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UNIVERSITÉ CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

*************************
FACULTÉ DES SCIENCES ET TECHNIQUES
***************
DÉPARTEMENT DE CHIMIE
*********

MEMOIRE DE DEA

Présenté par
Mme Aminata GUEYE CAMARA
Maître és-Sciences
Option : Chimie Physique Appliquée à l’Energie

Sujet : «Etude en modélisation d’une photopile au


Silicium polycristallin à jonction verticale à trois
dimensions sous éclairement monochromatique
en régime dynamique fréquentiel »

Soutenu publiquement le30 Novembre 2005 devant le jury :

Président : M. YOUM Issakha Professeur FST/ UCAD


Membres : M. BEYE Aboubaker chédikh Professeur FST/ UCAD
M. NDIAYE Sérigne Amadou Professeur FST/ UCAD
M. FAYE MAMADOU Maître Assistant FST/ UCAD
M. SISSOKO Grégoire Professeur FST/ UCAD
DEDICACES

DEDICACES

Ce travail est dédié à :


A Mon PERE, Mourtada GUEYE
A Ma MERE, Anta fall DIOP
A Mon GRAND PERE, Abdoulaye SYLLA
A Mes Tantes,
A Mes Oncles,
A Mes Frères et Sœurs,
A Mes Cousins et Cousines,
A Mes Ami(e) s,
A Tout le DAHIRA MAJMAHOUNOREYNI,
A Tous (Toutes) ceux (celles) qui m’ont, de loin ou de près, soutenu tout au long de mes
études,
Mais particulièrement à mon mari Ansoumane CAMARA pour son soutien affectif et moral, et
pour sa grande compréhension.

Mémoire de D.E.A présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LA.S.E.S/F.S.T/UCAD (Sénégal)
Ce travail a été effectué

Au laboratoire des sémiconducteurs et d’énergie solaire de la faculté des


sciences et techniques de l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar.

Sous la direction de Monsieur G.SISSOKO, Professeur Titulaire au Département


de Physique (FST).

Mémoire de D.E.A présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LA.S.E.S/F.S.T/UCAD (Sénégal)
Remerciements
Mes remerciements à :
ALLAH Le Tout Puissant
Monsieur Momar Marème DIENG, Professeur Titulaire et Directeur de l’enseignement supérieur et responsable du
DEA de chimie physique Appliquée à l’énergie de la faculté des sciences et Techniques de l’U.C.A.D. Je vous remercie de
m’avoir accepté à s’inscrire au DEA de chimie physique Appliquée à l’énergie dont vous êtes le Responsable. Monsieur
Mansour KANE, Professeur Titulaire, Directeur du centre d’études et de recherche sur les Energies Renouvalables de
l’U.C.A.D et Responsable du DEA d’Energie Solaire et du Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire. Je vous
exprime mes remerciements les plus sincères. Vous avez été accueillant, ouvert, attentif à l’ensemble des étudiants de votre
Laboratoire sans distinction. Vous aviez mis à notre disposition tout ce dont nous avions besoin pour mener bien les travaux
de recherche qui nous ont été confiés. Au delà de l’accueil et du soutient matériel et moral, vous avez des qualités humaines et
sociales très appréciables. Je vous remercie de bien vouloir m’ accepter dans ton laboratoire
Monsieur Issakha YOUM, Professeur Titulaire et chef département de physique de la faculté des sciences et Techniques
de l’U.C.A.D. Vous avez été toujours disponible à recevoir les différentes sollicitations des étudiants sans distinction de
catégories socioprofessionnelles. Vos conseils de sage, font de vous un homme de Dieu plein de qualités humaines, sociales
et scientifiques. Je vous remercie, de tout mon cœur, pour l’honneur que vous me faites en acceptant de participer et de
présider ce jury.
Monsieur SerigneAmadou. N’DIAYE, Maître de Conférences à la Faculté des Sciences et Techniques de L’U.C.A.D. Je
vous remercie pour l’honneur que vous me faites en acceptant de participer à ce jury. Vous avez été toujours attentif
aux étudiants en leur donnant des conseils et accompagnant dans leurs activités d’études. Je vous remercie également
pour m’avoir enseigné au premier cycle et en troisième cycle.
Monsieur Aboubaker Chédikh BEYE, Professeur Titulaire et Assesseur de la faculté des sciences et techniques de
l’U.C.A.D. Je vous exprime mes remerciements les plus sincères. Vous avez été accueillant, ouvert, attentif sans
distinction. Vous aviez ouvert vos portes à toutes mes sollicitations. Au delà de l’accueil et du soutient matériel et moral,
vous avez des qualités humaines et sociales très appréciables. Je vous remercie de bien vouloir accepter et de participer à
ce jury.
Monsieur Mamadou FAYE, Maître –assistant à la faculté des sciences et techniques de l’UCAD. Vous avez été
toujours accueillant et ouvert aux différentes sollicitations des étudiants. Vos conseils ont été encourageants et
bénéfiques pour nous. Vos qualités relationnelles, humaines et sociales, font de vous un homme de Dieu toujours
disponible à accepter les autres. Je vous remercie pour l’honneur que vous me faites en acceptant de participer à ce jury.
Monsieur Grégoire SISSOKO, Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et Techniques de L’U.C.A.D. pour avoir
bien voulu diriger ce travail. Je ne saurais trouver assez de mots forts pour vous exprimer toute ma profonde gratitude.
Vous avez été toujours disponible à promouvoir davantage l’éducation des jeunes sans distinction. Malgré vos
multitudes charges sociales, scolaires et universitaires, vous avez pu donner le meilleur de vous-même pour toujours
accompagner les jeunes dans leurs éducations scientifiques, morales et sociales. Vous êtes un homme de conviction, de
sagesse et vos conseils ont suscité en moi la persévérance et l’abnégation dans le travail. Vous avez été accueillant,
attentif à nos différentes sollicitations et également aussi aux autres. Je vous remercie, de tout mon cœur, pour l’honneur
que vous me faites en acceptant de participer à ce jury.
Monsieur Fabé IDRISSA BARRO, Docteur de L’Université Cheikh Anta Diop de Dakar. Vous avez été toujours
disponible à nos innombrables sollicitations. De part votre abnégation dans le travail, votre courage, votre volonté de
faire toujours mieux, j’ai pu bénéficier de votre apport inégalable dans la confection de ce travail. Je ne cesserai jamais
vous remercier pour tout ce que vous avez fait pour l’ensemble de l’équipe que nous formons. Que Dieu le Tout Puissant
illumine ton chemin toujours.
Monsieur Amadou DIAO, Docteur de L’Université Cheikh Anta Diop de Dakar. Vous avez été toujours disponible à
nos innombrables sollicitations. De part votre abnégation dans le travail, votre courage, votre volonté de faire toujours
mieux, j’ai pu bénéficier de votre apport inégalable dans la confection de ce travail. Je ne cesserai jamais vous remercier
pour tout ce que vous avez fait pour l’ensemble de l’équipe que nous formons. Que Dieu le Tout Puissant illumine ton
chemin toujours.
Monsieur Senghane MBODJI, Docteur de L’Université Cheikh Anta Diop de Dakar. Vous avez été toujours disponible
à nos innombrables sollicitations. De part votre abnégation dans le travail, votre courage, votre volonté de faire toujours
mieux, j’ai pu bénéficier de votre apport inégalable dans la confection de ce travail. Je ne cesserai jamais vous remercier
pour tout ce que vous avez fait pour l’ensemble de l’équipe que nous formons. Que Dieu le Tout Puissant illumine ton
chemin toujours.
Monsieur NZONZOLO, Docteur de L’Université Cheikh Anta Diop de Dakar. Vous avez été toujours disponible à nos
innombrables sollicitations. De part votre abnégation dans le travail, votre courage, votre volonté de faire toujours
mieux, j’ai pu bénéficier de votre apport inégalable dans la confection de ce travail. Je ne cesserai jamais vous remercier
pour tout ce que vous avez fait pour l’ensemble de l’équipe que nous formons. Que Dieu le Tout Puissant illumine ton
chemin toujours.

