UNIVERSITE CHEIKH ANTA DIOP DE DAKAR

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FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
*************
DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

Mémoire de MASTER II Physique et Applications

Présenté par :

Papa NGOM
Maitre ès Sciences

Spécialité: Energie Solaire, Matériaux et Systèmes (SOLMATS)

Sujet : PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE SERIE

SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE : EFFET
DU TAUX DE DOPAGE
Soutenu publiquement le 17 Novembre 2012 devant le jury composé de :

Président Grégoire SISSOKO Professeur Titulaire FST/UCAD

Cheikh SENE Professeur Titulaire FST/UCAD

Fabé .I. BARRO Maitre assistant FST/UCAD

Membres Issa ZERBO Maitre assistant UNIV/OUAGA

Birame DIENG Maitre assistant UNIV/Bambey

Songdé SARR Formateur FASTEF

 Après avoir rendu grâce à DIEU, prié sur le prophète Mohamed
(PSL),
Je dédie ce travail
- A Mon PERE qui n’a jamais ménagé un effort pour la réussite de ses
enfants
- A Ma MERE, la brave
A Mes frères et sœurs,
A mes cousins, cousines , oncles, tantes…..
A tous mes amis
A tous les membres du LASES
A Tous(tes) ceux (celles) qui n’ont jamais cessé de me soutenir, de
près ou de loin, tout au long de mes études.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 i
 Ce travail a été effectué à la Faculté des
Sciences et Techniques (FST) de
L’Université Cheikh Anta Diop de Dakar,
sous la direction de Monsieur Grégoire
SISSOKO, Professeur Titulaire au
Département de Physique de la FST,
Directeur du groupe international de
recherches en énergies renouvelables et
Rédacteur en chef du journal des
sciences(JDS)

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 ii
Je remercie Monsieur Grégoire SISSOKO, Professeur Titulaire à la faculté des sciences et
techniques de l’Université Cheikh Anta DIOP de Dakar. Dans votre équipe de recherche, vous
m’avez accueilli à bras ouvert, initié à la recherche et orienté tous mes travaux de recherche.
Panafricaniste et grand sociologue convaincu, je vous remercie pour avoir bien voulu diriger
ce travail. Vous avez été très disponible, accueillant, attentif à mes différentes sollicitations.
Pour vous exprimer toute ma profonde gratitude, je ne saurais trouver assez de mots forts. Vos
conseils m’ont servi à surmonter des obstacles et vos qualités humaines, sociales,
scientifiques font de vous un homme sage. Je vous remercie également pour tout ce que vous
faîtes pour les jeunes dans le but d’approfondir leurs connaissances scientifiques. Quant à la
promotion des collègues enseignants de toutes les structures universitaires du Sénégal et
d’ailleurs, vous avez pu donner le meilleur de vous-même pour toujours les accompagner. Je
vous remercie aussi pour l’honneur que vous me faites en acceptant de participer à ce jury. Je
dis juste merci du fond du cœur et prie qu’ALLAH Le Tout Puissant vous garde, vous
bénisse, répande toute Sa Miséricorde sur vous et votre famille et qu’il vous rende tout le
bonheur que vous donnez autour de vous ! AMEN !

Je remercie Monsieur Cheikh SENE, Professeur Titulaire à la Faculté des Sciences et

Techniques de l’UCAD. Vous avez toujours donné le meilleur de vous-même pour nous
assurer une bonne formation scientifique. C’est tout un honneur pour moi de vous avoir
comme membre du jury de mon mémoire de master II physique. Que Dieu vous protège !
AMEN !

Je remercie Monsieur Fabé I BARRO Maître Assistant à la Faculté des Sciences et

Techniques de l’UCAD. Vous êtes un modèle pour tous les doctorants qui ont l’ambition de
faire des études scientifiques très avancées. Merci d’avoir bien voulu participer à ce jury, c’est
tout un honneur pour moi. Puisse ALLAH le tout puissant vous bénir ! AMEN !

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 iii
Je remercie Monsieur Issa ZERBO, Maître Assistant à UNIV/OUAGA. Vous me faites
honneur en acceptant de participer à ce jury. Puisse ALLAH le tout puissant vous bénir !
AMEN !

Je remercie Monsieur Biram DIENG, Maître Assistant à UNIV/Bambey . Vous me faites

honneur en acceptant de participer à ce jury. Puisse ALLAH le tout puissant vous bénir !
AMEN !

Je remercie Monsieur Songdé SARR, Maître Assistant à la FASTEF. Formateur modèle à

l’ancienne école normale supérieure. Vous me faites honneur en acceptant de participer à
mon jury après m’avoir bien formé à la FASTEF. Puisse ALLAH le tout puissant vous
bénir !AMEN !

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 iv
 NOMENCLATURE
ai : Coefficient tabulé du rayonnement solaire……………………………………….(cm-3.s-1)
bi : Coefficient tabulé du rayonnement solaire…………………………….…….……....(cm-1)
C : Capacité de la zone de charge d’espace d’espace………………………..….(Farad.cm-2)
D(Nb) :Coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans la base………….…..(cm-2.s-1)
(x) : Densité des porteurs minoritaires photocréés…………………………………..….(cm-3)
G(z) : Taux de génération en fonction de la profondeur z de la base…………………(cm-3.s-1)
H: Epaisseur totale de la base………………………………………………....…………...(µm)
Jph: Densité de photocourant …………………………………………………………..(A.cm-2)
Jcc: Densité de photocourant de court-circuit…………………………………….…….(A.cm-2)
KB : Constante de Boltzmann
L* : Longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans la base……………..….…...….(cm)
n: Le nombre de soleil
ni: Concentration intrinsèque du matériau Si………………………………………...……(cm-3)
Nb: Taux de dopage des impuretés dans la base………...……………………………......(cm-3)
P:Puissance……………………………………………………………….....…………..…..(W)
q: Charge élémentaire de l’électron………………………………...……............................(C)
RS: Résistance série…………………………………………………………………......(.cm2)
RSH: Résistance shunt………………………...…………………………………….…...(.cm2)
RCH: Résistance de charge…………………...……………………………………….....(.cm2)
Sf: Vitesse de recombinaison à la jonction……...……………………………………....(cm.s-1)
Sb: Vitesse de recombinaison à la base……...……………………………………….....(cm.s-1)
T:Température absolue…………………………………………………………………..…(°K)
: Durée de vie moyenne des porteurs minoritaires dans la base…………………………...(µs)
Vph : Phototension…………………………………………………………………………..(V)
Vphco : Phototension de circuit ouvert………………………………………………...…...(V)
VT: Tension thermique……………………………………………………………………....(V)
x : Epaisseur de la base de la photopile en jonction verticale…………………………..…(µm)

