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UNIVERSITE CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

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FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
******
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

Mémoire présenté par :


DIEME Nfally
Maître ès Sciences
Pour obtenir le

DIPLOME D’ETUDES APPROFONDIES EN PHYSIQUE APPLIQUEE

Option : Energie Solaire

Sujet : LES PARAMETRES ELECTRIQUES D’UNE PHOTOPILE


AU SILICIUM A JONCTION VERTICALE PARALLELE SOUS
ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE.

Soutenu publiquement le mercredi 8 Décembre 2009 devant le jury


composé de :

Président : M. SISSOKO Grégoire Professeur Titulaire, FST/ UCAD


Mme HAWA LY Chargée d’enseignements UFR/SET
DIALLO Univ. Thiès
Membres : M. Fabé I. BARRO Maitre-assistant FST/ UCAD
Mme Aminata Guèye Docteur de 3ème cycle FST/ UCAD
CAMARA
Invitée : Rufina Dabo SARR Conseillère en Energie au Ministère
de l’Education

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REMERCIEMENTS

Mes Profonds remerciements à M onsieur Grégoire SISSOKO Professeur


Titulaire au Département de Physique d'avoir bien voulu m'encadrer e t
d'avoir mis à ma disposition tout le nécessaire pour l'accomplissement ce
travail.

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PLAN
1 R EPRESENTATION DE LA PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE
PARRLLELE

2 ET UDE DE LA DENSITE DES PORTEURS MINORITAIRE DE CHARGE


DANS LA BASE

3 ETUDE DE LA DENSITE DU PHOTOCOURANT

4 LA PHOTOTENSION AUX BORNES DE LA PHOTOPILE

5 CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION

6 ETUDE DE LA CAPACITE

7 LE RENDEMENT DE LA PHOTOPILE

8 CONCLUSION ET PERSPECTIVES

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NOMENCLATURE

Symbole Signification

n(z)……………………........... densité des porteurs minoritaires dans la base


(atomes.cm-3)
D……………............... ………. coefficient de diffusion de porteurs
minoritaires dans la base (cm².s-1)
𝝉𝝉…………………………………………. durée de vie des porteurs minoritaires dans la
base (s)
𝑳𝑳……………......................... longueur de diffusion des porteurs minoritaires
dans la base (cm)
𝑺𝑺𝒇𝒇 …………….......................vitesse de recombinaison à la jonction (cm.s-1)
𝒛𝒛……………………………………….. épaisseur dans la base (µm)
𝒙𝒙 ………........................... profondeur dans la base (µm)
𝒒𝒒………………………………………. charge élémentaire (C)
𝒏𝒏𝒊𝒊 .................................. concentration intrinsèque du silicium (cm-3)
𝑵𝑵𝑩𝑩 ……………………………………. taux de dopage des impuretés dans la base
(cm-3)
𝑮𝑮𝒏𝒏 (𝒙𝒙)………………………………. taux de génération (cm3.s-1)
𝑱𝑱𝑷𝑷𝑷𝑷 ................................. densité de photocourant (A.cm-2)
𝑽𝑽𝒑𝒑𝒑𝒑 ………………………………….. phototension (Volt)
𝑽𝑽𝑻𝑻 ……………………………………. tension thermique (Volt)
𝒌𝒌………………………………………. constante de Boltzmann (J.K-1)
𝑪𝑪………………………………… capacité de la photopile (µF.𝑐𝑐𝑐𝑐−3 )

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INTRODUCTION GENERALE

Ce mémoire constitue la première étape de mon travail dans le domaine


de la recherche scientifique. Il repose sur le thème : « les paramètres
électriques d’une photopile au silicium à j onction verticale parallèle sous
éclairement polychromatique. » .
Ce thème a ét é conçu et élaboré au laboratoire des semi-conducteurs et
d’énergie solaire ,dans le cadre d’apporter une contribution à la diminution
de notre dépendance en énergie provenant du pétrole. Vu l’épuisement
des sources d’énergie fossile il est donc nécessaire de recourir à d ’autres
sources d’énergie comme :
le soleil (énergie solaire) , le vent (énergie éolienne) , les barrages
(énergie hydroélectrique) et c., communément appelées sources
d’énergies renouvelables. Le soleil est une source inépuisable, non
polluante.
La conversion de l’énergie solaire en en énergie électrique se fait à l’aide
de cellules solaires appelées photopile .
Cette photopile a été fabriquée sans filtre co loré . Ce qui signifie que
toutes les radiations susceptibles de mettre les électrons dans la bande
de conduction sont tenues en compte: d’où le terme « éclairement
polychromatique c’est dire éclairement avec une lumière composée de
plusieurs longueurs d’onde»
Les paramètres électriques q ui nous intéressent dans ce thème ne sont
rien d’autre que le photocourant, la phototension e t éventuellement la
capacité de la photopile.
C’est ainsi que pour aborder ce t hème le travail a ét é divisé en deux
chapitres dont le premier est consacré à u ne étude bibliographique et
second à l’étude proprement dit de la photopile en régime statique

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CHAPITRE I :

ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE

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I ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE
I-1 Introduction
L’ élément essentiel de la chaîne de conversion du rayonnement solaire en
énergie électrique est :la photopile appelée dans le langage courant le
panneau solaire. Dans le but d’améliorer leur rendement ,de nouvelles
cellules solaires appelées photopiles à j onction verticale ont été
fabriquées.
Dans ce chapitre, en nous basant sur des articles nous procéderons à une
étude bibliographique sur les modèles de photopiles à jonction verticale,
sur le déplacement du point de densité et enfin nous présenterons
quelques méthodes de détermination des paramètres électriques en
régime statique.