Je remercie également Moustapha Thiame, Ababacar Diouf


mes amis et collègues du Laboratoire des Semiconducteurs et d’Energie Solaire (L.A.S.E.S) : , Mouhamadou Moustapha
Dème, Aliou Badiane, Abdoulaye N’diaye, Songdé Sarr, , Séga guèye, Allé Dioum,Jean Alfred Sarr,.Zeynabou N. Bako
Mohamed Diallo ,Mr Ibrahima Ly ,Alfred Dieng,Thierno ,Souleymane Dieng,Momar Seck

Qu’Allah le Tout Puissant, Le Miséricordieux vous protège au nom du prophète Mouhamad (PSL)
Et recevez la bénédiction de Serigne Touba Khadim Rassoul (RTA).
SOMMAIRE

INTRODUCTION GENERALE ................................................................................................................. 1


CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE .......................................................................................... 2
INTRODUCTION ....................................................................................................................................... 3
I.1: COMBINED AC PHOTOCURRENT AND PHOTOTHERMAL REFLECTANCE ...................... 3
MEASUREMENTS IN SEMICONDUCTING p – n JUNCTIONS ...................................................... 3
I-2: FREQUNCY DOMAIN PHOTOLUMINESCENCE METHOD AS A TECHNIQUE OF
EVALUATION OF LOG MINORITY CARRIER LIFETIME] ............................................................ 4
I-3: COUPLED AC PHOTOCURRENT AND PHOTOTHERMAL REFLECTANCE RESPONSE,
THEORY OF SEMICONDUCTING p – n JUNCTIONS ...................................................................... 5
CONCLUSION ............................................................................................................................................ 8
CHAPITRE II : .......................................................................................................................................... 10
ETUDE A TROIS DIMENSIONS D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN A
JONCTION VERTICALE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN REGIME
DYNAMIQUE FREQUENTIEL ............................................................................................................... 10
INTRODUCTION ..................................................................................................................................... 11
II : STRUCTURE DES CELLULES SOLAIRES ..................................................................................... 11
II-1 : DESCRIPTION DE LA PHOTOPILE ........................................................................................ 11
II-2 : COMPORTEMENT DE LA PHOTOPILE SOUS EXCITATION ............................................. 12
II-3 : EXPRESSION DE LA DENSITE DES PORTEURS .............................................................. 12
II-4 : DENSITE DE COURANT ........................................................................................................... 15
II-4-1 : DETERMINATION DE LA DENTE DE COURANT......................................................... 15
II-4-2 : PROFIL DE LA DENSITE DE COURANT ........................................................................ 16
II-4-2-a : EFFET DE LA FREQUENCE ........................................................................................... 16

II-4-2-b : EFFET DES TAILLES DE GRAIN .................................................................................. 17


II-5 : DETERMINATION DE LA PHOTOTENSION ..................................................................... 18

CONCLUSION .................................................................................................................................. 19
CONCLUSION GENERALE ............................................................................................................ 20
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES .......................................................................................... 21
ANNEXE MATHEMATIQUES ............................................................................................................... 23

NOMENCLATURE
Symbole Signification

gx (cm) Largeur du grain


gy (cm) Longueur du grain
gz (cm) Profondeur dans la base, comptée à partir du plan d’éclairement (z = 0)
δ (cm-3) Densité des porteurs minoritaires en excès dans la base de la photopile
G (N/cm3s) Taux de génération des porteurs de charge
2
D k.j (cm /s) Coefficient de diffusion des porteurs de charge dans la base de la
Photopile
H (cm) Epaisseur de la photopile
W e (cm) Epaisseur de l’émetteur
L k.j (cm) Longueur de diffusion des porteurs de charge dans la base de la photopile
Ck, Cj Valeurs propres des équations transcendantes
Sf (cm/s) Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires à la jonction dans le
plan gxWegz
Sb (cm/s) Vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires en face arrière de la
base de la photopile dans le plan gxHgz
Sg (cm/s ) Vitesse de recombinaison dans les plan OHgz et gxHgz
S av (cm/s) Vitesse de recombinaison en face avant par rapport à l’éclairement dans le
plan gxOH
S ar (cm/s) Vitesse de recombinaison en face arrière par rapport à l’éclairement dans

le plan gxHgz
Jph (A/cm2) Densité de photocourant des porteurs minoritaires
Vph (V) Phototension
N a (cm-3) Taux de dopage de la base en atomes d'impureté donneur
n i (cm-3) Concentration intrinsèque des porteurs minoritaires dans la base
V T (V) Potentiel thermique
k (J/°K) Constante de Boltzmann
T(k) Température en kelvin
q(C) Charge élémentaire électrique
Ø 0 (A) Flux incident de la lumière émise
α Coefficient d’absorption
ζ Durée de vie des porteurs minoritaires
R Coefficient de réflexion
Z k.j Solution générale de l’équation de continuité
A k.j , B k.j Constantes déterminées
LISTE DES FIGURES

Figure II-1 schema de la photopile à jonction verticale----------------------------------------------page (12)

Figure II-2 densité en fonction des fréquences---------------------------------------------------------page (16)

Figure II-3 densité en fonction des tailles de grain----------------------------------------------------page (17)

Figure II-4 densité en fonction des vitesses de recombinaison---------------------------------------page (18)