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 v
Sommaire
NOMENCLATURE ................................................................................................................. v
LISTE DES TABLEAUX .....................................................................................................viii
LISTE DES FIGURES ..........................................................................................................viii
INTRODUCTION GENERALE .............................................................................................. 1
Chapitre I: ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE ............................................................................. 2
I-1 Introduction ........................................................................................................................ 2
I-2 CELLULE A JONCTION VERTICALE MULTIPLE : .................................................... 2
I- 2-1Cellules à jonction verticale connectées en série ............................................................ 2
I-2-2 : Cellules à jonction verticale connectées en parallèle .................................................... 3
I-3 TAUX DE DOPAGE......................................................................................................... 4
I-4 : Conclusion ........................................................................................................................ 4
Chapitre II : ETUDE THEORIQUE DE L’EFFET DU TAUX DE DOPAGE SUR LA
PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE SERIE ................................................................ 5
Introduction .............................................................................................................................. 5
II-1 : PRESENTATION ET PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DE LA PHOTOPILE A
JONCTION VERTICALE SERIE ........................................................................................... 5
II-1-1: Présentation ................................................................................................................... 5
II-1-2 : Principe de fonctionnement [II-4,II-5]......................................................................... 6
II-2 : LA DUREE DE VIE ET LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DES PORTEURS
MINORITAIRES DANS LA BASE : ...................................................................................... 6
II-2-1: Expressions ................................................................................................................... 6
II-3: ETUDE DE LA DENSITE DES PORTEURS MINORITAIRES DE CHARGE DANS
LA BASE ................................................................................................................................. 8
II-3-1 Résolution de l’équation de continuité.......................................................................... 8
II-3-2 Conditions aux limites .................................................................................................. 9
II-3-3 Profil de la densité des porteurs minoritaires en fonction du dopage : .......................... 9
II-4-1 Expression ................................................................................................................... 10
II-4-2 Profil de la densité de photocourant en fonction du taux de dopage de la base .......... 11
II-5 ETUDE DE LA PHOTOTENSION ................................................................................ 11
II-5-1 Expression .................................................................................................................... 11
II-5-2 Profil de la phototension en fonction du taux de dopage ............................................ 12
II-6 : ETUDE DE LA CAPACITE ........................................................................................ 13
II-6-1 : Expression .................................................................................................................. 13
II-6-2 : Profil de la capacité en fonction du taux de dopage ................................................. 13
II-6-3: Caractéristique capacité-phototension ........................................................................ 14
II-6-4: Capacité sous obscurité ............................................................................................... 15
II-6-5 : Caractéristique du photocourant en fonction de la photo tension pour différents
taux de dopage. ....................................................................................................................... 15
II-6 : ETUDE DE LA RESISTANCE SERIE ........................................................................ 16
II-6-1 : Expression .................................................................................................................. 16
II-6-2: Courbe de calibration de la résistance Série en fonction du taux de dopage .............. 17
II-7: ETUDE DE LA RESISTANCE SHUNT RSH .............................................................. 18
II-7-1: Détermination de la résistance shunt .......................................................................... 18

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 vi
II-7-2 : Courbe de calibration de la résistance shunt Rsh en fonction du dopage: ................. 19
II-8 : Conclusion..................................................................................................................... 20
CONCLUSION GENERALE ................................................................................................ 22
REFERENCE BIBLIOGRAPHIQUE.................................................................................... 23

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 vii
Introduction Générale

LISTE DES TABLEAUX

Tableau II.1 : Valeurs des coefficients tabulés du rayonnement solaire .................................. 9
Tableau ( II-2) récapitulatif de la capacité de la photopile à l’obscurité pour différents taux
de dopage : ............................................................................................................................. 15
Liste des figures
Figure I-1 : jonction verticale connectées en série ................................................................... 2
Figure I- 2 : jonction verticale connectées en parallèle ............................................................ 3
Figure II-1: Schéma de connexion en séries des cellules à jonction verticale ......................... 6
Figure II-2: Profil de la durée de vie des porteurs minoritaires en fonction du taux de dopage.
.................................................................................................................................................. 7
Figure II-3 : Profil du coefficient de diffusion des porteurs minoritaires en fonction du taux
de dopage. ................................................................................................................................. 7
Figure II-4 : Densité des porteurs minoritaires en fonction du taux de dopage pour différentes
valeurs de la profondeur dans la base.................................................................................... 10
Figure II-5: Densité de photocourant en fonction du taux de dopage de la base pour
différentes vitesses de recombinaison à la face arrière. ......................................................... 11
Figure II-6 : Profil de la phototension en fonction du taux de dopage pour différentes
vitesses de recombinaison à la face arrière. ........................................................................... 12
Figure II-7 : Capacité en fonction du taux de dopage pour différentes vitesses de
recombinaison à la jonction.................................................................................................... 13
FigureII-8 : Caractéristique du logarithme de la capacité en fonction de la photo tension pour
différents taux de dopage. ..................................................................................................... 14
Figure II-9 : Caractéristique du logarithme de la capacité en fonction de la photo tension pour
différents taux de dopage. ..................................................................................................... 15
Figure II-10 : Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de circuit
...................................................................................................................................... 17
ouvert
Figure II-11 : Courbe de calibration de la résistance série en fonction du taux de dopage pour
différentes vitesses de recombinaison à la jonction ............................................................... 17
Figure II.12 : Schéma de la photopile en fonctionnement de circuit-ouvert .......................... 19
Figure II-13: Courbe de calibration de la résistance shunt en fonction du taux de dopage pour
différentes vitesses de recombinaison à la base. .................................................................... 20

