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MEHADJI Nessrine
LEKKAM Madjeda
La conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle des
isolants le taux de remplissage de la dernière bande occupée est soit très faible soit très important,
La hauteur de la bande interdite est faible (1 eV), La conduction est faible et varie beaucoup avec la
température.
Semi-conducteur intrinsèques :
Ou conduction sans dopage ; Si une liaison de valence est brisée (agitation thermique, photon ...)
l’électron devient mobile : il laisse un excès de charge positive le « trou » (symbolisé par un + dans un
carré). Cette lacune va être comblée par un électron voisin libéré par agitation thermique et qui va à
son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se déplacer dans le réseau. Aux électrons (masse positive,
charge négative) correspondent des trous (masse négative, charge positive). Le déplacement des
trous étant un processus à deux étapes, leur mobilité dans le réseau est plus faible que celle des
électrons. Trous et électrons constituent les porteurs libres intrinsèques dont le nombre est fonction
de la température.
Semi-conducteurs extrinsèques :
Dopage :
Est l’action d’ajouter des impureté en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses
propriétés de conductivité.
bande d’énergie : Considérons un atome de silicium Si isolé, les niveaux énergétiques de ses
électrons sont discrets, Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome identique, les niveaux
énergétiques discrets de ses électrons se scindent en deux sous l'interaction réciproque des
deux atomes. Plus généralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux énergétiques
se scindent en N niveaux. Ces N niveaux sont très proches les uns des autres et si la valeur
de N est grande, ce qui le cas pour un cristal, ils forment une bande d'énergie continue. La
notion de rapprochement des atomes est donnée par la distance interatomique d.
A présent considérons des atomes de silicium Si arrangés aux nœuds d'un réseau périodique, mais
avec une maille très grande de telle manière que les atomes puissent être considérés comme isolés.
Les deux niveaux les plus énergétiques sont repérés par E1 et E2. Rapprochons homothétiquement
les atomes les uns des autres, les états énergétique électronique se scindent et forment deux bandes
continues appelées bande de conduction BC et bande de valence BV.
2- Le spectre électromagnétique :
la description de l'ensemble des rayonnements électromagnétiques classés par fréquence,
longueur d'onde ou énergie. Le spectre électromagnétique s'étend théoriquement de zéro à
l'infini en fréquence (ou en longueur d'onde), de façon continue. Pour des raisons tant
historiques que physiques, on le divise en plusieurs grandes classes de rayonnement, qui
s'étudient par des moyens particuliers à chacune d'entre elles. Au niveau des photons (quanta
de lumière), l'absorption représente le phénomène par lequel l'énergie d'un photon est prise
par une autre particule, par exemple un atome dont les électrons de valence effectuent une
transition entre 2 niveaux d'énergie électronique. Le photon est alors détruite par l'opération,
l'énergie électromagnétique est absorbée et transformée en énergie électronique. Cette
énergie absorbée peut par la suite être retransformée : Énergie électromagnétique par
l'émission de photon(s). Transformée en agitation particulaire (augmentation de la vitesse de
la particule) ce qui se traduit au niveau macroscopique par une augmentation de la
température (l'énergie électromagnétique a été transformée en chaleur). En phonon (agitation
du réseau cristallin dans un cristal). Emplacement (oscillation collective d'électron dans un
métal).
3- Effet photovoltaïque : Lorsqu’un matériau est exposé à la lumière du soleil, Les
photons constituant la lumière « attaquent » les atomes exposés au rayonnement. Les électrons
des couches électroniques supérieures, appelés aussi électrons de valence ont tendance à être
arracher. Dans les cellules PV, une partie des électrons ne revient pas à son état initial et les
électrons « arrachés » créent une tension électrique continue et faible.
4- Jonction P-N : Dans la définition d’un semi-conducteur on a vue dans la partie dopage
qu’on a deux types de dopage type N et dopage type P, de là on définit la jonction P-N comme la
Mise en contact d’un semi-conducteur de type P et d’un semi-conducteur de type N, Lorsque la
région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent
spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la
concentration en porteurs libres est quasiment nuls
5- La tension à circuit ouvert Vco et le courant de court-circuit Icc :
5-1- Le courant de court-circuit noté Icc : il s’agit du courant qui traverse la cellule
photovoltaïque lorsque celle-ci est en court circuit, c’est-à-dire lorsque le pôle + est relié au
pôle – (la tension à ses bornes est alors nulle).
Dans ce cas, la puissance fournie par la cellule (P = U × I) est nulle.
5-2- La tension en circuit ouvert notée Uco : il s’agit de la tension aux bornes de la cellule
lorsque celle-ci est en circuit ouvert, c’est-à-dire lorsque le pôle + et le pôle – sont isolés
électriquement de tout autre circuit électrique (le courant la traversant est alors nul).
-Il faut une grande quantité d’énergie pour obtenir du cristal pur.
- C’est le silicium amorphe que l’on trouve le plus souvent dans les produits de consommation
comme les calculatrices, les montres etc.… Toutefois, ils réagissent mieux à des températures élevées
ou à une lumière diffuse.
- De plus, les cellules mono et poly-cristallines sont les types de cellules les plus répandues sur le
marché du photovoltaïque (environ 60% de la production).
3-caractéristiques de panneau :
Vco=37.3 volt
Eclairage:
14h25 = 17,6W/m2
14h35=30,3 W/m2
4-type de conversion : Conversion photoélectrique
Le silicium monocristallin
1- Le tableau :
P capté =846 W
Et
Ƞ = (la puissance fournie par le panneau) / (la puissance captée par le panneau)
Ƞ = (I x V) / p capté
5. La courbes I=f(V)
Icc 0,43 1,44 0,84 1,57 1,79 1,84 1,84 1,82 1,31 1,75
Vco 35 27,2 34 20,3 11,4 4,5 7,4 14,2 32,7 17,5
Tsalle : 19°C
Tpanneaux : 53°C
40
35
30
25
20
Vco
15
10
5
0
35 27.2 34 20.3 11.4 4.5 7.4 14.2 32.7 17.5
Augmentation de l’éclairage :
Tpanneaux=71°C
Conclusion :
Vue que les conditions métrologiques sont insuffisantes pour effectuer le TP et
obtenir plus de points pour tracer le graph (l’éclairement a démunie trop à
cause de météo nuageux nous n’avons pas pris les mesures de rondement et
nous avons prélevé des échantillons du premier groupe