltzmann, T est la température et EF est le niveau de Fermi. Le niveau de Fermi est un niveau
d’énergie fictif qui se trouve dans la bande interdite du gap (il n’est pas exactement au milieu, mais il
est au voisinage du milieu).
1
𝐹(𝐸) = 𝐸−𝐸𝐹 (2.1)
1+𝑒 𝑘𝑇

En traçant la distribution de Fermi-Dirac. En retrouve la Figure 2.1. On peut remarquer que :


- La probabilité d’occupation est faible (tend vers 0) lorsque E-EF est positive, c’est-à-dire
lorsque le niveau d’énergie E est supérieur au niveau de Fermi. L’interprétation de ceci est
que plus on s’approche de la bande de conduction, plus la probabilité d’occupation diminue,
c’est-à-dire qu’on a moins de chance de trouver un électron dans ce niveau d’énergie.
- La probabilité d’occupation est grande (tend vers 1) lorsque E-EF est négative, c’est-à-dire
lorsque le niveau d’énergie E est inférieur au niveau de Fermi. Ce qui veut dire que plus on
s’approche de la bande de valence, plus la probabilité d’occupation augmente, c’est-à-dire
qu’on a plus de chance de trouver un électron dans ce niveau d’énergie.
- A température nulle (T=0°K), on a une courbe sous forme d’échelon. Ce qui veut dire qu’à
cette température on est sûr que tous les électrons sont dans la bande de valence et qu’aucun
électron n’est passé à la bande de conduction. Ce qui coïncide exactement avec ce qui a été dit
précédemment. Le semi-conducteur est donc isolant à 0°K.
- Lorsque la température augmente, les électrons peuvent passer vers les niveaux supérieurs
proches de la conduction. Ceci exprime qu’à température non nulle, certains électrons
peuvent échapper à la bande de valence et devenir libres. Il est à noter que plus la
température est importante plus le passage est facile.
La probabilité de non occupation d’un niveau d’énergie est 1-F(E) exprimée dans l’équation (2.2).
1
1 − 𝐹(𝐸) = 𝐸𝐹 −𝐸 (2.2)
1+𝑒 𝑘𝑇

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Figure 2.1 : Distribution de la probabilité d’occupation selon la distribution de Fermi-Dirac

2. Semi-conducteur non-dégénéré
On appelle un semi-conducteur non dégénéré, s’il vérifie les conditions de l’équation (2.3). En
opposition, lorsque le semi-conducteur est dégénéré (soit parce que son Eg est faible, ou lorsque la
température est suffisamment élevée), il y a une importante libération d’électrons et on aboutit à un
comportement plutôt conducteur.
𝐸 − 𝐸𝐹 ≫ 𝑘𝑇
{ 𝑐 (2.3)
𝐸𝐹 − 𝐸𝑣 ≫ 𝑘𝑇
Les conditions de l’équation sont valables pour la plupart des semi-conducteurs à température
ambiante. A titre d’exemple à 300°K : kT=25meV alors que le germanium est à Eg =660 meV.
Lorsque le semi-conducteur est non-dégénéré, il peut être démontré que l’approximation de
l’équation (2.4) est possible. (Il faut faire attention au signe de la soustraction qui change)
𝐸𝐹 −𝐸
1
𝐸−𝐸𝐹 ≈𝑒 𝑘𝑇 (2.4)
1+𝑒 𝑘𝑇

III. La concentration des porteurs de charge


La concentration d’électrons dans un semi-conducteur n(T) peut être définie par l’équation (2.5).
Ici Ec est le niveau le plus bas de la bande de conduction et F(E) est la probabilité d’occupation du
niveau d’énergie E. De même la concentration de trous dans un semi-conducteur p(T) peut être
définie par l’équation (2.6). Ici Ev est le niveau le plus haut de la bande de valence

𝑛(𝑇) = ∫𝐸𝑐 𝐷𝑐 (𝐸). 𝐹(𝐸). 𝑑𝐸 (2.5)
𝐸𝑣
𝑝(𝑇) = ∫∞ 𝐷𝑣 (𝐸). (1 − 𝐹(𝐸)). 𝑑𝐸 (2.6)

Dc(E) et Dv(E) sont les fonctions densité d’état respectivement dans la bande de conduction et la
bande de valence

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1. La densité d’état
Pour un niveau d’énergie E, la densité d’Etat Dc(E) dans la bande BC et la densité d’Etat Dv(E)
dans la bande BV peuvent être approximées par l’équation (2.7). Dans cette équation ℏ est la
constante de Planck réduite, Mc et Mv sont respectivement le nombre de minimas équivalent de la BC
et la BV, et finalement mde et mdh sont respectivement les masses effectives de l’électron et du trou
suivant les 3 axes.
1 (2.𝑚𝑑𝑒 )3/2 1⁄
𝐷𝑐 (𝐸) = 2.𝜋2 𝑀𝑐 |𝐸 − 𝐸𝑐| 2
ℏ3
{ (2.7)
1 (2.𝑚𝑑ℎ )3/2 1
𝐷𝑣 (𝐸) = 2.𝜋2 𝑀𝑣 |𝐸 − 𝐸𝑣 | ⁄2
ℏ3

Il est surtout à retenir que les premiers termes de ces deux densités peuvent être pris pour
constants. Les densités dépendent du niveau d’énergie E. Dans la Figure 2.2 on représente ces deux
fonctions ainsi que leur produit. Les concentrations des porteurs données dans les équations (2.5)
et (2.6) peuvent être déduites dans les surfaces hachurées.
Il est à observer que :
- Les densités d’état Dc et Dv ne dépendent pas de la température.
- Les concentrations de porteurs de charge (n et p) sont dépendantes de la température T. Ceci
vient du fait que F(E), la probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E, est dépendante de
la température.
- Le niveau de Fermi n’est pas exactement localisé au milieu du gap.
- Si la seule source de création de porteurs est la température (ce qu’on appellera par la suite
semi-conducteur intrinsèque), alors le nombre de trous est égal au nombre d’électrons. Les
deux surfaces hachurées sont donc égales. On découvrira plus loin dans ce document que ceci
n’est pas toujours vrai.

Figure 2.2 : La fonction densité des porteurs en fonction du niveau d’Energie

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On peut simplifier l’étude de l’équation (2.5), on peut faire le développement suivant :


𝐸𝐹 −𝐸 𝐸𝐹 −𝐸𝐶 𝐸−𝐸𝐶 𝐸𝐹 −𝐸𝐶
∞ ∞ −
𝑛(𝑇) = ∫𝐸 𝐷𝑐 (𝐸). 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇 ∫𝐸 𝐷𝑐 (𝐸). 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇 𝑁𝑐 (𝑇) (2.8)
𝐶 𝑐

Ainsi on se retrouve avec deux termes. Un terme dépendant exponentiellement du niveau de


Fermi et un terme noté Nc(T) qui ne dépend que de la température.
De même nous obtenons l’expression de p(T) exprimée dans l’équation (2.9) en fonction de Pv(T)
𝐸−𝐸𝐹 𝐸𝑣 −𝐸𝐹 𝐸 −𝐸 𝐸𝑣 −𝐸𝐹
𝐸𝑣 𝐸 − 𝑣
𝑝(𝑇) = ∫∞ 𝐷𝑣 (𝐸). 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇 ∫∞𝑣 𝐷𝑣 (𝐸). 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 𝑒 𝑘𝑇 𝑃𝑣 (𝑇) (2.9)

2. Concentration des porteurs de charge dans un semi-conducteur intrinsèque


Il est important, pour la compréhension du comportement électrique des semi-conducteurs,
d’étudier l’évolution des expressions de la concentration des porteurs libres, (i.e. les équations (2.8)
et (2.9)). Ces expressions restent complexes et nécessitent une simplification.
Concentration des électrons
Pour simplification, l’approximation de l’équation (2.4) est utilisée sur les expressions de Nc(T).
On a donc :
3


𝐸−𝐸𝐶 1 (2. 𝑚𝑑𝑒 )2 ∞ 𝐸−𝐸𝐶
𝑁𝑐 (𝑇) = ∫ 𝐷𝑐 (𝐸). 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 = 2 3
. ∫ (𝐸 − 𝐸𝐶 )1/2 𝑒 − 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸
𝐸𝐶 2. 𝜋 ℏ 𝐸𝐶

1 3
(𝑘𝑇)2 (2. 𝑚𝑑𝑒 )2 ∞ 𝐸 − 𝐸𝐶 1/2 − 𝐸−𝐸𝐶
= ∫ ( ) 𝑒 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸
2. 𝜋 2 ℏ3 𝐸𝐶 𝑘𝑇
1 3
(𝑘𝑇)2 (2.𝑚𝑑𝑒 )2 ∞ 𝐸−𝐸𝐶 1/2 1
≈ 2.𝜋2 ℏ3
∫𝐸 ( 𝑘𝑇 ) 𝐸−𝐸𝐶 . 𝑑𝐸 (2.10)
𝐶
1+𝑒 𝑘𝑇

