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Conception d’un réseau d’antennes à balayage électronique

Le projet proposé est un travail de groupe (4 ou 5 étudiants) qui couvre plusieurs aspects et
qui renforce la formation en Radiofréquences.

Il présente plusieurs avantages :

- Couvre les disciplines hyperfréquences et Antennes


- Permet de se familiariser avec les outils de calcul mathématique et les logiciels de Cao
(QUCS, CST, ADS, Matlab,…)
- Permet d’appréhender les contraintes pratiques de réalisation et de mesures
- Permet de consolider les connaissances théoriques acquises dans le cours et Complète
la formation avec des notions supplémentaires sur les circuits RF passifs et actifs et les
dispositifs de télécommunications
- Initie les étudiants au travail de groupe et aux projets multidisciplinaires complexes en
démarrant par l’étude bibliographique, en répartissant les tâches et en échangeant avec
les autres investigateurs

Chaque groupe devrait remettre son travail sous forme de rapport et éventuellement une vidéo
illustrant la réalisation pratique d’un ou de plusieurs modules.

La note est attribuée pour le degré d’avancement, la maitrise des outils, les résultats et
commentaires des simulations, les réalisations pratiques et le rapport final.

Cahier de charges :

On se propose de réaliser une antenne réseau de réception formée de 4 patches avec un


système de balayage électronique et une amplification faible bruit (Figure1).

Figure 1 : Antenne active de réception avec Beamforming


Partie I : Conception de circuits passifs : un système Combineur/Diviseur
de puissance de Wilkinson + Déphaseur passif à lignes de transmission

Le circuit global doit répondre aux exigences suivantes :

Paramètres Contraintes
Bande de fonctionnement 5.725GHz à 5.875GHz
Adaptation Sii < -10dB , i=1, 2, 3, 4, 5
Pertes d’insertion IL <13 dB
Domaine du déphaseur 0° < < 354°
Résolution du déphaseur   6°

La partie qui combine (somme) les puissances en provenance des 4 antennes est
indiquée sur la figure 2.

Part1
QUCS
Arrivée 1

Arrivée 2

Vers
récepteur

Arrivée 3

Arrivée 4

Figure2: Schéma synoptique du Combineur de puissance.


On peut songer à utiliser 3 combineur de wilkinson pour réaliser cette opération.
2 :1+2 :1+2 :1. Chaque structure aura l’allure indiquée sur la figure 3.
Figure3 : Diviseur/Combineur de Wilkinson

Le circuit QUCS de la figure 4 constitue un draft de départ pour s’en inspirer et simuler toute
la structure. Il faudrait toutefois utiliser le substrat RO4650B de Rogers, dont les paramètres
sont :

Permittivité r=3.65

tg=0.0037

Hauteur du substrat H=0.762 mm

Figure4 Circuit de simulation QUCS d’un diviseur Wilkinson


Vérifier que les accès sont adaptés et que la puissance est divisée équitablement et en phase
entre les sorties comme indiqués par les résultats des courbes suivantes(Figure5).

Figure5 : Résultats de simulation d’un seul diviseur de Wilkinson.

Pour la conception d’un déphaseur variable avec des plages couvrant 0 à 360° et des pas ne
dépassant pas 6° (Figure 6), on peuy imaginer des paires de commutateurs SP4T
(Single_Pole_Four_Throw) en choissant des tronçons de lignes apportant les retards (donc
déphasages voulus).

Part2

Figure6 : Synoptique de Déphaseur à lignes de transmission


Chaque paire de commutateurs constitue un sélecteur à 2bits. Les déphasages apportés par
chaque paire sont résumés dans le tableau suivant:

Paire X1-X2 Paire X3 &X4 Paire X5 & X6


a. 0 a. 0 a. 0
b. 5.625 b. 22.5 b. 90
c. 11.25 c. 45 c. 180
d. 16.875 d. 67.5 d. 270 (-90)
La figure 7 montre un exemple de circuit pour simuler le déphaseur, pour illustrer le principe.

Figure7 : Circuit de simulation d’un déphaseur.

Partie II : Conception de circuits Actifs: Amplificateur faible Bruit (LNA)


On se propose de concevoir un amplificateur faible bruit LNA(Low Noise Amplifier à
5.8GHz à base d’un transistor BFU730F de NXP.

Données:
1°) Plusieurs fichiers Touchstone sont disponibles donnant les paramètres S et les paramètres
de bruit du transistor BFU730F pour différentes conditions de polarisation.

