These M.boutaayamou 2009

Université de Liège
Faculté des Sciences Appliquées
Thèse présentée en vue

de l’obtention du grade de
Docteur en Sciences de l’Ingénieur
par
Mohamed BOUTAAYAMOU
Méthode de Perturbation pour la Modélisation par

Éléments Finis des Systèmes Électrostatiques en
Mouvement - Application aux MEMS
Électrostatiques
Novembre 2008
Remerciements
Je tiens tout d’abord à remercier mes promoteurs le Professeur Patrick Dular et le

Professeur Jean-Claude Golinval pour m’avoir permis d’effectuer cette thèse. Je souligne
que celle-ci a été subventionnée par la Communauté Française dans le cadre d’un projet
ARC (Convention 03/08-298, “Modélisation, Simulation Multiphysique et Optimisation de
Problèmes Couplés - Application aux Micro-Systèmes Électromécaniques (MEMS)”).
Je remercie également le Professeur Laurent Krähenbühl (École Centrale de Lyon,
Université de Lyon), le Professeur Francis Piriou (Université de Lille), le Professeur
Pierre Duysinx (Université de Liège), Docteur Véronique Rochus (Université de Liège), le
Professeur Christophe Geuzaine (Université de Liège) et Docteur Ruth Vázquez Sabariego
(Université de Liège) pour avoir accepté d’évaluer cette thèse.
Je tiens à témoigner ma profonde reconnaissance à Patrick Dular. Son encadrement
était d’une qualité scientifique exceptionnelle. Ses conseils étaient très précieux et m’ont
permis d’accomplir mes travaux de recherches. Je le remercie également pour ses encou-
ragements pendant des moments clés du doctorat. J’adresse mes sincères remerciements à
Ruth Vázquez Sabariego pour sa disponibilité et ses innombrables conseils avisés. Son aide
était déterminante dans l’aboutissement de ce travail. Je remercie également Véronique
Rochus. Ses conseils et encouragements m’ont aidé à progresser dans cette thèse. Je les
remercie tous pour leur lecture attentive de ce rapport et pour toutes les améliorations
qu’ils y ont apportées.
Je remercie tous mes collègues de l’unité de recherche Applied and Computational
Electromagnetics (ACE), y compris mes ex-collègues, pour avoir contribué à une bonne
ambiance de travail.
A tous mes amis, je dis merci. Je leur dois beaucoup et je tiens à les associer à cette
thèse car c’est grâce à leur soutien et à leur amitié spontanée et authentique que j’ai
pu passer une période très enrichissante à Liège. Ils sont bien trop nombreux pour les
citer tous mais je suis certain qu’ils se reconnaı̂tront et qu’ils savent à quel point ils sont
importants pour moi.
J’adresse également mes sincères remerciements aux familles Godec et Elkhouri. Par
leurs marques d’amitié et d’affection, elles ont su me donner du courage pour progresser
dans ma thèse.
Enfin, je tiens à exprimer ma profonde gratitude à mes deux frères, à mes quatre sœurs,
à ma mère et à mon père pour leurs encouragements et pour leur soutien inconditionnel.
Liège, novembre 2008 Mohamed Boutaayamou

Table des matières
Introduction 1
1 Définition du problème 5
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2 Modèles électromagnétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.1 Equations de Maxwell dans les milieux continus . . . . . . . . . . . . 5
1.2.2 Lois de comportement des matériaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.3 Forme intégrale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.4 Conditions aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.4.1 Conditions homogènes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.4.2 Conditions de transmission . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.4.3 Conditions globales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.3 Modèle électrostatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.1 Formulation en potentiel scalaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3.2 Formulation faible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.3.3 Conditions globales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.4 Discrétisation par la méthode des éléments finis . . . . . . . . . . . 12
1.3.5 Précision de l’approximation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2 Calcul des forces électrostatiques dans les MEMS 15

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2 Méthode du tenseur de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3 Méthode des travaux virtuels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.2 Formulation en potentiel scalaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.3 Dérivation locale de la matrice jacobienne . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4 Tenseur de Maxwell vs travaux virtuels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.5 Illustration et validation - MEMS électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.5.1 Micropoutre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.5.2 Actionneur électrostatique de type peigne . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3 Couplage électromécanique 37
3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2 Couplage dans les MEMS électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
i
ii TABLE DES MATIÈRES
3.2.1 Couplage numérique fort . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

3.2.2 Couplage numérique faible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3 Domaine mécanique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.1 Elasticité linéaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3.2 Formulation en déplacement (cinématiquement admissible) . . . . . 40
3.3.3 Discrétisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.4 Mise à jour du maillage électrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.5 Critère de convergence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.6 Illustration et validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.6.1 TEAM 33b . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.6.2 Micropoutres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.6.2.1 Micropoutre encastrée-libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.6.2.2 Micropoutre bi-encastrée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.7 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4 Méthode de perturbation 53
4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.2 Formulations continues . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.2.1 Problèmes non perturbé et de perturbation . . . . . . . . . . . . . . 55
4.2.2 Problème de perturbation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.3 Formulations faibles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3.1 Formulation en potentiel scalaire du problème non perturbé . . . . . 58
4.3.2 Projection de la solution source . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3.3 Formulation en potentiel scalaire du problème de perturbation . . . 59
4.4 Calcul des solutions perturbées successives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.5 Calcul des charges électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.6 Calcul des forces électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.7 Accélération de la convergence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.7.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.7.2 Procédé ∆2 d’Aitken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.7.3 Approximants de Padé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.8 Prise en compte du mouvement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
4.9 Illustration et validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.9.1 Cas test 1D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.9.2 Cas test 2D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.9.3 Modèle 2D d’un actionneur électrostatique de type peigne . . . . . . 75
4.9.4 Mouvement d’une sphère plongée dans un champs électrique extérieur 83
4.9.5 Modèle 3D d’un actionneur électrostatique de type peigne . . . . . . 87
4.10 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
Conclusions 93
Bibliographie 97
Table des figures
1.1 Conditions de transmission. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

1.2 Définition du problème électrostatique dans le domaine Ω contenant une
région conductrice Ωc et diélectrique Ωd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1 Déplacement virtuel réparti sur une couche d’élément autour d’une région
mobile et le maillage du domaine contenant cette région. . . . . . . . . . . . 18
2.2 Calcul de la force électrique dans un problème de coin. . . . . . . . . . . . . 22
2.3 Exemples de maillages du domaine électrique. Σ est la surface utilisée dans
le modèle du tenseur de Maxwell (2.4) pour calculer la force électrique. Les
surfaces Γ2 et Σ délimitent la couche d’élément dans laquelle est intégrée la
force par la méthode des travaux virtuels. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.4 Evolution des composantes ex et ey du champ électrique suivant les coupes
[A1 A4 ] et [A2 A3 ] (100 éléments d’ordres 1 et 2 sont utilisés près du coin). . 24
2.5 Convergence de la force électrique apparaissant sur la surface Γ2 en fonc-
tion du raffinement du maillage (les fonctions d’interpolation utilisées sont
d’ordre 1 (à gauche) et d’ordre 2 (à droite). L’erreur relative est déterminée
par rapport à la solution analytique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.6 Temps de calcul de la force électrique (station : Intel Pentium M 2 GHz –
RAM : 1 GB) en fonction du nombre des éléments au voisinage du coin (à
gauche) et de l’erreur relative par rapport à la valeur analytique de la force
globale (à droite). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.7 Géométrie de la micropoutre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.8 Distribution du potentiel et force électriques dans un modèle 2D de la sec-
tion transversale des micropoutres (w = 5 µm (à gauche), w = 15 µm (à
droite), g = 2 µm et t = 2 µm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.9 Distribution du potentiel et force électriques dans un modèle 2D de la sec-
tion longitudinale des micropoutres (L = 50 µm (en haut), L = 100 µm
(en bas), g = 2 µm et t = 2 µm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.10 Erreur relative en fonction de lc , la taille des éléments finis au voisinage des
coins (avec L = 30 µm, w = 2 µm, t = 1 µm et g = 1 µm) . . . . . . . . . . 28
2.11 Facteur d’effet de bord de la force en fonction du w/g (L = 30 µm). . . . . 28
2.12 Facteur d’effet de bord de la force en fonction du w/t (L = 30 µm). . . . . 28
2.13 Facteur d’effet de bord de la force en fonction du L/g. . . . . . . . . . . . . 29
2.14 Facteur d’effet de bord de la force en fonction du L/t. . . . . . . . . . . . . 29
2.15 Facteur d’effet de bord de la capacité en fonction du w/g (L = 150 µm). . . 30
iii
iv TABLE DES FIGURES
2.16 Exemple d’un actionneur électrostatique de type peigne interdigité (comb-

drive). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.17 Géométrie de la moitié d’une cellule de peignes d’un actionneur électrosta-
tique de type peigne interdigité (combdrive) (la moitié des deux doigts en
haut et le substrat (en bas)). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.18 Maillage 2D du domaine d’étude. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.19 Maillage 3D de l’actionneur de type peigne (les deux doigts et le substrat
(en haut), un doigt et le substrat (en bas, à gauche) et un agrandissement
au voisinage des coins et arêtes d’un doigt (en bas, à droite)) (L = 10 µm,
d = 7 µm, b = 3 µm, t = 2 µm, g = 3 µm, gz = 1 µm). . . . . . . . . . . . . 32
2.20 Distribution du potentiel et force électriques. . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.21 Facteur d’effet de bord de la force longitudinale (suivant l’axe x) en fonction
de b (en haut) et de t (en bas) (L = 10 µm, d = 5 µm, t = 2 µm, g = 1 µm,
gz = 1 µm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
de gz (L = 10 µm, d = 5 µm, b = 2 µm, t = 2 µm, g = 1 µm). . . . . . . . 34
de d (L = 10 µm, b = 1 µm, t = 2 µm, g = 1 µm, gz = 1 µm). . . . . . . . 34
3.1 Résolution d’un problème électromécanique par un couplage numérique faible. 38

