Vous êtes sur la page 1sur 21

Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance

CHAPITRE 1, Electronique de puissance

I.1 Introduction

Pour des motifs économiques, l'énergie électrique est produite sous forme de système de
tensions triphasées, sinusoïdales et équilibrées, et dont la fréquence est de 50 ou 60 Hz. Mais
au niveau de l’usage, généralement les utilisateurs ont besoin d'énergie électrique continue
avec des différentes fréquences qui n’égalent pas celle fournie par le réseau électrique.
Durant les 30 dernières années le contrôle de l'énergie électrique par les interrupteurs à base
d’électronique de puissance est devenu de plus en plus important. De nouvelles classes de
machines électriques fonctionnent par le biais des interrupteurs de puissance, et le futur offre
la possibilité d'un contrôle plus efficace de la grille de l'énergie électrique en utilisant
l'électronique de puissance.
Le succès des interrupteurs à bas de semi-conducteurs (diodes, thyristors, triacs, transistors)
ont facilité la conversion de l’énergie électrique sous sa forme d’onde adaptée aux exigences
en remplaçant des groupes tournants (moteurs), afin de minimiser la masse de ces matériels,
l'encombrement et leur coût.
Dans le but de rectifier l’allure de tension et/ou la fréquence de l'onde électrique, on est obligé
d’utiliser les convertisseurs statiques (dispositifs à composants électroniques).On peut
différencier deux sources de tension, Source de tension continue spécifiée par ça valeur de
tension V, Source de tension alternative spécifiée par les valeurs efficaces de tension V et ça
fréquence f.
I.2 La diode

Les diodes jouent Un rôle important dans les redresseurs non commandés, afin de convertir le
courant alternatif monophasé ou triphasé au courant continu. Elles sont également utilisées
pour fournir la circulation du courant dans les charges inductives. Pour la construction des
diodes, on peut utiliser le silicium et le germanium. Mais il est préférable de les construire par
le silicium, car elles peuvent fonctionner à un courant plus élevé et sous des températures de
jonction plus élevées que les diodes de germanium.
La figure 1.1 illustre la structure d'une diode. Elle dispose d'une borne (A) anode et d’une
borne(K) cathode. La diode est construite en joignant ensemble deux morceaux de matériau
semi-conducteur, celle de type P est reliée à l'anode A, celle de type N à la cathode K, pour
former une jonction p-n.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 1


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Lorsque la borne d'anode est positive par rapport à la borne de cathode, le pn -jonction
devient polarisé et la diode conduit le courant avec une chute de tension relativement faible.
Par contre si la borne de cathode est positive par rapport à la borne d'anode, la jonction pn est
polarisée en inverse et le flux de courant est bloqué. La direction du courant conventionnel est
montrée par La figure. 1.2 dans le cas ou la diode conduit.

id

URM IF

Ud
UF

Figure 1.1: Structure Figure 1.2: Symbole Figure 1.3: Caractéristique statique
d’une diode Réelle

La figure. 1.3 présente les caractéristiques de la tension-courant d'une diode: Où: IF: désigne
le courant direct, UF: désigne la chute de tension directe et URM désigne la tension inverse.
Dans la zone avant, la diode se met à conduire lorsque la tension de l'anode est augmentée par
rapport à la cathode. La tension où le courant commence à augmenter rapidement est appelée
la tension de coude de la diode (UF: désigne la chute de tension directe). Dans le cas d’une
diode de silicium, UF est d'environ 0,7 V. Une légère augmentation de la tension de diode Au-
dessus de UF, produit une augmentation importante du courant. Cette augmentation de courant
peut détruire la diode, par suite de la chaleur excessive générée.
Dans le cas ou la diode est polarisée en inverse, le courant est très faible pour toutes les
valeurs de tension inverse inférieure à la tension de claquage de la diode URM. Au-dessus de
la tension de claquage de la diode URM, le courant augmente rapidement pour de faibles
augmentations de la tension de diode.
UF est toujours inferieure à 2V, elle est négligeable si la tension appliquée est d’une centaine
de voltes et le courant inverse (quelques milliampères) est négligeable devant IF. Donc La
diode peut être considérée comme un interrupteur idéal (jonction parfaite) dont le seuil de

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 2


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

tension est nul, la résistance directe statique ou dynamique est nulle et la résistance inverse est
infinie, figure 1.4.