INTRODUCTION GENERALE

2
Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
INTRODUCTION GENERALE

INTRODUCTION GENERALE

La moitié de la population mondiale est située à l'écart des réseaux électriques et le restera
probablement longtemps encore. Plus qu'une alternative technologique l'énergie solaire
constitue presque la seule possibilité d'électrification des sites isolés. En effet le soleil bien que
distant de plus de 150 millions de kilomètres, demeure notre plus grande source d'énergie
même si elle est intermittente; car son rayonnement est une énergie inépuisable non polluante
et suffit largement à alimenter la surface terrestre. L'effet photovoltaïque découverte par le
physicien A Becquerel en 1839 permet la conversion directe du rayonnement solaire en
électricité. Cette transformation d'énergie se fait par l'intermédiaire des cellules photovoltaïques
(ou solaire). Pour vulgariser l'utilisation de la technologie photovoltaïque, il faut améliorer le
rendement des cellules solaires et baisser le coût de production des matériaux semi-
conducteurs surtout le silicium qui est le produit de fabrication de base des photopiles. Certes
présentant des contraintes tant techniques qu'économiques pour des applications terrestres,
les cellules photovoltaïques présentent cependant un intérêt particulier ; car ayant des
avantages indéniables:
- Protection de l’environnement;
- Electrification des sites isolés;
Ce qui limite fondamentalement la performance des photopiles en générale, ce sont les défauts
et impuretés de fabrication qui réduisent le collecte des porteurs de charges électriques libres
photo générés d' ou le rend ment de l'appareil ; ainsi on peut citer :
les défauts et impuretés, contrôlés, qui surviennent lors du processus de fabrication des
cellules solaires [1]
le gap du matériau semi-conducteur utilise (silicium) de 1.2eV qui limite la conversion en
énergie électrique d'une bande étroite du rayonnement solaire;
le phénomène de recombinaison en surface des porteurs de charges photo généré par des
photons de grande énergie et aux recombinaison en volume [2] des plus pointues sont mises
en œuvre et tendent à limiter ces imperfections. De plus l'utilisation d'autre types de semi-
conducteurs tels que l'arséniure de gallium ou la tellure de cadmium (CdTe) permet de pallier
ce faible rendement.
L’objet de ce présent travail est d’étudié quelques paramètres des photopiles au silicium à
jonction verticale
Le chapitre I présente une étude bibliographique sur le régime dynamique fréquentiel ou on a
présenté diverses théories et techniques de détermination des paramètres électroniques

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
INTRODUCTION GENERALE

Au le chapitre II on étudie la densité des porteurs minoritaires photo générés dans la base de la
photopile au silicium à jonction verticale, la densité du courant et la phototension pour
interpréter ensuite leurs courbes respective sous l’effet de la vitesse de recombinaison à la
jonction pour différentes tailles de grain et différentes vitesses de recombinaison

Enfin une conclusion générale et des perspectives de poursuites de ce travail seront


présentéesl

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique

CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique
CHAPITRE I : ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE

INTRODUCTION

La problématique qui se pose de nos jours dans l’étude des photopiles est principalement la
recherche de l’amélioration du rendement de conversion photovoltaïque ; lequel rendement est
intimement lié aux défauts de fabrication des cellules solaires et aux recombinaisons dans le
matériau semi-conducteur .II s’avère alors nécessaire de caractériser au préalable le matériau
de base constituant la photopile, afin d’en prédire les performances

I.1: COMBINED AC PHOTOCURRENT AND PHOTOTHERMAL REFLECTANCE

MEASUREMENTS IN SEMICONDUCTING p – n JUNCTIONS [3]

Cette étude constitue la partie expérimentale de l’étude précédente.


L’étude présente en similation la variation de l’amplitude du photo courant ( J G ) en fonction,

dans un premier temps, de la fréquence de modulation pour différentes valeurs du coefficient


d’absorption et donc de la longueur d’onde et dans un second temps, de la longueur d’onde
pour différentes fréquences.
▪ EFFET DE LA FREQUENCE
Pour des vitesses de recombinaison en surface υ s élevée, la courbe donnant la variation de la

densité de courant en fonction du coefficient d’absorption montre que le photo courant croît
linéairement avec le coefficient d’absorption β (λ ) ,atteint ensuite un maximum ; lequel

pourrait être considère comme la limite d’absorption puis de croit pour β ≥ 10 5 cm −1 .dans ce
domaine d’absorption, la face dopée p de la jonction devient optiquement opaque, n’absorbant
plus le rayonnement .De plus, du fait de la grande valeur de la vitesse de recombinaison, les
porteurs minoritaires se recombinent fortement, causant ainsi une diminution du photocourant.
Cependant, pour une vitesse de recombinaison en surface nulle,on voit que la courbe du
photo courant ne présente plus un maximum à la limite d’absorption ,mais plutôt un plateau

pour β ≥ 10 5 cm −1 . On peut dire donc,pour un coefficient d’absorption donnée, plus la


fréquence de modulation est grande plus le photo courant est faible.
▪ EFFET DE LA LONGUEUR D’ONDE
On constate sur la courbe donnant le photo courant en fonction de la fréquence de modulation
que pour υ s élevée et pour des faibles fréquences, le photo courant est contant .II décroît pour

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique
f ≥ 10 4 Hz pour des faibles coefficients d’absorption .Pour des grandes valeurs de β par contre,
sa décroissance se produit bien après.
On constate en outre que pour une fréquence donnée, le photo courant croît avec le coefficient
d’absorption jusqu’à une certaine limite ou, notamment pour des grandes valeurs de β , il
décroît. Ce qui est en accord avec le constat fait plus haut.
En d’autres termes, étant donné que le coefficient d’absorption est inversement proportionnel à
la longueur d’onde, plus celle-ci est grande, plus le photocourant est faible par contre .II serait
alors plus appréciable pour des faibles longueur d’onde.

I-2: FREQUNCY6DOMAIN PHOTOLUMINESCENCE METHOD AS A TECHNIQUE OF


EVALUATION OF LOG MINORITY CARRIER LIFETIME [4]

Une technique d’évaluation des grandes durées de vie τ des porteurs minoritaires par
photoluminescence est proposée dans cette étude. Le dispositif étudié est une plaquette au
silicium de haute qualité.
Un flux de photons φ0 de lumière monochromatique y génère des porteurs minoritairesde

charge dont la densité est donnée par :

(1 − R ) ⋅ Φ 0 ⋅ α ⋅ τ  −
x x

∆n( x ) = A ⋅ e L
+ B ⋅ e + e −α ⋅ x 
L
(1)
α 2 ⋅ L2 − 1  
L’expression ci dessus est obtenue après résolution de l’équation de continuité et en tenant
compte des conditions aux limites.
R représente le coefficient de réflexion de la lumière excitatrice dans le semi-conducteur
et α son coefficient d’absorption ;
τ la durée de vie des porteurs minoritaires et L leur longueur de diffusion ;
Les coefficients A et B s’obtiennent à partir conditions aux limites ;
La photoluminescence PL devant être proportionnelle a ∆n( x ) ; son intensité I PL sera donnée
par l’intégrale suivante :
w
I PL = γ (λ )∫ C ⋅ ∆n( x ) ⋅ e − β ⋅ x dx (2)
0

Avec
W qui l’épaisseur de la plaquette,
C une constante
γ (λ ) le spectre de la photoluminescence
β le coefficient d’absorption de PL dans le semi-conducteur

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique
En modulation de fréquence, l’intensité de la photoluminescence est obtenue en changeant

 τ   
respectivement τ et L en τ ’  =  et L’ = L  , ou ω est la pulsation angulaire.
 