3.2 Problème d’élasticité linéaire défini pour un corps élastique, isotrope et
R
homogène occupant un domain Ω ∈ 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.3 Géométrie d’un corps diélectrique (C) soumis à un champ électrique exté-
rieur crée entre deux plaques conductrices (A) et (B) (l’unité des dimensions
géométriques est en mm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
3.4 Maillage des domaines mécanique et électrique. . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.5 Distribution du potentiel électrique et des forces locales correspondantes sur
la surface du corps (C) (à gauche) et le déplacement maximal au sommet
de la structure (à droite). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.6 Géométrie de la micropoutre (encastrée-libre). . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.7 Maillage 2D des domaines électrique et mécanique (en haut), avec un
agrandissement de l’encastrement (au milieu à gauche) et du voisinage des
coins de la micropoutre (en bas et au milieu à droite) (L = 175 µm, t =
2 µm, L′ = 168 µm, g = 2 µm et r = 2 µm). . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.8 Distribution du potentiel électrique et des forces locales correspondantes
sur la surface de la micropoutre (r = 2 µm, V = 10 V). . . . . . . . . . . . 48
3.9 Variation du déplacement maximale (la flèche) de la mircopoutre et son
erreur relative en fonction de r (V = 10 V). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.10 Convergence de la densité de force électrique (composante y) apparaissant
sur la surface de la micropoutre encastrée-libre et de son déplacement mé-
canique (r = 2 µm, V = Vpi = 17.75 V). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.11 Géométrie de la micropoutre bi-encastrée. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.12 Convergence du déplacement maximal (au centre de la mircopoutre) en
fonction des ddl du problème mécanique. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
TABLE DES FIGURES v
3.13 Convergence de la densité de force électrique (composante y) apparaissant

sur la surface de la micropoutre bi-encastrée et du déplacement mécanique
correspondant. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1 Décomposition d’un problème électrostatique par la méthode de perturbation. 54

4.2 Définition des sous-problèmes non perturbé dans Ω (en l’absence de la région
perturbatrice Ωc,p) et de perturbation dans Ωp . Les régions source Ωc et per-
turbatrice Ωc,p appartiennent aux sous-domaines Ω et Ωp , respectivement.
Le résultat de l’addition des solutions respectives des sous-problèmes, non
perturbé et de perturbation, est la solution du problème complet (c.-à-d. le
problème perturbé). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.3 Couche d’éléments finis qui touchent Γc,p dans Ωp \Ωc,p . . . . . . . . . . . . 59
4.4 Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées dans chaque sous-problème
et la solution totale vp du problème complet (après convergence). Le sous-
problème d’indice {1} est ici choisi comme le problème de référence (ou le
problème source). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.5 Calcul des solutions perturbées successives. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.6 Conducteur à potentiel fixé (région de perturbation) entre deux électrodes
d’un condensateur (régions source). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4.7 Calcul des solutions perturbées successives pour un problème électrostatique
unidimensionnel ( x ∈ [d1 , d]). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
4.8 Convergence du potentiel électrique perturbé suivant la position relative
du conducteur, fixé au potentiel Vc = 0V , par rapport à l’électrode fixée à
V0 = 1V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4.9 Convergence de la composante ex du champ électrique perturbé crée entre
l’électrode, fixée à V0 = 1V , et le conducteur fixé à Vc = 1V (en haut) et
l’erreur relative (en bas) en fonction du nombre d’itérations. . . . . . . . . . 71
4.10 Conducteur à potentiel fixé (région de perturbation) entre deux électrodes
d’un condensateur (régions source). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
4.11 Maillage de Ω (à gauche) et un maillage adapté de Ωp (à droite). . . . . . . 72
4.12 Champs non perturbés vu (a) et eu (c) ; champs de perturbation v (b1 ) et
e (d1 ) ; champs perturbés vp (b2 ) et ep (d2 ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
4.13 Erreur relative de vp (en haut) et de la composante y de ep (en bas) calculée
lors des itérations i. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.14 Application du procédé ∆2 d’Aitken au calcul itératif de l’erreur relative de
vp (en haut) et de la composante y de ep (en bas). . . . . . . . . . . . . . . 75
4.15 Approximants de Padé accélérant la convergence de vp (en haut) et de ep,y
(en bas). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.16 Convergence de Qp (la charge sur la surface du conducteur perturbateur)
et de Fp (la force totale calculée sur [M1 A2] ∪ [A2 M2 ]) lors des itérations i. 76
4.17 Comparaison entre les résultats obtenus avec l’approximant [1/2] et le pro-
cédé ∆2 d’Aiken à l’itération 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.18 Modèle 2D d’une cellule de peignes d’un actionneur électrostatique avec un
doigt pouvant se déplacer dans la direction x. . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.19 Maillages adaptés pour Ω (à droite) et Ωp (à gauche) avec une transfor-
mation géométrique pour approximer la surface à l’infini [Imhoff et al.,
1990, Henrotte et al., 1999]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
vi TABLE DES FIGURES
4.20 Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées dans la position initiale du
doigt (x = 0 µm), les solutions totales v1 et v2 des deux sous-problèmes et
la solution totale vp du problème complet. 8 itérations étaient nécessaires
pour la convergence (les résultats des itérations 4, . . . , 8 ne sont pas montrés). 79
4.21 Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées au cours de la deuxième
position du doigt (x = 1 µm), les solutions totales v1 et v2 des deux sous-
problèmes et la solution totale vp du problème complet. 5 itérations étaient
nécessaires pour la convergence (les résultats des itérations 4 et 5 ne sont
pas montrés). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4.22 Exploitation des calculs réalisés à la position x = 0 µm (x = 1 µm) pour
réduire le nombre d’itérations mises en œuvre dans la nouvelle position
x = 1 µm (x = 2 µm). Les résultats sont donnés ici en terme des charges
électriques apparaissant sur les surfaces de l’électrode fixe (en haut) et du
doigt mobile (en bas). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
4.23 Evolution des charges électriques en fonction du déplacement du doigt mo-
bile suivant l’axe x (à gauche) et erreur relative de ces charges par rapport
à celles calculée par la méthode classique des éléments finis (à droite). . . . 82
4.24 Evolution de la force électrique totale calculée sur une partie [A1 A2 ] de la
surface Γc,p du doigt mobile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.25 Nombre d’itérations nécessaire pour atteindre la convergence du potentiel
électrique total pour chaque position du doigt mobile. . . . . . . . . . . . . 82
4.26 Sphère conductrice mobile suivant l’axe y (position initiale yc = 5 µm) et
une électrode fixe (son centre O coı̈ncide avec l’origine du repère du travail). 83
4.27 Exploitation des calculs réalisés à la position yc = 5 µm pour réduire le
nombre d’itérations mises en œuvre dans la nouvelle position yc = 4 µm
(les résultats sont donnés ici en terme des charges électriques apparaissant
sur la surface de l’électrode fixe). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
4.28 Erreur relative des charges électriques apparaissant sur les surfaces de l’élec-
trode fixe (à gauche) et de la sphère (à droite) en fonction du déplacement
de cette sphère et le nombre de points de Gauss pour l’intégration au sein
de la méthode de projection. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.29 Erreur relative de fy en fonction du déplacement de cette sphère et le
nombre de points de Gauss pour l’intégration au sein de la méthode de
projection. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.30 Evolution des charges électriques (à gauche) et de fy (à droite) en fonction
du déplacement de la sphère suivant l’axe y. 4 points de Gauss sont utilisés
dans l’intégration au sein de la méthode de projection. . . . . . . . . . . . . 87
4.31 Modèle 3D d’une cellule de peignes d’un actionneur électrostatique avec un
doigt pouvant se déplacer dans la direction x (ce doigt est ici à la position
x = 3 µm) (L = 10 µm, b = 1 µm, t = 2 µm, g = 1 µm, gz = 1 µm,
tz = 1 µm, Ls = 20 µm). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.32 Maillage 3D de l’actionneur de type peigne pour la position x = 3 µm du
doigt mobile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.33 Evolution des charges électriques en fonction du déplacement du doigt sui-
vant l’axe x (à gauche) et erreur relative de ces charges par rapport à celles
calculée par la méthode conventionnelle des éléments finis (à droite). . . . . 90
TABLE DES FIGURES vii
4.34 Evolution de la composante x de la force électrique totale calculée sur la

surface du doigt mobile (à gauche) et erreur relative de cette force par
rapport à celles calculée par la méthode standard des éléments finis (à droite). 90
viii TABLE DES FIGURES
Liste des tableaux
3.1 Calcul des forces globales Fx et Fy agissant sur la surface du corps (C) en
fonction de l’ordre des éléments utilisés dans le problème électrique. . . . . 45
3.2 Le déplacement maximal au sommet de la structure en fonction de l’ordre
des éléments utilisés (l’erreur relative par rapport à la mesure est mise entre
parenthèses). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3 Comparaison entre la tension de pull-in calculée par éléments finis et celle
déterminée par les modèles analytiques. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1 Les premiers approximants de Padé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