2°) Le substrat à utilizer est celui Rogers, le RO4350B d’épaisseur 0.508mm. Ses
caractéristiques sont :

Permittivité Diélectrique : r=3.66

Hauteur : h=0.508mm

tg: tg=0.004

3°) La bande de fonctionnement s’étend de 5.725 à 5.875 GHz


4°) L’adaptation à l’entrée et à la sortie doit donner avec une impedance de normalisation
Z0=50, dB(S11)<-10 et dB(S22) <-10. Elle peut être effectuée à l’aide de composants
discrets ou de preference des lignes et des stubs microbandes.

4°) Le gain Transducique en puissance doit être : dB(S21) >15dB

5°) Le Facteur (Figure) de bruit doit être inférieur à 2dB

6°) L’amplificateur doit être inconditionnellement stable

7°) Une fois le transistor choisi, le circuit de polarization doit être dimensionné et integer dans
le circuit pour verifier l’impact sur les performances de l’amplificateur.

La partie LNA ainsi qu’un exemple de prototype pratique sont indiqués sur la figure8.

Part3 QUCS

LNA

LNA

LNA

LNA

Figure8 : Partie LNA et Exemple de prototype


Pour la conception d’un amplificateur Il est conseillé de suivre la procédure suivante:
Etape 1: Etude de la Stabilité du Transistor

Pour cela les conditions suivantes doivent être satisfaites.

a) Le facteur de RolletK doit être supérieur à 1aux fréquences de fonctionnement


b) La quantité B1 doit être positive be positive (ou encore le module du déterminant  de
la matrice S doit être inférieur à 1)

Un exemple de circuit QUCS est indiqué sur la figure9. Les transistors pourraient être vérifiés
en fonction de la polarisation et leurs performances comparées aux exigences en termes de
stabilité, gain et bruit.

Fig.9 Etude de la Stabilité du transistor


Les résultats devraient ressembler à ceux indiqués dans le tableau1.

Table1: Résultats de simulation du BFU730F_XXXXX.S2P

Etape2: Gain et Figure de Bruit


Les coefficients de réflexion retenus à l’entrée et à la sortie serviront pour l’adaptation du
transistor à l’aide de QUCS afin de vérifier les performances en Gain et en Bruit (Figure10).
Fig.10 Circuits d’adaptation à l’entrée et à la sortie

D’autres outils basés sur l’abaque de Smith et fournis sur Moodle peuvent aussi être utilisés.
Le transistor adapté doit montrer des pertes de réflexion suffisantes comme indiqué sur le
tableau suivant.

Table2: Résultats de simulation de l’Amplifier

Bien entendu, des compromis sont possibles pour améliorer le facteur de bruit au détriment du
gain. Ce choix peut se faire à l’aide de l’abaque de Smith sur lequel on trace des cercles à gain
constant et des cercles à bruit constant. L’intersection de 2 cercles donne un coefficient de
réflexion réalisant les deux conditions

Etape3: Polarisation
A ce stade, il faut dimensionner le circuit de polarisation en choisissant les résistances
adéquates capables de fixer le point de fonctionnement DC du transistor et ensuite d’ajouter
les capacités de découplage et les selfs de choc ou circuits d’isolation du circuit de
polarisation et de la partie RF.
Etape4: Simulation du circuit complet en ajoutant tous les éléments passifs(Figure 11)

Figure11. Schéma du circuit amplificateur

Bien entendu les résultats précédents seront légèrement modifiés. Vous pourriez regrouper
vos résultats sous forme de tableaux ou courbes qui illustrent le comportement de
l’amplificateur.

Il est à noter que pour améliorer davantage votre conception, vous pourriez:

- Tenir compte des valeurs exactes de tous les éléments passifs et de leur tolérance. Une
modélisation précise des éléments pourrait être envisagée.
- Bien organiser le Layout et tenir compte de différentes discontinuités et couplages
- Bien dimensionner le circuit de polarisation en effectuant une analyse DC. Dans ce cas
un modèle Spice de votre transistor est nécessaire.
- Utiliser les circles à gain constant ou à figure de bruit constant pour le compromis
Gain/Facteur de Bruit.
- Songer à la stabilité thermique en ajoutant des résistances sur l’émetteur de votre
transistor.
Partie III : Conception d’une antenne imprimée à 5.8 GHz
La partie rayonnante du système est formée de 4 patches (Figure12).