 1 + jωτ ( )
1
  1 + Jωτ 2 
En insérant l’équation donnant ∆n( x ) dans l’expression de I PL on obtient finalement
l’expression de I PL en modulation de fréquence :
 
(1 − R ) ⋅ Φ 0 ⋅ τ '   −  + β  ⋅ w 
 1 
  1 − β ⋅W 
I PL (ω , λ ) = C ⋅ γ (λ ) ⋅ 
1
α 2 ⋅ L'2 − 1 α + β
( )
⋅ 1 − e − (α + β )⋅ w +
1
A
⋅ 1 − e  L   +

'

 1
B
⋅  e  L '  − 1 
  (3)
−β   −β  
 L' L' 

Pour le silicium, on considère β  α .De plus en se plaçant dans la limite des faibles
fréquences, on déduit une approximation de l’intensité normalisée de PL selon l’équation :
I PL (ω ) 1
=
I PL (0 )
(4)
1 + jωτ
On peut dire théoriquement que pour les fréquences faibles, l’amplitude de l’intensité
normalisée diminue d’autant plus que la durée de vie augmente .Ce qui est conforme avec
l’étude expérimentale.
En définitive, on peut dire que la connaissance de l’amplitude de l’intensité normalisée de PL
permet de déterminer les grandes durées de vie des porteurs minoritaires.

I-3: COUPLED AC PHOTOCURRENT AND PHOTOTHERMAL REFLECTANCE RESPONSE,


THEORY OF SEMICONDUCTING p – n JUNCTIONS [5]

Cette étude présente un formalisme mathématique qui permet de déterminer la densité de


courant généré par les porteurs de charge d’un matériau semiconducteur à jonction p – n.
On éclaire le matériau par une lumière monochromatique modulée de longueur d’onde λ et
pulsation ω . Le flux de photons pénétrant dans le matériau pendant un temps t s’exprimant en
fonction de la profondeur x est :
N ( x, t ) = No ⋅ e [− β (λ )⋅( x + d )] ⋅ H (t ) (5)

Où H (t) : est une fonction qui traduit la dépendance temporelle de la radiation incidente
d :est la profondeur de la jonction ;
β (λ ) : est le coefficient d’absorption optique du matériau sous excitation lumineuse
No : est le flux de photons surfacique
No(λ ) = Fo (λ ) ⋅ [1 − R(λ )] (6)

Fo (λ ) : Le corrigé du coefficient de réflexion R(λ )

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique
Le taux de génération des porteurs photocrées dans le matériau à la date t et a la position z
est donné par :

G ( x, t ) = [N (x, t )] (7)
∂x

D’où

G ( x, t ) = β (λ ) ⋅ No(λ ) ⋅ H (t ) ⋅ e [− β (λ )⋅( x + d )] (8)

En l’absence de champ extérieur appliqué au dispositif, les équations qui traduisent leur
variation des porteurs de charge photo crées à la position x dans la base et à la date t sont
données :

Du coté p

∂ 2 ∆n p ∆n p 1 ∂∆n p
(− d ≤ x ≤ 0) : − − ⋅ =−
1
⋅ G ( x, t ) (9)
∂x 2 L2n Dn ∂t Dn

Du coté n

∂ 2 ∆p n ∆p n 1 ∂∆p n 1
( x  0) : − − ⋅ =− ⋅ G ( x, t )
∂x 2
L2p Dp ∂t Dp
(10)
Ln (Lp) et Dn (Dp) sont respectivement la longueur de diffusion des électrons (des trous) et la
constante de diffusion des électrons (des trous) dans le sémiconducteurs

En posant :
∆n p ( x, t ) = ∆n( x ) ⋅ e i⋅ω ⋅t
(11)

∆pn ( x, t ) = ∆p( x ) ⋅ ei⋅ω ⋅t (12)

Et en considérant que H (t)=


1
2
( )
⋅ 1 + e i ⋅ω ⋅t , les équations de continuité (9) et (10) deviennent

respectivement :
d 2 ∆n( x ) ∆n( x )  β ⋅ No  [− β ⋅( x + d )]
− 2 = − ⋅e
 2 ⋅ Dn 
2
dx Lωn (13)

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique

d 2 ∆p ( x) ∆p ( x)  β ⋅ No  [− β ⋅( x + d )]
− 2 = −  ⋅ e
 2 ⋅ Dp 
2
dx Lωp (14)

Où Lωp , Lωn représentent les longueurs de diffusion complexes des trous et des électrons

respectivement.
Avec
Lj
Lωj =
1 + i ⋅ ω ⋅τ j (15)

Et (j=n, p)
L2J
τj = est la durée de vie des porteurs minoritaires
DJ
En tenant compte des conditions aux limites suivantes :
∆p( x ) = 0 Pour x → ∞

 d∆n( x) 
Dn ⋅  = υ s ⋅ ∆n(−d )
 dx  x = − d (16)

À x=0 (jonction)
∆n(0) ∆p (0) qV0
= ≈
n p0 p n0 K BT (17)

Où :
υ s est la vitesse de recombinaison des porteurs en surface,
n p0 la densité d’électron dans la zone dopée p à l’équilibre,

p n0 la densité des trous dans la zone dopée n à l’équilibre ,

V 0 la barrière de potentiel,
K B la constante de Boltzmann
Les solutions des équations de continuité (9) et (10) sont données respectivement par les
expressions suivantes :

 x   x  β ⋅ N 0 ⋅ Lω
2
∆n( x ) = A ⋅ cosh  + B ⋅ sinh   + ⋅ e − β ⋅(x + d )
( )
n
 2 Dn ⋅ 1 − β ⋅ Lωn
2 2
 Lωn   Lωn
(18)

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Mémoire de DEA présenté par Mme Aminata GUEYE CAMARA LASES/FST – UCAD(Sénégal)
CHAPITRE I: Etude Bibliographique

 x    β ⋅ N 0 ⋅ Lω
2
∆p( x ) = C ⋅ exp  + D ⋅ exp − x + p
⋅ e − β ⋅(x + d )
 Lωp



 Lωp
  p (
 2 D ⋅ 1 − β 2 ⋅ L2
ωp ) (19)