Figure 1.4: Caractéristique statique idéale

I.2-1 Formation d’une jonction P-N

A la température ordinaire (300°K) il y aura une égalité de charge dans la zone P et N, cette
égalité est due au fait que le semi-conducteur de type N ou P est électriquement neutre.

Surface de contact
Côté P Côté N

Electron minoritaire 1 Trou minoritaire

Donneur ionisé
Accepteur ionisé 2

1) sens de diffusion des trous majoritaire.


2) sens de diffusion des trous majoritaire.
Figure 1.5: la jonction P-N avant formation

Au moment de la création de la jonction, un processus de diffusion des porteurs de charge


libres (électrons et trous) se déclenche du côté d’où ils sont majoritaires vers celui où ils sont
minoritaires : les trous de la région P diffusent vers la région N laissant des charges négatives
fixes (atomes ionisés), et les électrons de la région N diffusent vers la région P laissant des
charges positives.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 3


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Zone de charge d’espace


E≠0,V≠Cte

-xp xn

Zones neutres E=0,V =Cte

Figure 1.6: la jonction P-N après formation

Il apparaît alors au niveau de la jonction une zone de charges fixes dite la (zone de charge
d’espace ou zone de transition) de largeur d0, dépeuplée de porteurs mobiles et qui ne
contient que les charges fixes positives au côté N et négatives au côté P. Cette zone de
transition produit un champ électrique E Appelée (champ de diffusion) et orienté du côte N
vers le côte P, ainsi le potentiel correspondant est dit (potentiel de diffusion ou tension de
contact U0).
Ce champ va s’opposer à la diffusion des porteurs positifs (trous) de manière à établir un
équilibre entre la force de diffusion et la force électrostatique du champ de diffusion.
On a :
𝑘𝑇 𝑁𝑎 𝑁𝑑
𝑈0 = ln
𝑒 𝑛𝑖2
On peut constater que le champ de diffusion dépend de la nature du semi-conducteur (𝑛𝑖2 ), du
dopage (𝑁𝑎 , 𝑁𝑑 ) et de la température.

k ≈ 1,38·10−23 J/K : Constante de Boltzmann en joules par kelvin.


e ≈ 1,6·10−19 C : Valeur absolue de la charge de l’électron en coulombs.
T : Température absolue en Kelvin (0◦C = 273,15 K).

𝑘𝑇
𝑈𝑇 = ≈ 26 mV à 300 K
𝑒

Si la jonction N-P est de type abrupt on a la relation suivante :

𝑁𝑎 𝑥𝑝 = 𝑁𝑑 𝑥𝑛

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 4


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Cette équation montre que l’épaisseur de la zone de transition dans chaque région dépend du
dopage. La largeur totale de la zone de transition est définie comme :

2𝜀 𝑁𝑑 2𝜀 𝑁𝑎 2𝜀 𝑁𝑎 +𝑁𝑑
𝑑0 = 𝑥𝑝 + 𝑥𝑛 = 𝑈0 + 𝑈0 = 𝑈0
𝑒 𝑁𝑎 (𝑁𝑎 +𝑁𝑑 ) 𝑒 𝑁𝑑 (𝑁𝑎 +𝑁𝑑 ) 𝑒 𝑁𝑎 .𝑁𝑑

+ -

Ρ(x)

eNd
Qn

-eNa Qp

E(x)

Emax

Aire=U0

Vn V(x)

U0

Vp

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 5


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Figure 1.6: variation de la densité de charge Ρ(x), champ électrique E(x) et du potentiel V(x)
la zone de transition d’une jonction N-P de type abrupt.

Exemple 1: Soit une jonction PN au silicium à 300 K avec une concentration intrinsèque du
silicium ni = 1,45·1010 cm−3, un dopage Na = 1018 cm−3 dans la région P et un dopage Nd =
1016 cm−3 dans la région N. Calculer sa tension de contact à 300 K.

