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ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE NICE SOPHIA


Cycle Initial Polytech - PeiP
Première Année
Année scolaire 2012/2013

Epreuve d’électronique analogique N°3 - CORRECTION

Mardi 7 mai 2013 Durée : 1h30

 Cours et documents non autorisés.


 Calculatrice de type collège autorisée
 Vous répondrez directement sur cette feuille.
 Tout échange entre étudiants (gomme, stylo, réponses…) est interdit
 Vous devez :
 indiquer votre nom et votre prénom.
 éteindre votre téléphone portable ( 1 point par sonnerie).

RAPPELS :

collecteur ib ic
IC
B C
IB N
base VCE P .ib
vBE RS vCE
N+
VBE IE E
émetteur
Transistor NPN Schéma électrique équivalent du transistor
bipolaire NPN en régime de petit signal

Préfixes milli m 103


micro µ 106

Impédance d’une capacité C : 1/(jC) [] Impédance d’une bobine L : jL []

Filtre passe bas : G  Filtre passe haut : G 


H H H H
 
1  jRC  1 
1 j 1 j 1 j 0
0 RC 

Forme générale de la tension aux bornes de la capacité d’un circuit R.C :

 t 
VC t   A. exp  B
 R.C 

Quadripôle :  V1   Z11 Z12   I1   V1  Z11.I1  Z12.I2


 V   Z .  
matrice impédance  2   21 Z22  I2   V2  Z21.I1  Z22.I2

1
EXERCICE I : Alimentation stabilisée (3.5 pts)

VCE
VDD

Soit le circuit ci-contre dont les


éléments sont : R1 = 180 , R2 = 220 , R1 R2
pour le transistor : VS = 0,6 V,
RS = 0 ,  = 150, VCEsat = 0,2 V. VE
RL
La diode Zener : VZ = 5,6 V, RZ = 0 .

Zener
La LED : VLED = 2 V, RLED = 10 
VB LED

La tension d’entrée, VDD, est fournie pour un transformateur suivi d’un pont de diode et d’une
capacité. VDD présente une ondulation et on considérera que sa valeur moyenne est
VDD = 12 V. Vous utiliserez cette valeur pour tous les calculs.

I.1. Donner la valeur de la tension V B sur la base du transistor en considérant que la diode 0,25
Zener est passante.

VB = 5,6 V

I.2. Donner la valeur du courant qui circule dans R 1. 0,25

VDD  VZ
IR1 = = 35,5 mA
R1

I.3. Donner la valeur de la tension VE sur l’émetteur du transistor. 0,25

VE = 5,6  0,6 = 5 V

I.4. Déterminer l’expression et la valeur du courant qui circule dans la LED. 0,5

VE  VLED
ILED = = 13 mA
R 2  R LED

I.5. Déterminer la valeur de la tension VCE. 0,25

VCE = VDD  VE = 7 V

I.6. Est-ce que la tension VCE dépend (a priori) de la valeur de RL ? 0,25

OUI X NON

I.7. Le transistor peut dissiper au maximum P = 25 W. En négligeant la puissance dissipée 0,5


due au courant de base, IB, déterminer le courant ICmax que peut délivrer le transistor

ICmax = P/VCE = 3,57 A

2
I.8. Quelle est la valeur de RL qui permet d’obtenir ICmax ?
0,5
VE
RL = = 1,4 
IC max  ILED

I.9. Pour ICmax, donner la valeur de IBmax ? 0,25

IBmax = 23,8 mA

I.10. Dans ce cas, dire pourquoi la diode Zener est toujours passante. 0,5

IBmax < IR1 donc il y a toujours du courant qui circule dans la diode Zener.

EXERCICE II : Amplificateur en base commune (5.5 pts)

VDD

C2
R1 RC VC

VB
C1
Figure II
VBE RL VL
CB R2 RE EG

On se propose d’étudier les propriétés de l’amplificateur de la figure II où EG est le signal qu’il


faut amplifier et, RL, la charge branchée en sortie. Les tensions VB et VC sont référencées par
rapport à la masse. On supposera que 1 +    pour le transistor.