4.2 Nombre d’itérations pour atteindre la convergence sans/avec l’utilisation du
procédé ∆2 d’Aitken (entre parenthèses) en fonction de la position relative
d entre le conducteur au potentiel 0.7 V et l’électrode potentiel au 1 V. . . 75
4.3 Caractéristiques des maillages du problème complet associés à chaque po-
sition de la sphère et le temps des calculs répétitifs réalisés par la méthode
conventionnelle des éléments finis (le temps total est 1944 s). . . . . . . . . 83
4.4 Caractéristiques des maillages 3D et nombre d’inconnues des problèmes de
perturbation et des projections associées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.5 Pourcentage du temps du calcul de chaque itération i par rapport au temps
total nécessaire pour l’obtention de la solution convergée du problème per-
turbé (position yc = 5 µm) pour différentes valeurs du nombre de points de
Gauss pour l’intégration au sein de la méthode de projection de la source. . 85
4.6 Caractéristiques des maillages 3D et le nombre d’inconnues du problème
complet à chaque position du doigt mobile et le temps des calculs répétitifs
réalisés par la méthode des éléments finis classique (le temps total est 5073 s). 89
4.7 Caractéristiques des maillages 3D et nombre d’inconnues des problèmes de
perturbation et des projections associées. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
ix
x LISTE DES TABLEAUX
Introduction
Les microsystèmes électromécaniques (MEMS) ont connu ces dernières années un grand
essor technologique. Leur taille et la possibilité de les fabriquer en lot minimisant le coût de
leur fabrication, les rendent de plus en plus attractifs pour de multiples applications indus-
trielles (par exemple dans les secteurs automobile, biomédical, aérospatiale, télécommu-
nications, etc.). Vu leur échelle micrométrique, leur fonctionnement est généralement régi
par un couplage entre champs physiques de différentes natures (mécanique, électrique, ma-
gnétique et thermique). Des méthodes numériques adaptées, rigoureuses et tenant compte
de ces phénomènes multiphysiques sont dès lors nécessaires afin de seconder la conception
et l’approche expérimentale, beaucoup plus onéreuse, de ces microdispositifs.
Par ailleurs, les microstructures à actionnement électrostatique sont les plus répandues
et constituent une branche importante dans la famille des MEMS. De façon générale,
leur modélisation revient à considérer des systèmes électrostatiques avec mouvement. Les
MEMS à actionnement électrostatique contiennent en effet des parties en déplacement
rigide ou/et élastique, leur comportement étant régi par un couplage électromécanique.
Plusieurs approches ont été déjà proposées dans la littérature pour modéliser les MEMS
électrostatiques. Par exemple, des modèles analytiques et des simulations se basant sur le
modèle de masse-ressort sont présentés dans [Legtenberg et al., 1997,Mukherjee et al., 2000,
Chan and Dutton, 2000,Ostergaard and Gyimesi, 2000,Nayfeh et al., 2005]. La méthode des
éléments finis est également appliquée pour résoudre le couplage électromécanique et traiter
le comportement non linéaire de ces microstructures [Artz and Cathey, 1992, Avdeev,
2003,Rochus, 2006]. Le modèle hybride éléments finis-éléments frontières (FEM-BEM) est
aussi utilisé pour modéliser les MEMS électrostatiques [Aluru and White, 1996,Farina and
Rozzi, 2001, Sabariego et al., 2003].
Dans le cadre de la modélisation purement éléments finis des conducteurs en mouve-
ment, il est connu [Perrin-Bit and Coulomb, 1997, Lai et al., 2004] qu’une telle simulation
nécessite généralement des calculs successifs et le remaillage de certaines régions. Une mo-
délisation 3D par les techniques classiques de géométries complexes nécessite dès lors de
gros efforts en terme de temps de calcul. Par ailleurs, un tel problème peut être résolu par
la méthode hybride FEM-BEM. La méthode des éléments frontières permet en effet de
prendre en compte le mouvement sans devoir manipuler le maillage. Le coût élevé de cette
technique hybride en terme de temps de calcul et des besoins en mémoire limite cependant
la taille du problème pouvant être traité. Pour surmonter cette limitation, une technique
d’accélération dite la méthode multipolaire rapide (Fast Multipole Method ou FMM) peut
être utilisée [Greengard and Rokhlin, 1987, Rokhlin, 1993, Sabariego et al., 2003].
Dans cette thèse, nous développons une méthode originale basée sur une approche par
sous-problèmes, appelée méthode de perturbation. Utilisant la méthode des éléments
finis, cette technique consiste à subdiviser un problème entier en sous-problèmes. La com-
1
2 INTRODUCTION
plexité du problème initial est par conséquent diminuée en ne se concentrant que sur les
zones les plus pertinentes. Appliquée aux systèmes en mouvement, cette technique per-
mettra d’exploiter les résolutions antérieures au lieu d’effectuer un nouveau calcul pour
chaque position. Il s’agira notamment de démontrer l’implication naturelle de la méthode
de perturbation pour des simulations plus efficaces en terme du temps du calcul et plus
précises des MEMS électrostatiques.
Nous commençons dans le chapitre 1 par rappeler les équations de Maxwell décrivant
les phénomènes électromagnétiques dont la caractérisation est nécessaire dans la modé-
lisation des systèmes électrotechniques. De ces équations, le modèle électrostatique est
extrait. Sa formulation en potentiel scalaire est ensuite définie et détaillée. Les conditions
aux limites associées, locales et globales, seront présentées. Après avoir établi la formula-
tion électrostatique sous sa forme forte, il s’agira par la suite de l’étudier sous sa forme
faible en considérant la discrétisation par la méthode des éléments finis.
Dans le chapitre 2, le calcul des forces électrostatiques est considéré. Les principes du
calcul par la méthode du tenseur de Maxwell et celle des travaux virtuels sont en outre
présentés. La dérivation locale de la matrice jacobienne intervenant dans le calcul local de
la force est notamment détaillée. Un cas test de coin dont la solution analytique est connue
sera ensuite considéré afin de comparer les résultats obtenus par les deux méthodes.
Une attention particulière est ensuite portée au calcul précis des forces locales au
voisinage des singularités géométriques que constituent les coins et les arêtes dans les
MEMS électrostatiques. L’objectif est de tenir compte des effets de bord et d’analyser
leur impact sur la précision du calcul des forces et capacités électriques. Des modèles
2D et 3D de MEMS électrostatiques seront ainsi développés dans ce chapitre. Les forces
électriques locales et globales ainsi que les capacités électriques seront calculées dans une
étude paramétrique par éléments finis prenant en compte les différentes dimensions de ces
dispositifs.
Le chapitre 3 concerne l’étude du problème du couplage électromécanique. Deux

stratégies de couplage numériques, fort et faible, seront présentées et discutées. La formu-
lation mécanique est également rappelée dans le cadre de la méthode des éléments finis.
Le couplage numérique faible est ensuite illustré et employé dans l’analyse des MEMS
électrostatiques en régime statique. Les grandeurs caractéristiques associées sont calculées
et comparées à des valeurs analytiques.
Les bases de la méthode de perturbation pour des résolutions originales et efficaces des
systèmes électrostatiques avec mouvement sont décrites dans le chapitre 4.
Dans un premier temps, les formulations continues et discrètes des sous-problèmes
considérés sont établies et détaillées. Une attention particulière est en outre portée à
la définition des conditions aux limites associées. Dans un second temps, le processus
itératif employé par la méthode de perturbation est décrit et analysé. Des techniques
d’accélération de la convergence de ce processus itératif seront également étudiées. Le calcul
des grandeurs électriques globales (les charges et forces électriques) est ensuite développé.
Dans un troisième temps, la méthode de perturbation est étendue pour la prise en compte
du mouvement. Enfin, des cas tests 1D, 2D et 3D de microstructures seront considérés
afin d’illustrer et de valider l’approche proposée. Les résultats obtenus sont comparés avec
des solutions de référence obtenues soit analytiquement, soit par la méthode classique des
éléments finis.
INTRODUCTION 3
Le développement et la mise en œuvre d’une approche originale, la méthode de

perturbation, pour la modélisation par éléments finis des MEMS électrostatiques consti-
tuent les principales contributions de cette thèse. Les originalités de celle-ci sont détaillées
dans les points suivants avec les publications associées :
• Analyse des effets de bord et leur impact sur la précision de la force.
Souvent négligés dans beaucoup de travaux de recherche traitant la modélisation par
éléments finis des MEMS électrostatiques, les effets de bord sont mis en exergue et
leur impact sur la précision du calcul des forces et capacités électriques est démontré
via une étude paramétrique prenant en compte les différentes dimensions de ces
microstructures [Boutaayamou et al., 2006, Boutaayamou et al., 2008f].
• Méthode de perturbation basée sur les éléments finis.
La méthode de perturbation itérative est développée pour le calcul par éléments
finis des distorsions du champ électrique ainsi que les forces et charges électriques
apparaissant sur des régions conductrices à potentiel fixe ou flottant [Boutaayamou
et al., 2007,Boutaayamou et al., 2008c]. Cette méthode est notamment mise en œuvre
dans la modélisation par éléments finis des MEMS électrostatiques [Boutaayamou
et al., 2008d, Boutaayamou et al., 2008e].
• Méthode de perturbation et prise en compte du mouvement.
La méthode de perturbation itérative est en outre étendue pour la résolution par
éléments finis des systèmes électrostatiques avec mouvement [Boutaayamou et al.,
2008a, Boutaayamou et al., 2008b].
4 INTRODUCTION
Chapitre 1
Définition du problème
1.1 Introduction
Dans ce premier chapitre, nous rappelons les équations de Maxwell décrivant les phé-
nomènes électromagnétiques dont la caractérisation est nécessaire dans la modélisation
des systèmes électrotechniques. De ces équations, le modèle électrostatique est extrait en
vue de définir sa formulation mathématique. Celle-ci est par la suite discrétisée afin d’être
résolue numériquement.
1.2 Modèles électromagnétiques