En utilisant le changement de variable suivant t=(E-Ec)/kT {avec dE=kTdt} en peut retrouver


l’équation (2.11).
3 3
(𝑘𝑇)2 (2.𝑚𝑑𝑒 )2 ∞ 𝑡 1/2
𝑁𝑐 (𝑇) ≈ 2.𝜋2 ℏ3
∫𝐸 1+𝑒 𝑡 . 𝑑𝑡 (2.11)
𝐶

Cette expression est sous la forme de l’intégrale de Fermi-Dirac (équation (2.12)) pour le cas
particulier de j=1/2 et pour x=0.
1 ∞ 𝑡𝑗 2 ∞ 𝑡 1/2
𝐹𝑗 (𝑥) = 𝛤(𝑗+1) ∫0 1+𝑒 𝑡−𝑥
𝑑𝑡 en particulier 𝐹1/2 (𝑥) = ∫ 𝑑𝑡 (2.12)
√𝜋 0 1+𝑒 𝑡−𝑥

Ce qui permet de conclure que :


3
1 2.𝑘𝑇𝑚𝑑𝑒 2
𝑁𝑐 (𝑇) ≈ 4 ( 𝜋ℏ2
) (2.13)

Finalement
3
𝐸𝐹 −𝐸𝐶
1 2.𝑘𝑇𝑚𝑑𝑒 2
𝑛(𝑇) = 4
( 𝜋ℏ2 ) 𝑒 𝑘𝑇 (2.14)

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L’équation (2.14) permet donc de comprendre la tendance de n(T) en fonction de la température


T. La valeur de n(T) subit deux évolutions : la première est en T3/2 et la deuxième est en e1/T.
Concentration des trous
De la même façon on applique l’approximation des semi-conducteurs non-dégénérés (de
l’équation (2.4)) à l’expression de Pv(T). Ainsi on a :
𝐸𝑣 −𝐸
𝐸
𝑃𝑣 (𝑇) = ∫∞𝑣 𝐷𝑣 (𝐸). 𝑒 − 𝑘𝑇 . 𝑑𝐸 (2.15)

Par même raisonnement on peut aboutir au fait que :


3
1 2.𝑘𝑇𝑚𝑑ℎ 2
𝑃𝑣 (𝑇) = (
4 𝜋ℏ2
) (2.16)

D’où on peut conclure que :


3
𝐸𝑣 −𝐸𝐹
1 2.𝑘𝑇𝑚𝑑ℎ 2
𝑝(𝑇) = 4
( 𝜋ℏ2 ) 𝑒 𝑘𝑇 (2.17)

Les équations (2.14) et (2.17) montrent que les deux concentrations ont la même tendance. Il est
à noter que les deux termes (Ev-EF) et (EF-Ec) ont le même signe algébrique.
Valeurs numérique
Le tableau Tab. 2.1 donne des exemples de valeurs pour Nc et Pv.

Nc (300°K) Pv (300°K)

Si 2,7 .1019cm-3 1,1 .1019cm-3

Ge 1,0 .1019cm-3 0,5 .1019cm-3


Tab. 2.1 : Valeurs numériques des Nc et Pv pour le Silicium et le Germanium

3. Loi d’action des masses


En développant le produit n(T).p(T) donné par l’équation (2.18), on peut remarquer que ce
produit ne dépend que de T et de Eg (tous les autres termes sont constants).
𝐸𝑣 −𝐸𝐶 3 𝐸𝑔
1 𝑘√𝑚𝑑𝑒 𝑚𝑑ℎ 3 − 𝑘𝑇
𝑛(𝑇)𝑝(𝑇) = 𝑁𝑐 (𝑇)𝑃𝑣 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 = (
2 𝜋ℏ2
) 𝑇 𝑒 ≝ 𝑛𝑖2 (𝑇) (2.18)

Contrairement à la concentration des électrons(n(T)) et celle des trous(p(T)), le produit est


indépendant de la position du niveau de Fermi (qui est d’ailleurs difficile à déterminer). Ce produit
est une caractéristique du semi-conducteur. Il s’agit d’une loi d’équilibre thermodynamique dit loi
d’action de masses.
En particulier dans le cas intrinsèque on a la concentration des électrons (qu’on note ni(T)) est
égale à la concentration des trous (qu’on note pi(T)). D’où la relation de l’équation (2.19).

𝑛(𝑇)𝑝(𝑇) = 𝑛𝑖 (𝑇)𝑝𝑖 (𝑇) = 𝑛𝑖2 (𝑇) (2.19)

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Attention cette loi n’est vraie que pour les semi-conducteurs non-dégénérés. Toutefois elle est
vraie pour le cas intrinsèque et aussi pour les semi-conducteurs extrinsèques (dopés). C’est-à-dire
que pour un semi-conducteur dopé pour une température T, le produit n(T).p(T) est connu, il est
égal au carré de la concentration des électrons du semi-conducteur s’il n’était pas dopé.
Ainsi donc, pour une température connue si la densité des électrons n(T) est connue celle des
trous p(T) peut être déduite (et inversement).

4. Concentrations des porteurs de charge dans un semi-conducteur extrinsèque


Pour étudier le cas d’un semi-conducteur dopé (que ce soit N ou P), on définit la Δn(T) comme
étant la différence entre la concentration d’électrons et celle des trous. Cette valeur n’est pas
absolue mais algébrique. Elle est positive dans le cas du dopage N et négative pour un dopage P.

Δn(T)=n(T) - p(T) (2.20)


Cas général
Selon la loi d’action de masses énoncée dans l’équation (2.18) on a :
𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑝(𝑇) = 𝑛(𝑇)
(2.21)

On peut donc écrire :


𝑛𝑖2 (𝑇)
𝛥𝑛(𝑇) = 𝑛(𝑇) − 𝑝(𝑇) = 𝑛(𝑇) −
𝑛(𝑇)
(2.22)

Donc on aboutit à une équation du deuxième degré :

𝑛2 (𝑇) − 𝑛(𝑇)𝛥𝑛(𝑇) − 𝑛𝑖2 (𝑇) = 0 (2.23)


En se mettant dans le cas extrinsèque (Δn(T)#0), l’équation (2.28) présente deux solutions dont
l’une est négative. L’autre est :

1 1 2
𝑛(𝑇) = 2 𝛥𝑛(𝑇) + 2 √(𝛥𝑛(𝑇)) + 4𝑛𝑖2 (𝑇) (2.24)

Ceci nous permet de déduire la concentration des trous :

1 1 2
𝑝(𝑇) = 𝑛(𝑇) − 𝛥𝑛(𝑇) = − 2 𝛥𝑛(𝑇) + 2 √(𝛥𝑛(𝑇)) + 4𝑛𝑖2 (𝑇) (2.25)

Semi-conducteur type N
Pour un semi-conducteur type N fortement dopé (Δn>>ni). On peut faire l’approximation
𝑛(𝑇) ≈ 𝛥𝑛(𝑇) , ce qui revient à supposer que les électrons sont presque tous issus du dopage et
qu’on ignore les électrons issus de l’agitation thermique. Cette supposition est souvent très valable.
Dans ce cas on peut déduire plus facilement la concentration des trous qui est :
𝑛2 (𝑇)
𝑖
𝑝(𝑇) = ∆𝑛(𝑇) (2.26)

Si on suppose que la quantité d’atomes donneurs qu’on a injecté (à une concentration ND) a été
totalement ionisée on peut donc conclure que :

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𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑝(𝑇) = 𝑁𝐷
(2.27)

La supposition de l’ionisation totale n’est normalement pas toujours vraie. En réalité, dans un
semi-conducteur à température non nulle il est possible que ce soit les atomes du semi-conducteur,
et non ceux du dopant (donneur dans ce cas), qui libèrent leurs électrons. Quand un semi-
conducteur est exposé à une énergie, on ne peut décider pratiquement de la façon par laquelle celle-
ci sera réparti. Toutefois il est a noté que l’énergie d’ionisation des atomes du dopant est très faible,
il y a donc beaucoup plus de chance que les atomes dopants s’ionisent en premier lieu. Ainsi à
température ambiante, La grande majorité des atomes du dopant sont polarisés.
Semi-conducteur type P
Pour un semi-conducteur de type P fortement dopé (|Δn|>>ni). On peut, de même, faire
l’approximation que (𝑇) ≈ −𝛥𝑛(𝑇) , ce qui revient à supposer que les trous sont presque tous issus
du dopage et qu’on ignore les trous issus de l’agitation thermique. On peut donc déduire n(T) :
𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑛(𝑇) =
−∆𝑛(𝑇)
(2.28)