Les coefficients A, B, C et D sont déterminés à partir des conditions aux limites définies aux
expressions(12) et (13)b.
L’expression donnant la densité de courant est la suivante :
 d∆n( x ) d∆p( ) 
J (0 ) = q ⋅  Dn ⋅ − Dp ⋅
 dx dx  x = 0 (20)
Avec J (0) s’exprimant suivant deux termes, l’un dépendant de la barrière de potentiel V 0 et
l’autre J G qui n’en dépend pas telle que :
 q ⋅ V0 
J (0 ) = J 0 ⋅   − JG (21)
 KB ⋅T 
q représente la charge élémentaire de l’électron et T la température en kelvin.
L’expression du courant J G que l’on a mesuré expérimentalement est déduite des expressions

(13), (14) et (15) ainsi, on a :


 2 2  

Lω  1  Lω 
− β  ⋅ e − β ⋅d + 
p p
⋅ 
 1 − β 2 ⋅ L2  Lωp  1 − β 2
⋅ L 2  
ω ω
 p n  
1        
JG = q ⋅ β ⋅ N0 ⋅  Dn  d  − β ⋅d
 υ ⋅ cosh 
d

L  L + ⋅ sinh    ⋅ e − (υ + β ⋅ D )   (22)
2  1   s  ωn  ωn  Lωn 
s n
− β ⋅d 

× ⋅ + β ⋅e  
 Lωn  Dn  d   d   
 ⋅ cosh   + υ s ⋅ sinh 
L  

 Lωn  L ωn   ωn  
  

CONCLUSION

Dans cette étude bibliographique plusieurs approximations ont étés faites pour la détermination
des paramètres de recombinaison et tenant compte des conditions aux limites.
Les semi-conducteurs considérées sont ceux à gap indirect comme le Si et ayant un grand
coefficient d’absorption à la surface éclairée.
Cette étude montre également qu’on peut extraire, sous certaines conditions, les paramètres
phénoménologiques des porteurs en régime dynamique fréquentiel.
II en résulte que les paramètres de recombinaisons dépendent fortement fortement de la
fréquence de la modulation et de la longueur d’onde de l’excitation optique.
Dans la suite de notre travail nous allons étudié non pas une plaquette de silicium, mais une
photopile au silicium poly cristallin à jonction verticale

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CHAPITRE I: Etude Bibliographique

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

CHAPITRE II :

ETUDE A TROIS DIMENSIONS D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM POLYCRISTALLIN A


JONCTION VERTICALE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE EN REGIME
DYNAMIQUE FREQUENTIEL

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

CHAPITRE II : ETUDE A TROIS DIMENSIONS D’UNE PHOTOPILE AU SILICIUM


POLYCRISTALLIN A JONCTION VERTICALE SOUS ECLAIREMENT MONOCHROMATIQUE
EN REGIME DYNAMIQUE FREQUENTIEL

INTRODUCTION

Dans ce chapitre, on fait l’étude d’une photopile à jonction verticale que l’on éclaire sur sa face
avant parallèlement à la jonction par une lumière monochromatique de fréquence modulée
L’étude se fera à trois dimensions et dans un premier temps nous allons donner l’expression de
la densité des porteurs dans la base de la photopile, de la densité de courant et de la photo
tension les quelles expressions résultant de la résolution de l’équation de continuité et des
conditions aux limites ; ensuite l’effet des tailles des grains et des vitesses de recombinaisons
en fréquence de modulation sur le courant et la tension

II : STRUCTURE DES CELLULES SOLAIRES

Une cellule solaire conventionnelle est généralement représentée par trois régions :
La première, que l’on nomme émetteur est de faible épaisseur, et très dopée (1017 à1019
atomes cm-3). Sur cette dernière est dopée une grille électrique métallique en forme de peigne
pour collecter les porteurs de charge photo générés ;
La deuxième, d’épaisseur importante (150 à 400µm) appelée base relativement dopée (1015 à
1017 atomes cm-3) ;
La troisième est la zone de charge d’espace (jonction émetteur – base) ou règne un champ
électrique intense qui entraîne les porteurs à travers la jonction .En fin un contact électrique
quasi ohmique pour certains à l’arrière de la base

II-1 : DESCRIPTION DE LA PHOTOPILE

D’une manière générale une photopile est un dispositif présentant trois parties essentielles
dont l’émetteur (zone dopée n) de très faibles épaisseur, la base (zone dopée p) beaucoup
plus épaisse que l’émetteur et la zone de charge d’espace ; jonction entre la base et l’émetteur
Celle étudié ici est de type n – p

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

Rayons incidents

émetteur
Sav base
(ZCE) Sf
Sg Sb
Sar

We
H

figureII-1 : photopile à jonction verticale

II-2 : COMPORTEMENT DE LA PHOTOPILE SOUS EXCITATION

Sous l’effet d’une excitation optique ou électrique, des porteurs de charges (électrons et trous) sont
générés dans la cellule .L’obtention en simulation, de la réponse de la photopile nécessite l’étude du
phénomène de transport de ces porteurs de charge photogénérè selon le type d’éclairement. Cette étude
passe par la résolution de l’équation de continuité qui régie l’évolution de ces porteurs de charge
photogénéré dans le matériau .Dans cette étude, nous ne tiendrons compte que de la contribution de la
base au photo courant, du fait de la faiblesse de l’épaisseur de l’émetteur.

II-3 : EXPRESSION DE LA DENSITE DES PORTEURS


En tenant compte des phénomènes de génération de recombinaison et de diffusion dans la
base, l’équation régissant la variation de la densité δ n (x, y, z, t) des porteurs minoritaires de

charge photo générés en régime dynamique fréquentiel suivant x,y z et à la date t, est :
δ ( x, y , z , t ) ∂δ ( x, y, z , t )
Dn ⋅ ∇ 2δ n ( x, y , z , t ) − n + G (z, t ) = n (1)
τn ∂t
Avec
- δ n (x, y, z, t) : densité des porteurs charge photo générés dans la base en fonction du

temps et de l’espace
- Dn : coefficient de diffusion

12
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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

- τ n : durée de vie moyenne des porteurs

-G (z, t) : taux de génération des porteurs de charge en fonction de la profondeur de


l’éclairement et du temps
G (z t) étant variable du temps et d’espace, peut être écrit sous cette forme [5] :
G ( z , t ) = g ( z ) ⋅ e i⋅ω⋅t
(2)

Ou
ω Fréquence angulaire
t Temps

g ( z ) = α (λ ) ⋅ (1 − R(λ )) ⋅ I o ⋅ e −α (λ )⋅ z (3)

Avec
- α : le coefficient d’absorption du silicium en lumière monochromatique ;
-I o : puissance incidente de la lumière ;
-R : coefficient de réflexion du silicium ;
- λ : longueur d’onde de la lumière ;
-z : profondeur de pénétration de la lumière
L’expression de la densité est donnée par [5]
δ n (x, y, z , t ) = δ n (x, y, z ) ⋅ e i⋅ω⋅t
(4)