1.2.1 Equations de Maxwell dans les milieux continus
L’ensemble des phénomènes électromagnétiques dans un milieu continu est régi par les
équations de Maxwell [Stratton, 1941] :
rot h = j + ∂t d , (1.1)
rot e = −∂t b , (1.2)
div b = 0 , (1.3)
div d = ρ , (1.4)
où h est le champ magnétique (A/m), b est l’induction magnétique (T), e est le champ
électrique (V/m) et d est le champ de déplacement électrique (C/m2 ). Ces quatre champs
R R R
sont définis sur l’espace 3x × t à valeurs dans l’espace euclidien 3 et dépendent de la
densité de courant j (A/m2 ) et de la densité volumique de charge électrique ρ (C/m3 ). Ces
R R R
deux termes sources sont définis sur l’espace 3x × t , avec j(x, t) ∈ 3 et ρ(x, t) ∈ . R
Dans cette thèse, le système d’unité utilisé est le système international (S.I.) et les vecteurs
sont notés en caractères gras.
La loi d’Ampère (rot h = j) est généralisée par l’équation (1.1) grâce au terme ∂t d in-
troduit par Maxwell permettant de traduire l’influence des variations du champ électrique
sur le champ magnétique. L’équation (1.2) est la loi de Faraday qui démontre qu’un champ
magnétique variable crée un champ électrique. Une symétrie peut être ainsi constatée entre
les phénomènes magnétiques et électriques et serait parfaite si la densité de courant et de
charges électriques n’intervenaient pas dans les équations (1.1) et (1.4). La loi de Gauss
magnétique (1.3) explique l’expérience selon laquelle il n’existe pas de monopole magné-
5
6 CHAPITRE 1. DÉFINITION DU PROBLÈME
tique. L’équation (1.4) est la loi de Gauss électrique montrant que la densité de charge
électrique est une source pour le champ électrique.
La relation dite de conservation de charge électrique est obtenue en dérivant (1.4) par
rapport au temps t et par application de la divergence à (1.1), c.-à-d.
div j + ∂t ρ = 0 . (1.5)
Le champ électrique e est dû à une distribution des charges électriques, tandis que le
champ magnétique h est dû au déplacement de ces charges, ou à la présence d’un mo-
ment magnétique, tel que celui qui peut être crée par un aimant permanent. La dérivée
temporelle du champ de déplacement électrique d, décrivant en particulier les déplace-
ments des dipôles électriques dans les matériaux diélectriques, s’appelle aussi courant de
déplacement.
1.2.2 Lois de comportement des matériaux

Résoudre un problème électromagnétique revient à déterminer les champs h, b, e et d
vérifiant le système des équations de Maxwell (1.1)–(1.4). Si la densité de courant j et de
charges électriques ρ sont connues, ce système comporte douze inconnues scalaires pour
seulement huit équations scalaires. Il convient alors d’ajouter à ces équations des relations
dites constitutives caractérisant le milieu considéré. Elles s’écrivent [Stratton, 1941] :
b = µh , (1.6)
d = εe , (1.7)
où µ est la perméabilité magnétique et ε est la permittivité électrique du matériau. Dans

le vide, ces deux constantes valent : µ0 = 4π 10−7 H/m et ε0 = 8.854 10−12 F/m. Notons
√
que c = 1/ µ0 ε0 ≃ 2.998 108 m/s est la vitesse de la lumière. Les relations (1.6) et (1.7)
sont appelées respectivement lois de comportement magnétique et diélectrique. Pour un
milieu homogène, isotrope et linéaire, µ et ε ne dépendent pas respectivement de h et e.
Ces constantes sont définies par : ε = εr ε0 et µ = µr µ0 , où εr est la permittivité relative
et µr la perméabilité relative. D’une manière générale, µ et ε ont des valeurs tensorielles
comme c’est le cas pour les milieux homogènes anisotropes (les cristaux par exemple).
Dans les milieux conducteurs où les charges électriques sont libres, le champ électrique
e et la densité de courant j sont liés par la loi d’Ohm locale [Stratton, 1941] :
j = σe , (1.8)
où σ est la conductivité électrique ( Ω−1 m−1 ).
1.2.3 Forme intégrale

Nous allons à présent exprimer les équations différentielles (1.1)-(1.4) sous la forme
intégrale. Ce type de formalisme est particulièrement utile à l’élaboration de la théorie
des circuits électromagnétiques [Vassalo, 1980] ainsi qu’à la mise en œuvre des méthodes
intégrales.
En intégrant les équations (1.1) et (1.2) sur une surface Γ s’appuyant sur un contour
fermé γ et grâce au théorème de Stokes, on obtient :
1.2. MODÈLES ÉLECTROMAGNÉTIQUES 7
I Z
(j + ∂t d) · n ds ,
h · dl = (1.9)
γ Γ
I Z
e · dl = − ∂t b · n ds , (1.10)
γ Γ
où n est le vecteur unitaire normal à la surface Γ et le contour γ est orienté positivement.
Sous cette forme, (1.9) et (1.10) sont dites loi d’Ampère et de Faraday, respectivement.
Notons qu’en particulier, la relation (1.10) lie la variation du flux d’induction magné-
tique à travers Γ à la circulation du champ électrique le long du bord γ, c’est-à-dire à la
force électromotrice dans ce circuit. C’est la traduction mathématique de l’expérience de
Faraday.
R
Considérons maintenant un volume Ω de 3 de frontière Γ. Le théorème de la diver-
gence appliqué aux équations (1.3) et (1.4) implique :
I
b · n ds = 0 , (1.11)
IΓ Z
d · n ds = ρ dv , (1.12)
Γ Ω
où n est le vecteur unitaire normale à la surface Γ et orienté vers l’extérieur de Ω.

D’après la relation (1.11), l’induction magnétique est conservative. Dans la relation
(1.12), le flux électrique sortant d’une surface fermée est égal à la charge électrique contenue
à l’intérieur de cette surface.
1.2.4 Conditions aux limites

1.2.4.1 Conditions homogènes
Afin de déterminer complètement les champs h, b, e,d et j, des conditions aux limites
doivent être ajoutées. Résoudre les équations de Maxwell permet de déterminer ces champs
R
dans le volume d’étude Ω ⊂ 3 . S’ils sont connus d’avantage sur la surface Γ, la frontière
de Ω, leur unicité est assurée [Durand, 1964,Durand, 1968]. Les conditions dites homogènes
sont considérées ici. Elles s’écrivent [Vassalo, 1980, Pinchard, 1990] :
n ∧ h|Γh = 0 , (1.13)
n · b|Γb = 0 , (1.14)
n ∧ e|Γe = 0 , (1.15)
n · d|Γd = 0 , (1.16)
n · j|Γj = 0 . (1.17)
Pour les conditions homogènes associées aux grandeurs magnétiques (grandeurs élec-
triques) (1.13)–(1.14) ((1.15)–(1.17)), les frontières Γh et Γb (Γe , Γd et Γj ) sont considérées.
Ces conditions sont communément utilisées pour les raisons suivantes :
• Conditions à l’infini. Une condition de type (1.14) ou (1.15) est imposée sur la
frontière portée à l’infini du domaine étudié.
• Nature des matériaux des volumes étudiés. Par exemple, la composante tangentielle
de e est nulle sur la surface d’un conducteur électrique parfait (1.15).
Ω2 Σ
n
Ω1
Fig. 1.1 : Conditions de transmission.
• Antisymétrie, c’est-à-dire une symétrie géométrique avec des excitations symétriques

mais de signes opposés.
• Symétrie, c’est-à-dire une symétrie géométrique avec des excitations symétriques du
même signe.
1.2.4.2 Conditions de transmission