I-2 Utilisation silicium


Le silicium pur (intrinsèque) est un élément de quatrième valence qui a
une st ructure cr istalline. A la température de 0K chaque atome de la
grille cristalline est attaché aux atomes voisins par quatre liaisons
covalentes.
A chaque autre température cer tains électrons de la valence passent
dans la zone de conduction et cer taines liaisons covalentes so nt ainsi
interrompues. L’absence d ’un électron de valence dans une liaison
covalente est équivalente à l’existence d’un trous, qui a la même charge
que l’électron mai de charge positive. Le nombre d’électrons libres d ans
un semi-conducteur pur est égal toujours à celui des trous. Ce nombre
est d’autant plus important que la température est élevée.
Le processus de création d’électron et de trous dans un semi-conducteur
pur s’appelle t hermogénération . Il est accompagné parc un processus
inverse appelé recombinaison.
Durant son mouvement chaotique un électron libre peut rencontrer un
trou e t constituer ainsi une liaison covalente interrompue. On dit que
l’électron a r ecombiné avec le trou. Pendant ce p assage de la zone de

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conduction à l a zone de valence l ’énergie de l’électron diminue. La
recombinaison dégage de l’énergie sous forme de quanta (photon).
A chaque température il existe un équilibre dynamique entre le nombre
de paire électron-trou générées et recombinées .cela signifie qu’a une
température donnée la concentration des électrons n ou la concentration
des trous p ( leurs nombre par unité de volume) est constante. C ette
concentration s’appelle concentration intrinsèque. n i : (ni =n=p)
Le silicium dans son état pur ne convient pas p our construire les
composantes électroniques parc que sa conductivité est trop faible
(≈4,58.10-6Ω-1m-1).
Pour augmenter sa conductivité et le rentre utilisable on introduit dans sa
structure cristalline un certain nombre d’impuretés de sorte que leur
concentration N devient nettement supérieure àl a concentration
intrinsèque n i mais nettement supérieur à la densité du silicium.
Ce processus d’introduction d’impureté s’appelle dopage .il s’effectue par :
diffusion, par épitaxie, ou par implantation ionique .les impuretés sont des
éléments chimiques de cinquième valence (ex :P, As, Sb et on parle de
conductivité de type N) ou de troisième valence (ex : B, In c’est la
conductivité de type P)

I-3 Modélisation de la photopile à jonction verticale


I-3-1 Avantages de la jonction verticale [2]
Une faible collection des porteurs de charges minoritaires due
aux courtes longueurs de diffusion est un problème majeur des
photopiles à base de silicium.
L’une des approches pour palier à ce p roblème est la fabrication
des cellules à jonction verticale introduite pour la première fois
en 1970 [4] pour une application dans l’espace.
L’avantage de ces nouvelles cellules est la courte distance entre
le lieu de génération des porteurs minoritaires dans la base et
l’émetteur. Cela permet de faciliter leur collection. Une
amélioration du courant de court circuit J C C peut être réalisé en

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fournissant de courtes distances entre le lieu de création des
porteurs est l’émetteur.
Ainsi, une série de cellule à jonction verticale au silicium est
fabriquée puis caractérisée.
Il existe deux types de jonction verticale qui sont :

I-3-2 Cellules à jonction verticale connectées en série [3]

Figure 1: Sc héma de con nex i on en s ér ies d es cell u le s à jon c ti o n


ve rt i cal e
Les cellules sont connectées par l’intermédiaire d’ un métal.

I-3-3 Cellules à jonction verticale connectées en parallèle [4]

Figure :2 S ch éma de c onn ex ion para l lè le de s c el lu le s à jon c ti on


ve rt i cal e
La structure de base est donnée à l a figure (2), où les bases
sont connectées entre elles et les émetteurs entre eux.

I-4 Jonction PN :la zone de charge d’espace (ZCE)

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Considérons u n cristal de silicium composé d’un segment de type P e t
d’un segment de type N. Au moment de la création de la jonction entre les
deux segments un processus de diffusion se d éclenche .les trous du
segment P (où concentration élevée) pénètrent dans le segment N et les
électrons libres du segment N (où la concentration est élevée) vont dans
le segment P.

