ANÁLISE DAS CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS E DINÂMICAS DE UM

MOSFET

Breno Barrera, Bruno Billo, Guilherme Domeneghi, Vagner Insaurriaga

Universidade Federal do Pampa
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Resumo – O objetivo deste artigo é identificar na Onde Vds é a tensão entre dreno e fonte.
prática o funcionamento e comportamento do MOSFET O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o
nas configurações mais importantes. Capturar as ondas, fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera
como Vg x IF, Vg x Vds entre outras, relacionando as como um resistor, controlado pela tensão na comporta.
curvas com as características teóricas já estudadas.
1.3 Região de Saturação: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs –
Palavras-Chave – MOSFET, ondas. Vth;
O transístor fica ligado, e um canal que é criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tensão de
I. INTRODUÇÃO dreno é maior do que a tensão na comporta, uma parte do
canal é desligado. A criação dessa região é chamada de
O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide pinçamento (pinch-off). A corrente de dreno é agora
Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo relativamente independente da tensão de dreno (numa
controlado por tensão de três terminais, utilizado em várias primeira aproximação) e é controlada somente pela tensão da
aplicações tanto em circuitos digitais quanto em circuitos comporta.
analógicos, sem ele não teríamos os computadores de hoje,
tal como conhecemos. É um dispositivo unipolar que
depende unicamente da condução de elétrons (canal n) ou 2. Estrutura do MOSFET:
lacunas (canal p) e é chamado respectivamente de
NMOSFET ou PMOSFET. As figuras 1 e 2 mostram, respectivamente, o símbolo e a
O transistor foi criado em 1947 e sua invenção foi configuração básica de um MOSFET.
atribuída a três cientistas Bradeen, Brattain e Shockley.
primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de
superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu
nome foi derivado de suas características intrínsecas:
"resistor de transferência" (transfer + resistor). Em 1955
iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa
tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao
contrario do germânio, é mais abundante na natureza.

II.DESENVOLVIMENTO TEÓRICO

1. Funcionamento do MOSFET:
O transistor MOSFET tem seu funcionamento dividido
em três partes, sendo essas partes dividas pelos valores de Fig. 1 – Estrutura básica.
tensão aplicada aos seus terminais:

1.1 Região de Corte: quando Vgs < Vth;

Onde Vgs é a tensão entre a comporta (gate) e a fonte
(source) e Vth é a Tensão de threshold (limiar) de condução
do dispositivo
O transístor permanece desligado, e não há condução
entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e
fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar
desligada, há uma fraca corrente invertida.

1.2 Região de Triodo (ou região linear): quando Vgs > Vth e
Vds < Vgs – Vth;
 III. DESENVOLVIMENTO PRÁTICO

1. Identificando as Características Gerais.

1.1 Descrever o método para determinação dos terminais do

MOSFET com um multímetro, identificando a seguir.

470R 470R
IF 10W iG 1W
A A
D
G VG V 1k
VS VGS
1W
S

Fig. 4 - Circuito do experimento

Após montar o circuito da Figura 2 em uma protoboard,

Fig. 2 – Corte lateral. ligamos duas fontes de tensão variáveis, Vs e Vgs.
Inicialmente regulamos a fonte de tensão de Vgs em 0V, Vs
em 30V, medindo a corrente de If obtemos 0A. Passamos a
3. Principio de Funcionamento do MOSFET variar a tensão Vgs de 0V a 18V. Medimos tensão Vg(tensão
entre gate e o negativo), Vds(tensão entre dreno e source) e
Analisando a Figura 1, quando a tensão Vgs é negativa, If(corrente fornecida pela fonte Vs).
como por exemplo, -1V. O potencial negativo na porta Os resultados obtidos estão demonstrados na tabela (1):
tenderá a pressionar os elétrons em direção ao subtrato do
tipo p (cargas do mesmo tipo se repelem) e a atrair lacunas Tabela 1 – If e Vds em função de Vg.
do substrato do tipo p (cargas opostas se atraem), como Tensão ajustada [V] Vg[V] Vds[V] If[mA]
mostrado na Figura 1. Dependendo da magnitude da 0 0 30 0
polarização negativa estabelecida por Vgs, um nível de 1,8 1,2 30,2 0
recombinação entre elétrons e lacunas reduzirá o número de
3,6 2,5 30,2 0
elétrons livres no canal n disponíveis para a condução.
Quando mais negativa a polarização, mais a taxa de 5,4 3,7 0,1 68,2
recombinação. O valor resultante da corrente de dreno é, 7,2 4,9 0 68,4
portanto, reduzido conforme Vgs se torna mais negativa. 9 6,1 0 68,4
Para valores positivos de Vgs, a porta com potencial positivo 10,8 7,3 0 68,4
atrai elétrons adicionais (portadores livres) do substrato tipo
12,6 8,6 0 68,4
p devido à corrente de fuga reversa e estabelece novos
portadores por meio de colisões resultantes de partículas 14,4 9,8 0 68,4
aceleradas. 18 12,2 0 68,4

Os resultados podem ser mais bem analisados pelos gráficos

(1) e (2).