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 viii
Introduction Générale

INTRODUCTION GENERALE

L’énergie solaire constitue la source d’énergie la plus prometteuse et la plus puissante parmi
les énergies renouvelables. La cellule solaire photovoltaïque ou photopile est un dispositif
qui assure la transformation directe de l'énergie lumineuse en énergie électrique que l’on
appelle la conversion photovoltaïque. C’est une diode semi-conductrice à grande surface dont
la jonction p-n est située juste sous la surface. Les photopiles les plus répandues sont
constituées principalement à base de silicium (Si) qui est une substance abondante sur la terre
et d’autres rares semi-conducteurs tels que le sulfure de cadmium (CdS) et le tellurure de
cadmium (CdTe). [1]
Pour obtenir une photopile, un ensemble de traitements est nécessaire. Certains traitements
peuvent avoir des effets mélioratifs mais aussi des effets néfastes sur la photopile .Le dopage
en constituent un exemple typique. Ainsi il parait nécessaire de connaitre la gamme des taux
de dopage pour laquelle ce traitement donne le meilleur rendement de la photopile.
Dans ce contexte ce mémoire intervient dans le domaine de la filière photovoltaïque qui
constitue un outil de force majeure pour faire face à ces innombrables problèmes énergétiques
qui gangrènent l’humanité depuis des décennies. L’objectif de ce travail est de voir l’effet du
dopage sur le fonctionnement d’une photopile à jonction verticale série.
Dans le premier chapitre, nous ferons une étude bibliographique caractérisation des photopiles
solaires au silicium (jonction verticale) et du dopage.
Dans le second chapitre, après une présentation de la photopile à jonction verticale série sous
éclairement polychromatique, nous allons faire une étude théorique de l’effet du taux de
dopage sur la photopile à jonction verticale série.
Grâce au logiciel Mathcad, nous allons établir un programme adéquat permettant d’obtenir
les profils de la densité des porteurs minoritaires de charge photocréés dans la base, la densité
de photocourant, la phototension, la capacité suivant différents dopages.
Mais les caractéristiques C-V (permettant de déterminer la capacité intrinsèque) et I-V
(permettant de déterminer les résistances Série et Shunt) seront tracées également.
Les résultats obtenus nous permettrons de tirer un ensemble de conclusions concernant le
niveau dopage et ses effets sur les performances de la photopile.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 1
Chapitre I : Etude Bibliographique

Chapitre I: ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE

I-1 Introduction
La photopile est constituée de matériaux semi-conducteurs spéciaux qui permettent aux
électrons d’être libérés de leurs atomes lorsque le matériau est exposé à la lumière. Les
cellules solaires photovoltaïques sont réalisés par jonction de deux semi-conducteurs de
même nature mais de types électriques différents (un semi conducteur de type N et un semi
conducteurs de type P). Le semi conducteur de type N s’obtient par injection d’atomes
donneurs (exemple ; le phosphore pour le cas où le semi conducteur intrinsèque est le
silicium) et celui de type P par injection d’atomes accepteurs (exemple ; le bore pour le cas où
le semi conducteur intrinsèque est le silicium). Dans les deux cas l’opération effectuée est
appelée dopage et pour quantifier l’impureté injecté, on utilise le terme « Taux de dopage »
Dans ce chapitre nous présenterons quelques travaux réalisés sur l’effet du dopage sur les
paramètres électriques et phénoménologiques d’une photopile au silicium.

I-2 CELLULE A JONCTION VERTICALE MULTIPLE :

I- 2-1Cellules à jonction verticale connectées en série [2]
Les cellules à jonction verticale ouvrent de nouvelles possibilités d’amélioration du
rendement des cellules solaires au silicium avec de courtes longueurs de diffusion.
La structure de base des cellules à jonction verticale est donnée à la figure 1, où les cellules
sont connectées en série :

Figure I-1 : jonction verticale connectées en série

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 2
Chapitre I : Etude Bibliographique

Cette structure présente un avantage lié à la présence de grille de collecte des porteurs de
charge même si la longueur de diffusion est faible. La cellule présente ainsi une large surface
de diffusion interne [3].
I-2-2 : Cellules à jonction verticale connectées en parallèle [2]
Ces structures (figure 2) présentent comme avantage le fait qu’on peut doper fortement leurs
émetteurs et leur base afin de pouvoir augmenter leur rendement et sans entrainer une certaine
réduction des porteurs nouvellement générée .
Pour une modélisation simple des paramètres de la photopile, les auteurs émettent les
hypothèses suivantes :

 Pas de recombinaisons à la face avant et en face arrière.

 Pas de réflexion sur les surfaces.

 Les recombinaisons à la zone de charge d’espace sont négligeables.

 Le taux de génération est fonction de la profondeur z, une diffusion unidirectionnelle

des porteurs minoritaires en excès est considérée. Cela leur permet de faire une
modélisation simple des paramètres de la photopile

Figure I- 1 : jonction verticale connectées en parallèle

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 3
Chapitre I : Etude Bibliographique

I-3 TAUX DE DOPAGE

 Influence du dopage sur la zone de charge d’espace [4].

Dans cet article l’auteur fait une étude sur l’influence du taux de dopage sur l’élargissement
de la zone de charge d’espace. Une photopile monofaciale au silicium monocristallins de type
n+-p-p+ sous éclairement multi spectral constant et en régime statique est étudiée. La densité
de porteurs minoritaires de charge en excès dans la base est déterminée en résolvant
l’équation de continuité. Les profils de la densité de porteurs minoritaires de charge en excès
dans la base en fonction de la profondeur dans la base et du taux de dopage sont présentés.
L’influence du taux de dopage sur la phototension et sur la largeur de la zone de déplétion est
présentée ainsi que la phototension en fonction de la largeur de la zone de déplétion .Il est
montré que la largeur de la zone de déplétion diminue en fonction du taux de dopage.

 Effect of doping density and injection level [5].

Dans cet article, les auteurs ont fait une étude de l’influence du dopage et du taux de dopage
sur le modèle électrique et les paramètres électriques (Jph, Vph, Rs, Rsh, C) d’une photopile
au silicium convenablement éclairée. L’influence du taux de dopage sur la durée de vie des
porteurs minoritaires est présentée.
 Base doping and Recombination Activity of impurities in crystalline silicon solar
cells
Dans cet article, les auteurs ont mis en évidence l’effet du dopage sur la recombinaison au
sein de la base d’une photopile au silicium.