Figure3: illustration de la zone de charge d’espace

Il en résulte que les couches d’atomes de donneurs les plus proches de la


limite métallurgique seront démunies d’électrons libres et se transforment
en des charges positives immobiles et les couches d’atomes d’accepteurs
les plus proches de la limite métallurgique seront démunies en trous et se
transforment en des charges négatives immobiles.
Entre les deux charges égale et opposés il existe un champ électrique dont
l’intensité est proportionnelle a leur quantité. Le sens de ce champ est tel
qui s’oppose à l a diffusion des trous et des électrons par laquelle il a été
créé. C’est cet espace formé de charges fixes et immobiles qu’on appellera
la jonction ou encore la zone de charges d’espace

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I-5 Etude de l’extension de la zone de charge d’espace
(déplacement du point de densité maximale) [5]

Lorsque la cellule solaire est soumise à u n éclairement, il se p roduit un


processus de thermogénération de paires électrons trous par les atomes
de silicium dans la partie hors de la zone de charge. Le profile de la
densité relative des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la
profondeur z de la base est donné par la figure suivante

Figure 4 : Profil de la densité relative des porteurs de charges minoritaires en


excès en fonction de la profondeur de la base z en court-circuit, en circuit
ouvert et à Sf = 10 4 cm/s

Cette figure (4), illustre qu’il existe un point de cote Z0 dans la


profondeur de la base où la densité relative des porteurs de charges
minoritaires présente un gradient nul. Ce point, correspondant au
maximum de densité de porteurs, se déplace en profondeur dans la
base lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction Sf augmente.
Ainsi, lorsque la photopile fonctionne en circuit ouvert, l’élargissement
de la zone de charge d’espace est faible puis il augmente en fonction du
point de fonctionnement jusqu’à atteindre sa valeur maximale. La
région de la base où la densité des porteurs minoritaires présente
un gradient positif est assimilable à une extension de la zone de

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charge d’espace vers le volume de la base. Ainsi, pour déterminer cet
élargissement de la zone de charge d’espace Z0(S f ), il suffit de résoudre

∂n( z )
l’équation suivante : =0
∂z z = zo
I-1
( n(z) :densité des porteurs de charges minoritaires dans la base)

I-6 limite de la jonction


Les directions des d éplacements d es él ectrons et des trous so us
l’influence du c hamp électrique de la jonction PN so nt opposées à cel le
des électrons et des trous de fusion . Leur quantité ne dépend pas d e
l’intensité du champ électrique m ais de la température et de la surface
transversale de la jonction
Comme la diffusion diminue quand le champ électrique s’intensifie, vient
un moment o u le nombre d’électrons (trous) déplacés par diffusion
devient égale au nombre d’électron (trous) déplacés dans le sens opposé
sous l’influence du champ électrique. On dit qu’à l’équilibre :
conduction ═ diffusion
A ce m oment la quantité des charges immobiles et le champ électrique
dans la jonction électrique cessent de croitre. U n équilibre d ynamique
s’installe dans la jonction. Cet équilibre est matérialisé par :

2 ε O ε rV mx 1 1
Z mx = ( + )
q N A N D
I-2

Vmx = VT ln N A N
KT
2
D
et VT =
n q
i

I-7 Taux de génération [10]


L’éclairement auquel sera soumis la photopile est considéré
comme uniforme. Nous aurons alors un taux de génération ne
dépendant que de la profondeur x (l’axe d’éclairement) dans la
base.
Son expression générale sera donnée par la relation suivante
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3 −b x
G(x) = ∑ a ⋅ e i
i
i =1
où l es coefficients a i et b i sont obtenus à p artir des valeurs
tabulées de l’éclairement solaire et de la dépendance du
coefficient d’absorption du silicium avec la longueur d’onde. Ces
coefficients sont récapitulés dans le tableau suivant :
i ai bi
1 6,13.1020 cm-3.s-1 6630cm-1

2 0,54.1020 cm-3.s-1 103cm-1


3 0,0991.1020 cm-3.s-1 130cm-1

I-8 Capacité de la photopile


∂n( z )
Elle est donnée par la relation C=q
∂V
I-3
Le profil du logarithme de la capacité en fonction de la phototension [5]
a donné une droite affine .

Figure 5: Représentation semi-logarithmique de la capacité de la photopile en


fonction de la phototension

La projection de cette droite sur l’axe des ordonnées nous permet


d’obtenir C o appelée capacité sous l’obscurité ou capacité intrinsèque de
la photopile.

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I-9 Rendement de la photopile
On s’appuiera sur la r ésolution de l’exercice de PC1 pour établir son
expression [5]
Enoncé :
1°) Un condensateur plan dont les armatures A et B de surface S, sont
séparées par le vide d’une distance Z, est chargé sous une ddp V. Etablir
l’expression d e l a charge Q , de la force F qui s’exerce sur chaque
armature et de l’énergie du condensateur en fonction de S, Z , 𝜺𝜺𝟎𝟎 et V.
2°) les armatures sont écartées d’une distance Z ’. Cette opération peut
s’effectuer à Q ou V constant. Calculer dans chaque cas l a nouvelle
tension ou charge. Calculer l’énergie du condensateur dans ce nouvel état
; faire le bilan énergétique et en déduire le rendement du condensateur.