Réponse : U0 ≈ 0,82 mV à 300 K

On peut déduire la variation du champ électrique à travers la zone de charge d’espace :

−𝑒𝑁𝑎 𝑒𝑁𝑑
𝐸= 𝑥 + 𝑥𝑝 = 𝑥 − 𝑥𝑛
𝜀 𝜀
2𝑈0
D’où 𝐸𝑚𝑎𝑥 =
𝑑0

La charge par unité de surface pour chaque zone :

𝑁𝑎 . 𝑁𝑑
𝑄 = 𝑒𝑁𝑎 𝑥𝑝 = 𝑒𝑁𝑑 𝑥𝑛 = 2𝑒𝜀𝑈0
𝑁𝑎 + 𝑁𝑑

On peut déduire la capacité associée à la zone de charge d’espace :

𝑒𝜀 𝑁𝑎 .𝑁𝑑
𝐶= .
2𝑈0 𝑁𝑎 +𝑁𝑑

Dans le cas où la Jonction PN est polarisée en direct (uD > 0). Les tensions uD et U0 se
retranchent, le potentiel de diffusion devient U0-uD. La largeur de la zone de transition et
l’intensité du champ électrique diminuent. Ce faible champ est incapable d’empêcher la
diffusion des porteurs mobiles (électrons, trous). Le courant iD circule positivement de P vers
N. La tension uD ne doit pas dépasser U0 pour éviter la destruction.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 6


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Dans le cas où la Jonction PN est polarisée en inverse (uD < 0). Les tensions uD et U0
s’additionnent, le potentiel de diffusion devient U0+uD, par conséquent la largeur de la zone
de transition et l’intensité du champ électrique d’étendent. Ce champ électrique s’oppose à la
diffusion des porteurs mobiles (électrons, trous). Pourtant, un très faible courant de fuite
circule de N vers P, iD < 0.

La puissance moyenne dissipée PMoy = 0 La puissance moyenne dissipée PMoy = UD0ID Moy + RDI2 D Eff

Figure 1.7:Caractéristique - Modèle linéaire par morceaux


On peut calculer le courant iD par l’équation suivante
D Eff
:
𝑢𝐷
𝑖𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑇 − 1𝑁𝑈

Où :
IS est le courant de saturation ou inverse
N coefficient d’idéalité ou coefficient d’émission ; il est voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au Si et dans les diodes au Ge, et il est compris entre 1 et 2 dans le cas de diodes au
Si.
I.3Thyristors
Thyristors sont des interrupteurs à base de semi-conducteurs ayant quatre couches semi-
conductrices pnpn. Ces dispositifs basculent entre l’état passant ou conducteur (On-state) et
l’état non conducteur (Off-state) en réponse à un signal de commande, et ils peuvent être
unidirectionnels ou bidirectionnels. Thyristors sont utilisés dans les circuits de temporisations
électroniques, gradateurs d'éclairage, dans les circuits de commutation circuits de

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 7


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

commutation, et pour contrôler la variation de vitesse des moteurs AC. La famille de


thyristor comprend : S.C.R. (Silicon Controlled Rectifier) ou redresseur commandé, le G.T.O.
Thyristor (Gate-Turn-Off Thyristor) ou S.C.R. blocable est un interrupteur électronique
unidirectionnel à fermeture et ouverture commandées, le DIAC (DIode Alterning Current
switch) DIAC, le TRIAC (TRIode Alternative Current semiconductor), le commutateur
commandé au silicium (SCS).

I.3.1 S.C.R. (REDRESSEURS COMMANDÉS)

Un S.C.R. est un interrupteur électronique unidirectionnel à fermeture commandée. Un S.C.R.


est connu sous le nom de thyristor ou thyristor triode à blocage inverse.