I-4 : Conclusion
Dans ce chapitre d’étude bibliographique, nous avons fait une présentation de cellules à
jonction verticale multiple à savoir la photopile à jonction verticale série et celle à jonction
verticale parallèle sous éclairement polychromatique .Nous avons aussi énoncé quelques
travaux faits sur le taux de dopage et ses effets sur le fonctionnement d’une photopile.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 4
Chapitre II : Etude Théorique

Chapitre II : ETUDE THEORIQUE DE L’EFFET DU TAUX DE

DOPAGE SUR LA PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE
SERIE

Introduction

Dans ce chapitre, nous ferons l’étude du dopage de la photopile au silicium à jonction

verticale série. Dans un premier temps nous allons voir l’effet du dopage sur la durée de vie
des porteurs minoritaires, le coefficient de diffusion des porteurs, la densité des porteurs
minoritaires, la densité de photocourant , la phototension, la capacité ,…….. Et en fin nous
allons déterminer quelques paramètres caractéristiques de la photopile.
II-1 : PRESENTATION ET PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DE LA
PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE SERIE
II-1-1: Présentation
Une photopile est composée de trois parties essentielles :
 Émetteur : une zone frontale dopée en atomes donneurs (n) avec un taux de dopage
variant de 1017 à 1019 atomes.cm-3 et dont l’épaisseur est très faible environ 1µm, où
les porteurs minoritaires sont les trous.
 Base : une zone dopée en atomes accepteurs (p) avec un taux moins élevé variant de
1015 à 1017atomes.cm-3 et dont l’épaisseur est beaucoup plus significative allant
jusqu’à 400µm ; les porteurs minoritaires sont les électrons.

 Zone de charge d’espace (ZCE) : elle se trouve entre l’émetteur et la base et il y

règne un champ électrique intense qui permet de séparer les paires électron-trou créées
qui arrivent à la jonction.
La photopile à jonction verticale série est alors une succession de cellules élémentaires
connectées en série à l’aide d’un métal conducteur. On peut la matérialiser par le schéma
suivant.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 5
Chapitre II : Etude Théorique

Figure II-1: Schéma de connexion en séries des cellules à jonction verticale

II-1-2 : Principe de fonctionnement [6,7]

Une cellule photovoltaïque est un dispositif qui permet de transformer l’énergie solaire en
énergie électrique. Cette transformation est basée sur trois mécanismes:

 absorption des photons (dont l’énergie est supérieure au gap) par le matériau
constituant le dispositif ;

 Conversion de l’énergie du photon en énergie électrique, ce qui correspond à la

création de paires électron/trou dans le matériau semi-conducteur ;

 Collecte des particules générées dans le dispositif.

II-2 : LA DUREE DE VIE ET LE COEFFICIENT DE DIFFUSION DES PORTEURS
MINORITAIRES DANS LA BASE :
II-2-1: Expressions
Le coefficient de diffusion (qui traduit la plus ou moins bonne capacité du matériau à laisser
diffuser les porteurs) des électrons générés dans la base ; il dépend du dopage Nb de la base à
travers la relation [6]
1350  VT
D * ( Nb) 
Nb
1  81 
N b  3,2  1018
(II-1)
La durée de vie des porteurs minoritaires en excès dans la base correspond au temps mis par
un porteur avant de se recombiner. Ce temps dépend aussi du dopage de la base selon
l’équation de suivante [7]

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 6
Chapitre II : Etude Théorique

12
 ( Nb) 
Nb
1
5.1016
(II-2)
II-2-1 : Profils de la durée de vie des porteurs en fonction du dopage
Le profil de la densité des porteurs minoritaires dans la base en fonction du dopage est
présenté à la figure (II-2).

Figure II-2: Profil de la durée de vie des porteurs minoritaires en fonction du taux de dopage.

II-2-2) Profil de la durée de vie des porteurs minoritaires en fonction du dopage

Le profil du coefficient de diffusion de porteurs minoritaires dans la base en fonction du
dopage est présenté à la figure (II-3).

Figure II-3 : Profil du coefficient de diffusion des porteurs minoritaires en fonction du taux de
dopage.
Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 7
Chapitre II : Etude Théorique

Ces deux figures montrent que le coefficient de diffusion ainsi que la durée de vie des
porteurs minoritaires diminuent avec le taux de dopage de la base.En effet, plus le dopage est
grand, plus la probabilité qu’ un porteur se recombine est elevée et ceci a comme double
conséquence : la diminution de la possibilité de diffuser ( le coefficient de diffusion) et la
décroîssance du temp mis par les porteurs avant de se recombiner(la durée de vie des porteurs
minoritaires) .

II-3: ETUDE DE LA DENSITE DES PORTEURS MINORITAIRES DE CHARGE

DANS LA BASE
II-3-1 Résolution de l’équation de continuité
Les porteurs minoritaires de charges générés dans la base de la photopile, sous l’effet de
l’éclairement en lumière blanche, sont des électrons de charges –q. Ces porteurs générés dans
la base obéissent à l’équation de continuité qui traduit que les charges sont conservées. En
considérant les phénomènes de génération, de recombinaison et de diffusion des porteurs
minoritaires en excès dans la base [8,9,10], cette équation s’écrit :

 2 ( x)  ( x) G( z )
2
 2

x L* D* (II-3)
Où :
δ(x) Désigne la densité des électrons générés dans la base,
D* désigne le coefficient de diffusion des électrons dans la base en fonction du taux de
dopage
L* désigne la longueur de diffusion des électrons dans la base,
G(z) taux de génération de porteurs minoritaires
L’expression du taux de génération est donnée par :
3
G( z )  n ai.exp( biz )
i 1 (II-4)
ai et bi sont des coefficients tabulés du rayonnement solaire sous AM=1.5 n’étant le nombre
de soleil, dans la suite nous prendrons n = 1. [10]
Au tableau II.1, nous donnons les valeurs des coefficients ai et bi

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 8
Chapitre II : Etude Théorique

Tableau II.1 : Valeurs des coefficients tabulés du rayonnement solaire

I ai bi
1 6,13.1020 cm-3.s-1 6630 cm-1
2 0,54.1020 cm-3.s-1 103 cm-1
3 0,0991.1020 cm-3.s-1 130 cm-1

La résolution de l’équation de continuité donne comme solution :

2
 x   x  L 3
 ( x)  A cosh   B sinh
 L*
  ai.exp  bi.z 
 L *  D * i 1 (II-5)
A et B sont des constantes à déterminer à partir des conditions aux limites.

II-3-2 Conditions aux limites

 à la jonction émetteur- base x=0,

 ( x)
D*  S f  ( x)
x x 0 x 0
(II-6)

 à l’extrémité de la base en x=H,

 ( x)
D*   Sb ( x  H )
x x H (II-7)
Où Sf, Sb sont respectivement les vitesses de recombinaison à la jonction et à la face arrière ;
H l’épaisseur totale de la photopile. La détermination des constantes A et B permet de
déterminer complètement la densité des porteurs minoritaires dans la base [11,12,13].