Résolution
1°)

ε 0 .S
La charge est : Q = C.V avec ( C = :capacité du condensateur)
Z
ε 0 .S .V
Il vient Q=
Z
σ Q
La force est : F=Q.E avec (E = = : champ électrique)
2ε 0 2ε 0 .S

Q 2 ε 0 .S .V 2
D’où
F= =
2ε 0 S 2Z 2

1 Q 1 2 1 ε 0 .S .V 2
L’énergie est : U = . = .CV = .
2 C 2 2 Z
2°) armatures écartées

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Q =constante

ε 0 .S .V
Q = C.V = Q=
Z
ε 0 .S .V '
Q’=C’.V’ = Q' =
Z'
Z'
Q’ =Q implique V = V
Z
1 Z'
U ' = .C '.V ' 2 = U
2 Z
V=constante

Q' C ' Z
V’ = V implique = =
Q C Z'
Z
Ainsi Q' = Q
Z'
1 Q' 2 Z
Energie est : U '= . devient U '= U
2 C' Z'
Le bilan énergétique

Z'   Z
∆U = U 1 − 
Si Q=constante ∆U = U  Z − 1 et si V=constante
 Z '
On définit le rendement du condensateur par :

∆U
η=
U

Le rendement du condensateur à charge constante est

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Z' 
η1 =  − 1
Z 
Le rendement du condensateur à potentiel constant est

 Z
η 2 = 1 − 
 Z '
Remarque
V= constant , 𝑈𝑈′ < 𝑈𝑈 ;le condensateur fournit de l’énergie
Q=constante, 𝑈𝑈′ > 𝑈𝑈 ;le condensateur reçoit de l’énergie
Par analogie, lorsque la photopile est éclairée on note un élargissement de
la zone de charge d’espace et le rendement sera défini par [5] :

 Z 
η = 1 − CO 
 Z CC 
ou

 C 
η = 1 − CC 
 CCO 

Zco et Cco sont respectivement l’élargissement de la ZCE et la capacité


en circuit ouvert
Zcc et Ccc sont respectivement l’élargissement de la ZCE et la capacité
en court-circuit

Conclusion
L’ étude bibliographique a été faite sur les modèles de jonction verticale et
leurs avantages, sur le déplacement du point de densité maximale et sur
la capacité de la photopile. Ce travail basé sur les article nous facilitera
d’aborder l’étude théorique de la photopile à jonction verticale parallèle
sous éclairement polychromatique

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CHAPITRE II

ETUDE EN REGIME STATIQUE


D’UNE PHOTOPILE AU
SILICIUM A JONCTION
VERTICALE PARALLELE

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II ETUDE DE LA PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTION
VERTICALE PARALLELE

II-1 INTRODUCTION
Il s’agit dans ce chapitre de f aire une étude théorique de la
photopile au silicium à jonction verticale sous éclairement
polychromatique pour déterminer les paramètres électriques
( photocourant, phototension, capacité) en régime statique.
Dans notre cas, le taux de génération s’exprime sous la forme

d’une sommation suivant la formule suivante : G ( x ) = ∑ ai e − bix

II-2 PRESENTATION DE LA PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE


La photopile à jonction verticale est telle que les rayons
incidents d’éclairement verticaux sont parallèles au plan de la
jonction.
Elle est constituée:
- d’une plaque de silicium de type n (dopée en atome donneurs
(n) )avec un fort taux de dopage (10 1 7 à 10 1 9 atomes.cm - 3 ) et
dont l’épaisseur est très faible (moins de 1µm), qui est appelée
émetteur où les porteurs minoritaires sont les trous.
- d’une seconde plaque de type p, peu dopée en atomes
accepteurs (10 1 5 à 10 1 7 atomes.cm - 3 ), il est appelé la base (P)
où les porteurs minoritaires sont les électrons.
Au moment de la création de la jonction entre les deux plaques un
processus de diffusion se d éclenche .les trous du segment P (où
concentration élevée) pénètrent dans le segment N et les électrons libres
de la plaque N (où la concentration est élevée) vont dans la plaque P.
Il en résulte que les couches d’atomes de donneurs et d’accepteurs les
plus proches de la limite métallurgique seront démunies d’électrons libres
respectivement de trous et se t ransforment en des charges positives
respectivement négatives immobiles. C’ est cet espace occupé par ces
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charges immobiles et fixes que l’on appelle la jonction ou la zone de
charge d’espace (ZCE).
Lorsque la cellule solaire est soumise à un éclairement, de tel sorte que le
rayonnement incident parallèle touche en même temps: la base, la ZCE
et l’émetteur, on dit qu’on à une photopile a jonction verticale . le
parallélisme de la photopile est lié au contacts métallique ,c'est-à-dire que
les bases sont liées entres elles pour obtenir la borne négative de la
photopile et les émetteurs entres eux pour définir la borne positive de la
photopile. C’est ce montage entier que l’on appelle : photopile à jonction
verticale parallèle (voir figure6)

Figure6 : photopile à jonction verticale parallèle

II-3 HYPOTHESES DE TRAVAIL


- La contribution de l’émetteur est négligée
- L’éclairement est fait avec une lumière polychromatique, et
sera considéré comme uniforme sur le plan x= 0 d e la
photopile.
- Notre ét ude sera faite à u ne dimension et l’origine est prise à l a
jonction.
II-4 ETUDE DE LA DENSITE DES PORTEURS MINORITAIRES
DANS LA BASE
Lorsque la photopile est soumise à u n éclairement, un
processus de thermogérération de paires électrons trous se

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déclenche. L’évolution de porteurs de charges est régie par
l’équation de continuité

II-4-1 Equation de continuité des porteurs minoritaires de


charges en excès dans la base
Compte tenu des phénomènes de génération, de diffusion et de
recombinaison, l’équation de continuité s’écrit