Si on suppose que la quantité d’atomes donneurs qu’on a injecté (à une concentration NA) a été
totalement ionisée on peut donc conclure que :
𝑛𝑖2 (𝑇)
𝑛(𝑇) = 𝑁𝐴
(2.29)

5. Le niveau de Fermi
Le niveau de Fermi intrinsèque
Dans le cas d’un semi-conducteur intrinsèque (pas d’impureté), les trous sont générés par la
libération d’électrons et donc on a :
𝐸𝑔
𝑛(𝑇) = 𝑝(𝑇) = 𝑛𝑖 (𝑇) = √𝑁𝑐 (𝑇)𝑃𝑣 (𝑇)𝑒 − 2𝑘𝑇 (2.30)
Or par définition de l’équation (2.8), on a :
𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐶 𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑖
𝑛𝑖 (𝑇) = 𝑁𝑐 (𝑇). 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑃𝑣 (𝑇). 𝑒 𝑘𝑇 (2.31)
En combinant les deux équations (2.30) et (2.31). On peut déduire le niveau de Fermi donné par :
𝐸𝑔 𝑘𝑇 𝑃 (𝑇) 𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚
𝐸𝐹𝑖 = 𝐸𝑐 −
2
+
2
𝑙𝑛 ( 𝑣 (𝑇))
𝑁𝑐
= 𝐸𝑐 −
2
+
4
𝑙𝑛 ( 𝑑ℎ )
𝑚𝑑𝑒
(2.32)

De l’équation (2.32) on peut comprendre que :


- Pour un semi-conducteur intrinsèque, à température T=0°K, le niveau de Fermi se trouve
exactement au milieu du gap.
- Sachant que mde ≈ mdh le terme ln(mdh/mde) tends vers 0. Donc, dans un semi-conducteur
intrinsèque, à température non nulle, le niveau de Fermi est légèrement décalé vers le Bas.
Ceci peut être confirmé par l’application numérique du tableau Tab. 2.2

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𝑘𝑇 𝑷𝒗 (𝑻)
T=300°K Nc (T) Pv (T) 𝑙𝑛 ( ) Eg
2 𝑵𝒄 (𝑻)

Si 2,7 .1019cm-3 1,1 .1019cm-3 -0,01160679 eV 1,1 eV

Ge 1,0 .1019cm-3 0,5 .1019cm-3 -0,00895962 eV 0,66eV


Tab. 2.2 : Application numérique pour l’énergie de Fermi intrinsèque
Le niveau de Fermi dans un semi-conducteur dopé
Pour étudier les semi-conducteurs dopés, l’utilisation des équations (2.8) et (2.9) nécessite la
détermination du niveau de Fermi (niveau d’énergie fictif). On essaye quand même, dans l’équation
(2.33), d’introduire le niveau de Fermi intrinsèque qui est le niveau connu (par l’équation 2.32).
𝐸𝐹 −𝐸𝐶 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐶 𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛(𝑇) = 𝑁𝑐 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 = 𝑁𝑐 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇
{ 𝐸𝑣 −𝐸𝐹 𝐸𝑣 −𝐸𝐹𝑖 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹 (2.33)
𝑝(𝑇) = 𝑃𝑣 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 = 𝑃𝑣 (𝑇)𝑒 𝑘𝑇 𝑒𝑘𝑇

Or le premier terme n’est autre que la concentration des électrons dans le cas intrinsèque qu’on a
défini par ni (voir l’équation (2.31)), on aboutit donc à l’équation (2.34).
𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛(𝑇) = 𝑛𝑖 (𝑇). 𝑒 𝑘𝑇
{ 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹 (2.34)
𝑝(𝑇) = 𝑛𝑖 (𝑇). 𝑒 𝑘𝑇

On peut dire, à partir de l’équation (2.34), que le dopage déplace le niveau de fermi de la position
intrinsèque vers le haut dans le cas du dopage N, et vers le bas dans le cas du dopage P. Ceci est
représenté dans la Figure 2.3.
Pour déterminer le niveau de Fermi dans le cas extrinsèque on combine l’équation (2.34) avec les
équations (2.24) et (2.25). Tout calcul fait on obtient :

𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚 𝛥𝑛(𝑇) 2
𝐸𝐶 − 𝐸𝐹 = − 𝑙𝑛 ( 𝑑ℎ ) − 𝑘𝑇𝑙𝑛 ( + √( 𝛥𝑛(𝑇) ) + 1 ) (2.35)
2 4 𝑚𝑑𝑒 2𝑛𝑖 (𝑇) 2𝑛𝑖(𝑇)

𝐸𝑔 3𝑘𝑇 𝑚 −𝛥𝑛(𝑇) 2
𝐸𝐹 − 𝐸𝑉 = + 𝑙𝑛 ( 𝑚𝑑ℎ ) − 𝑘𝑇𝑙𝑛 ( 2𝑛 (𝑇) + √( 𝛥𝑛(𝑇) ) + 1 ) (2.36)
2 4 𝑑𝑒 𝑖 2𝑛 (𝑇)𝑖

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𝐸 𝐸 𝐸

Même surface
n(T)=p(T)=ni(T)

𝑛(𝑇)
𝑛(𝑇)

𝐸𝑐 𝐸𝑐 𝐸𝑐

𝐸𝐹 𝐸𝑔
𝐸𝐹𝑖
𝐸𝐹
𝐸𝑣 𝐸𝑣 𝐸𝑣

𝑝(𝑇) 𝑝(𝑇)

Le produit des surfaces reste le


même n(T)p(T)=ni²(T)

(a) intrinsèque (b) dopage N (c) dopage P


Figure 2.3 : Concentration des porteurs de charge dans les trois types de semi-conducteurs

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Chap. 3. Mécanismes de transport de charges


I. Introduction
Comme expliqué précédemment, les semi-conducteurs sont capables de transporter le courant
électrique. Bien qu’ils ne soient pas de bons conducteurs, ils disposent de suffisamment de porteurs
de charge libres qui font leurs conductivités. En effet le courant dans un semi-conducteur est le
résultat de deux déplacements. Celui des électrons, dans la bande de conduction, dans le sens
opposé du champ appliqué, qui s’additionne à celui des trous qui se déplacent dans la bande de
valence, dans le même sens que le champ.
De plus le courant dans un semi-conducteur peut être causé par deux phénomènes. Soit comme
expliqué précédemment par un déplacement résultant d’un champ électrique externe appliqué, on
parle alors de courant de conduction. Soit par le déplacement causé par un gradient dans la
distribution des porteurs de charge dans le semi-conducteur, on parle alors de courant de diffusion.

II. Courant de conduction


En absence de champ, les porteurs libres dans le semi-conducteur sont animés par un
mouvement aléatoire, causé par les collisions multiples, qu’on peut assimiler à celui des molécules
d’un gaz dans une enceinte. Ces déplacements (comme représenté dans la Figure 3.1-a) induisent
une distribution de mouvement isotrope, d’où la conclusion que le mouvement d’ensemble est nul.
Sous l’effet d’une force (champ Electrique) les électrons sont animés par un mouvement aléatoire
(à cause des collisions) mais orienté (à cause du champ). Ce déplacement induit un déplacement
global, représenté par le déplacement 1-8 dans la Figure 3.1–b, et qui est dans le sens opposé du
champ.