Gâchette
(G)
Cathode (K) Anode (A)

(a) (b)

Figure 1.8: (a) Symbole électrique d’un S.C.R thyristor, (b) la structure d’un S.C.R thyristor

L’amorçage du S.C.R. (fermeture du contact) s’effectue par le courant de gâchette, et son


blocage (ouverture du contact) s’effectue en annulant le courant d’anode i A, point (iA = 0, uAK
= 0).
Le fonctionnement du thyristor peut être expliqué d'une manière intuitive : le thyristor agit
comme une jonction pn classique à l'état bloqué Lorsque la tension V AK est négative
(polarisation inverse). La polarisation en sens direct de VAK, avec l’injection d’un faible
courant dans la gâchette, provoque l’amorçage du thyristor (fermeture du contact) et le
thyristor conduit le courant direct iA. Le thyristor continue à conduire le courant direct

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 8


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

(même si le courant de gâchette est nul), à condition que VAK reste positive. Cependant le
blocage (ouverture du contact) est causé par l’annulation de courant d’anode iA, point (iA = 0,
uAK = 0).

Figure 1.9: Caractéristique d’ modèle idéal d’un thyristor.

Figure 1.10: Caractéristique statique Réelle

UT (On-state voltage) : Tension directe à l’état passant (typiquement 1à 3 V).


IT (On-state current) : Intensité directe à l’état passant.
rT : Résistance dynamique à l’état passant.
UBO (breakover voltage) : Tension de claquage en direct.
IBO (breakover current) : Courant de claquage en direct.
IH (Holding current) : Intensité de maintien ou hypostatique.
IL (Latching current) : Intensité d’accrochage, toujours supérieure ou égale à IH.
UR (Reverse voltage) : Tension inverse.
IR (Reverse current) : Intensité inverse.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 9


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

UBR (Breakdown reverse voltage) : Tension inverse de retournement.

La figure 1.10 v(i) indique qu'au courant de gâchette iG = 0, Si on applique un tension positive
uAK sur le thyristor, il y aura un courant de fuite dû au blocage de la jonction intermédiaire. Si
cette tension dépasse un seuil critique (tension de retournement par avalanche UBO (breakover
voltage)), le thyristor passe en conduction. De plus, on peut remarquer que le courant de
gâchette iG abaisse la tension d’amorçage.
Durant la conduction, si iG = 0 et le courant anodique iA est inférieur à une limite critique
connu sous le nom de courant de maintien (IH holding current), le dispositif revient à l'état de
blocage direct.

Pour L’amorçage d’un thyristor il faut remplir à la fois les conditions suivantes:

1. Le courant de gâchette iG doit être supérieur au courant de seuil, noté IGT (Gate Trigger
Current),
2. Le courant d’anode iA doit franchir une intensité minimale nommée courant
d’accrochage IL (Latching current) avant la disparition du courant de gâchette,
3. La tension anode-cathode uAK soit positive.

I.3.2 G.T.O. THYRISTORS


Le G.T.O. Thyristor (Gate-Turn-Off Thyristor) ou S.C.R. blocable est un interrupteur de
puissance qui peut être amorcé par une courte impulsion de courant de gâchette et être éteint
par une impulsion inverse de gâchette. Il est spécialement affecté à travailler dans les circuits
ayant des sources de tensions continues. L’amplitude de l’impulsion inverse de gâchette
dépend du courant de l'anode pour que Le G.T.O soit désactivé (typiquement 33% du courant
d’anode.

Figure 1.11: Symbole d’un G.T.O.


I.3.3 TRIAC

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 10


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Le TRIAC (TRIode Alternative Current semiconductor) est un interrupteur électronique qui


possède une structure multi-jonction complexe ; intégration d'une paire de thyristors avec une
commande en angle de phase connecté tête-bêche sur la même puce.

Figure 1.12: Symbole d’un G.T.O.

La figure 1.13 de modèle idéal d’un TRIAC montre que son amorçage est réalisé par
l’impulsion de gâchette, et son blocage est réalisé par l’annulation naturelle du courant
d’anode (iA = 0).
Dans les deux cas Polarisation directe et Polarisation inverse Les caractéristiques volts
ampères du TRIAC est semblable à celle d’un S.C.R. polarisé en direct, comme le montre la
figure 1.14.
Pour L’amorçage d’un TRIAC il faut remplir à la fois les mêmes conditions que celles du
S.C.R pour que la tension uA2A1 soit positive ou négative.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 11


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Figure 1.13: Caractéristique d’un modèle idéal d’un TRIAC.