II-3-3 Profil de la densité des porteurs minoritaires en fonction du dopage : [11,12,13].

Le profil de la densité des porteurs minoritaires en fonction du dopage pour différentes
valeurs de la profondeur dans la base est présenté figure II-4 :

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 9
Chapitre II : Etude Théorique

Figure II-4 : Densité des porteurs minoritaires en fonction du taux de dopage pour différentes
valeurs de la profondeur dans la base
x=0,002 cm; H=0,02cm; Sb=2.102cm/s; Sf=3.103cm/s.
1°) Z = 0,0002cm 2°) Z = 0,002 cm 3°) Z = 0,005 cm 4°) Z = 0,01cm

La figure II-4 montre que la densité des porteurs minoritaires diminue avec le dopage de la
base. La diminution est surtout marquée pour les dopages forts de la base. En effet, si le
dopage de la base augmente, les impuretés au sein du matériau accroissent ; les lacunes vont
donc augmenter en conséquence et ceci occasionne une augmentation de la probabilité de
recombinaison entrainant une diminution de la densité des porteurs minoritaires dans la base.
Nous remarquons aussi que la densité des porteurs minoritaires diminue avec la profondeur
dans la base. Ceci peut s’expliquer par le fait que le taux de génération diminue de manière
exponentielle avec la profondeur.

II-4 ETUDE DU PHOTOCOURANT

II-4-1 Expression
Le photocourant de la photopile, est obtenu par le gradient de porteurs minoritaires à la
jonction et est donné par l’expression :
 ( x)
J ph  q.D *
x x 0 (II-8)

Où q est la charge élémentaire de l’électron

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 10
Chapitre II : Etude Théorique

II-4-2 Profil de la densité de photocourant en fonction du taux de dopage de la base

A la figure II-5 est présenté, le profil de la densité de photocourant en fonction du taux de

dopage de la base pour différentes vitesses de recombinaison à la face arrière.

Figure II-5: Densité de photocourant en fonction du taux de dopage de la base pour différentes
vitesses de recombinaison à la face arrière.
(Sf =3.103 cm/s; z = 0,0003cm; H=0,02cm)
1°) Sb = 10 cm/s; 2°) Sb = 2.102cm/s; 3°) Sb = 3.103 cm/s; 4°) Sb = 4.104 cm/s
Nous observons à la figure II-5 que la densité de courant diminue avec le taux de dopage de
la base. Cette diminution est plus nette avec les dopages forts. Ces résultats sont en parfait
accord avec ceux trouvés pour le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires dans la
base .En effet, l’augmentation du dopage engendre une hausse des impuretés d’où une
probabilité de recombinaison croissante des porteurs minoritaires dans la base. Ainsi, le
nombre de porteurs traversant la jonction devient faible pour de forts dopages car une grande
partie se recombine dans la base; c’est ce qui explique le fait que le photocourant décroît avec
le dopage de la base

II-5 ETUDE DE LA PHOTOTENSION

II-5-1 Expression
La phototension de la photopile, créée par l’accumulation de charge au voisinage de la
jonction, est donnée par la relation de BOLTZMANN [9]:

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 11
Chapitre II : Etude Théorique

Nb
Vph  VT  ln(1  2
  ( x) x  0 )
ni (II-9)
VT=kB T/q, est la tension thermique
Avec T la température absolue, q la charge électrique de l’électron, ni est la concentration
intrinsèque, Nb le taux de dopage de la base et kB est la constante de Boltzmann.

II-5-2 Profil de la phototension en fonction du taux de dopage

Le profil de la phototension en fonction du taux de dopage est présenté à la figure II-6

Figure II-6 : Profil de la phototension en fonction du taux de dopage pour différentes vitesses
de recombinaison à la face arrière.
Sf= 3.103cm/s ;z=0,0003cm ;H=0,02cm
1°) Sb=10 cm/s 2°) Sb= 2.102cm/s 3°) Sb=3.103 cm/s 4°) Sb=4.104 cm/s

L’augmentation de la phototension avec le dopage s’explique par le fait que quand le taux de
dopage de la base augmente, le coefficient de diffusion augmente. On assiste également à
une décroissance du nombre de porteurs collectés à la jonction du à l’augmentation de la
vitesse de recombinaison à la base. Par conséquent une accumulation de ces porteurs à la
jonction. En plus de tout cela, les ions originaires du dopage se situant au voisinage de la
jonction participent à la phototension. Voila ce qui explique l’augmentation de la
phototension avec le taux de dopage.
.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 12
Chapitre II : Etude Théorique

II-6 : ETUDE DE LA CAPACITE DE LA ZONE DE CHARGE D’ESPACE :

II-6-1 : Expression
La capacité de la photopile est définie comme étant la capacité résultante de la variation de
charge lors du processus de diffusion au sein de la photopile [14] .Son expression est donnée
par :
Q
C
V ph (II-10)
Après calcul on trouve l’expression suivante :
q   (0)
C  C0 
VT (II-11)
avec

ni 2
q
C0  Nb
VT (II-12)
C0 est la capacité intrinsèque sous obscurité.
II-6-2 : Profil de la capacité en fonction du taux de dopage

Figure II-7 : Capacité en fonction du taux de dopage pour différentes vitesses de recombinaison
à la jonction.
2
Sb = 2. 10 cm/ s ; Z = 0,0003 cm ; H=0,02cm
1°) Sf=10 cm/s 2°) Sf= 2.102cm/s 3°) Sf=4.104 cm/s 4°) Sf=5.105 cm/s
La figure II-7 montre que la capacité diminue avec le dopage de la base. Cette diminution est
plus nette avec les taux de dopage élevé .En effet, un dopage fort augmente la probabilité de

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 13
Chapitre II : Etude Théorique

recombinaison des porteurs. Plus le dopage est grand, moins le nombre de porteurs
minoritaires stocké à la jonction est important d’où la diminution de la capacité avec le
dopage. On constate aussi que la capacité diminue avec la vitesse de recombinaison à la
jonction(Sf). Cela s’explique par le fait que la vitesse de recombinaison à la jonction
matérialise le flux de porteur traversant la jonction pour être collecté et participer au
photocourant . Donc si la vitesse de recombinaison à la jonction devient grande, le nombre de
porteurs stockés devient faible d’où une diminution de la capacité.

II-6-3: Caractéristique capacité-phototension

Une caractéristiques capacité- phototension est présentée à la figure II-8.