∂ 2 n( z ) n( z ) G ( x)
− = − II-1
∂z 2 L2 D

C’est une équation différentielle du second ordre avec second membre



- G (x) est le taux de génération à la profondeur de pénétration ( x) qui

se met so us la forme : G ( x) = ∑ ai e − bix (a i et b i sont obtenus à

partir des valeurs tabulées de l’éclairement solaire et de la


dépendance du coefficient d’absorption du silicium avec la
longueur d’onde)
- n(z) :est la densité des porteurs minoritaires de charge dans la base
- D est le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires de charge
- 𝜏𝜏 est la durée de vie moyenne des porteurs minoritaires de charge
- L est la longueur de diffusion des porteurs minoritaires de charge avec
𝐿𝐿2 = 𝜏𝜏𝜏𝜏

Pour déterminer la solution de l’équation (II-1) résolvons d’abord


l’équation sans second membre suivante :

∂ 2 n( z ) n( z )
2
− 2 =0 II-2
∂z L
Cette équation a pour solution :

z z
n1 ( z ) = A sinh( ) + B cosh( ) II-3
L L

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A et B sont des constantes à déterminer

La solution particulière est de la forme :

n2 = ∑K e i
− bix
II-4

Avec 𝐾𝐾𝑖𝑖 une constante à déterminer.

En introduisant l’équation (II-4) dans (II-1) on trouve


ai 2
Ki = L II-5
D
ai 2 −bix
Soit n2 ( z ) = ∑ Le II-6
D

La solution finale est:

n( z ) = n1 ( z ) + n2 ( z ) II-7

z z a
soit n( z ) = A sinh( ) + B cosh( ) + ∑ i L2e − bx II-8
L L D

les constantes A et B so nt déterminer grâce aux conditions aux limites


suivantes
- à la jonction

∂n( z ) Sf
= n(0) II-9
∂z z =0 D
Avec 𝑆𝑆𝑓𝑓 la vitesse de recombinaison à la jonction
- au milieu de la base

∂n( z )
=0 II-10
∂z w
z= 2
2

Car compte tenu de la symétrie de la base par rapport aux deux jonction
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En introduisant l’équation (II-9) dans (II-8) et (II-9) respectivement,
nous obtenons un système d’équations dont les inconnues sont A et B ; la
résolution de conduit aux expressions de A et B suivantes :
Sf w
2
sinh( 2 )∑ ai e − bx
L2
A= D 2L
II-11
Sf w2 1 w
cosh( ) + sinh( 2 )
D 2L L 2L

Sf w
L2
2
cosh( 2 )∑ ai e − bx
B= D 2L
II-12
Sf w 1 w
cosh( 2 ) + sinh( 2 )
D 2L L 2L
Les constantes A et B ét ant co nnues , la densité n(z) est entièrement
déterminée ; nous présentons ci-dessous l’évolution de l a densité des
porteurs en excès dans la base en fonction d e la profondeur suivant z
pour différentes valeurs de 𝑆𝑆𝑓𝑓 .
II-4-5 Profil de la densité des porteurs minoritaires dans la base
en fonction de l’épaisseur z dans la base

Figure7: Densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la


profondeur suivant z dans la base pour différentes valeurs de 𝑺𝑺𝒇𝒇

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Cette figure montre que l a d ensité est m aximale au m ilieu d e la
base telle que supposée et diminue quand on s’approche de s de ux
jonctions de part et d’autre de la base.
Lorsque la b ase est soumise à l ’éclairement l e processus d e
thermogénération se dé clenche (donc une a ugmentation de la
concentration d es p orteurs de charges). Durant leur mouvement
chaotique certains électrons arrivent à la jonction et traversent en très
grand nombre lorsque la 𝑆𝑆𝑓𝑓 à la jonction augmente.
Pour vérifier le déplacement du point de densité maximale représentons
la densité relative en fonction de la profondeur suivant z pour différents
valeurs de 𝑆𝑆𝑓𝑓 à la jonction.

II-4-6 Effet de la vitesse de combinaison sur la densité des


porteurs minoritaires dans la base en fonction de l’épaisseur z
dans la base

Figure 9:Densité relative des porteurs en fonction de la profondeur suivant z


dans la base

On constate que l’augmentation d e la vitesse d e recombinaison à la


jonction ne pr ovoque pa s un dé placement du p oint de de nsité

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maximale donc pas d’élargissement des ZCE de part et d’autre de la
base) mais plutôt une diminution de la densité des porteurs de charge.

Nous allons maintenant représenter la densité des porteurs minoritaires


en excès dans la base en fonction de la profondeurs x dans la base.

II-4-7 Densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction


de la profondeur suivant x dans la base pour différente valeurs de
𝑺𝑺𝒇𝒇 à la jonction:
La figure 10 ci -dessous présent la variation de la densité des porteurs
minoritaires dans la base en fonction de la profondeur x de la base pour
différente valeurs de Sf à la jonction.

Figure10 : Densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction de la


profondeur suivant x dans la base

On peut remarquer que la densité des porteurs diminue en


fonction de la profondeur x. Cette diminution est d’autant plus
importante que la vitesse de recombinaison à la jonction
augmente.
Cette diminution s’explique à p artir de l’expression du taux de
génération, qui décroit exponentiellement lorsque x augmente.