Figure 1.14: Caractéristique statique Réelle d’un TRIAC.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 12


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

I.4 Transistors bipolaires

Le transistor bipolaire ou B.J.T. (Bipolar Junction Transistor), ou encore transistor bi-


jonction, est un interrupteur à base de semi-conducteur à trois extrémités respectivement
nommées collecteur C, émetteur E et base B (figure. 1.15). La circulation d’un faible courant
IB à travers la base initie et soutient la circulation du courant IC du collecteur à l'émetteur. Dès
que le courant dans la base cesse, la circulation s’interrompt. Lorsque le BJT est en état de
conduction, la tension entre le point C et le point E est généralement de 2 V à 3 V.Le symbole
pour un BJT NPN est donné à la figure1.15, et sa caractéristique statique i-v est décrite sur la
figure1.6. Comme le montre la caractéristique statique i-v.

Collecteur C

Base B

Émetteur E

(a) (b)
Figure 1.15: (a) la structure d’un BJT NPN, (b) Symbole électrique d’un BJT NPN.

iC = f (uCE) avec uCE = uBE

iC = f (iB)

ICE0

Région de blocage

Figure 1.16: Caractéristiques d’un transistor bipolaire.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 13


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

La figure 1.16 présente le modèle de base avec uCE > 0 et uBE > 0.
La courbe de la fonction iC = f (uCE) est dit Caractéristique de sortie, cette Caractéristique est
tracée pour divers valeurs constantes de IB. L’allure pointillée iC = f (uCE) avec uCE = uBE
limite la saturation directe de la conduction directe.
Dans le cas de conduction directe uCE > uBE (donc uBC < 0) : Le transistor fonctionne entre
collecteur et émetteur comme une source de courant dominée par iB (ou uBE).
Par contre en saturation directe 0 < uCE < uBE (donc uBE > uBC > 0) : A IB constant (ou UBE
constant), plus la jonction BC est polarisée en direct, plus le transistor est saturé et plus le
courant iC diminue.
Dans le cas ou uCE > 0 et uBE < 0, la région de blocage se situe entre l’axe iC = 0 et la courbe
de iC = f (uCE) à iB = 0 (iC = ICE0 en conduction directe).
La courbe de la fonction iC = f (iB) est dit Caractéristique de transfert en courant en
conduction directe au courant de fuite ICE0 près.

I.5 Le MOSFET

Les MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) de puissance ou


TECMOS (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur) est un semi-conducteur
avec trois bornes S : Source, D (cathode): Drain (l'anode), G : Grille (Gate), B : Substrat
(Bulk).
À l’aide d’une tension exercée entre (G) et (S) on peut domine par effet de champ le courant
circulant dans le canal situé entre la source (S) et le drain (D), le substrat (B) étant relié
de manière à assurer le blocage des jonctions substrat-drain et substrat-source. Donc
l’amorçage du courant ID dans le drain ce fait en appliquant une tension EGS à peu près 12v sur
la grille. Dès que la tension UGS est diminuée plus bas de 1v, la circulation sera cessée.Il
suffit un petit courant dans la grille (très faible puissance) afin d’amorcer et désamorcer la
conduction. La figure 1.17 présente Les caractéristiques du MOSFET, ainsi que les valeurs
maximales.
Pour la protection du MOSFET contre les tensions négatives de l’UDS, il est indispensable
d’intégrer en parallèle avec MOSFET une diode.

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 14


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Région de conduction
Non-saturée
100A

Région de conduction
non-saturée

fmax≈200KHZ

Région de blocage 1KV


Figure 1.17: Caractéristique de sortie d’un MOSFET

Ou UTh N. La tension de seuil (threshold voltage)

I.6 I.G.B.T.

L’I.G.B.T. (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un interrupteur à base de semi-conducteur à


trois extrémités respectivement nommées collecteur C, émetteur E et Grille G (Gate),.il est
unidirectionnel et ca conduction s’effectue en exerçant une tension positive appropriée entre
la gâchette G et l’émetteur E (la base).L’I.G.B.T. a le but de marier les avantages de B.J.T.
(La caractéristique de la conductivité ;basse tension de saturation ) et des MOSFET
(L'impédance d'entrée élevée et des caractéristiques de vitesse élevée).