Un champ électromagnétique traversant deux milieux continus différents subit une
discontinuité et n’est plus différentiable. Afin de résoudre les équations de Maxwell dans
un domaine entier contenant des sous-domaines avec différentes propriétés de matériaux, il
est donc nécessaire de considérer les conditions de transmission (ou d’interface) [Dautray
and Lions, 1987a, Durand, 1964, Durand, 1968].
R
Considérons deux domaines Ω1 et Ω2 de 3 séparés par une surface Σ (voir fig. 1.1).
Le vecteur unitaire n normal à Σ est orienté de Ω1 à Ω2 . Les valeurs d’un champ électro-
magnétique de part et d’autre Σ dans les domaines Ω1 et Ω2 sont désignées respectivement
par les indices 1 et 2. Des densités de charges ρs et de courant js peuvent apparaı̂tre et
se concentrer sur la surface Σ. L’application du théorème de Stokes permet d’obtenir les
conditions de transmission suivantes :
n ∧ (h2 − h1 )|Σ = js , (1.18)

n ∧ (e2 − e1 )|Σ = 0 , (1.19)
n · (b2 − b1 )|Σ = 0 , (1.20)
n · (d2 − d1 )|Σ = ρs . (1.21)
Les relations (1.19)–(1.20) montrent que la composante tangentielle de e et normale

de b sont continues. Cependant, la composante normale de d et tangentielle de h sont
discontinues pour des valeurs non nulles de js et ρs ((1.18) et (1.21)).
1.2.4.3 Conditions globales

En plus des conditions aux limites locales, des conditions globales peuvent être impo-
sées. Ce sont des contraintes impliquant des grandeurs de types flux et circulations. Elles
s’écrivent :
Z
h · dl = Φ , (1.22)
γ
Z
b · n ds = Ψ , (1.23)
Γ
Z
e · dl = V , (1.24)
γ
1.3. MODÈLE ÉLECTROSTATIQUE 9
Z
d · n ds = Q , (1.25)
Γ
Z
j · dl = I , (1.26)
γ
où Φ est la force magnétomotrice, Ψ est le flux magnétique, V est la différence de potentiel,
Q est la charge électrique et I est l’intensité du courant. Les flux sont définis à travers la
surface Γ et les circulations, le long de la courbe γ. n est le vecteur unitaire normal à Γ et
orienté positivement.
1.3 Modèle électrostatique

1.3.1 Formulation en potentiel scalaire
L’électrostatique est l’étude des phénomènes liés à la distribution des charges élec-
triques immobiles et leurs interactions. Il s’agit notamment de calculer la répartition spa-
tiale du champ électrique e. La figure 1.2 montre, de façon schématique, un problème
électrostatique typique.
n ∂Ωd
Ωd Γ = Γe ∪ Γd
Ω ε
∂Ωc
v, e, d
Ωc
Fig. 1.2 : Définition du problème électrostatique dans le domaine Ω contenant une région
conductrice Ωc et diélectrique Ωd .
R
Le domaine d’étude est un volume Ω de 3 de frontière Γ constituée de deux parties
complémentaires Γe et Γd . Ω contient un ensemble de conducteurs parfaits noté Ωc et de
diélectriques Ωd . Leurs frontières sont respectivement ∂Ωc et ∂Ωd . n est le vecteur unitaire
normal à Γ et dirigé vers l’extérieur de Ω.
Le modèle électrostatique est obtenu si b = 0, h = 0 et j = 0. Le champ électrique e est
ainsi découplé des effets magnétiques et indépendant du temps. Dans ce cas, les équations
de Maxwell, la loi de comportement et les conditions aux limites s’écrivent :
rot e = 0 , (1.27)
div d = ρ , (1.28)
d = εe , (1.29)
n ∧ e|Γe = 0 , (1.30)
n · d|Γd = 0 . (1.31)
Aux conditions aux limites locales, nous ajoutons des conditions aux limites globales
liées à la différence de potentiel V (1.24) et la charge électrique Q (1.25), le rapport VQ

étant la capacité C (F).
Le rotationnel du champ électrique e étant nul d’après l’équation (1.27), résoudre un
problème électrostatique se ramène à déterminer un potentiel scalaire v défini par :
e = −grad v . (1.32)
Afin d’assurer l’unicité du champ e, le potentiel v doit satisfaire à une contrainte ou

condition de jauge. Celle-ci est obtenue en pratique par les conditions aux limites. En
combinant (1.28) et (1.32), nous obtenons l’équation de Poisson dont l’inconnue est v :
− div (ε grad v) = ρ . (1.33)
Cette équation est à résoudre dans tout le domaine Ω en tenant compte des conditions
aux limites. La condition (1.30) entraı̂ne une condition de Dirichlet sur v, à savoir :
v|Γe = constante (Cte) , (1.34)
sur chaque composante connexe de Γe .

Le potentiel v peut être connu ou inconnu (dans ce cas, il est dit flottant). Notons
qu’une condition globale définie par (1.24) peut être imposée sur un chemin γ grâce à
(1.34). Pour ce faire, il suffit de remarquer que si le chemin γ relie deux surfaces Γ1 et Γ2 ,
une différence de potentiel V est imposée en fixant un potentiel nul (par exemple) sur Γ1
et v = V sur Γ2 .
Lorsque aucun flux électrique ne traverse la surface Γd , c.-à-d. la composant normale
de d est nulle, le potentiel v vérifie également la condition de Neumann homogène, c.-à-d.
∂v
= 0. (1.35)
∂n Γd
1.3.2 Formulation faible

Nous avons vu que le modèle électrostatique est décrit par la formulation forte (1.33)
définie pour tout point du volume Ω et à laquelle il faut ajouter des conditions aux limites
afin d’assurer l’unicité de la solution. Maintenant il s’agit de définir la formulation faible
correspondante. Pour ce faire, nous rappelons tout d’abord la structure mathématique
permettant d’accueillir l’équation différentielle (1.33).
En appliquant la formule de Green de type div−grad (rappelée dans (1.37)) à l’équation
(1.28), on obtient :
(d, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = hn · d, v ′ iΓ , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) , (1.36)
avec :
• les notations (. , .)Ω et h. , .iΓ représentant l’intégrale volumique et surfacique, res-
pectivement, sont définies par :
Z Z
(a, b)Ω = a · b dv , ha, biΓ = a · b ds ,
Ω Γ
où a, b ∈ L2 (Ω), l’espace des scalaires de carré sommable dans Ω, et a, b ∈ L2 (Ω),

l’espace des vecteurs dont le carré de la norme euclidienne est sommable dans Ω.
Rappelons que ces champs peuvent être définis dans les espace de Sobolev [Dautray
and Lions, 1987b], de champs scalaire et vectoriel, c.-à-d.
n o
H 1 (Ω) = a ∈ L2 (Ω) ; ∂x a, ∂y a, ∂z a ∈ L2 (Ω) ,
n o
H 1 (Ω) = a ∈ L2 (Ω) ; ∂x a, ∂y a, ∂z a ∈ L2 (Ω) .
• L’espace Fv0 (Ω) des fonctions-test v ′ est un sous-espace de dimension finie de H 1 (Ω),
c.-à-d. l’espace des champs scalaires, de carré sommable dans Ω et dont le gradient
est également de carré sommable au sens de la norme euclidienne dans Ω. Le gradient
de ces champs scalaires est à trace nulle sur les frontières de Dirichlet (1.30), où la
solution v est constante et fixée c.-à-d.
n o
Fv0 (Ω) = v ∈ H 1 (Ω) ; v|Γe = Cte .
Notons que pour la partie de la frontière Γ s’étendant vers l’infini, la condition de

Dirichlet correspondante consiste à imposer un potentiel nul (Cte = 0). Tandis que
sur les frontières où le potentiels est flottant, une fonction test v ′ associée y est
constante.
Remarque : Ici, nous rappelons la formule de Green de type div − grad. Elle est établie
grâce à la relation d’analyse vectorielle suivante :
b · grad a + a div b = div (ab), ∀b ∈ H 1 (Ω) et ∀a ∈ H 1 (Ω) ,
et au théorème de la divergence, et s’écrit :
(b, grad a)Ω + (div b, a)Ω = ha, n · biΓ , ∀b ∈ H 1 (Ω) et ∀a ∈ H 1 (Ω) . (1.37)
Dans la formulation (1.36), l’intégrale sur la frontière Γ est nulle. Elle s’annule en
effet sur Γd en tenant compte de la condition (1.31). Elle s’annule également sur Γe en
choisissant les fonctions test v ′ définies dans un espace de type Fv0 (Ω) où v ′ |Γe = 0. Par
suite, on obtient la formulation faible de l’équation (1.28), c.-à-d.
(d, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = 0 , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.38)

A présent, nous allons démontrer que la formulation (1.38) est équivalente au sens faible
au problème de départ, à savoir l’équation (1.28) et la condition (1.31). En appliquant la
formule de Green de type div-grad à (1.38), on obtient :
(div d − ρ, v ′ )Ω = hn · d, v ′ iΓ , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.39)
Cette équation étant valable pour toute fonction test v ′ , nous choisissons en particulier
celles qui appartiennent à un espace de type Fv0 (Ω) et qui s’annulent sur Γ. Par conséquent,
l’équation (1.39) devient : (div d − ρ, v ′ )Ω = 0 et par suite div d − ρ = 0 dans Ω, d’où
l’équation (1.28). L’équation (1.39) est maintenant réduite à hn · d, v ′ iΓ = 0 , et valable
pour toute fonction test v ′ . En prenant cette fois-ci v ′ dans Fv0 (Ω) où v ′ |Γe = 0, on obtient
hn · d, v ′ iΓd = 0, ce qui implique la condition (1.31) au sens faible.
Maintenant, nous prenons comme variable de travail le potentiel scalaire électrique v.