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Autrement dit la densité des porteurs diminue en profondeur
car il y a moins de génération. Et cette diminution s’accentue
lorsque la 𝑆𝑆𝑓𝑓 à la jonction augmente.
A partir de la densité des porteurs minoritaires en excès dans la base
nous pouvons étudier le photocourant e ngendré par la photopile à la
jonction.

II-5 ETUDE DE LA DENSITE DE PHOTOCOURANT


II-5-1 Expression de la densité de photocourant
Le photocourant 𝐽𝐽𝐽𝐽ℎ est obtenu à partir de la relation suivante

∂n( z )
J ph = qD II-13
∂z z =0

Avec q est la charge élémentaire

∂n( z ) A
puisque
= II-14
∂z z =0 L

Sf w2
L2
2
cosh( )∑ ai e − bx
J ph = qD D 2L
donc Sf w 1 w II-15
cosh( 2 ) + sinh( 2 )
D 2L L 2L

Etudions maintenant le profile de la densité du photocourant en fonction


de la vitesse de combinaison à l a jonction d’une part et d’autre part en
fonction de la profondeur x dans la base.

II-5-2 Profil de la densité du photocourant en fonction de la


vitesse de recombinaison à la jonction
Nous présentons à l a figure 11 l ’évolution de la densité du photocourant
en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction.

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Figure11 :Densité de photocourant en fonction de la vitesse de recombinaison
à la jonction.

Pour 𝑆𝑆𝑓𝑓 faible, le flux de porteur à travers la jonction est faible.


Les porteurs restent au niveau des jonctions (accumulation) ;on
parle de situation de circuit ouvert. Donc la densité de
photocourant demeure presque nulle
Lorsque 𝑆𝑆𝑓𝑓 augmente le flux des porteurs à t raverse la jonction
augmente,(situation de court-circuit) la densité de photocourant
augmente pour a tteindre une valeur limite appelée courant de court-
circuit.

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II-5- Densité de photocourant en fonction de la profondeur suivant
x dans la base pour différentes valeurs de 𝑺𝑺𝒇𝒇

Figure12 : Densité du photocourant en fonction de la profondeur suivant x dans la


base : Effet de la vitesse de recombinaison à la jonction

Il faut d’abord remarquer que la densité du photocourant


diminue en fonction de la profondeur suivant x dans la base.
Cette diminution est d’autant plus importante que la vitesse de
recombinaison à la jonction diminue. Cela est dû au fait que le
taux de génération, vue son expression, décroit en profondeur
suivant x dans la base.
Lorsque la vitesse de recombinaison à la jonction diminue peu
de porteurs de charges traversent la jonction donc le
photocourant diminue.
Nous allons maintenant étudier la phototension disponible aux
bornes de la photopile.

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II-5 LA PHOTOTENSION AUX BORNES DE LA PHOTOPILE
II-5-1 Expression de la phototension
Lorsque la photopile est soumise à un éclairement, la phototension
présente à ses b ornes s’exprime à partir de la relation de Boltzmann
suivante :

 n(0) 
Vph = VT ⋅ ln + 1
 α  II-16

ni2 k .T
Avec
α= , et
VT =
NB q
où :

- ni désigne la concentration intrinsèque des porteurs minoritaires

- NB désigne le taux de dopage de la base en atomes d’impureté

- VT est la tension thermique


- k est la constante de Boltzmann, T la température et q la charge de
l’électron.
A partir de l’équation (II-8), on peut écrire :

ai 2 − bix
n(0) = B + ∑ Le II-17
D

En remplaçant alors l’équation (II-17) dans (II-16) on obtient

 ai 
 B + ∑ L2 e −bix 
Vph = V ⋅ ln N B D + 1 II-18
T  ni2 
 
 

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A p artir de cette expression, nous allons étudier les variations de lac
phototension en fonction de la vitesse de recombinaison 𝑺𝑺𝒇𝒇 à la jonction
puis en fonction de la profondeur suivant x dans la base.

II-6-2 Profil de phototension en fonction de la vitesse de


recombinaison à la jonction

Figure13 : Profil de phototension en fonction de la vitesse de recombinaison à


la jonction.

La phototension prend u ne valeur constante appelée tension de circuit-


ouvert V co pour les faibles valeurs de 𝑆𝑆𝑓𝑓 . Et elle diminue lorsque 𝑆𝑆𝑓𝑓
augmente pour atteindre une valeur nulle au-delà du domaine d’existence
de 𝑆𝑆𝑓𝑓 .On peut donc conclure que : q uelque soit la valeur de 𝑆𝑆𝑓𝑓 R

appartenant au domaine d’existence en réalité la phototension n’est


jamais nulle c’ est dire, il existe t oujours un s tockage de c harge
dépendant de 𝑆𝑆𝑓𝑓 de part et d’autre de la jonction.
Nous allons maintenant présenter la variation de la photopile en fonction
de la profondeur suivant x dans la base.

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II-6-3 Effet de la vitesse de recombinaison à la jonction sur la
phototension en fonction de la profondeur
Nous présentons ci-dessous l’évolution de la photopile en fonction de la
profondeur suivant x dans la base.