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 15


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

(a) (b)
Figure 1.18: (a) Symbole électrique d’un I.G.B.T, (b) la structure d’un I.G.B.T.

3V
IC

800A Région de conduction

fmax≈50KHZ

UCE
Région de blocage 1.5K
V

Figure 1.19: Caractéristique de sortie d’un I.G.B.T

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 16


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

Figure 1.20: Diagramme comparatif des puissances nominales et


vitesses de commutation des dispositifs semi-conducteurs contrôlables

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 17


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

TD n°1
Exercice 1
On considère une jonction pn abrupte au silicium à 300K, dopée d’une côté avec Na=1018 cm-
3
et de l’autre côté Nd=2,6 1016 cm-3,𝑛𝑖2 = 2,6. 1020 cm−3 , U0=26mV et 𝜖𝑟 𝜖0 = 10−12 𝐹/𝑐𝑚,
à 300K Calculer :
a) la concentration de porteurs minoritaires dans chacune des zones.
b) la potentiel de diffusion de la jonction.
c) la largeur de la zone de charge d’espace en faisant les approximations habituelles.
Que vaut l’extension du coté p et coté n ?
d) la valeur maximale du champ électrique à la jonction métallurgique.

solution 1
a) La concentration de porteurs minoritaires

dans la zone P dans la zone N


𝑛𝑖2 2,6 × 10 20
𝑛𝑖2 2,6 × 1020
𝑛𝑝 = = = 𝟐𝟔𝟎 𝐜𝐦−𝟑 𝑝𝑛 = = = 𝟏𝟎𝟎𝟎𝟎 𝐜𝐦−𝟑
𝑁𝑎 1018 𝑁𝑑 2,6 × 1016

b) le potentiel de diffusion de la jonction.

𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 −3 2,6 × 1034
𝑉𝑑 = 𝑈0 × ln = 26 × 10 ln , 𝑽𝒅 = 𝟎, 𝟖𝟑𝟖𝑽
𝑛𝑖2 2,6 × 1020

c) La largeur de la zone de charge d’espace

2𝜀 𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 2. 10−10 102,6. 1022


𝑑0 = 𝑈 = . 0,838. = 𝟎. 𝟐𝟎𝟑𝟐𝝁𝒎
𝑒 0 𝑁𝑎 . 𝑁𝑑 1,602. 10−19 2,6. 1022 . 1024

L’extension du coté p

2𝜀 𝑁𝑑 2. 10−10 2,6. 1022


𝑥𝑝 = 𝑈0 = . 0,838. = 𝟎. 𝟎𝟎𝟓𝟏𝟓𝝁𝒎
𝑒 𝑁𝑎 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑) 1,602. 10−19 1024 . 102,6. 1022

L’extension du coté n

2𝜀 𝑁𝑎 2.10 −10 10 24
𝑥𝑛 = 𝑈0 = −19
. 0,838. = 𝟎. 𝟏𝟗𝟖𝟎𝟑𝝁𝒎
𝑒 𝑁𝑑 (𝑁𝑎 +𝑁𝑑 ) 1,602.10 10 22 .2,6.102,6.10 22

d) La valeur maximale du champ électrique

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 18


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

2𝑉𝑑 2 × 0,838
𝐸𝑚𝑎𝑥 = = = 𝟖. 𝟐𝟒𝟖𝑴𝑽/𝒎
𝑑0 0.2032
Exercice 2
On considère une jonction pn abrupte au Germanium à 300K, dopée d’un côté avec 1020
atomes de Bore par m3 et de l’autre côté avec 1021 atomes de phosphore par m3.si
ni=2.33.1013 :
a) Calculer la concentration en majoritaires et minoritaires dans chaque zones.
b) Calculer la tension de diffusion de la jonction.
c) Calculer l’extension de la zone de charge d’espace de chaque côté en faisant les
approximations habituelles.
d) En polarisant cette jonction en inverse par une tension de 10 V, calculer l’extension de la
zone de charge d’espace.
e) Dans ce cas, quelle est la valeur de la capacité si la section est de 10-8.