II.1. Gain de l’amplificateur

On considére que les capacités C1, C2 et CB sont des court-circuits pour les fréquences du
signal EG.

II.1.1. Quelle est la signification de « base commune » ? 0,25

A. La base de ce montage est commune à tous les élèves

B. La base du transistor est tout ce qu’il a de plus commun

X C. La base du transistor est reliée à la masse en régime de petit signal

D La base de l’émetteur est reliée à la masse en régime de petit signal

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II.1.2. Donner le schéma en petit signal du montage. Vous ferez apparaître la base,
l’émetteur et le collecteur du transistor. La résistance parasite 1/hoe sera négligée. 1,5

E .ib C

ib

eg 1 RE RS RC RL vl
B

Masse / VDD / Base

II.1.3. Donner l’expression du gain en tension


0,5

vl .RC // R L
AV = =
eg RS

II.2. Fréquence de coupure basse due à CB

On considérera que les capacités C1, C2 sont des court-circuits pour cette étude.

II.2.1. Représenter le schéma petit signal en gardant CB. On posera RB = R1 // R2. La 0,5
résistance parasite 1/hoe sera négligée.

E .ib C

ib

eg 1 RE RS RC RL vl
B

RB CB vb

Masse / VDD / Base

II.2.2 Quel est le rôle de la capacité CB (entourer la bonne réponse) ? 0,25

A X Augmenter le gain en alternatif en court-circuitant la résistance RB

B Eviter l’échauffement du transistor

C Empêcher que la partie statique de EG modifie le point de polarisation du transistor.

D Court-circuiter l’émetteur pour laisser passer la partie alternative de EG

E Empêcher que la partie statique de VDD modifie le point de polarisation du transistor.

II.2.3 Pour le circuit, la capacité CB représente un filtre : 0,5

A X Passe bas

4
B Passe haut

C Passe partout

II.2.4 Déterminer alors l’expression du gain en tension AVCB. Vous ferez clairement 1
apparaître la forme du filtre (c.f. rappels).

RB
v ZB jC B RB
A VCB  b = avec ZB  
eg R S  ZB 1 jC BR B  1
RB 
jC B

Soit :
RB
v jC BR B  1 RB RB 1
AV  b   
eg RB jC BR BR S  R S  R B R S  R B R BR S
RS  1  jCB
jC BR B  1 RS  RB

II.2.5 Déterminer la fréquence de coupure du filtre. 0,5

RS  R B
FCB =
2CBR BR S

II.2.6 On souhaite amplifier un signal audio dont les fréquences sont comprises entre 1 kHz 0,5
et 10 kHz. Quelle valeur choisissez-vous pour la fréquence FCB ?

Il faut que FCB ≤ 1 kHz

EXERCICE III : LMFAO – Shuffle bot (6 pts)

PARTIE 1 PARTIE 2
VDD

R R4
R1 C C R2
R
D1
T3 D2
R3 D3
T1 VA
T2 D4

Figure III.1. Les données du montage sont : VDD = 9 V, R1 = R2 = 500 . Pour les transistors
T1 et T2 : VCEsat = 0, RS = 0 , VS = 0,6 V. Pour T3 : VCEsat = 0, RS = 1 k, VS = 0,6 V,  = 300.
Pour les diodes VLED = 2 V, RLED = 0

On se propose de réaliser les yeux clignotants rouges du shuffle bot du groupe LMFAO.
Il existe plusieurs schémas électriques qui peuvent réaliser cette fonction et nous étudierons
celui de la figure (III.1). Il se compose d’un oscillateur Abraham Bloch (partie 1) sur lequel on
branche les diodes via un transistor (partie 2). Cette deuxième partie est en deux exemplaires
pour les yeux donc il y a deux parties 2 branchées sur VA.
5
III.1. Etude de l’oscillateur (PARTIE 1).

On considère que la partie 2 n’a pas d’influence sur l’oscillateur

0,5
III.1.1. Donner les valeurs min et max de la tension V A.