Figure14 : Phototension en fonction de la profondeur suivant x dans la base :


Effet de la vitesse de recombinaison à la jonction

On peut remarquer que la phototension diminue en fonction de


la profondeur suivant x dans la base . Cette diminution est
d’autant plus importante que la vitesse de recombinaison à la
jonction augmente. Cela est dû au fait que la densité des
porteurs minoritaires en excès dans la base est faible en
profondeur car moins de porteurs sont générés . Lorsque la 𝑆𝑆𝑓𝑓
augmente, le peu de porteurs stockés à la jonction traversent
celle-ci , donc la phototension aux bornes de la photopile
diminue.
Nous venons d’étudier l a densité de photocourant J p h de même
que la phototension V p h ;cela nous permet de tracer la

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caractéristique courant-tension de la photopile à jonction
verticale.

II-7 CARACTERISTIQUES I-V DE LA PHOTOPILE


Elle a ét é tracéepour répondre à la question suivante : la photopile est-
elle un dipôle ohmique ?

Figure15 : I=f(V) figure16 : V=f(I)

Ces deux figures 15 et 16 i llustrent que la photopile n’est pas un dipôle


linéaire. La loi d’ohmique n’est pas applicable.

Dans le paragraphe suivant, vous étudions la capacité de la photopile en


fonction de la vitesse de recombinaison et de la profondeur suivant x dans
la base

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II-8 ETUDE DE LA CAPACITE
II-8-1 Expression de la capacité
La capacité de la& photopile est donnée à p artir de la relation suivante :

∂n( z )
C = qD II-19
∂V z =0

 n( z ) 
Dérivons l a phototension Vph = VT ⋅ ln + 1 en fonction
 α 
de la densité 𝑛𝑛(𝑧𝑧)
∂V 1
On obtient: = VT II-20
∂n( z ) ∂n( z )
α (1 + )
α
En multipliant q (charge élémentaire) par l’inverse de l’équation (II-20)

n( z )
1+
C = qD α
On trouve : II-21
VT
z =0

A la jonction ( z=0)

n(0)
(1 + )
C = qα α
II-22
VT
En séparant les dénominateurs on obtient :

α n(0)
C=q +q II-23
VT VT

Soit C = C 0 + C1 II-24

On constate que la capacité C est la somme de deux termes :


Le premier terme C O peut se mettre sous la forme :

α ni2
C0 = q =q ≈ 2,83.10−14 F .cm− 3 II-25
VT VT N B
est la capacité de la photopile sous l’obscurité
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le second terme est :

ai 2 − bx
B+∑ Le
n(O) D
C=q =q II-26
VT VT
Avec l’expression de C no us pouvons visualiser son évolution en fonction
de la vitesse de recombinaison puis en fonction de la profondeur suivant x
dans la base.

II-8-2 profile de la capacité en fonction de la vitesse de la vitesse


de recombinaison à la jonction

Figure17 : Capacité en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction.

Pour les faibles vitesses de recombinaison (situation de circuit ouvert) la


capacité est constante. Ensuite elle diminue vers une valeur presque nulle
lorsque la 𝑆𝑆𝑓𝑓 augmente. Cela est dû a u fait que l’augmentation de 𝑆𝑆𝑓𝑓 R

entraine une diminution de la concentration des porteurs de charges car


presque tous les porteurs traversent la jonction : il n’y pas ou peu de
stockage; la capacité correspondante tend alors vers O

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Nous allons maintenant étudier la capacité en fonction de la profondeur
suivant x pour différentes valeurs de 𝑆𝑆𝑓𝑓 à la jonction

II-8-3 Effet de la vitesse de recombinaison à la jonction sur la


capacité en fonction de la profondeur x

Figure18 : Capacité en fonction de la profondeur suivant x : Effet de la vitesse


de recombinaison à la jonction

On p eut remarquer que la capacité d iminue en fonction de la


profondeur suivant x dans la base . Cette diminution est
d’autant plus importante que la vitesse de recombinaison à l a
jonction augmente. Cela est dû au fait que la densité des
porteurs minoritaires en excès dans la base est faible en
profondeur car moins de porteurs sont générés . Lorsque la 𝑆𝑆𝑓𝑓
augmente, le peu de porteur stockés à la jonction traversent
celle-ci , donc la capacité diminue.
Dans le paragraphe suivant, vous étudions le rendement de la photopile à
jonction verticale parallèle en fonction de la profondeur suivant x dans la
base.

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II-9 RENDEMENT DE LA PHOTOPILE
II-9-1 Expression du rendement
Il est donné par l’expression :

 Z CO 
η = 1 −  II-27
 Z CC 
-Zco :est l’abscisse du premier point de densité maximale en
circuit ouvert (𝑆𝑆𝑓𝑓 =10cm/s)
-Zcc :est l’abscisse du premier point de densité maximale en
court-circuit (𝑆𝑆𝑓𝑓 =6.10 6 cm/s)

II-9-2 Rendement en fonction de la profondeur suivant x


dans la base
Pour chaque profondeur x fixée on trace les courbes donnant la
densité des porteurs minoritaires en excès dans la base en
fonction de la profondeur suivant z dans la base pour
(𝑆𝑆𝑓𝑓 =10cm/s) et (𝑆𝑆𝑓𝑓 =6.10 6 cm/s) ;on relève à ch aque les valeurs
de Zco de Zcc .On obtient ainsi un tableau récapitulatif suivant
0 PARTIR duquel on peut tracer le rendement en fonction de la
profondeur suivant x dans la base.