8
8
1 7 1 7

2 2
4 5 4 5
6 6
3 3

(a) (b)
Figure 3.1 : Effet du champ électrique sur le déplacement des porteurs de charge

La vitesse moyenne d’un porteur sous l’effet d’un champ électrique𝜉⃗ est donnée, selon le modèle
de Drude, par l’équation (3.1)
𝑞𝜏
𝑣̅ = 2𝑚𝐶∗ 𝜉 (3.1)

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Ici q est la charge du porteur, m* sa masse effective, et τC le temps moyen de collision. Ce temps
dépend de :

 La température
 La concentration totale d’impuretés (donneurs et accepteurs)
 La densité d’état.
On définit la mobilité d’un porteur µ comme étant la vitesse moyenne du porteur par unité de
champ électrique. Il s’agit d’une valeur positive exprimée en cm²/V.s et qui reflète la capacité du
porteur à se déplacer sous l’effet d’une force électrique. On distingue, comme exprimé dans les
équations (3.2), la mobilité des électrons µn et la mobilité des trous µp. Ces derniers sont moins
mobiles que les électrons comme on peut l’observer à travers les valeurs numériques du tableau
Tab. 3.1.
−𝑞𝑛 𝜏𝐶
𝜇𝑛 = 2 𝑚𝑒
{ 𝑞𝑝 𝜏𝐶 (3.2)
𝜇𝑝 = 2 𝑚

T=300°K µn (T) µp (T)

Si 1 350 cm2/V.s 480 cm2/V.s

Ge 3 600 cm2/V.s 1 800 cm2/V.s


Tab. 3.1 : Valeurs de mobilité de porteurs pour le silicium et le germanium

On définit donc la densité du courant de diffusion 𝐽⃗⃗⃗𝑐 , par l’équation (3.3). Ici qp=-qn=e est la
charge élémentaire et σn et σp sont respectivement la conductivité des électrons et la conductivité
des trous :

𝐽⃗⃗⃗𝑐 = ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝐽𝑐𝑝 = (−𝑞𝑛 𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝 𝑝𝜇𝑝 )𝜉⃗ = (𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 )𝜉⃗


𝐽𝑐𝑛 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (3.2)
Il est à noter que σn et σp sont toutes les deux positives d’où l’addition des courants de trous et
d’électrons. On définit alors la conductivité du semi-conducteur σ la somme des deux conductivités
précédentes, ce qui permet d’aboutir à l’équation (3.3) qui n’est autre que la loi d’ohm généralisée.

𝐽⃗⃗⃗𝑐 = (𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 )𝜉⃗ = 𝜎𝜉⃗ (3.3)

III. Courant de diffusion


Si les porteurs libres ne sont pas distribués uniformément dans le semi-conducteur, ils sont
soumis au processus de diffusion. Leur mouvement, représenté dans la Figure 3.2, s’effectue dans un
sens qui tend à uniformiser leur distribution spatiale. Ce mouvement introduit un courant qu’on
appelle courant de diffusion.

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Figure 3.2 : Déplacement des porteurs de charge par effet de diffusion


Selon la 1ère loi de Fick, le flux des porteurs est proportionnel au gradient de la concentration des
porteurs. Ceci peut être exprimé par les équations (3.4), où Dn et Dp sont des coefficients positifs,
appelés constantes de diffusion. Les signes (-) dans les deux équations sont dû au fait que les deux
déplacements des porteurs sont dans le sens opposé du gradient. Ici les deux courants (de trous et
d’électrons) ont un sens opposé puisque qp=-qn=q.

𝐽𝑑𝑛 = −𝑞𝑛 𝐷𝑛 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗


⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛)
{ (3.4)
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑑𝑝 = −𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝)

La relation d’Einstein, exprimée dans l’équation (3.5) permet de mettre en relation les deux
constantes de diffusion, les deux mobilités ainsi que la tension thermique VT.
𝐷𝑛 𝐷 𝑘𝑇
𝜇𝑛
= 𝜇𝑝 = 𝑞
= 𝑉𝑇 (3.5)
𝑝

IV. Le courant total


De façon général le courant total qui peut parcourir un semi-conducteur est sous la forme :

𝐽⃗ = ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑐𝑛 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑐𝑝 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑑𝑛 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑑𝑝 (3.6)
Ce qui donne explicitement :

𝐽⃗ = (−𝑞𝑛 𝑛𝜇𝑛 + 𝑞𝑝 𝑝𝜇𝑝 )𝜉⃗ − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗


𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛) − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝) (3.7)
On peut organiser l’équation (3.7) soit sous la forme de somme de courant de conduction et
courant de diffusion comme dans l’équation (3.8), soit sous forme de somme de courant d’électrons
et courant de trous comme dans (3.9).

𝐽⃗ = (𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 )𝜉⃗ − 𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑈𝑇 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗


𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑛) − 𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑈𝑇 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑔𝑟𝑎𝑑(𝑝) = 𝐽⃗⃗⃗𝑐 + ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑑 (3.8)

𝐽⃗ = 𝑞𝑝 𝜇𝑝 (𝑝. 𝜉⃗ − 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑝)) − 𝑞𝑛 𝜇𝑛 (𝑛. 𝜉⃗ + 𝑈𝑇 𝑔𝑟𝑎𝑑
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑛)) = ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑝 + ⃗⃗⃗⃗
𝐽𝑛 (3.9)

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Chap. 4. Mécanismes de génération-


recombinaison
I. Introduction
A température absolue non nulle, on a déterminé la concentration des porteurs libres dans le
semi-conducteur. Il faut comprendre que même si cette concentration des porteurs, et par
conséquent le nombre des porteurs, sont des valeurs constantes et définies pour un semi-
conducteur pour une température donnée, le semi-conducteur est continuellement animé par deux
processus.

 La recombinaison d’électron-trou (disparition de la paire par émission d’énergie)


 La génération d’électron-trou (création de la paire par consommation d’énergie)
Ces deux mécanismes sont continuellement présents au sein d’un semi-conducteur. Il n’y a point
de semi-conducteur sans qu’il y ait de GR qui l’anime.
Dans ce chapitre on essaye de se focaliser sur ces deux mécanismes qui permettent de réguler les
caractéristiques d’un semi-conducteur.

II. Généralité
Cette partie introduit quelques notions prérequis pour l’étude des mécanismes de génération-
recombinaison.

1. Type de génération-recombinaison
On distingue deux types de mécanisme génération-recombinaison.
- La transition directe (génération ou recombinaison) se passe lorsque l’électron passe
directement de la bande de valence à la bande de conduction

Figure 4.1 : Génération et recombinaison direct


- La transition indirecte (dite aussi par niveau-relais ou par piège) est causée par la présence
d’impuretés dans un semi-conducteur. Si ces impuretés présentent un niveau d’énergie Et
permis qui se situe dans la bande de gap du semi-conducteur, ils peuvent alors constituer un
relai pour les processus de génération et de recombinaison. Le niveau Et est dit piège ou
centre de recombinaison

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Figure 4.2 : Génération et recombinaison indirect


2. L’équilibre thermodynamique
Lorsque le semi-conducteur est à l’équilibre thermodynamique on a n.p=ni²=cte qui ne dépend
que de la température. Donc le nombre de porteurs générés est égal au nombre de porteurs
recombinés. On définit :
- g : taux de porteurs générés par s par cm3
- r : taux de porteurs recombinés par s par cm3
- U : taux net de porteurs recombinés par s par cm3
Avec :

U= r - g (4.1)
Pour définir l’équilibre thermodynamique on a :
d'ou
𝑈 =𝑟−𝑔 =0 → 𝑟=𝑔 (4.2)
Lorsque la concentration des porteurs n’est pas celle de l’équilibre, c’est-à-dire que n.p≠ni². Les
mécanismes RG qui existent déjà dans le semi-conducteur s’accentuent de façon à faire disparaitre
l’excès ou le défaut. Attention cette rupture d’équilibre n’a rien à voir avec le dopage des semi-
conducteurs. Dans un semi-conducteur dopé la règle n.p=ni² est bien vérifiée.

III. La génération-recombinaison directe


Dans le cas de la génération-recombinaison directe. A l’équilibre, les taux de génération et
recombinaison (notés gth et rth pour taux de génération et recombinaison thermique) sont égaux. Ils
sont proportionnels au produit des concentrations des porteurs qu’on note (n0 et p0). C’est-à-dire
que :

𝑟𝑡ℎ = 𝑔𝑡ℎ = 𝐶𝑛0 𝑝0 = 𝐶𝑛𝑖 ² (4.3)


Ici C est une constante en cm3.s-1, et n0 et p0 sont les concentrations des porteurs de charge à
l’équilibre. Elles ne sont pas forcément égales à ni et pi.
Suite à une perturbation on aura n.p≠ni² et donc U≠0. On sait que le taux net de recombinaison
est proportionnel à la perturbation. C’est-à-dire que :

𝑈 = 𝑟 − 𝑔 = 𝐶(𝑛𝑝 − 𝑛𝑖2 ) (4.4)


On pose :

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𝑛 = 𝑛0 + 𝑛̂
{ (4.5)
𝑝 = 𝑝0 + 𝑝̂
Où n0 et p0 sont les concentrations à l’équilibre, et 𝑛̂ et 𝑝̂ sont les perturbations en terme
d’électrons et de trous. On a donc :

𝑈 = 𝐶(𝑛0 𝑝̂ + 𝑝0 𝑛̂ + 𝑛̂𝑝̂ + 𝑛0 𝑝0 − 𝑛𝑖2 ) (4.6)


On sait que n0.p0 - ni=0 par définition, d’autre part le terme 𝑛̂𝑝̂ est très petit, donc négligeable
devant les deux autres termes. Ce qui nous permet de déduire que :

𝑈 ≈ 𝐶(𝑛0 𝑝̂ + 𝑝0 𝑛̂) = 𝐶𝑛0 𝑝̂ + 𝐶𝑝0 𝑛̂ (4.7)


On pose :
1
𝜏𝑛 =
{
𝐶𝑝0
1 (4.8)
𝜏𝑝 =
𝐶𝑛0

D’où :
𝑛̂ 𝑝̂
𝑈=
𝜏𝑛
+
𝜏𝑝
(4.9)

La constante τn (τp) est analogue à un temps en s. Elle représente la durée de vie moyenne de
l’électron (du trou) excédentaire. C’est le temps moyen qui sépare son apparition et sa disparition
par mécanisme de recombinaison.
Il faut faire attention que :
- Il ne s’agit pas d’une moyenne arithmétique
- On n’a pas forcément n0=p0 (et par la suite τn ≠ τp) sauf si on est dans un semi-conducteur
intrinsèque.