VAmin = VCEsat = 0 V

VAmax = VDD = 9 V

III.1.2. On considère qu’à l’instant t = 0, le transistor T 2 devient passant et que par 1


conséquent la tension sur la base de T1 devient égale à VS  VDD. Donner l’expression de
l’évolution temporelle de la tension VBE du transistor T1.

La forme générale de l’expression de VBE est :

 t 
VBE t   A. exp    B Avec VBE t  0  VS  VDD  A  B
 R.C 

 t 
et VBE t    VDD  B Soit : VBE t   VS  2.VDD . exp    VDD
 R.C 

III.1.3. A partir du résultat de la question (III.1.2), donner l’expression de la période de 0.5


l’oscillateur.

 V  VDD 
TP =  2.R.C. ln  S 
 VS  2.VDD 

III.2. Etude de l’étage de sortie (PARTIE 2).

On souhaite faire circuler un courant de 20 mA dans les 4 diodes en série. Vous conserverez
3 chiffres après la virgule

III.2.1. Quelle doit être la valeur de R 4 pour que le transistor T4 soit à la limite de la 0.5
saturation

VDD  4.VLED  VCEsat


R4 = = 50 
IC3

III.2.2. Déterminer la valeur du courant de base.


0.5

IB3 = 66,67 µA

6
III.2.3. Lorsque T2 est bloqué déterminer la valeur maximale de VA. 0.5

VAmax = VDD  R2. IB3 = 8,967 V

III.2.4. Est-ce que cette valeur de VAmax impacte le fonctionnement de l’oscillateur ? 0.5

Non car VAmax  VDD qui est la valeur donnée à la question III.1.1

III.2.5. Déterminer la valeur de la résistance R3

V DD  R2 .IB3  RS .IB3  VS  4.VLED


R3 = 1
IB3

VA max  RS .IB3  VS  4.VLED


R3= = 4.5 k
IB3

III.2.6. Est-il possible de faire clignoter les deux yeux de façon alternée, expliquer 1
comment ?

Oui en branchant l’autre œil sur le collecteur du transistor 1

EXERCICE IV : Quadripôles (5 pts + 1 de bonus)

IV.1. Par la méthode de votre choix, 1


Z11 = R
déterminer les paramètres impédances de
ce quadripôle :
Z12 = 0
I1 Quadripôle I2

Z21 = gm.R2
V1 R gm.V1 R V2
Z22 = R

IV.2. Par la méthode de votre choix, 1


Z11 = 2R
déterminer les paramètres impédances de
ce quadripôle :
Z12 = R

Z21 = R

7
I1 I2 Z22 = 2R

R R
V1 R V2

IV.3. Soit le montage suivant 1

I1 Quadripôle I2

Rg
eg V1 R1 .I1 R2 V2 RL

IV.3.1 Par la méthode de votre choix, déterminer les paramètres impédances du quadripôle :

Z11 = R1 Z12 = 0

Z21 = .R2
Z22 = R2

IV.3.2 Déterminer alors l’expression du gain en tension en fonction des composants du 0.5
quadripôle et de RL

 R 2  R 2R L 
AV    R 2 // R L
R1 .R 2 R1R L  R1 .R 2 R1
R1 
RL

IV.3.3 Déterminer l’expression du gain en tension composite en fonction des éléments du 0.5
circuit

V2 V2 V1  R1 
A Vg    R2 // R L .  R2 // R L
eg V1 eg R1 R1  Rg R1  Rg

IV.3.4 Déterminer l’expression du gain en tension, A V, en fonction des paramètres Z et de RL 1


bonus

8
V2 Z21
AV  
V1 Z  Z11 .Z22  Z12 .Z21
11
RL

IV.4. Par la méthode de votre choix, 1


Z11 = R1
déterminer les paramètres impédances de
ce quadripôle (AOP monté en
amplificateur) : Z12 = 0

i1 i2
Z21 = R1
R2
v1 R1 v2 Z22 = R2

Quadripôle

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