Examen partiel – Electronique I 19.03.

2003
Systèmes de Communications
(Prof. A.M. Ionescu)
Durée : 1h45 heures

P1 : Soit le circuit de la Figure 1, ci-dessous :

Int 1
2R M
A

2R 2R
R
U

N R
2R

Int 2
U

B
Figure 1

Q1 : Les interrupteurs Int 1 et Int 2 sont ouverts (comme dessiné dans la figure 1).
La résistance équivalente entre M et N vaut :

a) RMN= 3R/2
b) RMN= R
c) RMN= 2 R

Q2 : On ferme (court-circuit) les interrupteurs Int 1 et Int 2. Les courants des

branches MN et AB sont :

a) IMN= U/2R, IAB= 2U/R

b) IMN= U/R, IAB= 2U/R
c) IMN= 2U/3R, IAB=U/2R
Q3 : La résistance équivalente de Thévenin entre A et B (avec interrupteurs fermés)
vaut :

a) RTH= R
b) RTH= 0 (Ω)
c) RTH=3R/2
Q4 : La tension équivalente de Thévenin entre A et B (avec interrupteurs fermés)
vaut :

a) VTH= U
b) VTH= 2U
c) RTH=U/2

P2: Soit le circuit de la figure 2 a ci-dessous et son circuit Norton équivalent

entre A et B (figure 2 b):
A A

U
R
IN RN
R

B B
(a) (b)
Figure 2

Q5 : Les valeurs des éléments du circuit équivalent de Norton de la figure 2b sont :

a) IN= U/R, RN=R/2

b) IN= U/(2R), RN=2R
c) IN= U/2R, RN=R/2

Q6 : On connecte entre les points A et B du circuit de la Figure 2 (b) une résistance

de charge RL. Si : U=10V et R=10Ω, quelle est la valeur de RL pour laquelle la valeur
de la puissance dissipée sur RL est maximale :

a) RL=5Ω
b) RL=10Ω
c) RL=20Ω
Q7 : Dans les conditions de la question Q7 de puissance maximale dissipée sur RL,
la puissance maximum vaut :

a) Pmax=10W
b) Pmax=5W
c) Pmax=2.5W
P3: Soit le circuit de la figure 3 ci-dessous :

R
C1
Vin

R C2 Vout

Figure 3

Q8 : Si le circuit de la figure 3 fonctionne à très haute fréquence, il est :

a) Un diviseur capacitif (avec fonction de transfert dictée par C1 et C2)

b) Un diviseur résistif (avec fonction de transfert dictée par R1 et R2)
c) Un circuit à fonction de transfert, H(jω)=Vout/Vin, unitaire (=1)

Q9 : Si la capacité C1 est remplacé par un court-circuit, la fonction de transfert

H(jω)=Vout/Vin du nouveau circuit vaut :

1 + jωRC 2
a) 2 + jωRC
2

1
b) 2 + jωRC 2
1
c) 1 + 2 jωRC
2

Q10 : Le circuit de la figure 3 avec la capacité C1 remplacée par un court-circuit peut

être utilisé comme :

a) Filtre passe haut

b) Filtre passe bas
c) Le type de filtre ne peut pas être identifié sans connaître les valeurs de R
et C.
Q11 : La caractéristique d’une diode à jonction pn peut être obtenue à partir d’un
transistor bipolaire npn connecté comme dans la figure :

a) Figure 4 (a)
b) Figure 4 (b)
c) On ne peut reproduire jamais la caractéristique d’une diode avec un
transistor bipolaire.

(a) (b)
Figure 4

Q12 : Si on dispose d’un transistor bipolaire on peut :

a) Réaliser des circuits qui implémentent (séparément) les fonctions

mathématiques exp et log.
b) Réaliser des circuits qui implémentent uniquement la fonction exp.
c) Avec un transistor bipolaire on ne peut réaliser qu’une amplification en
régime de petits signaux et jamais des fonctions telles que exp et log.

Q13 : On considère un transistor MOS polarisé en régime linéaire, en conduction

(VGS > VT). Sa transconductance vaut :

ID
a) g m = ≅ 40 I D ( kΩ −1 )
( kT / q )

b) g m = βVDS

c) g m = β ( VGS − VT )
Q14 : Un transistor MOS peut être utilisé comme interrupteur (switch) entre l’état ON
(de conduction) et l’état OFF (bloqué). Ceci est possible:

a) Uniquement si la conduction se fait en régime de saturation

b) Uniquement si la conduction en régime linéaire
c) Ca n’a pas d’importance dans quel régime le transistor MOS est
polarisé : la commande de ON et OFF est uniquement assurée par la
tension de grille indépendamment de la tension de drain.

P4 : Soit le circuit amplificateur à transistor bipolaire ci-dessous (Figure 5)

VCC

R1 IC

IN VCE

OUT
R2
R3

Figure 5

On connaît : R1=R2=10kΩ, VCC=10V, R3=2.2kΩ, β=200, VBE=0.6V.

Q15 : Le courant statique IC du transistor bipolaire dépend de :

a) VCC, R1, R2 et R3
b) VCC, β, R1, R3
c) VCC, R2 et R3

Q16 : Le point statique de fonctionnement du transistor bipolaire est :

a) (IC, VCE)= (0.5mA, 5V)

b) (IC, VCE)= (2mA, 5.6V)
c) (IC, VCE)= (2mA, 4.4V)
Q 17 : Dans la configuration de polarisation (schéma) de la figure 5, avec VCC=10V:

a) Le transistor bipolaire est toujours en Régime Actif Normal (RAN),

indépendamment des valeurs des éléments du circuit
b) Le transistor est en RAN seulement si b t suffisamment grand (>100)
c) Le régime de fonctionnement dépend essentiellement des valeurs des
résistances R1 et R2.

Q 18 : Si on définit les bornes d’entrée (=IN) et de sortie (=OUT) comme dans la

figure 5 et on applique un signal alternatif de faible amplitude (<5mV) à l’entrée,
l’amplification en tension définie comme : AV=vout/vin sur une charge de sortie
RL=2.2kΩ, est :

a) AV >10
b) 1< AV < 10
c) L’étage n’amplifie pas, il attenue : AV < 1.

Q 19 : Quelle est la relation qui fixe la limite maximale approximative de l’amplitude

du signal d’entrée appliqué à l’entrée IN du circuit de la figure 5 pour que le résultat
(valeur de l’amplification) de la question Q19 soit toujours correcte:

a) Vinmax << VBE=0.6V

b) Vinmax << UT = kT/q = 26mV
c) Vinmax << VCE
Nom : Prénom :

Lire bien attentivement les questions Q1-Q20 et ensuite compléter les réponses
considérées correctes dans le tableau ci-dessous (mettre une croix dans la colonne
de la réponse considérée correcte.

Attention :
UNE SEULE ET UNIQUE REPONSE EST CORRECTE POUR CHAQUE
QUESTION : IL FAUT DONC, COMPLETER UNE SEULE CROIX DANS LE
TABLEAU DES REPONSES ASSOCIEES A UNE QUESTION.
PLUSIERS CROIX DANS LES COLONNES REPONSES A UNE QUESTION
ANNULENT AUTOMATIQUEMENT LA REPONSE PROPOSEE.

REPONSE

QUESTION A B C
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
Q9
Q10
Q11
Q12
Q13
Q14
Q15
Q16
Q17
Q18
Q19