IV. La génération-recombinaison indirecte


Dans le cas de la génération-recombinaison indirecte on distingue quatre processus, 2 processus
de recombinaison (représentés dans la Figure 4.2 par a et b), et 2 processus de génération
(représentés dans la Figure 4.2 par c et d)
On définit alors :
- Un= ra - gd le taux net de recombinaison électron-piège
- Up= rb - gc le taux net de recombinaison piège-trou
On admet que :
- A l’équilibre nous avons Un=0 et Up=0
- Au régime permanent nous avons Un=Up

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1. Distribution des pièges


La génération-recombinaison indirecte se passe lorsqu’un niveau d’énergie permis, causé par les
impuretés, se situe dans la bande de gap du semi-conducteur. On définit Nt comme étant la
concentration des pièges dans le semi-conducteur. A un instant donné ces pièges peuvent être soit
vides soit déjà occupés par un électron. On peut donc définir Nt par l’équation (4.10) où Ntv est la
concentration des pièges vides et Nto est la concentration des pièges occupés

𝑁𝑡 = 𝑁𝑡𝑣 + 𝑁𝑡𝑜 (4.10)


Soit f la probabilité d’occupation des niveaux relais. On a alors :

𝑁𝑡𝑜 = 𝑓𝑁𝑡 (4.11)


D’où :

𝑁𝑡𝑣 = 𝑁𝑡 − 𝑁𝑡𝑜 = (1 − 𝑓)𝑁𝑡 (4.12)

2. Taux de recombinaison ra et rb
Selon le modèle de Shockley - Hall – Read, le taux de recombinaison du processus a noté ra est
proportionnel à la concentration des électrons n et à celle des niveaux relais vides Ntv. On a donc :

𝑟𝑎 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡𝑣 (4.13)


Avec Vthn la vitesse thermique des électrons, et Sn la section de capture des électrons. On utilise
l’équation (4.12) pour obtenir :

𝑟𝑎 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 (4.14)


Le taux de recombinaison du processus b noté rb est lui proportionnel à la concentration des
trous p et à celle des niveaux relais occupés Nto. On a donc :

𝑟𝑏 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡𝑜 (4.15)


Avec Vthp la vitesse thermique des trous, et Sp la section de capture des trous. On utilise l’équation
(4.11) pour obtenir :

𝑟𝑏 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡 (4.16)

3. Taux de génération gc et gd
Le taux de génération du processus c noté rc est proportionnel à la concentration des niveaux
relais occupés Ntv. On a donc :

𝑔𝑐 = 𝑒𝑝 𝑁𝑡𝑣 = 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 (4.17)


Avec ep : la probabilité d’émission des trous de la bande de valence vers Et. Plus Et est bas plus le
passage de l’électron vers le piège est favorisé. Et par conséquent plus Et est bas plus la probabilité
ep est grande.
Le taux de génération du processus d noté rd est proportionnel à la concentration des niveaux
relais occupés Nto, On a donc :

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𝑔𝑑 = 𝑒𝑛 𝑁𝑡𝑜 = 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡 (4.18)


Avec en : la probabilité d’émission des électrons de Et vers la bande de conduction. Plus Et est
élevé plus la libération d’un électron qui se trouve dans le piège est favorisée. Et par conséquent
plus Et est élevé plus probabilité en est grande.

4. Les taux nets de recombinaison Un et Up


Le taux net de recombinaison électron-piège Un est donc défini par :

𝑈𝑛 = 𝑟𝑎 − 𝑔𝑑 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − 𝑒𝑛 𝑓𝑁𝑡 (4.19)


Le taux net de recombinaison piège-trou Up est défini par :

𝑈𝑝 = 𝑟𝑏 − 𝑔𝑐 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡 − 𝑒𝑝 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 (4.20)


Approximation des pièges efficaces
Dans le cas où le piège se situe au milieu du gap c’est-à-dire que Et=(Ec+Ev)/2, ce qu’on appelle un
piège efficace. On a :

en = ep = ê (4.21)
Sous ces hypothèses on obtient :
𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − ê𝑓𝑁𝑡
{ (4.22)
𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡 − ê(1 − 𝑓)𝑁𝑡
On sait qu’à l’équilibre thermodynamique on a Un=Up=0. D’où :
𝑈𝑛 = 0 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − ê𝑓𝑁𝑡
{ (4.23)
𝑈𝑝 = 0 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡 − ê(1 − 𝑓)𝑁𝑡
Ici n0 et p0 sont respectivement les concentrations d’électrons et de trous à l’équilibre. En
multipliant les deux termes des équations du système (4.22), on aboutit à l’équation (4.23) :

𝑛0 𝑝0 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓(1 − 𝑓) = ê²𝑓(1 − 𝑓) (4.24)


On sait que n0.p0 = ni2 et que 0<f<1. On peut donc conclure que :

ê² = 𝑛𝑖2 𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 (4.25)


Sachant que Sn ≃ Sp = S et que Vthn ≃ Vthp= Vth on aboutit à l’approximation de l’équation (4.24).

ê = 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ (4.26)
Le cas particulier de l’équilibre permet de déterminer ê. Dans le cas général on a :
𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (1 − 𝑓)𝑁𝑡 − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑓𝑁𝑡
{ (4.27)
𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑓𝑁𝑡 − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ (1 − 𝑓)𝑁𝑡
On s’intéresse à l’étude du régime permanent où on sait qu’on a Un=Up=U (qui peut être ≠0). On a
donc :

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𝑛𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓 = 𝑝𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑛𝑖 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) (4.29)


D’où :

𝑛(1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 𝑓 = 𝑝𝑓 − 𝑛𝑖 (1 − 𝑓) (4.30)
L’équation (4.30) permet de conclure que :
𝑛+𝑛
𝑖
𝑓 = 𝑛+𝑝+2𝑛 (4.31)
𝑖

Et par conséquent :
𝑝+𝑛
𝑖
1 − 𝑓 = 𝑛+𝑝+2𝑛 (4.32)
𝑖

Donc dans le cas de piège efficace, en régime permanent on a :


𝑝+𝑛 𝑝+𝑛 𝑛𝑝−𝑛 ²
𝑖
𝑈𝑛 = 𝑈𝑝 = 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 (𝑛 𝑛+𝑝+2𝑛 𝑖
− 𝑛𝑖 𝑛+𝑝+2𝑛 𝑖
) = 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 𝑛+𝑝+2𝑛 (4.33)
𝑖 𝑖 𝑖

On pose :
𝑛 = 𝑛0 + 𝑛̂
{ (4.34)
𝑝 = 𝑝0 + 𝑝̂
Où n0 et p0 sont respectivement les concentrations d’électrons et de trous à l’équilibre. Et 𝑛̂ et 𝑝̂ sont
les perturbations respectives de ces concentrations. On a donc :
(𝑛0 𝑝̂+𝑝0 𝑛̂) 1 (𝑛0 𝑝̂+𝑝0 𝑛̂)
𝑈 ≈ 𝑆𝑉𝑡ℎ 𝑁𝑡 = (4.35)
𝑛+𝑝+2𝑛𝑖 𝜏 𝑛+𝑝+2𝑛𝑖

Où τ définit par l’équation (2.32’) est une constante analogue à un temps en s. Elle représente la
durée de vie moyenne du porteur excédentaire dans le semi-conducteur.
1
𝜏 = 𝑆𝑉 (4.36)
𝑡ℎ 𝑁𝑡

Normalement la durée de vie moyenne de l’électron est différente de celle du trou (comme il a
été établi dans l’équation (4.8) dans le cas de la transition directe). Toutefois, vu qu’on a supposé
que Sn ≃ Sp et Vthn ≃ Vthp il en découle que τn = τp = τ.
Cas général – pièges « non efficaces »
Dans le cas général, où en ≠ ep. On admettra que :
1
𝑓= 𝐸𝑡 −𝐸𝐹 (4.37)
1+𝑒 𝑘𝑇