La résolution au sens faible de l’équation (1.33) est déduite de (1.38) en tenant compte
de la loi de comportement (1.29) et de la définition (1.32) et entraı̂ne la formulation
variationnelle suivante :
(−ε grad v, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.40)
Le problème électrostatique est ainsi entièrement défini au sens faible par cette formu-
lation. La détermination de la variable v entraı̂ne les champs e et d via les équations les
liant à v et qui sont restées sous leur forme forte.
Dans la formulation faible (1.40), la condition n · d|Γd = 0 est implicite. Elle est
ainsi appelée condition naturelle (condition de type Neumann). La condition reprise dans
l’espace fonctionnel où la variable v et la fonction test v ′ sont définies (ici, v ′ |Γe = Cte
dans Fv0 (Ω)) est appelée condition essentielle.
La formulation (1.40) peut être également étendue afin de tenir compte de la condition
Neumann non-homogène s’écrivant : n · d|Γd = n · ds , où ds est un terme source [Dular
et al., 2000]. Nous aborderons la notion de source plus loin (cf. chapitre de la méthode de
perturbation). Dans ce cas, (1.40) prend la forme générale suivante :
(−ε grad v, grad v ′ )Ω − hn · ds , v ′ iΓd + (ρ, v ′ )Ω = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.41)
1.3.3 Conditions globales

Le problème électrostatique (1.41) exprimé en terme de l’inconnue v est généralement
associé à des conditions globales. Nous en distinguons deux : condition de type potentiel
et charges électriques :
• Lorsqu’il s’agit de fixer un potentiel à une valeur constante sur une surface, une
condition essentielle est à spécifier.
• Lorsque une charge électrique Q est connue sur une surface ΓQ par la condition forte
(1.25), sa prise en compte se fait via l’intégrale de surface hn · ds , vQ′ i
ΓQ dans la
′
formulation (1.41) avec vQ |ΓQ = 1. En effet on démontre [Dular et al., 1998] que ce
terme de surface associé à une fonction test unitaire sur la surface ΓQ vaut la charge
électrique Q (au signe près), tel que :
′
hn · ds , vQ iΓQ = hn · ds , 1iΓQ = −Q . (1.42)
1.3.4 Discrétisation par la méthode des éléments finis

La méthode des éléments finis est considérée pour la résolution numérique du problème
électrostatique (1.41).
Le domaine Ω est maillé au sens des éléments finis, deux éléments géométriques ayant
en commun une facette, une arête, un sommet, ou l’ensemble vide. On désigne par N
l’ensemble des nœuds de ce maillage.
Chaque nœud i est associé à une fonction si , continue et affine par morceaux dans les
éléments ayant le nœud i en commun. si est appelée fonction de base ou fonction de forme.
Elle vaut 1 en i et 0 aux autres sommets. Notons l’identité suivante :

N
X
si = 1 . (1.43)
i=1
L’ensemble des fonctions de base (de degré 1) si , ∀i ∈ N , forme un espace vectoriel

noté W 0 [Bossavit, 1993]. Grâce à la continuité des fonctions si à travers les facettes des
éléments, on vérifie que W 0 est un sous-espace de dimension finie de H 1 (Ω).
Le potentiel électrique scalaire v est décomposé dans W 0 . Son approximation est ainsi
donnée par la combinaison linéaire exprimée dans la base (s1 , ..., sN ) de W 0 , c.-à-d.
N
X
v= vi si , (1.44)
i=1
où vi est la valeur du potentiel v au nœud i.

Le problème discrétisé à résoudre est obtenu en remplaçant (1.44) dans (1.40), c.-à-d.
N
X
vi (−ε grad si , grad sj )Ωe + (ρ, sj )Ωe = 0 , ∀j = 1, ..., N , (1.45)
i=1
où la somme porte sur tous les éléments Ωe partitionnant le domaine d’étude Ω. Sous
forme matricielle, ce problème est celui d’un système linéaire de dimension N × N tel que :
A VN = Q , (1.46)
où A = ((ε grad si , grad sj )Ωe )(1≤i, j≤N ) , VN est le vecteur colonne contenant les valeurs
nodales vi de v dans la base (s1 , ..., sN ) de W 0 , et Q = ((ρ, sj )Ωe )(1≤i≤N ) , le vecteur colonne
des charges imposées. Par construction, la matrice A est symétrique et définie positive,
donc inversible.
Les champs e et d sont déduits de (1.44) tels que :
N
X N
X
e=− vi grad si et d = −ε vi grad si . (1.47)
i=1 i=1
Il est important de remarquer que c’est à cause de la dimension finie de l’espace de dis-
crétisation W 0 que la solution v a un caractère approché. Son approximation est d’autant
meilleure que la dimension de W 0 est grande.
1.3.5 Précision de l’approximation

Dans certaines régions du domaine d’étude où le potentiel électrique varie fort, la
précision de son approximation peut être améliorée en raffinant le maillage dans ces régions.
Une autre alternative consiste à augmenter l’ordre de l’approximation dans les éléments
finis. Dans ce cas, des techniques existantes sont utilisées, à savoir :
• Les éléments de type Lagrange d’ordre supérieur. Ces éléments sont obtenus en aug-
mentant le nombre des nœuds d’interpolation [Dhatt and Touzot, 1981,Sabonnadière
and Coulomb, 1986].
• Les éléments associées à des fonctions de base hiérarchiques (où chaque espace de
fonctions de base est un sous-espace de l’espace de fonctions de base d’ordre supé-
rieur). Ces fonctions sont particulièrement utiles dans un maillage où des éléments de
différents ordres sont utilisés [Zienkiewicz and Taylor, 1988,Geuzaine, 2001]. Il est en
effet possible de connecter deux éléments d’ordres différents en imposant une valeur
nulle pour certains degrés de liberté. Les propriétés de continuité lors du passage
d’un élément à un autre sont ainsi conservées [Ren and Ida, 2000, Webb and For-
ghani, 1993]. Par exemple, l’interpolation d’ordre 2 par les éléments hiérarchiques du
potentiel électrique implique l’utilisation des fonctions de base associées aux nœuds
et aux arêtes.
Chapitre 2
Calcul des forces électrostatiques

dans les MEMS
2.1 Introduction
Les microsystèmes électromécaniques (MEMS) sont des dispositifs miniaturisés consti-
tués d’un ensemble de composants électriques associés à des éléments mécaniques, op-
tiques, thermiques, électromagnétiques ou fluidiques pouvant être intégrés sur une seule
puce électronique. Leur rôle consiste principalement à assurer la fonction de capteurs pou-
vant détecter différents paramètres physiques de leur environnement et/ou d’actionneurs
pouvant agir sur cet environnement [Mahalik et al., 2006, Fujita, 1996, Gardner et al.,
2001].
De nombreux avantages de cette technologie ont été cités dans la littérature [Pelz et al.,
1995, Koester et al., 1996, Vigna, 2006], à savoir :
(i) Les avantages dûs aux propriétés intrinsèques des MEMS :
• La miniaturisation. Grâce à leur taille micrométrique, les MEMS apportent un
gain en volume et en masse et permettent de réaliser plus de fonctions.
• Une faible consommation de l’énergie. En raison de leur masse réduite, voire de
nouveaux modes d’actionnement (l’électrostatique par exemple), les MEMS néces-
sitent peu d’énergie dans leur fonctionnement.
• La réduction du coût. La possibilité de les fabriquer en lot permet en effet de
réduire le coût.
(ii) Les apports des MEMS lorsqu’ils sont incorporés dans les macrosystèmes :
• Une nouvelle conception des systèmes. L’architecture des systèmes dans lesquels
les MEMS sont intégrés profite en effet des avantages mentionnés ci-dessus (dans
l’automobile et la microrobotique, par exemple).
• Une meilleure performance. Les techniques de la mesure et d’actionnement sont
améliorées grâce aux nouvelles caractéristiques apportées par les MEMS ayant une
taille réduite et utilisant des matériaux qui peuvent améliorer la performance de
ces techniques (dans l’électronique et les télécommunications, par exemple).
Grâce à tous ces avantages, les MEMS sont devenus attractifs dans de nombreuses
applications industrielles. Ils sont en effet impliqués dans le biomédical (pacemaker, pro-
thèses auditives, micropompe, microcapteurs de la force pour la chirurgie, etc.) [Roy et al.,
2007, Esashi, 2002], l’automobile (micro-accéléromètre pour airbag, microcapteurs, etc.)
15
16 CHAPITRE 2. CALCUL DES FORCES ÉLECTROSTATIQUES DANS LES MEMS
[Barbour et al., 1997], l’aéronautique et le spatial (microgyroscope, micro-accéléromètre,