FigureII-8 : Caractéristique du logarithme de la capacité en fonction de la photo tension pour

différents taux de dopage.
Sb = 2. 102cm/ s; Sf=10 ….8.108cm/s; Z = 0,003 cm; H=0,02cm
Sur la figure (II-8) que la capacité augmente linéairement avec la phototension mais pour
différents dopages les caractéristiques C-V ont le même coefficient directeur ou pente.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 14
Chapitre II : Etude Théorique

II-6-4: Capacité sous obscurité

Tableau (II-2) récapitulatif de la capacité de la photopile à l’obscurité pour différents taux
de dopage : On a trouvé ces valeurs en prenant pour chaque courbe l’ ordonnée à l’origine
qui représente le logarithme de la capacité à l’obscurité.
Nb 1015 1016 1017 1018
(atomes/cm3)
Log(C0) -11,726 -12,716 -13,858 -14,772
2 -6 -6 -7
C0 (F/cm ) 8,081.10 3,003.10 9,587.10 3,842.10-7
Ce tableau permet d’observer que l’augmentation du taux de dopage diminue
considérablement la capacité de la photopile à l’obscurité.

II-6-5 : Caractéristique du photocourant en fonction de la photo tension pour différents

taux de dopage.

A la figure II-9, nous présentons une caractéristique photocourant-phototension

Figure II-9 : Caractéristique du photocourant en fonction de la phototension pour différents

taux de dopage.
Sb = 2. 10 cm/ s; Sf=10 ….8.108cm/s; Z = 0, 0003 cm; H=0,02cm ; n=1
2

1°) Nb = 1015cm-3; 2°) Nb = 9. 1015cm-3; 3°) Nb =1016cm-3; 4°) Nb = 1017cm-3

Cette figure montre que le photocourant de court-circuit diminue avec le taux de dopage de la
base. La phototension de circuit-ouvert augmente avec le taux de dopage pour des valeurs
comprises entre 1015 et 1017 cm-3, au-delà elle diminue.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 15
Chapitre II : Etude Théorique

II-6 : ETUDE DE LA RESISTANCE SERIE

La résistance série Rs est un paramètre fondamental qui dépend de la nature du substrat, de la
température, de la technologie utilisée et joue un rôle déterminant sur la qualité d’une
photopile. Elle modélise les effets résistifs du matériau et du dispositif de contact utilisé. Plus
cette résistance est petite plus la photopile est performante.
II-6-1 : Expression [2]
La caractéristique courant-tension de la photopile fait voire deux situations de fonctionnement
caractéristiques :
-la situation de circuit ouvert où la phototension est maximale (le photocourant presque nul)
-celle de court-circuit où le photocourant est maximal (la phototension presque nulle).
Considérant la situation de circuit ouvert, la caractéristique est une droite oblique : ce qui
nous permet de modéliser la photopile comme un générateur de tension réelle. On a donc un
générateur de tension idéale en série avec une résistance série et le tous connecté à une
résistance de charge.
La zone de fonctionnement de la photopile en circuit ouvert est montrée à la figure ci-dessous.

Figure II-10 : Caractéristique du photocourant en fonction de la phototension pour différents

taux de dopage.
Le schéma électrique équivalent de la photopile en situation de circuit ouvert est représenté ci

dessous :

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 16
Chapitre II : Etude Théorique

Figure II-11 : Circuit électrique équivalent de la photopile fonctionnant en situation de circuit

ouvert

En appliquant la loi des mailles au circuit de la figure , on trouve l’expression de la résistance

série :

Vphco  Vph ( Sf )
RS 
J ph ( Sf ) (II-13)
RS et Rch sont respectivement la résistance série et la résistance de charge.
Sf est la vitesse de recombinaison à la jonction, elle tend vers Sfco qui est la vitesse de
recombinaison à la jonction limitant le circuit ouvert.
II-6-2: Courbe de calibration de la résistance Série en fonction du taux de dopage

Figure II-12 : Courbe de calibration de la résistance série en fonction du taux de dopage pour
différentes vitesses de recombinaison à la base.
Sf = 2. 102cm/ s, z=0, 0003 cm, H=0,02cm
1°) Sb=10 cm/s 2°) Sb= 2.102cm/s 3°) Sb=3.103 cm/s 4°) Sb=4.104 cm/s

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 17
Chapitre II : Etude Théorique

Cette figure montre que la résistance shunt augmente avec le taux de dopage mais dépend peu de la
vitesse de recombinaison à la base. Pour un taux de dopage compris entre 1015 et1017 la résistance
série est pratiquement constante et est minimale. Mais pour des taux de dopage supérieurs à 1017 la
résistance série croit rapidement. Puisque plus la résistance série est faible plus la photopile est
performante, le taux de dopage doit être compris entre 1015 et 10 17 .

II-7: ETUDE DE LA RESISTANCE SHUNT RSH

II-7-1: Détermination de la résistance shunt [2]
La résistance shunt provient des recombinaisons des porteurs de charges en volume, en
surface et aux interfaces d’une photopile. Elle modélise les courants parasites qui traversent la
cellule et est aussi indicatrice d’une bonne ou mauvaise qualité d’une photopile car,
lorsqu’elle est grande, le courant de fuite à travers la photopile est faible et inversement.
Pour déterminer la résistance shunt, on considère le fonctionnement de la photopile en court-
circuit où le photocourant est égal au courant de court-circuit. La photopile fonctionne en
générateur de courant en parallèle avec la résistance shunt et le tout en série avec une
résistance de charge Rch.