Ce qui nous permet de conclure que :


𝐸𝐹 −𝐸𝑡
𝑓
=𝑒 𝑘𝑇
1−𝑓
{ 𝐸𝑡 −𝐸𝐹 (4.38)
1−𝑓
𝑓
=𝑒 𝑘𝑇

D’une autre part, on sait qu’à l’équilibre on a Un = Up=0. A partir des équations (4.19) et (4.20) on a :

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𝐸𝑡 −𝐸𝐹
1−𝑓
𝑒𝑛 𝑁𝑡 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 = 𝑛0 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 𝑒 𝑘𝑇
𝑓
{ 𝐸𝐹 −𝐸𝑡 (4.39)
𝑓
𝑒𝑝 𝑁𝑡 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 1−𝑓 = 𝑝0 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑒 𝑘𝑇

On sait aussi (à partir de l’équation (2.34’)) qu’à l’équilibre on a :


𝐸𝐹 −𝐸𝐹𝑖
𝑛 = 𝑛0 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
{ 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝐹 (4.40)
𝑝 = 𝑝0 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇

Finalement on aboutit à :
𝐸𝑡 −𝐸𝐹 𝐸𝐹 −𝐸𝑖 𝐸𝑡 −𝐸𝐹 𝐸𝑡 −𝐸𝑖
𝑒𝑛 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛0 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
{ 𝐸𝐹 −𝐸𝑡 𝐸𝑖 −𝐸𝐹 𝐸𝐹 −𝐸𝑡 𝐸𝑖 −𝐸𝑡 (4.41)
𝑒𝑝 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑝0 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 𝑘𝑇 = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇

L’équation (4.41) montre que les probabilités d’émission en et ep ne dépendent pas du niveau de
Fermi dans un semi-conducteur mais plutôt du niveau de Fermi intrinsèque et du niveau du piège.
On pose.
𝐸𝑡 −𝐸𝐹𝑖
𝑛𝑡 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇
{ 𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝑡 (4.42)
𝑝𝑡 = 𝑛𝑖 𝑒 𝑘𝑇

On a donc :
𝑒𝑛 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ 𝑛𝑡
{𝑒 = 𝑆 𝑉 𝑝 (4.43)
𝑝 𝑝 𝑡ℎ 𝑡

Le cas particulier de l’équilibre permet de déterminer en et ep. Dans le cas général on a :

𝑈𝑛 = 𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) − 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑛𝑡 𝑁𝑡 𝑓 = 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 (𝑛(1 − 𝑓) − 𝑓𝑛𝑡 )


{ (4.44)
𝑈𝑝 = 𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 𝑓 − 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑝𝑡 𝑁𝑡 (1 − 𝑓) = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 (𝑝𝑓 − (1 − 𝑓)𝑝𝑡 )
On s’intéresse à l’étude du régime permanent où on sait qu’on a Un=Up=U. On a donc :

𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡 (𝑛(1 − 𝑓) − 𝑓𝑛𝑡 ) = 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 (𝑝𝑓 − (1 − 𝑓)𝑝𝑡 ) (4.45)


Ceci permet de calculer f et (1-f) qui sont donnés par l’équation (4.45)
𝑛𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 +𝑝𝑡 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝
𝑓=𝑆
𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (𝑛+𝑛𝑡 )+𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 (𝑝+𝑝𝑡 )
{ 𝑛𝑡 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 +𝑝𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 (4.46)
1−𝑓 =𝑆
𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (𝑛+𝑛𝑡 )+𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 (𝑝+𝑝𝑡 )

En substituant le résultat (4.46) dans l’équation (4.44), sachant que nt.pt = ni2, on aboutit à
l’équation (4.47) qui donne les taux de recombinaison nets en régime permanent dans le cas de
piège quelconque (i.e. non efficace).
𝑆𝑛 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡 (𝑛𝑝−𝑛𝑖 ²)
𝑈𝑛 = 𝑈𝑝 = 𝑆 (4.47)
𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 (𝑛+𝑛𝑡 )+𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 (𝑝+𝑝𝑡 )

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On pose alors :
1
𝜏𝑛 = 𝑆
𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛 𝑁𝑡
{ 1 (4.48)
𝜏𝑝 = 𝑆
𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝 𝑁𝑡

Les deux constantes sont des constantes de temps qui représentent les durées de vie moyennes
respectivement des électrons et des trous. On trouve alors que :
1 (𝑛𝑝−𝑛𝑖 ²)
𝑈𝑛 = 𝜏 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛
𝑛 (𝑛+𝑛𝑡 )+(𝑝+𝑝𝑡 )
𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝

1 (𝑛𝑝−𝑛𝑖 ²)
(4.49)
𝑈𝑝 = 𝜏 𝑆𝑝 𝑉𝑡ℎ𝑝
𝑝 (𝑛+𝑛𝑡 )+ (𝑝+𝑝𝑡 )
{ 𝑆𝑛 𝑉𝑡ℎ𝑛

Etant donné que Sn ≃ Sp et Vthn ≃ Vthp, on peut définir de façon générale que :
1 (𝑛𝑝−𝑛𝑖 ²)
𝑈𝑛 = 𝜏 (𝑛+𝑛
𝑛 𝑡 )+(𝑝+𝑝𝑡 )
{ 1 (𝑛𝑝−𝑛𝑖 ²)
(4.50)
𝑈𝑝 = 𝜏
𝑝 (𝑛+𝑛𝑡 )+(𝑝+𝑝𝑡 )

V. Recapitulation
Le tableau Tab 4.1 reprend les valeurs des taux dans les cas étudiés dans ce chapitre

RG indirect RG indirect
RG direct
Piège efficace Cas général
𝑼𝒏 = 𝒓𝒂 − 𝒈𝒅 = 𝒏𝑺𝒏 𝑽𝒕𝒉𝒏 (𝟏 − 𝒇)𝑵𝒕 − 𝒆𝒏 𝒇𝑵𝒕
Définition 𝑼 = 𝒓 − 𝒈 = 𝑪(𝒏𝒑 − 𝒏𝟐𝒊 )
𝑼𝒑 = 𝒓𝒃 − 𝒈𝒄 = 𝒑𝑺𝒑 𝑽𝒕𝒉𝒑 𝒇𝑵𝒕 − 𝒆𝒑 (𝟏 − 𝒇)𝑵𝒕
Vie moyenne 𝟏 𝟏
𝝉𝒏 = 𝝉𝒏 =
des électrons 𝑪𝒑𝟎 𝑺𝒏 𝑽𝒕𝒉𝒏 𝑵𝒕
Vie moyenne 𝟏 𝟏
𝝉𝒑 = 𝝉𝒑 =
des trous 𝑪𝒏𝟎 𝑺𝒑 𝑽𝒕𝒉𝒑 𝑵𝒕
𝟏 𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ² 𝟏 (𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ²)
𝑼𝒏 = 𝑼𝒏 =
U en régime ̂
𝒏 ̂
𝒑 𝝉𝒏 𝒏 + 𝒑+𝟐𝒏𝒊 𝝉𝒏 (𝒏 + 𝒏𝒕 ) + (𝒑 + 𝒑𝒕 )
𝑼= +
permanant 𝝉𝒏 𝝉𝒑 𝟏 𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ² 𝟏 (𝒏𝒑 − 𝒏𝒊 ²)
𝑼𝒑 = 𝑼𝒑 =
{ 𝝉𝒑 𝒏 + 𝒑+𝟐𝒏𝒊 { 𝝉𝒑 (𝒏 + 𝒏𝒕 ) + (𝒑 + 𝒑𝒕 )
Tab 4.1 : Taux nets de recombinaison

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Chap. 5. Équations d’évolution


I. Introduction
Les équations de continuité permettent de regrouper toutes les variations que peuvent subir les
concentrations de porteurs, à savoir les variations temporaires ou spatiales. Ceci permet d’étudier
l’évolution des caractéristiques d’un semi-conducteur. Dans ce document on se limitera à l’évolution
dans une seule direction (à savoir x).