solution 2
a) La concentration en majoritaires et minoritaires dans chaque zone

dans la zone P dans la zone N

𝑁𝑎 = 1020 𝐦−𝟑 = 1014 𝐜𝐦−𝟑 𝑁𝑑 = 1021 𝐦−𝟑 = 1015 𝐜𝐦−𝟑

𝑛𝑖2 2,33 × 1013 2


−𝟑 𝑛𝑖2 2,33 × 1013 2
−𝟑
𝑛𝑝 = = = 𝟓. 𝟒𝟑. 1012 𝐜𝐦 𝑝𝑛 = = = 𝟓. 𝟒𝟑. 1011 𝐜𝐦
𝑁𝑑 1015
𝑁𝑎 1014

b) La tension de diffusion de la jonction.

14
𝑁𝑎 . 𝑁𝑑 −3 10 × 1015
𝑉𝑑 = 𝑈0 × ln = 26 × 10 ln , 𝑽𝒅 = 𝟏𝟑𝟓, 𝟔𝟏𝟔 𝒎𝑽
𝑛𝑖2 2,33 × 1013 2

c)

On a

Ge Si
𝝐𝒓 = 16 11.8
−12
𝝐𝟎 = 8,854 . 10 𝐹/𝑚

L’extension du coté p

2𝜀 𝑁𝑑 283,326 . 10−12 1021


𝑥𝑝 = 𝑈0 = −19
. 0,1356. 20 = 𝟏, 𝟒𝟕𝟔𝟓 𝝁𝒎
𝑒 𝑁𝑎 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 ) 1,602. 10 10 . (1021 + 1020 )

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 19


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

L’extension du coté n

2𝜀 𝑁𝑎 283,326 . 10−12 1020


𝑥𝑛 = 𝑈0 = −19
. 0,1356. 21 = 𝟎, 𝟏𝟒𝟕𝟔𝟗 𝝁𝒎
𝑒 𝑁𝑑 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑) 1,602. 10 10 . (1021 + 1020 )

L’extension de la zone de charge d’espace

2𝜀 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 ) 283,326 . 10−12 (1021 + 1020 )


𝑤= 𝑈 = . 0,1356. = 𝟏. 𝟔𝟐𝟒𝟏𝟗 𝝁𝒎
𝑒 0 𝑁𝑎 ∗ 𝑁𝑑 1,602. 10−19 1021 . 1020

d) l’extension de la zone de charge d’espace, dans le cas de la polarisation inverse

2𝜀 (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 ) 283,326 . 10−12 (1021 + 1020 )


𝑤= (𝑼𝟎 + 𝒗) = . 𝟏𝟎, 𝟏𝟑𝟓𝟔. = 𝟏𝟒. 𝟎𝟒𝟐𝟏𝟑 𝝁𝒎
𝑒 𝑁𝑎 ∗ 𝑁𝑑 1,602. 10−19 1021 . 1020

La capacité

𝑒𝜀 (𝑁𝑎 ∗ 𝑁𝑑 )
𝐶= . ∗𝐴
2. 𝑈0 𝑁𝑎 +𝑁𝑑

Exercice 3
Une approximation du caractéristique directe d’une diode illustrée à la figure 1.21, est donné
par 𝑉 = 1 + 0.01𝐼, Pour un courant constant de 45mA et pour un rapport cyclique 2/3;
Calculer :
a) La tension à l'état passant ;
b) puissance moyen des pertes ;
c) courant efficace.

Figure 1.21

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 20


Eléments semi-conducteurs en électronique de puissance
CHAPITRE 1, Electronique de puissance

solution 3
dans l’etat passante
𝑉𝑓 45𝐴 = 1.0 + 𝐼𝑓 ∗ 0.01 = 𝟏. 𝟒𝟓𝑽
Si le rapport cyclique est 2/3 la puissance moyenne est
2
𝑃 = 𝛿. 𝑉𝑓 . 𝐼𝑓 = 3 ∗ 1,45 ∗ 45 = 43.2 𝑊

Le courant efficace
2
𝐼𝑒𝑓𝑓 = 𝛿 ∗ 𝐼𝑑𝑐 = *45=36.7A
3

Dr. Dehini Rachid,Université de Béchar, Faculté de Technologie, Page 21

Vous aimerez peut-être aussi