etc.) [Lee et al., 1997,Lewis and Edwards, 1997,Annovazzi-Lodi et al., 2003] et les télécom-
munications (micromiroir pour communication laser, etc.)[Kuwano, 1996, Bernstein et al.,
2004].
Par ailleurs, le principe d’actionnement et de détection le plus couramment utilisé
dans les MEMS est celui lié au phénomène électrostatique. De nombreux MEMS sont en
effet actionnés par la force électrostatique ou utilisent une détection capacitive [HU et al.,
2004,Batra et al., 2007]. Les MEMS électrostatiques sont ainsi les microstructures les plus
répandus et les plus investigués.
Dans l’état de l’art des MEMS électrostatiques, il est bien connu que leur comportement
est généralement régi par des couplages entre champs physiques de différentes natures
(mécanique, électrique, magnétique et thermique) [Osterberg and Senturia, 1997, Mahalik
et al., 2006]. La simulation de ces couplage consistent donc à résoudre des problèmes
multiphysiques. Parmi les travaux réalisés dans ce cadre, on peut citer [Legtenberg et al.,
1997,Mukherjee et al., 2000,Chan and Dutton, 2000,Ostergaard and Gyimesi, 2000,Nayfeh
et al., 2005] où des simulations se basant sur le modèle de masse-ressort ont déjà été
élaborées. Étant trop simplifiés, ces modèles n’arrivent pas à simuler correctement les
phénomènes de couplage et le comportement non linéaire de ces microstructures. Des
méthodes de simulation rigoureuses et tenant compte des phénomènes multiphysiques sont
donc nécessaires pour seconder la conception et l’approche expérimentale des MEMS [Artz
and Cathey, 1992,Schwarzenbach et al., 1993,Senturia et al., 1997,Chan, 1999,Råback and
Pursula, 2004, Batra et al., 2007]. Parmi ces méthodes, la méthode des éléments finis est
couramment utilisée pour modéliser des géométries complexes des MEMS électrostatiques
[Avdeev, 2003, Rochus, 2006].
Dans ce chapitre, nous abordons le calcul des forces électrostatiques. La détermination

de celles-ci est en effet une étape clé dans la simulation du couplage électromécanique
régissant le comportement des MEMS électrostatiques. Une attention particulière sera
dès lors portée à l’estimation précise et rigoureuse de ces forces dans le contexte d’une
modélisation par élément finis.
Plusieurs méthodes de calcul de la force électrique sont citées dans la littérature

[Durand, 1964, Henrotte, 2000]. Parmi celles qui sont les plus couramment utilisées, nous
en retiendrons les deux suivantes : le tenseur de Maxwell et les travaux virtuels [Coulomb,
1983, Tärnhuvud and Reichert, 2000, Henrotte and Hameyer, 2004, Kim and Park, 2008].
Dans leurs formulations continues, elles sont équivalentes. Mais en pratique, lors d’une
modélisation par éléments finis, une différence apparaı̂t au niveau de la précision et de la
convergence de ces forces notamment au voisinage des singularités géométriques telles que
les coins et les arêtes [Burais et al., 1985, Krähenbühl et al., 2005].
Dans ce chapitre, on se propose de calculer les forces électriques s’exerçant sur une
région soumise à un champ électrique extérieur à partir de la connaissance de la seule
répartition du potentiel électrique. Les principes du calcul par la méthode du tenseur de
Maxwell et celle des travaux virtuels sont présentés. La dérivation locale de la matrice
jacobienne intervenant dans le calcul local de la force est notamment détaillée. Un cas test
de coin dont la solution analytique est connue sera ensuite considéré afin de comparer les
résultats obtenus par les deux méthodes et justifier le choix du modèle de calcul de la force
utilisé dans la suite de la thèse.
Une attention particulière est ensuite portée au calcul précis des forces locales au
2.2. MÉTHODE DU TENSEUR DE MAXWELL 17
voisinage des singularités géométriques que constituent les coins et les arêtes dans les
MEMS électrostatiques. L’objectif est de tenir compte des effets de bord et d’analyser
leur impact sur la précision du calcul des forces et capacités électriques [Boutaayamou
et al., 2006,Boutaayamou et al., 2008f]. Dans la littérature, ces effets de bord sont en effet
souvent négligés dans la modélisation des MEMS électrostatiques [Artz and Cathey, 1992].
Par ailleurs, des modèles basés sur des formules analytiques tenant compte des effets de
bord ont été développés [Zhang and Zhao, 2003, Chowdhury et al., 2005]. Néanmoins, ces
modèles ne sont applicables que dans le cas de géométries simplifiés des MEMS.
Des modèles 2D et 3D de MEMS électrostatiques seront ainsi développés dans ce
chapitre. Les forces électriques locales et globales ainsi que les capacités électriques seront
calculées dans une étude paramétrique par éléments finis prenant en compte les différentes
dimensions de ces dispositifs.
2.2 Méthode du tenseur de Maxwell

La force électrique agissant sur un volume élémentaire dv, plongé dans un champ
électrique extérieur, peut être calculée via la divergence du tenseur de Maxwell T [Durand,
1964] comme suit :
df = div T dv . (2.1)
Le tenseur T est donné par :
1
T = d·e− (d · e) I , (2.2)
2
où I est le tenseur unité. La force totale s’exerçant sur un volume Ω est ainsi obtenue par
intégration de df telle que :
1
Z Z

F= div T dv = (n · d) e − (e · d) n ds , (2.3)
Ω Σ 2
où Σ est une surface limitant le volume Ω. Son choix est arbitraire pourvu qu’elle n’entoure
que Ω, et uniquement Ω, excluant l’influence des autres distributions de charges électriques
voisines [Durand, 1964,Coulomb, 1983]. n est le vecteur unitaire normal à la surface Σ. Le
passage de l’intégrale de volume à l’intégrale de surface dans (2.3) est rendu possible grâce
au théorème de la divergence. Le calcul de la force par unité de volume est ainsi ramené
à celui d’une force par unité de surface.
Dans un milieux diélectrique homogène et linéaire (la loi constitutive étant d = εe), la
force totale électrique estimée par le modèle du tenseur de Maxwell s’exprime par :
1
Z
ε (n · e) e − e2 n ds .

F= (2.4)
Σ 2
Dans cette expression, la force dépend du champ électrique e et du choix de la surface
Σ. Dans le contexte de la résolution par éléments finis, la précision du calcul de cette force
est liée à la précision de la solution e, et par conséquent à la précision de l’approximation de
v lorsque la formulation en potentiel électrique scalaire (voir la section (1.3)) est adoptée.
Il faut en outre choisir avec précaution la surface d’intégration Σ, son choix pouvant
influencer la précision du potentiel approximé v [Coulomb, 1983, Ren et al., 1994, Müller,
1990].
Remarque : la force électrique globale agissant R sur la surface d’un conducteur parfait
1 2
est déduite de (2.4) et a pour expression : F = Σ ε 2 (n · e) n ds .
2.3 Méthode des travaux virtuels

2.3.1 Introduction
Le calcul des forces électriques locales par la méthode des travaux virtuels est basé sur
la dérivation de l’énergie électrique. Cette énergie localisée dans un volume Ω s’exprime
en fonction du champ et flux électriques e et d comme suit [Durand, 1964] :
Z Z d
W = e · dd dv . (2.5)
Ω 0
La dérivation de l’énergie électrique par rapport à un déplacement virtuel r d’un point

permet d’obtenir une force électrique locale agissant en ce point dans la direction de r,
celle-ci étant prise selon les trois directions x, y et z. Cette force est donnée par :
∂W
Fr = , r = {x, y, z} . (2.6)
∂r
La dérivation de l’énergie électrique dans (3.17) est effectuée en maintenant le champ
électrique e constant [Coulomb, 1983].
2.3.2 Formulation en potentiel scalaire

Dans la formulation en potentiel électrique scalaire, le potentiel v est utilisé comme
variable de travail. De part son interpolation (par des valeurs nodales), ce potentiel reste
constant, et par conséquent le champ électrique correspondant est constant, tout au long
des dérivations opérées sur l’énergie électrique par rapport à un déplacement virtuel r.
Considérons le déplacement virtuel d’une région mobile. La figure (2.1) donne un
exemple d’un maillage 2D du domaine contenant cette région.
Couche
d’éléments Nœuds mobiles
Région mobile
Nœuds fixes
Région fixe
Fig. 2.1 : Déplacement virtuel réparti sur une couche d’élément autour d’une région
mobile et le maillage du domaine contenant cette région.
Considérons l’interpolation (1.44) du potentiel électrique v dans un élément Ωe appar-

2.3. MÉTHODE DES TRAVAUX VIRTUELS 19
tenant au maillage du domaine Ω, c.-à-d.

n
X
v= vi si = st ve , (2.7)
i=1
avec st = (s1 ...si ...sn ) est la transposée du vecteur des fonctions de base du potentiel v
dans l’élément réel Ωe et vet = (v1 ...vi ...vn ) est la transposée du vecteur des degrés de liberté
de v. Etant dépendantes des coordonnées géométriques de l’élément Ωe , les fonctions de
base si varient lorsque le paramètre r varie tout en maintenant des valeurs nodales vi
constantes.
Par ailleurs, l’énergie électrique totale W du système discrétisé peut être écrite comme
la somme d’énergies élémentaires We associées aux éléments Ωe discrétisant le domaine
entier Ω. Pour un milieu homogène et linéaire, l’énergie We s’écrit :
ε
Z
We = grad (v)t · grad (v) dΩe , (2.8)
2 Ωe
où (.) désigne le produit matriciel au sein de l’intégrale (2.8).