II. Equations de continuité


Soit un élément de volume S.dx d’un semi-
conducteur tel que représenté dans la Figure
5.1. La concentration locale des porteurs dans
l’élément de volume évolue dans le temps suite
aux flux de déplacement de ces porteurs (c’est-
à-dire le passage de courant), ou bien suite aux
phénomènes de génération-recombinaison.
Cette évolution est exprimée par les
équations (5.1) et (5.2) (respectivement pour
les électrons et pour les trous). Figure 5.1 : Eléments des équations de continuité
𝑑𝑛 𝐽𝑛 (𝑥)−𝐽𝑛 (𝑥+𝑑𝑥)
𝑑𝑡
𝑆𝑑𝑥 =𝑆 𝑞𝑛
− 𝑈𝑛 𝑆𝑑𝑥 (5.1)

𝑑𝑝 𝐽𝑝 (𝑥)−𝐽𝑝 (𝑥+𝑑𝑥)
𝑑𝑡
𝑆𝑑𝑥 =𝑆
𝑞𝑝
− 𝑈𝑝 𝑆𝑑𝑥 (5.2)

Par simplification on peut dire que


𝑑𝑛 1 𝐽𝑛 (𝑥)−𝐽𝑛 (𝑥+𝑑𝑥) −1 𝜕𝐽𝑛 (𝑥)
=𝑞 − 𝑈𝑛 = − 𝑈𝑛
𝑑𝑡 𝑛 𝑑𝑥 𝑞𝑛 𝜕𝑥
{ 𝑑𝑝 1 𝐽𝑝 (𝑥)−𝐽𝑝 (𝑥+𝑑𝑥) −1 𝜕𝐽𝑝 (𝑥)
(5.3)
=𝑞 − 𝑈𝑝 = − 𝑈𝑝
𝑑𝑡 𝑝 𝑑𝑥 𝑞𝑝 𝜕𝑥

En injectant la valeur de Jn et Jp obtenues dans l’équation (3.9) on obtient :


𝑑𝑛 −1 𝜕 𝜕𝑛
= (−𝑞𝑛 𝜇𝑛 𝑛𝜉𝑥 − 𝑞𝑛 𝐷𝑛 𝜕𝑥 ) − 𝑈𝑛
𝑑𝑡 𝑞𝑛 𝜕𝑥
{ 𝑑𝑝 −1 𝜕 𝜕𝑝 (5.4)
= (𝑞𝑝 𝜇𝑝 𝑝𝜉𝑥 − 𝑞𝑝 𝐷𝑝 𝜕𝑥 ) − 𝑈𝑝
𝑑𝑡 𝑞𝑝 𝜕𝑥

D’où :
𝑑𝑛 𝜕𝑛 𝜕𝜉𝑥 𝜕²𝑛
= 𝜇𝑛 𝜉𝑥 𝜕𝑥 + 𝜇𝑛 𝑛 + 𝐷𝑛 𝜕𝑥² − 𝑈𝑛
{𝑑𝑝𝑑𝑡 𝜕𝑝
𝜕𝑥
𝜕𝜉𝑥 𝜕2 𝑝
(5.5)
𝑑𝑡
= −𝜇𝑝 𝜉𝑥 𝜕𝑥 − 𝜇𝑝 𝑝 𝜕𝑥
+ 𝐷𝑝 𝜕𝑥² − 𝑈𝑝

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III. Application de l’équation de continuité


Dans cette partie on essayera d’appliquer les équations de continuité (équation (5.5)) afin
d’étudier certains cas particuliers.

1. Injection de porteurs minoritaires en absence de champ – sans déplacement


En absence de champ électrique et en ignorant les phénomènes de mouvement des porteurs on
obtient une simplification de l’équation (5.5) :
𝑑𝑛 −1 (𝑝̂+𝑝0 𝑛̂)
= −𝑈𝑛 =
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝑛+𝑝+2𝑛𝑖
{𝑑𝑝 −1 (𝑛0 𝑝̂+𝑝0 𝑛̂) (5.6)
= −𝑈𝑝 =
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑛+𝑝+2𝑛𝑖

Ici on étudie l’injection de porteurs minoritaires en faible quantité et on suppose qu’on n’injecte
pas de porteurs majoritaires.
Dans un SC type N
On injecte une faible quantité de porteurs minoritaires c’est-à-dire des trous 𝑝̂ . On n’injecte pas
de porteurs majoritaires donc 𝑛̂ =0, d’où on peut conclure que n=n0.
On se met aussi dans le cas d’un fort dopage où :

n=n0 >> ni >> p0 (5.7)


On peut donc écrire que :

𝑛0 𝑝̂ + 𝑝0 𝑛̂ = 𝑛0 𝑝̂ (5.8)
On sait aussi que

𝑛 + 𝑝 + 2𝑛𝑖 = 𝑛0 + 𝑝0 + 𝑝̂ + 2𝑛𝑖 (5.9)


Or 𝑝̂ est négligeable par rapport à p0 et aux autres termes. Et on sait que 𝑛𝑖 = √𝑛0 𝑝0 donc on a :
2
𝑛 + 𝑝 + 2𝑛𝑖 ≃ (√𝑛0 + √𝑝0 ) ≃ 𝑛0 (5.10)
On sait aussi que p0 est constant par rapport au temps d’où :
𝑑𝑝 𝑑(𝑝̂+𝑝0 ) 𝑑𝑝̂
= = (5.11)
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡

On aboutit finalement à l’équation différentielle (5.12)


𝑑𝑝̂ 1
= − 𝜏 𝑝̂ (5.12)
𝑑𝑡 𝑝

La solution de l’équation (5.12) donne l’évolution des porteurs minoritaires (trous) dans un
semi-conducteur de type N en absence de champ. Cette solution donnée par l’équation (5.13) est
représentée dans la Figure 5.2 – a. Ici 𝑝̂ 0 est la perturbation initiale injectée à l’instant t=0.

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−𝑡 −𝑡
𝑝̂ = 𝑝̂ (𝑡 = 0)𝑒 𝜏𝑝 = 𝑝̂ 0 𝑒 𝜏𝑝 (5.13)
Dans un SC type P
On suppose l’injection d’une faible quantité d’électrons 𝑛̂. Sans injection de porteurs majoritaires
donc 𝑝̂ =0. Et on se met aussi dans le cas d’un fort dopage par un calcul similaire on aboutit à :
𝑑𝑛̂ 1
= − 𝜏 𝑛̂ (5.14)
𝑑𝑡 𝑛

La solution de l’équation (5.14) donne l’évolution des porteurs minoritaires (électrons) dans un
semi-conducteur de type P en absence de champ. Cette solution donnée par l’équation (5.15) est
représentée dans la Figure 5.2 – b. Ici 𝑛̂0 est la perturbation initiale injectée à l’instant t=0.
−𝑡 −𝑡
𝑛̂ = 𝑛̂(𝑡 = 0)𝑒 𝜏𝑛 = 𝑛̂0 𝑒 𝜏𝑛 (5.15)

(a) –type N (b) – type P


Figure 5.2 : évolution d’une perturbation des porteurs minoritaires en absence de champ
Ici les variables 𝜏𝑛 et 𝜏𝑝 apparaissent mieux comme des constantes de temps reflétant la durée de
vie des porteurs minoritaires dans un semi-conducteur.

2. Injection de porteurs minoritaires en absence de champ – cas de la diffusion


Dans ce deuxième cas d’étude on intègre le phénomène de la diffusion vu en chapitre 3. Toujours
en absence de champs électrique mais cette fois on injecte des porteurs de façon continue. On a
donc :
𝑑𝑛 𝜕2 𝑝 𝜕2 𝑝 1 (𝑛0 𝑝̂+𝑝0 𝑛̂)
= 𝐷𝑝 𝜕𝑥 2 − 𝑈𝑝 = 𝐷𝑝 𝜕𝑥 2 − 𝜏
𝑑𝑡 𝑝 𝑛+𝑝+2𝑛𝑖
{ (5.16)
𝑑𝑝 𝜕2 𝑛 𝜕2 𝑛 1 (𝑛0 𝑝̂+𝑝0 𝑛̂)
= 𝐷𝑛 𝜕𝑥 2 − 𝑈𝑛 = 𝐷𝑛 𝜕𝑥 2 − 𝜏
𝑑𝑡 𝑛 𝑛+𝑝+2𝑛𝑖

On injecte une faible quantité de porteurs minoritaires. Ceci permet d’utiliser l’équation (5.11) et
l’approximation de l’équation (5.10), dans le cas de semi-conducteur type N, afin d’aboutir à :
𝑑𝑝 𝜕2 𝑝 𝑝̂ 𝜕2 𝑝̂(𝑥) 𝑝̂(𝑥)
= 𝐷𝑝 𝜕𝑥 2 − 𝜏 = 𝐷𝑝 − (5.17)
𝑑𝑡 𝑝 𝜕𝑥 2 𝜏𝑝

Dans le cas du semi-conducteur de type P on a :

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𝑑𝑛 𝜕2 𝑛 𝑛̂ 𝜕2 𝑛̂(𝑥) 𝑛̂(𝑥)
= 𝐷𝑛 𝜕𝑥 2 − 𝜏 = 𝐷𝑛 − (5.18)
𝑑𝑡 𝑛 𝜕𝑥 2 𝜏𝑛