Figure II-13 : Le schéma illustratif de ce dispositif est donné à la figure II.18 suivante [16-17] :

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 18
Chapitre II : Etude Théorique

Figure II.14 : Schéma de la photopile en fonctionnement de circuit-ouvert

où Jph ( Sf, z, B ) et Vph ( Sf, z, B ) sont respectivement le photocourant et la phototension ;

Rsh et Rch sont respectivement la résistance shunt et la résistance de charge ;
Jcc le courant de court circuit.
L’expression de la résistance shunt peut être déduite en utilisant la loi des nœuds. Elle est
donnée par :

V ph ( Sf )
RSH 
J phcc  J ph ( Sf ) (II-14)
où Jphcc est le photocourant de court-circuit ; son expression est déterminée à partir de la
relation suivante :
J phcc  lim J ph
x (II-15)
RSh et Rch sont respectivement la résistance shunt et la résistance de charge.
II-7-2 : Courbe de calibration de la résistance shunt Rsh en fonction du dopage:
Le profil de la résistance shunt en fonction du dopage pour différentes vitesse de
recombinaison à la base est représenté à la figure II.19 suivante :

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 19
Chapitre II : Etude Théorique

Figure II-15: Courbe de calibration de la résistance shunt en fonction du taux de dopage pour
différentes vitesses de recombinaison à la base.
Sf = 6. 106cm/ s, z=0, 003 cm, H=0,02cm
1°) Sb=10 cm/s 2°) Sb= 2.102cm/s 3°) Sb=3.103 cm/s 4°) Sb=4.104 cm/s
La résistance shunt augmente considérablement avec le taux de dopage ; mais ne varie
presque pas avec la vitesse de recombinaison à la face arrière. Pour des gammes de taux de
dopage allant de 1015 à 1016 la variation de la résistance shunt est faible mais au delà de 1016
,la résistance shunt augmente considérablement pour atteindre une valeur maximale .Puisque
la zone de performance de la photopile correspond aux résistances shunt élevés donc le taux
dopage de la photopile doit être compris entre 1016 et 1019 cm-3 .

II-8 : Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons étudié l’effet du dopage sur les paramètres électriques et
phénoménologiques de la photopile à jonction verticale série.
On peut retenir de cet étude que le taux de dopage à une très grande influence sur le
fonctionnement et les performances d’une photopile .Tous les paramètres physiques de la
photopile varient avec le dopage : soit ils diminuent avec celui-ci soit ils augmentent. Ainsi
s’offre une possibilité de connaitre les taux de dopage qui maximisent les performances. Le
photocourant et la phototension peuvent servir d’exemple illustratif .Le photocourant
diminue avec le dopage alors que la phototension augmente avec ce dernier. Mais il existe un
taux de dopage pour lequel le gradient de photocourant est minimal alors tel n’est pas le cas
pour celui de la phototension .Dans ces situations, la photopile a une puissance maximale
donc très important à rechercher.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 20
Chapitre II : Etude Théorique

D’après (II-7-2) et (II-6-2) cette zone correspond à la gamme des taux de dopage de 1016 à
1017cm-3.Donc le taux de dopage de la base doit être compris entre 1016 et 1017cm-3.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 21
Conclusion Générale

CONCLUSION GENERALE

Ce travail est une étude de l’effet tu taux de dopage sur une photopile à jonction verticale
série sous éclairement polychromatique.
Après avoir présenté une étude bibliographique sur les cellules à jonction verticale multiple et
sur taux le dopage, nous nous somme intéressés dans un premier temps sur l’effet du taux de
dopage sur la diffusion, la durée de vie, la densité des porteurs minoritaires mais aussi le
photocourant et la phototension. Dans second temps nous avons fait l’étude de la capacité en
fonction du dopage puis tracer la caractéristique C-V qui a permis de déterminer les capacités
intrinsèques pour différents taux de dopages. Ainsi nous avons trouvé que la capacité à
l’obscurité de la photopile diminue avec le dopage. En suite nous avons traité le
caractéristique I-V a partir duquel on a fait remarquer les deux fonctionnements extrêmes de
la photopile :

 Le palier pour lequel le courant est maximal et la tension minimale, on parle de

courant de court circuit et la photopile se comporte comme un générateur réel de
courant autrement dit une source de courant en parallèle avec une résistance Shunt
Rsh.

 Le palier pour lequel le courant est minimal et la tension maximale on parle de courant
de circuit ouvert et la photopile se comporte comme un générateur réel de tension.
C’est à dire une source de tension en série appelée résistance série Rs.
En fin nous avons déterminé les résistances série et shunt .Puis regarder l’effet du dopage sur
ces dernière.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 22
Référence Bibliographique

REFERENCE BIBLIOGRAPHIQUE

[1] Wikipedia: http://fr.wikipedia.org/wiki/Photo%C3%A9lectricit%C3%A9 Le 07/11/2012.

[2] M.M. Dione, H. Ly Diallo, M. Wade, I. Ly, M. Thiame, F. Toure, A. Gueye Camara, N.
Dieme, Z. Nouhou Bako,S. Mbodji, F. I Barro, G. Sissoko
Determination of the shunt and series resistances of a vertical multijunction solar cell under
constant multispectral light
26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition

[3] « Etude du rendement quantique interne d’une photopile série au silicium polycristallin à
jonction verticale en régime de modulation de fréquence »
Zeïnabou Nouhou Bako Thèse de 3ème cycle, UCAD, Sénégal (2008).
[4] E.SOW, F. TOURE, A. WEREME, M. M DIONE, A. MOUJTEBA, S. F. DIA, F. I.
BARRO, G. SISSOKO
Influence du taux de dopage sur l’élargissement de la zone de charge d’espace

[5] DANIEL L. MEIER, MEMBER, JEONG-MO HWANG, ROBERT B. CAMPBELL

The Effect of Doping Density and Injection Level on Minority -Carrier Lifetime as Applied to
Bifacial Dendritic Web Silicon Solar Cells
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. ED-35, NO. I, JANUARY 1988

[6] Brahim LAKEHAL, « Etude des propriétés électriques d’une photopile à base d’une
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[7] Henry Mathieu et Hervé Fanet « Physique des semiconducteurs et des composantes
électroniques 6eme éditions » Cours et exercices corrigés dans édition Dunod, Paris, 2009 ISBN
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[8] O. H LEMRABOTT, I. LY, A. S. MAIGA, A. WEREME, F. I. BARRO, G. SISSOKO
Bulk and surface recombination parameters measurement in silicon double sided solar cell under
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[9] F. I. BARRO, S. MBODJI, M. NDIAYE, A. S. MAIGA, G. SISSOKO
Bulk and surface recombination parameters measurement of silicon solar cell under constant white
bias light
J. Sci. Vol8, N° 4 (2008) 37 – 41
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[11] Sissoko G., C. Museruka, A. Corréa, I. Gaye and A. L. Ndiaye, 1996. Light spectral
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Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 23
Référence Bibliographique

[12] G. SISSOKO, E. NANEMA, Y. L. B. BOCANDE, A. L. NDIAYE, M. ADJ World

Renewable Energy Congress (WREC) 1996, part III, pp.1594-1597
[13] Diallo, H. L., A. Wereme, A. S. Maïga and G. Sissoko, 2008. New approach of both
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Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 24
Annexe Mathématique