CST
Partie4

Figure12 : Réseau de 4 antennes et exemple d’élément rayonnant imprimé (patch)

L’objectif de cette partie est de concevoir un patch rectangulaire alimenté par


coaxial, qui sera utilisé dans le réseau à 4 radiateurs.

L’antenne doit répondre aux exigencies suivantes:

Fréquence de fonctionnement: F=5.8GHz (Bandwidth: 5.725 to 5.875GHz)

Adaptation: S11 < 10dB @ Zo=50

Efficacité:  > 80/%

Gain: G=6dBi

Le substrat à utiliser est le RO4350B de Rogers Corporation. Ses paramètres


sont:
Permittivité: r=3.66

Hauteur: h=1.524

tg: tg=0.0031

Le métal utilisé est le cuivre de conductivité 5.8 107 S/m et d’épaisseur :


t=0.035mm

Formules empiriques:

La structure microbande à considérer est représentée par la figure 13.

Figure.13 Schéme d’une antenne patch alimentée par coaxial .

Les valeurs des différents paramètres peuvent être trouvées à partir des
expressions empiriques présentes dans les ouvrages RF et le web.

Largeur du patch:


(1)

Où : W est la largeur fixant la résistance de rayonnement du patch, r est la


permittivité diélectrique relative du substrat et c=3.108 m/s est la célérité de la
lumière en espace libre.

Longueur Effective du patch :

(2)
√

Où reff est la permittivité relative effective donnée par;


 
 ( ) (3)

Longueur Physique du patch:

 (4)

Où L est la longueur physique et L l’allongement fictif dù à l’effet de bord.


( )( )
 (5)
( )( )

Pour des considérations pratiques, les dimensions du substrat et du plan de


masse doivent être données par:

(6)

(7)

La position du coaxial d’alimentation peut être trouvée par des simulations


paramétriques et approximée par les coordonnées (Xf, Yf):

(8)
√

(9)

En utilisant QUCS (Fig.14), on peut calculer les diamètres intérieur et extérieur


du coaxial rempli de téflon (r=2.1), pour obtenir une impédance caractéristique
de 50. Par exemple :

and (10)
Ensuite en utilisant Matlab ou Excel on peut déterminer les autres dimensions:

 ( )

mm

( )( )

( )( )

Pour une référence au centre : et

Fig.14 Détermination des dimensions des lignes microbande/coaxiales

Les paramètres ainsi trouvés et regroupés dans le tableau suivant, constituent un bon point de
départ pour une simulation plus rigoureuse faite à l’aide de CST.

Table: Paramètres préliminaires du Patch

Parameters Value (mm)


W 11.98
L 13.8
t 0.035
h 1.524
d 0.63
D 2.12
Lg 22
Wg 24
Xf 0.85
Yf 0
Conception par CST

Fig.15 Menu principal de CST.

Le menu principal de CST est indiqué par la figure 15 et la simulation initiale pourrait donner
des résultats approximatifs comme l’indique la figure16. Généralement, on constate un
décalage de la fréquence de résonance et un coefficient de réflexion pas assez faible. Une
étude paramétrique s’impose alors pour obtenir une bonne adaptation à la bonne fréquence de
résonance.

Fig.16 Coefficient de réflexion S11avec les dimensions initiales


La phase Optimisation passe par la variation de la longueur du patch ainsi que de la position
du point d’excitation et légèrement la largeur W, pour obtenir des résultats satisfaisants
(Figure17). Les dimensions optimisées sont regroupées dans le tableau suivant.

Tableau: Paramètres Optimisés du Patch

Parameters Value (mm)


W 14
L 12.69
Xf 2
Yf 0

Figure17. Coefficient de réflexion après ajustement des dimensions


A ces stade il faut vérifier si les objectifs fixes sont atteints, en termes de Gain, adaptation,
fréquences de résonance, bande passante, polarisation, diagramme de rayonnement, efficacité.

Qucs

• Quite Universal Circuit Simulator (Qucs) est un simulateur libre de circuits électroniques.
Vous pourriez le télécharger à partir de: http://qucs.sourceforge.net/

• Une description succincte des fonctions mathématiques utiles disponibles dans QUCS peut
être trouvée dans : https://web.mit.edu/qucs_v0.0.19/docs/en/mathfunc.html

CST Studio Suite®(Student version) est un logiciel performant d’analyse électromagnétique


3D EM pour concevoir, analyser et optimizer des composants et systèmes électromagnétiques.
Vous pourriez télécharger une version étudiant à partir : https://www.3ds.com/products-
services/simulia/products/cst-studiosuite/student-edition/