δ n (x, y, z ) représente la partie spatiale

Et ei⋅ω ⋅t la partie temporelle


En remplaçant (2) et (4) l’équation (1) devient
g (z )
∇ 2δ n ( x, y , z ) − (1 + iωτ n ) ⋅ δ n ( x, y, z ) = −
1
2 Dn (5)
Ln


L∗n2 = longueur de diffusion des porteurs minoritaires

L2n
L∗n2 = (6)
1 + iωτ n

Avec

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

L2n = τ n Dn (7)

La Solution de l’équation (5) est donnée par [6]:

δ n ( x; y; z ) = ∑∑ Z kj cos(ck x) ⋅ cos(c j y )
k j
(8)

En ramplacant l’expression (8) dans (5) nous obtenons :


 Z kj 
∑∑  Z ``
−  ⋅ cos(C k x ) ⋅ cos(C j y ) = − g ( z ) (9)
kj 2 
k j  Lkj  Dn

Avec
1 1
= + C k2 + C 2j
L∗n2
(10)
L2kj

Lkj longueur de diffusion complexe dépendant des valeurs C k et C j

Et
(Ck ⋅ gx + sin(Ck ⋅ gx)) ⋅ (Cj ⋅ gy + sin(Cj ⋅ gy ))
Dkj =
gx gy (11)
16 ⋅ sin(Ck ⋅ ) ⋅ sin(Cj ⋅ )
2 2
Nous allons multiplier l’expression (9) par le terme ⋅ cos(Cnx ) ⋅ cos(C m y ) en intégrant suivant les
épaisseurs des joints de grain et puis considérant que les conditions d’orthogonalité sont satisfaites
comme définie à la page (28) équation (16) de l’ annexe mathématique.
Ainsi l’expression (9) peut être réécrite sous la forme :
1 g ( z)
Z kj" ( z ) − 2
Z kj ( z ) = − (12)
Lkj Dkj

La solution de l’équation (12) est donnée par :


α (1 − R ) ⋅ I 0 Lkj −α ⋅z
2
z z
Z kj = Akj ⋅ ch( ) + Bkj ⋅ sh( ) − 2 ⋅ ⋅e (13)
Lkj Lkj Lkj ⋅ α 2 − 1 Dkj

Connaissant l’expression de Z kj (z),nous en déduisons celle de la densité des porteurs

minoritaires qui est :


  z    α (1 − R ) ⋅ I 0 L2kj −α ⋅ z 
δn( x, y, z ) = ∑∑  Akj ch  + Bkj sh z
 L
−
 L2 ⋅ α 2 − 1 D
⋅ ⋅ e  cos(C k x) cos(C j y ) (14)
k j   Lkj   kj  kj kj 

Ou les Akj et Bkj seront déterminés par les conditions aux limites.

Les conditions aux limites imposés par les dimensions des joints de grain de la photopile,sont les
suivantes :
14
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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

A la jonction y=d

∂δ n ( x, y, z )
Dn = Sf ⋅ δ n ( x, y, z ) y = d (15)
∂y y =d

A la face arrière (par rapport à l’émetteur) y=H+d


∂δ n (x, y, z )
Dn = - Sb ⋅ δ n (x, y, z ) y = H + d (16)
∂y y=H +d

Avec Sb et Sf vitesse de recombinaison respectivement a la face arrière de la jonction et à la


jonction
Aux joints de grain x=0
∂δ n (x, y, z )
Dn = Sg ⋅ δ n (x, y, z ) x = 0 (17)
∂x x =0

Aux joints de grain x =gx

∂δ n (x, y, z )
Dn = - Sg ⋅ δ n (x, y, z ) x = gx (18)
∂x x = gx

Avec Sg vitesse de recombinaison aux joints de grain

A la face avant par rapport à l’éclairement suivant z=0


∂δ n ( x, y, z )
Dn = Sav ⋅ δ n ( x, y, z ) z = 0 (19)
∂z z =0

A la face arrière par rapport à l’éclairement suivant z =gz

∂δ n ( x, y, z )
Dn = - Sar ⋅ δ n ( x, y, z ) z = gz (20)
∂z z = gz

Avec Sav et Sar vitesse de recombinaison suivant la face avant et arrière par rapport à
l’éclairement

II-4 : DENSITE DE COURANT

II-4-1 : DETERMINATION DE LA DENTE DE COURANT


L’expression de la densité de la photo courante générée par les porteurs est donnée par la
relation suivante dans la surface(x, o, z):

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

q ⋅ Dn gx gz ∂δ n
gx ⋅ gz ∫0 ∫0 ∂y y = d
J ph = − ⋅ dxdz (21)

La résolution de l’expression (12) nous permet d’obtenir l’expression de la densité du


photocourant pour un éclairement sur la face avant qui est :

  gz  2 
q ⋅ Dn Cj   
 gz  (1 − R ) ⋅ I 0 Lkj −α 
J ph = ∑∑
gx ⋅ gz k j Ck
 
 Akj L kj ⋅ sh  + Bkj ⋅ L kj ⋅ (ch  − 1) − 2 2 ⋅ (1 − e gz ) sin(Ck gx) sin(C j d )
 L
 kj   Lkj  Lkjα − 1 Dkj 
 
(22)

II-4-2 : PROFIL DE LA DENSITE DE COURANT

II-4-2-a : EFFET DE LA FREQUENCE

La figure II-2 montre la variation du photocourant en fonction de la fréquence

FigureII-2 :Densité du courant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour


différentes fréquences le restant des parametres étant fixé

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

On a un évolution de la densité suivant les valeurs de la fréquence et que quand la vitesse de


recombinaison tend vers zéro la fréquence n’a aucune effet

II-4-2-b : EFFET DES TAILLES DE GRAIN

Figure II-3 :Densité de courant en fonction de la vitesse de recombinaison à la jonction pour


differentes tailles de grain le restant des parametres etant fixé .
Les courbes montrent que plus la taille du grain augmente plus la densité de courant
augmente,ceci est du au faible recombinaison des porteurs minoritaires de charge à l’intérieur
du grain

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Chapitre II: Eclairement Monochromatique Régime Dynamique Fréquentiel

II-4-2-cEFFET DES VITESSES DE RECOMBINAISON

Figure II-4 Densité de courant en fonction des tailles de grain pour différentes vitesses de
recombinaison aux joints de grain, le restant des paramètres étant fixé.