ANNEXE MATHEMATIQUE

 Equation de continuité et densité des porteurs minoritaires dans la base

En tenant compte des phénomènes de génération, de recombinaison et de diffusion dans la

base, l’équation régissant la variation des porteurs minoritaires de charge photogenèrés

( )
en régime statique est :
 2 ( x)  ( x)
D   G( z )
x 2  (A-1)
G(z) étant le taux de génération dépendant de la profondeur z dans la base
δ (x)est la densité de porteurs minoritaires de charge photogenèrés
τ (Nb) est la durée de vie des porteurs minoritaires dans la base en (μs)
D (Nb) est le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires
Le coefficient de diffusion et la durée de vie des porteurs sont liés par :
L(Nb) 2= τ(Nb). D(Nb)
(A-2)
L (Nb) étant la longueur de diffusion des porteurs en (cm)
(A-2) dans (A-1) donne :
 2 ( x)  ( x) G( z )
2
 2 
x L D
(A-3)

 Le taux global de génération des porteurs minoritaires :

Il peut se mettre sous la forme suivante :

3
G( z )   ai. exp( biz )
i 1 (A-4)
La solution générale l’équation (A-4) est de la forme :

 x   x  L( Nb) 2 3
 ( x, Nb)  A cosh   B sinh    ai. exp  biz 
 L( Nb)   L( Nb)  D( Nb) i 1 (A-5)

Où les coefficients A et B son déterminer à partir des conditions aux limites.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 25
Annexe Mathématique

 Condition aux limites

Les porteurs minoritaires de charge en excès se recombinent aux interfaces, les conditions aux
limites sont données par les expressions suivantes :

-En x=0, à la jonction émetteur-base :

 ( x, Nb)
D( Nb)  S f  ( x, Nb)
x x 0 x 0
(A-6)
-En x =H , à l’extrémité de la base :

 ( x, Nb)
D( Nb)   Sb ( x  H , Nb)
x xH (A-7)

Où Sf est la vitesse de recombinaison à la jonction ;

H l’épaisseur de la base de la photopile et Sb est la vitesse de recombinaison des porteurs de

charge minoritaires à la base.

L’exploitation de ces conditions aux limites donne un système d’ équation en A et B dont la

résolution permet de trouver :

3  H  L( Nb)  H ( Nb)  3
LNb  Sf . cosh   Sf ( p).Sb(m). sinh . ai. exp( bi.z )
  L( Nb)  D( Nb)  L( Nb)  i 1
A
 H   H  (A-8)
 
L( Nb)2 Sf ( p).Sb(m)  D( Nb) 2 . sinh
L Nb
  D( Nb).L( Nb).( Sb(m)  Sf (m)). cosh 
 ( )   L( Nb) 

L( Nb)4 .Sf ( p).Sb(m)  D( Nb)  H   H  3

.1  sinh    cosh . ai. exp( bi.z )
D( Nb)  Sb(m).L( Nb)  L( Nb)   L( Nb)  i 1
B
(A-9)
L( Nb) .Sf ( p).Sb(m)  D( Nb) . sinh L(HNb)   D( Nb).LNb. Sf ( p)  Sb(m). cosh L(HNb) 
2 2

   

Ces expressions de A et B permettent d’écrire :

 x   x  L( Nb)2 3
 ( x, z, p, m, Nb)  A cosh   B sinh    ai. exp  bi.z 
 L( Nb)   L( Nb)  D( Nb) i 1 (A-10)

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 26
Annexe Mathématique

 La densité de photocourant

La densité de photocourant est donnée par la relation suivante :

 ( x, Nb)
J ph  q.D( Nb)
x x 0 (A -11)

 ( x, Nb) B

Or x x 0 L( Nb) ( A -12)

(A -9) et(A -12) dans (A -11) donne :

 D( Nb)  H   H  3
q.Sf ( p).Sb(m).1  . sinh   cosh . ai. exp( bi.z )
 Sb(m)  L( Nb)   L( Nb)  i 1
Jph  
 H   H 
 
L( Nb)2 Sf ( p).Sb(m)  D( Nb)2 . sinh
L Nb
  D( Nb).L( Nb).(Sb(m)  Sf (m)). cosh 
 ( )   L( Nb)  (A-13)


La phototension

Nb
V ph  VT  ln(1  2
  ( x) x 0 )
ni (A-14)
VT=kT/q, est la tension thermique
Avec T la température en kelvin de la cellule et q la charge électrique de l’électron
ni est la concentration intrinsèque, Nb est le taux de dopage
K est la constante de Boltzmann et T est la température de la photopile

 La capacité

Q
C 
V p h (A-15)

Après calcul on trouve l’expression suivante :

q   (0)
C  C0 
VT (A-16)

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 27
Annexe Mathématique

avec

ni 2
q
C0  Nb
VT (A-17)
C0 est la capacité intrinsèque sous obscurité.

Mémoire de MASTER II présenté par Papa NGOM/ LASES – FST / UCAD – SENEGAL 2012 28
 PHOTOPILE A JONCTION VERTICALE SERIE
SOUS ECLAIREMENT POLYCHROMATIQUE :
EFFET DU TAUX DE DOPAGE

MEMOIRE DE MASTER II PHYSIQUE

Présenté par :
Papa NGOM
Maître ès Sciences

Option: Energie Solaire, Matériaux et Systèmes(SOLMATS)

Soutenu publiquement le 17 Novembre 2012 devant le jury composé de:
Résumé
Une étude bibliographique de la photopile au silicium à jonction verticale multiple et le taux
de dopage.
Une description de la photopile à jonction verticale série sous éclairement polychromatique
nous a permis de définir la densité des porteurs minoritaires de charge en excès dans la base,
la diffusion de ces porteurs mais aussi leur durée de vie.
Une étude théorique générale de la photopile à jonction verticale sous effet du taux de
dopage est présentée.
Une analyse des effets du taux de dopage sur la durée de vie des porteurs minoritaires, le
coefficient de diffusion, la densité de porteurs minoritaires, la densité de photocourant, la
phototention, la puissance et la capacité a été effective.
De l’étude de la caractéristique capacité-phototension, une capacité à l’obscurité ainsi qu’un
potentiel de diffusion ont été déterminé pour différents dopages de la photopile.
Et enfin on a dégagé une conclusion suivie des perspectives.
Mots clés : jonction verticale série - taux de dopage - capacité à l’obscurité – Résistance
série- Résistance shunt.