Profondeu 0 0,000 0,001 0,003 0,006 0 ,009 0,009 0 ,01


r X (mm) 1 9
Z CO (mm) 0,011 0,011 0,011 0,011 0,011 0,011 0,011 0,010
6 8 7 7 2 5 8 9
Z CC (mm) 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012 0,012
4 5 5 5 4 4 5 4
Rendeme 6,45 5,6 6,4 6,4 9,68 7,26 5,6 12,1
nt η (%)

Ce tableau récapitulatif nous permet de tracer la courbe du


rendement en fonction de la profondeur suivant x dans la base.

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Figure20 : R end eme nt e n f on c ti on d e la pr of on deu r x dan s la bas e

Le rendement bien que présentant une évolution en dent de


scie ; croit en fonction de la profondeur. Nous pouvons donc
d’emblée dégager qu’une photopile est d’autant plus rentable
que l’épaisseur de la base est importante.

II-10 Conclusion
La densité des porteurs minoritaires en excès dans la base
trouvée à partir de l’équation de continuité a permis de
déterminer et d’étudier les paramètres électriques de la
photopile en fonctions de la vitesse de recombinaison dans la
jonction et en fonction des profondeurs suivant z et suivant x.

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CONCLUSION GENERALE
Il faut préciser que ce t ravail a ét é fait en régime statique sans tenir
compte de la contribution de l’émetteur.
L’équation de continuité qui régit la photogénération , la recombinaison et
la diffusion des porteurs de charge nous a permis de déterminer la
densité des porteurs de charge dans la base et de pouvoir en déduire les
paramètres él ectriques tels que le photocourant, l a phototension et la
capacité de la photopile.
Nous nous proposerons dans le future de reprendre le même travail
- en tenant compte de la contribution de l’émetteur
- en régime transitoire
- en faisant une étude à trois dimensions

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REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

[1]“Electronique analogique édition castéilla 1994 collection


A.CAPLIEZ” .STEPHANE VALKOV
[2] B.TERHEIDEN, G. HAHN, P. FATH, E. BUCHER “The Lamella
Silicon Solar Cell” 16 t h European Photovoltaic Solar Energy
Conference Glasgow (2000), part II, pp.1377-1380
[3] VERTICAL JUNCTION CELLS
[4] J.F. WISE, VERTICAL JUNCTION SOLAR CELL, U.S PATENT 3690953,
(1970)
[5] MEMOIRE DE THESE TROISIEME CYCLE : M.M. DEME
[6]:G. SISSOKO, E. NANEMA, A. CORREA, P.M. BITEYE, M. ADJ,
A.L. NDIAYE
[7]:G. SISSOKO, C. MUSERUKA, A. CORREA, I. GAYE, A. L .
NDIAYE Word Renewable Energy Congress (1996), part III, pp
1487-1490.
[8]: S.NOOR MOHAMMAD J.Appl.Phys. 61(2), (1987), pp767-
772
[9]: State Electr, 22, p age 793 ( 1979) K.RAJMAN, R.SINGH and
J.SHEWCHUN, Solid

[10] MEMOIRE DE THESE TROISIEME CYCLE M. Pascal LANKOANDE

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LES PARAMETRES ELECTRIQUES D’UNE
PHOTOPILE AU SILICIUM A JONCTION VERTICALE
PARALLELE SOUS ECLAIREMENT
POLYCHROMATIQUE
Mémoire présenté par :
DIEME Nfally
Maître ès Sciences
Pour obtenir le
DIPLOME D’ETUDES APPROFONDIES EN PHYSIQUE APPLIQUEE

Option : Energie Solaire

Soutenu publiquement le mercredi 8 Décembre 2010 devant le jury


composé de :

Président : M. SISSOKO Grégoire Professeur Titulaire,FST/ UCAD


Madame HAWA LY Chargée d’enseignements UFR/SET
DIALLO Univ. Thiès

M. Fabé I BARRO Maitre-assistant FST/ UCAD


Membres : Mme Aminata GUEYE Docteur 3ème cycle FST/ UCAD
CAMARA
Invitée Rufina Dabo SARR Conseillère en énergie au Ministère
de l’Education

Résumé :

Une étude bibliographique a été faite sur les modèles de jonction verticale
et leurs avantages, sur le déplacement du point de densité maximale et
sur la capacité de la photopile.

Une étude théorique p ortée su r la jonction verticale nous a permis,


d’établir l’équation de continuité à partir de laquelle la densité des
porteurs minoritaires en excès dans la base a été déduite. De l a densité
des porteurs minoritaires les paramètres él ectriques tels que le
photocourant, la phototention et éventuellement la capacité de la
photopile ont été étudier en fonction de la vitesse de recombinaison à l a
jonction et e n fonction des profondeurs suivant x et suivant z dans la
base.

Mots clés :
Photopile au silicium - jonction verticale parallèle- photocourant –
phototension – capacité – rendement

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