Le fait qu’on injecte les porteurs de façon continue nous permet d’atteindre le régime permanent
(c’est-à-dire lorsque le temps d’injection dépasse largement τp et τn), on peut supposer donc que la
variation temporelle de la concentration des porteurs va finir par s’annuler. On a alors :
𝑑𝑝 𝜕2 𝑛̂(𝑥) 𝑛̂(𝑥)
= 0 = 𝐷𝑛 − dans un SC N
𝑑𝑡 𝜕𝑥 2 𝜏𝑛
{ 𝑑𝑛 𝜕2 𝑝̂(𝑥) 𝑝̂(𝑥)
(5.19)
= 0 = 𝐷𝑝 − dans un SC P
𝑑𝑡 𝜕𝑥 2 𝜏𝑝

On pose

𝐿2𝑝 = 𝐷𝑝 𝜏𝑝
{ (5.20)
𝐿2𝑛 = 𝐷𝑛 𝜏𝑛
On peut dire que les porteurs minoritaires qui sont injectés vont avoir une distribution spatiale
qui répond aux équations différentielles (5.21)
𝜕2 𝑝̂ (𝑥) 1
− ̂ (𝑥) = 0
𝑝 dans un SC N
𝜕𝑥2 𝐿2𝑝
{ (5.21)
𝜕2 𝑛̂ (𝑥) 1
− ̂ (𝑥) = 0
𝑛 dans un SC P
𝜕𝑥2 𝐿2𝑛

Donc la solution s’écrit sous la forme :

−𝑥 𝑥
𝑝̂ (𝑥) = 𝐴𝑝 . 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐿 ) + 𝐵𝑝 . 𝑒𝑥𝑝 (𝐿 ) dans un SC N
{ 𝑝 𝑝
(5.22)
−𝑥 𝑥
𝑛̂(𝑥) = 𝐴𝑛 . 𝑒𝑥𝑝 ( 𝐿 ) + 𝐵𝑛 . 𝑒𝑥𝑝 (𝐿 ) dans un SC P
𝑛 𝑛

Où An, Bn, Ap et Bp sont des constantes à définir en utilisant les conditions en limites.
Semi-conducteur de longueur W infinie – porteurs injectés à x=0
Dans ce cas on peut dire que :
- Lorsque x tend vers ∞ on a la perturbation (𝑝̂ (𝑥) dans le cas du semi-conducteur N et 𝑛̂(𝑥)
dans le cas du semi-conducteur P) qui tend vers 0.
- La perturbation est injectée à x=0 donc on note 𝑝̂ (𝑥) = 𝑝̂ (0) = 𝑝̂0 dans le cas du semi-
conducteur N et 𝑛̂(𝑥) = 𝑛̂(0) = 𝑛̂0 .dans le cas du semi-conducteur P

Inclure ces deux conditions limites dans l’équation (5.22) permet de déduire que Bn=Bp=0, Ap=𝑝̂0
et An=𝑛̂0 . D’où :
−𝑥
( )
𝑝̂ (𝑥) = 𝑝̂0 𝑒 𝐿𝑝
dans un SC N
{ −𝑥
(5.23)
( )
𝑛̂(𝑥) = 𝑛̂0 𝑒 𝐿𝑛 dans un SC P
Ces deux évolutions sont représentées dans la Figure 5.3 dans les deux cas N et P. On remarque
que les distances Lp et Ln reflètent les distances que doit parcourir le porteur excédentaire dans un

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semi-conducteur avant de disparaître par effet de recombinaison. Elles sont dites longueurs de
diffusion des porteurs excédentaires. En s’éloignant de la zone d’injection la perturbation décroit
jusqu’à s’annuler lorsqu’on s’éloigne de plusieurs Lp (ou Ln).

(a) –type N (b) – type P


Figure 5.3 : Evolution spatiale de la perturbation des porteurs minoritaires
L’évolution de l’équation (5.23) représente l’évolution de la perturbation (c’est-à-dire 𝑛̂(𝑥) et
𝑝̂ (𝑥)). La concentration des porteurs ne s’annule pas, elle tend vers la concentration d’équilibre
(c’est-à-dire n0 et p0) c’est ce qui est représenté sur la Figure 5.4.

(a) –type N (b) – type P


Figure 5.4 : Evolution spatiale de la concentration des porteurs minoritaires
Il est à noter que selon le dopage, la distribution des impuretés et la température, les longueurs
Lp et Ln peuvent varier de quelque 10µm à quelques mm.
Semi-conducteur de longueur W finie – porteurs injectés à x=0
Dans ce cas on suppose qu’à la limite du semi-conducteur la perturbation est nulle ceci est dû à la
présence du milieu voisin (métal, air, …). On peut donc dire que :
- A x égal à W on a la perturbation (𝑝̂ (𝑥) dans le cas du semi-conducteur N et 𝑛̂(𝑥) dans le cas
du semi-conducteur P) qui est égale à 0.
- La perturbation est injectée à x=0 donc 𝑝̂ (𝑥) = 𝑝̂0 pour un semi-conducteur N et 𝑛̂(𝑥) =
𝑛̂0 .pour un semi-conducteur P
On inclut ces deux conditions limites dans l’équation (5.22), ce qui permet de déduire que :

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𝑝̂0 𝑊−𝑥
𝑝̂ (𝑥) = 𝑊 𝑠ℎ ( ) dans un SC N
𝑠ℎ( ) 𝐿𝑝
𝐿𝑝
(5.24)
𝑛̂0 𝑊−𝑥
𝑛̂(𝑥) = 𝑊 𝑠ℎ ( ) dans un SC P
{ 𝑠ℎ( ) 𝐿𝑛
𝐿𝑛

Dans le cas ou W>>Ln (ou Lp) l’équation (5.24) tend vers l’équation (5.23).
Semi-conducteur de longueur W finie très petite
Dans ce cas W<<Ln (ou Lp) l’équation (5.24) peut être approximée par développement en série
sous la forme de l’équation linéaire (5.25).
𝑥
𝑝̂ (𝑥) = 𝑝̂0 (1 − 𝑊) dans un SC N
{ 𝑥
(5.25)
𝑛̂(𝑥) = 𝑛̂0 (1 − 𝑊) dans un SC P

Ce cas est souvent rencontré dans les diodes courtes dont la dimension est faible par rapport aux
longueurs de diffusion
Généralisation
La variation de la perturbation de la concentration des porteurs change selon la rapport Ln/W
(ou Lp/W). Afin de comprendre l’effet de ce rapport on trace dans la Figure 5.5 quelques courbes de
la variation de perturbation en fonction de x/W

Figure 5.5 : la variation de perturbation en fonction de x/W

IV. Equation d’électrostatisme


Il est à rappeler que le système est également géré par les équations de Gausse et de Poisson qui
relient les autres paramètres électrostatiques au sein du semi-conducteur.

1. Le théorème de Gausse local


Le théorème de Gausse local, aussi appelé équation de Maxwell-Gauss, relie le champ électrique à
la densité de la charge électrique. Ce théorème est donné par l’équation (5.26), où :
- ε=εr.ε0 est la permittivité électrique du semi-conducteur. Elle est égale au produit de ε0 la
permittivité absolue et de εr la permittivité relative du semi-conducteur.

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- ρ(x,y,z) est la densité locale de charge dans le semi-conducteur. Elle est calculée, en chaque
point de coordonnées (x,y,z), en tenant compte de toutes les charges qui existent localement
dans le semi-conducteur (n, p, NA, ND,…)
𝜌(𝑥,𝑦,𝑧)
div(𝜉⃗) = 𝜀 (5.26)

Comme pour l’équation (5.3) on s’intéresse particulièrement aux variations suivant une direction
privilégiée, à savoir x. On aboutit donc à l’équation (5.27)
𝜕𝜉 𝜌(𝑥)
= (5.27)
𝜕𝑥 𝜀

2. Equation de Poisson
En électrostatique on a :

𝜉⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ (𝑉) (5.28)
En substituant ce résultat dans l’équation de gausse (5.26) on retrouve l’équation de Poisson.
Cette équation, exprimée en (5.29), relie le potentiel à sa source.
𝜌(𝑥,𝑦,𝑧)
𝛻²𝑉 = − (5.29)
𝜀

𝜕² 𝜕² 𝜕²
Où 𝛻² est le Laplacien égal à + 𝜕𝑥² + 𝜕𝑥². Dans le cas de direction privilégiée x on a :
𝜕𝑥²

𝜕2 𝑉 𝜌(𝑥)
=− (5.29)
𝜕𝑥² 𝜀

V. Bilan global
La Figure 5.6 regroupe l’ensemble des équations utiles pour la description d’un système à base
de semi-conducteur.

Figure5.6 : Ensemble d’équations descriptif s du système

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