80

60
If (mA)

40

20

0
0 5 10 15
Vg (V)
Fig. 3 - Redução dos portadores livres no canal devido ao
Gráfico 1 – Curva Vg x If.
potencial negativo no terminal de porta.
 35 1
30 0,8
25
Vds (V)

Vds (V)
20 0,6
15 0,4
10
5 0,2
0 0
0 5 10 15 0 5 10 15
Vg (V) Vg (V)

Gráfico 2 – Curva Vg x Vds. Gráfico 3 – Curva Vg x Vgs.

Podemos perceber que o transistor não deixa passar -66,5

corrente entre o dreno e o source enquanto não surgir uma
tensão de saturação no gate para que feche o contato entre -67
dreno e source, e que essa tensão de saturação deve ser de

If (mA)
pelo menos 3,7V, caso a tensão seja menor o transistor não -67,5
permite a passagem de corrente.
-68

2. Inverta a polaridade de Vs. -68,5

0 5 10 15
Agora, invertemos a polaridade de Vs e refizemos o
experimento da mesma maneira, variando uma tensão no Vgs Vg (V)
de 0V a 18V.
Gráfico 4 – Curva Vg x If.
Tabela 2 – If e Vds em função de Vg.
Tensão ajustada [V] Vg[V] Vds[V] If[mA] A circulação de corrente explicasse pela presença de um
0 0 0,3 -67 diodo antiparalelo que o MOSFET apresenta conectado
1,8 1,2 0,5 -67 internamente. Dessa forma quando se aplica uma tensão
3,6 2,5 0,7 -67,6 nagativa em Vs, a junção p-n do MOSFET, como já citado,
resulta em um diodo antiparalelo com sentido de condução
5,4 3,7 0,9 -68,2 source-dreno. Assim uma corrente circula pelo dispositivo
7,2 4,9 0,9 -68,4 podendo atingir até o valor nominal da mesma.
9 6,1 0,9 -68,4
10,8 7,3 0,9 -68,4
3. Reconecte Vs com a polaridade original.
12,6 8,6 0,9 -68,4
14,4 9,8 0,9 -68,4 Colocamos Vs com a polaridade original e substituímos a
18 12,2 0,9 -68,4 fonte regulável de Vgs por um gerador de funções,
regulamos ele com uma onda de tensão quadrada, amplitude
Os resultados podem ser mais bem analisados pelos de 18V, sem offset e frequência de 10kHz. Agora variando a
gráficos (3) e (4). razão cíclica entre 0 e 1, medimos Vds e If.

Os resultados podem ser acompanhados na tabela (3).

 Tabela 3 – Vg, Vds e If.
Razão cíclica[%] Vds[V] If[mA]
1 29,3 5,2
10 25,7 8,6
20 22,3 16,6
30 19,8 19,4
40 17,1 26,0
50 14,1 33,8
60 11,3 40,2
70 9,4 43,5
80 6,2 48,7
90 3,5 55,2
99 0,8 67,1

Os resultados podem ser mais bem analisados pelos Fig. 5 - Forma de onda de IF no acionamento do MOSFET
gráficos (5) e (6).

80

60
If (mA)

40

20

0
0 50 100 150
Razão Cíclica (%)

Gráfico 6 – Razão cíclica x If

35
30
25
Vds (V)

20
Fig. 6 – Forma de onda de IF no bloqueio do MOSFET
15
10
5
0
0 20 40 60 80 100
Razão Cíclica (%)

Gráfico 7 – Razão cíclica x Vds

Com a ajuda de um osciloscópio, capturamos as formas

de onda de bloqueio e acionamento do MOSFT referentes a
Vds e If.

Fig. 7 – Forma de onda de VDS no bloqueio do MOSFET


Fig. 8 – Forma de onda de VDS no acionamento do MOSFET
IV. CONCLUSÃO
Na realização deste experimento comprovamos a
importância do MOSFET e sua simplicidade de operação,
por este motivos é um dispositivo eletrônico usado em larga
escala, tanto na eletrônica digital, como na eletrônica
analógica.
Aplicando uma tensão positiva no Gate o dispositivo se
comporta como um condutor permitindo a passagem de
corrente entra Dreno e Source. Notando a comutação
praticamente instantânea, caracterizando o MOSFET como
um dispositivo de chaveamento rápido.
Outra vantagem do dispositivo estudado é o baixo
consumo de energia. E que aplicando uma tensão Vs
negativa, o dispositivo se comporta como um diodo
antiparalelo com sentido de condução source-dreno.