La figure montre que quand la vitesse de recombinaison tend vers zéro,le photocourant fait de même ce
qui correspond au fonctionnement d’un circuit ouvert. Nous remarquons pour de grandes vitesse aux
joints de grain les courbes présentent un gradient qui tend vers zéro.
La conaissance de la densité des porteurs nous permet de déterminer la tension par la relation de
Boltzman

II-5-1 : DETERMINATION DE LA PHOTOTENSION

La phototension s’obtient a partir de la relation de Boltzmann .Elle s’exprime comme suit :

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 gx 
V ph = VT ⋅ Ln1 + δ ( x; d , z )dxdz 
Na gz
 ∫∫
ni2 0 0 
(23)
 

Ou
K ⋅T
VT = (24)
q
K : la constante de Boltzmann
T : la température en kelvin de la photopile
Na : le taux de dopage de la base en atomes d impureté
n i : La concentration intrinsèque des électrons dans la base
En remplaçant δ ( x, d , z ) par son expression, on obtient l’expression (14) donnée par :

 Na   gz    L2 

V ph = VT ⋅ Ln1 + 2 ∑∑ ( Lkj ⋅ Akj ⋅ sh  + Bkj ⋅ Lkj (ch gz  − 1) + ( (1 − R ) ⋅ I 0 ⋅ kj )(e −αgz − 1) ⋅ ε 


 ni   Lkj   Lkj  L2kj − 1 Dkj 
  k j     

(25)
Avec

1
ε= ⋅ sin(C k gx) cos(C j d ) (26)
Ck

Puisque la tension varie inversement avec le courant, l’effet de ces paramètres sur le courant
sera inverse par rapport à la phototension

CONCLUSION
Dans ce chapitre une étude de l’effet de des vitesses de recombinaison aux joints de grain et
des tailles de grain a été faite.
Il en ressort que la fréquence modifie la densité de courant ,et que que la vitesse de
recombinaison à la jonction augmente la densité de photocourant des porteurs minoritaires de
charge.

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CONCLUSION GENERALE

CONCLUSION GENERALE

Nous avons présenté dans ce travail une étude en modélisation d’une photopile au silicium à
jonction verticale en régime dynamique fréquentiel monochromatique.
A cet effet une étude bibliographique sur une photopile au silicium à jonction verticale a été au
préalable étudié rappelant les bases de la dynamique fréquentiel et au cours de la quelle nous
avons présentés l’influence de la fréquence de modulation de l’éclairement et de sa longueur
d’onde sur le photocourant.
Nous avons résolu l’équation de continuité régissant de l’évolution des porteurs minoritaires
photogénérés dans la base de la photopile au silicium à jonction verticale éclairée par la face
avant avec les conditions aux limites pour donner l’expression de la densité des porteurs
minoritaires photogénérés de la densité du courant et de la phototension.
Nous avons enfin procédé à une étude succincte de la densité de courant des porteurs
minoritaires.L’étude s’est portée sur l’analyse de l’effet de la taille des grains et de la vitesse de
recombinaison à la jonction.

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REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

[1] Alain Ricaud


Photopile solaires (De la physique de la conversion photovoltaïque aux
filière, matériaux et procédés). Presses polytechniques et universitaires
romandes (1977).

[2] H. Mathieu
Physique des semi-conducteurs et des composants électriques
Edition MASSON, p91 (1987)

[3] Eiichi Suzuki, hitoshi Kawanami, And Isao Sakata


2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Con
Version (1998), pp.1744-1747

[4] Andréas Mandelis (I)


J.Appl.Phys.66 (11), 1989, pp.5572-
[5] 83Andreas Mandelis, Alan A. Ward, And Timothy Lee(II)
J .Appl.Phys.66 (11), 1989, pp.5584-93
[6] H ELGHIATANI and S MARTINUZZI

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REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

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ANNEXE MATHEMATIQUE

ANNEXE MATHEMATIQUES

L’équation de continuité est donnée par :


∂δn δn(x, y, z , t )
= Dn∇ 2δn( x, y, z , t ) − + G ( z, t )
∂t τn (1)
δn(x, y, z , t ) = δn(x, y, z ,) ⋅ e iωt (2)

G ( z , t ) = α (λ ) ⋅ (1 − R(λ )) ⋅ I 0 ⋅ e −α (λ ) z ⋅ e iωt (3)

∂2 ∂2 ∂2 (4)
∇ 2δn( x, y, z , t ) = δn ( x , y , z ) ⋅ e i ωt
+ δn ( x , y , z ) ⋅ e i ωt
+ δn(x, y, z ) ⋅ e iωt
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
∂ (5)
Et δn = iωδn(x, y, z ,) ⋅ e iωt
∂t
Remplaçons (4) et (5) dans (1) ainsi on a :
δn( x, y, z )
iω ⋅ δn( x, y, z ) = Dn∇ 2δn( x, y, z ) − + g ( z)
τn (6)
− α  λ  z
Avec g ( z ) = α (λ ) ⋅ (1 − R(λ )) ⋅ I ⋅ e
0 (7)
1 
Dn∇ 2δn( x, y, z ) − δn( x, y, z ) ⋅  + iω  = − g ( z )
τ n  (8)

 1 + iωτ n  −1
∇ 2δn −  δn = ⋅ g ( z)
 τ n Dn  Dn (9)

On pose :
L2n = τ n Dn

 1 + iωτ n  −1
∇ 2δn −  2
δn = ⋅ g ( z)
 Ln  Dn (10)

Posons
 L2n 
L•n2 =  
 1 + iωτ n  (11)

Ainsi l’équation (10) devient :

 1  −1 (12)
∇ 2δn( x, y, z ) −  •2 δn( x, y, z ) = ⋅ g ( z)
 Ln  Dn

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ANNEXE MATHEMATIQUE

L’équation (11) a pour solution

δn( x, y, z ) = ∑ ∑ Z ( z ) ⋅ cos(C x) ⋅ cos(C y ) (13)


kj k j
k j

Calculons le laplacien de δn( x, y, z )

∇ 2δn( x, y, z ) = −∑∑ Z kj ⋅ cos(C k x) ⋅ cos(C j y ) ⋅ (C k2 + C 2j ) + ∑∑ Z


``
( j ) ⋅ cos(C k x) ⋅ cos(C j y )
k j k j KJ

(14)

En remplaçant l’expression (13) dans l’équation (11) et en multipliant de part et d’autre de


1 1
l’expression (13) par cos(C n x) ⋅ cos(C m y ) , posons C k2 + C 2j + •2
= 2 ainsi on a :
Ln Lkj

 Z kj 
∑∑  Z ``
−  ⋅ cos(C k x ) ⋅ cos(C j y ) ⋅ cos(C n x ) ⋅ cos(C m y ) = − g ( z ) ⋅ cos(C n x ) ⋅ cos(C m y )
kj 2 
k j  Lkj  Dn

(15)
Utilisons le fait que les fonctions cos(C n x) et cos(C m y ) sont orthogonales c'est-à-dire :

0 si k ≠ n 
g (i )

∫ cos(C i) ⋅ cos(C
0
k j y )di =  
≠ 0 si k = n  (16)

Pour tout calcul fait on aboutit :


Z kj − g ( z)
Z kj'' − 2
=
L kj Dkj (17)

(C k gx + sin(C k gx) ) ⋅ (C j gy + sin(C j gy ) )


Avec Dkj =
gx gy (18)
16 sin(C k ⋅ ) ⋅ sin(C j ⋅ )
2 2
La solution de cette équation est donnée par :

α (1 − R ) ⋅ I 0 Lkj −α ⋅ z
2
z z
Z kj = Akj ⋅ ch( ) + Bkj ⋅ sh( ) − 2 ⋅ ⋅e (19)
Lkj Lkj Lkj ⋅ α 2 − 1 Dkj
Si on remplace l’expression de Z kj dans celle de δn on aura l’expression suivante :
  z    α (1 − R ) ⋅ I 0 L2kj −α ⋅ z 
δn( x, y, z ) = ∑∑  Akj ch  + Bkj sh z
 L
−
 L2 ⋅ α 2 − 1 D
⋅ ⋅ e  cos(C k x) cos(C j y )
k j   Lkj   kj  kj kj 

(20)
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ANNEXE MATHEMATIQUE

Les constantes A kj et B kj seront déterminées à partir des conditions aux limites suivantes :

A la face avant d’éclairement z=0

∂δ n ( x, y, z )
Dn = Sav ⋅ δ n ( x, y, z ) z =0
∂z z =0 (21)
A la face arrière d’éclairement z =gz

∂δ n ( x, y, z )
Dn = - Sar ⋅ δ n ( x, y, z ) z = gz
∂z z = gz (22)

 
 + Sar ⋅ L2kj ⋅ sh gz  (Sav + αDn ) ⋅ α (1 − R ) ⋅ I 0 ⋅ kj
  gz    L2
 Dn ⋅ Lkj (Sav − α ⋅ Dn )e −α ⋅ gz +  Dn ⋅ Lkj ch
        Lkj ⋅ α − 1 Dkj
2 2
  Lkj   Lkj  
Akj =  (23)
 gz   
(
Dn 2 + L2kj ⋅ Sav ⋅ Sar sh )  + Dn ⋅ Lkj (Sav + Sar )ch gz 
 Lkj   Lkj 
   

 + Sav ⋅ L2kj ⋅ ch gz  (− Sav − αDn ) ⋅ α (1 − R ) ⋅ I 0 ⋅ kj


   gz     L2
 Sav ⋅ L2kj (Sar − α ⋅ Dn )e −α ⋅ gz +  Dn ⋅ Lkj sh
  L   L  Lkj ⋅ α − 1 Dkj

2 2
  kj   kj  
Bkj =  (24)
 gz   
(
Dn 2 + L2kj ⋅ Sav ⋅ Sar sh )
L 
 + Dn ⋅ Lkj (Sav + Sar )ch gz 
L 
 kj   kj 

La densité de photocourant
gx

−q 2 gz
∂δn
J ph =
gx ⋅ gz
⋅ Dn ∫∫
gx 0
∂y
dxdz (25)
− gy
2 y =−
2

Pour tout calcul fait on trouve :

q Cj   gz  
 + B ⋅ L ⋅ (ch gz
 (1 − R ) ⋅ I 0 L2kj −αgz 

J ph = Dn ∑ ∑  Akj L kj ⋅ sh  L
 − 1) −

⋅ (1 − e )  sin(C k gx) sin(C j d )
gx ⋅ gz L2kj α 2 − 1 D kj
kj
j Ck   L kj 
kj
k
  kj 

(26)
La photo tension

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ANNEXE MATHEMATIQUE

gx

 N  2 gz
V ph = VT ln1 + 2a  ∫ ∫ δ ( x, d , z )dxdz (27)
 ni  − gx 0
2

En calculant δ ( x, d , z ) et ensuite remplacer l’expression trouvée dans celle de V T , on aura :

 1  gz    
 ⋅ sin(C k gx) ⋅ cos(C j d ) ⋅ l kj ⋅ Akj ⋅ sh  + Bkj Lkj ch( gz  − 1)
L  L 
 N  Ck  kj   kj  
V ph = VT ln1 + 2a ∑∑ 
 ni   k j  (1 − R ) ⋅ I 0 L2kj  −α ⋅ gz 
 + 2 ⋅
 L ⋅ α 2 − 1 Dkj 
(
e )
−1 
  kj  
(28)
Pour utiliser ces données on utilise les transformations complexes qui sont les suivants :
L∗n = Z1 + iZ 2

Lkj = Z11 + iZ 22

 z 
ch  = γ 1 + iγ 2
L 
 kj 
 z 
sh  = β 1 + iβ 2
 
 Lkj 
 gz 
ch  = γ 11 + iγ 22
L 
 kj 
 gz 
sh  = β 11 + iβ 22
L 
 kj 
α (1 − R )I 0 L2kj
= A1 + iA
Dkj (L2kjα 2 − 1)

Akj = a1 + ia 2

Bkj = b1 + ib 2

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ANNEXE MATHEMATIQUE

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Sujet : «Etude en modélisation d’une photopile au
Silicium polycristallin à jonction verticale à trois
dimensions sous éclairement monochromatique en
régime dynamique fréquentiel »

Mémoire présenté par


Mme Aminata GUEYE CAMARA
Maître és-Sciences
Pour obtenir le DIPLÔME D’ETUDES APPROFONDIES EN CHIMIE

Option : Chimie Physique Appliquée à l’Energie


Jury :
Président : M. YOUM Issakha Professeur FST/ UCAD
Membres : M. BEYE Aboubaker chédikh Professeur FST/ UCAD
M. NDIAYE Sérigne Amadou Professeur FST/ UCAD
M. FAYE MAMADOU Maître Assistant FST/ UCAD
M. SISSOKO Grégoire Professeur FST/ UCAD

Soutenu le 30 Novembre 2005 à l’Amphi 7 de la Faculté des Sciences et Techniques – UCAD

Résumé :
Une étude bibliographique sur la détermination des paramètres électriques en régime dynamique
fréquentiel est présentée.
Une étude à trois dimensions d’une photopile au silicium polycristallin à jonction verticale sous
éclairement monochromatique (éclairement par sa face avant) est faite. De cette étude, la densité des
porteurs minoritaires dans la base de la photopile est établie en fonction de la fréquence de modulation,
de la longueur d’onde et de l’épaisseur des joints de grain.
Des expressions du photocourant et de la phototension, obtenues à partir de la densité des porteurs
minoritaires, sont établies et étudiées en fonction des joints de grain à une fréquence de modulation et
longueur d’onde données.

Mots clefs :
Photopile au silicium - durée de vie - longueur de diffusion - monochromatique - modulation de
fréquence - vitesse de recombinaison - joints de grain.

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