En remplaçant (2.7) dans (2.8), on obtient :
ε ε
Z
We = vet grad (s) · grad (s)t ve dΩe = vet Ae ve , (2.9)
2 Ωe 2
où Ae = (aij )(1≤i, j≤n) est une matrice symétrique avec :

Z
aij = grad (si ) · grad (sj ) dΩe . (2.10)
Ωe
La contribution d’un élément Ωe dans l’estimation de la force électrique agissant sur

un nœud k dans la direction r, est donnée par :
∂We ε ∂Ae
Fr,k = = vet ve . (2.11)
∂r 2 ∂r
La dérivation par rapport au déplacement virtuel r est considérablement facilitée dans
des intégrales exprimées en fonction des coordonnées locales au lieu des coordonnées réelles
[Coulomb, 1983]. L’élément réel Ωe est ainsi transformé en élément de référence Ω̂e et (2.10)
devient : Z
aij = grad (ŝi ) J −t · J −1 grad (ŝj ) |J| dΩ̂e , (2.12)
Ω̂e
où |J| etJ −tsont respectivement le déterminant et la transposée de l’inverse de la matrice

jacobienne J. Notons que les fonctions de base ŝi associées à l’élément de référence sont
indépendantes de la variable géométrique r. Parmi tous les intégrants du terme aij dans
(2.12), il n’y a que la matrice jacobienne et son déterminant qui dépendent de r. Par
conséquent,
∂aij ∂J −t
Z h
= grad (ŝi ) · J −1 grad (ŝj ) |J|
∂r Ω̂e ∂r
∂J −1
+grad (ŝi ) J −t · grad (ŝj ) |J|
∂r
−t −1 ∂|J| i
+grad (ŝi ) J ·J grad (ŝj ) dΩ̂e . (2.13)
∂r
En dérivant la constante J −1 · J = I par rapport à r, on obtient :
∂J −1
∂r · J + J −1 · ∂J
∂r = 0. Il s’en suit :
∂J −1 ∂J
= − J −1 · · J −1 , (2.14)
∂r ∂r
∂J −t ∂J t
= − J −t · · J −t . (2.15)
∂r ∂r
En remplaçant (2.14) et (2.15) dans (2.13) et après une transformation inverse (élément
de référence transformé en élément réel), on obtient :
∂aij ∂|J| 1
Z
= grad (si ) J −t · J −1 grad (sj )
∂r Ωe ∂r |J|

− grad (si ) ( Gr,k + Gtr,k ) grad (sj ) dΩe , (2.16)
où Gr,k = J −1 ∂J∂r . Finalement, la composante r de la force électrique calculée au nœud k

est donnée par :
ε t t ∂|J| 1
Z
t t
Fr,k = ve grad (s) · grad (s) − grad (s) · ( Gr,k + Gr,k ) · grad (s) dΩe ve .
2 Ωe ∂r |J|
(2.17)
Grâce à l’introduction de l’élément de référence dans l’intégrale (2.12), il est important
de noter que cette méthode de calcul de la force peut être étendue à différents éléments
d’ordres et de forme variés [Coulomb, 2002].
2.3.3 Dérivation locale de la matrice jacobienne

La force électrique nodale est donc calculée en dérivant localement la matrice jaco-
bienne par rapport à la variable géométrique r. Dans cette section, nous détaillons cette
dérivation, c.-à-d. ∂J
∂r .
Soit (x, y, z) un point de l’élément réel Ωe et le point (u, v, w) lui correspondant
dans l’élément de référence Ω̂e . La matrice jacobienne de la transformation géométrique
J permet d’obtenir les dérivées selon les coordonnées de référence u, v et w à partir des
coordonnées réelles x, y et z [Dhatt and Touzot, 1981]. Elle s’écrit :
 ∂x ∂x ∂x   ∂ 
∂u ∂v ∂w ∂u
∂y ∂z ∂y   ∂  x y z .

J =  ∂u ∂v ∂v
= ∂v (2.18)
∂z ∂z ∂z ∂
∂u ∂v ∂w ∂w
La relation qui lie les coordonnées x, y et z avec u, v et w s’écrit pour un élément iso-
paramétrique (les fonctions de base nodales – exprimées dans l’élément de référence Ω̂e
c.-à-d. ŝ1 , ..., ŝk , ..., ŝn – qui ont servi à interpoler le potentiel scalaire v sont les mêmes que
celles utilisées pour paramétrer l’élément réel Ωe ) :
 
x1 y1 z1
 .. .. .. 
 . . . 
 
x y z = ŝ1 . . . ŝk . . . ŝn  xk yk zk 
, (2.19)
 .. .. .. 
 . . . 
xn yn zn
2.3. MÉTHODE DES TRAVAUX VIRTUELS 21
où xk , yk et zk sont les coordonnées du nœud k. En remplaçant (2.19) dans (2.18), on

obtient :  
x1 y1 z1
 ∂   .. .. .. 
 . . . 
∂u
∂ 
 
J= 
∂v ŝ 1 . . . ŝ k . . . ŝ n
 x k y k z k
. (2.20)
 .. .. .. 
 
∂
∂w  . . . 
xn yn zn
Dans le second membre de (2.20), il n’y a que la matrice (n × 3) contenant l’information
des coordonnées géométriques des nœuds qui est susceptible de varier lorsque la variable
r varie selon les trois directions x, y et z. La dérivation de J revient donc à déterminer les
∂yk
termes ∂x ∂zk
∂r , ∂r et ∂r . Pour ce faire, on doit tout à d’abord distinguer entre trois types
k
de nœuds (voir la figure (2.1)) :

• les nœuds mobiles,
• les nœuds fixes,
• les nœuds du domaine situé entre la région mobile et la région fixe.
Si l’on s’intéresse par exemple au calcul de la force électrique dans la direction r = x
∂yk
au nœud k, il suffit de déterminer le terme ∂x ∂zk
∂r , les deux autres termes, ∂r et ∂r , étant
k
égaux à 0, puisqu’ils ne dépendent pas de la variable r = x. Pour un nœud k appartenant

à la surface de la région mobile, ∂x ∂r = 1, et pour celui appartenant à la surface de la
k
région fixe, ∂x∂r = 0. Pour tout les autres nœuds k du domaine localisé entre ces deux
k
régions, on peut fixer une valeur de ∂x ∂r entre 0 et 1. Le déplacement virtuel de la région

k
mobile considérée peut être réparti sur une seule couche d’éléments entourant la surface
cette région [Ren and Razek, 1995]. La dérivation locale de la matrice jacobienne dans
(2.16) est par conséquent effectuée seulement dans les éléments de cette couche. Nous ne
considérons ainsi que les types des nœuds mobiles et fixes. Dans ce cas, la dérivation de J
par rapport à r = x dans un nœud k mobile est donnée par :
 
0 0 0
 ∂   .. .. ..   ∂ ŝk 
∂u
 . . . 
∂u 0 0
∂J ∂ 

  ∂ ŝk 0 0  .

=  ∂v ŝ1 . . . ŝk . . . ŝn  1 0 0 = ∂v
(2.21)
∂xk ∂  .. .. ..  ∂ ŝk
∂w  . . .  ∂w 0 0
0 0 0
On en déduit :
b11 ∂∂u
ŝk
+ b12 ∂∂v
ŝk
+ b13 ∂∂w
ŝk
 
0 0
Gx,k =  b21 ∂∂u
ŝk
+ b22 ∂∂v
ŝk
+ b23 ∂∂w
ŝk
0 0 . (2.22)
b31 ∂∂u
ŝk
+ b32 ∂∂v
ŝk
+ b33 ∂∂w
ŝk
0 0
où J −1 = (bij )(1≤i, j≤n). Le même raisonnement est valable pour la dérivation de J suivant
les directions y et z.
Dans (2.17), les éléments entourant un nœud sont les seuls à avoir une énergie électrique
modifiée par le déplacement virtuel de ce nœud. La force totale associée à un nœud est ainsi
obtenue en additionnant la contribution de toutes les forces calculées dans les éléments
auxquels appartient ce nœud. La force globale est obtenue en sommant les forces calculées
dans tous les nœuds de la surface de la région considérée.
Γ1 2m
A1 A2
Air Γn2
ε0
1m
2m
Γ2
1m
Y
A4 X
A3
Γn1
Fig. 2.2 : Calcul de la force électrique dans un problème de coin.
Par ailleurs, l’expression de la force électrique peut être obtenue également en appli-
quant le principe variationnel à l’énergie électrique. Cette expression est ensuite discréisée
afin de calculer des forces électriques nodales [Rochus, 2006].
La méthodes de travaux virtuels est aussi bien adaptée pour le calcul des forces dans le
cas des solides en déformation [Ren and Razek, 1995] et des aimants permanents [De Me-
deiros et al., 1998, De Medeiros et al., 2000].
2.4 Tenseur de Maxwell vs travaux virtuels

Les deux méthodes sont appliquées au calcul des forces électriques dans un problème
présentant une singularité géométrique. Il s’agit d’analyser et de comparer la précision
et la convergence de ces forces obtenues par les deux modèles au voisinage d’un coin en
fonction de la finesse du maillage. L’erreur relative des résultats obtenus est calculée par
rapport à la solution analytique.
La géométrie du problème considéré est donnée à la figure (2.2). Il s’agit de deux
conducteurs parfaits coaxiaux de sections carrées (4 m × 4 m et 2 m × 2 m) et de surfaces
Γ1 et Γ2 , respectivement. Le système étant symétrique, l’étude est restreinte au quart de
la géométrie.
Le but est de calculer la force électrique totale agissant sur la surface Γ2 (comportant
la singularité géométrique d’un coin) lorsqu’une différence de potentiel électrique V = 1 V
est appliquée entre les deux conducteurs. Les conditions homogènes de Neumann sont
définies sur les frontières Γn1 et Γn2 , c.-à-d. n · d|Γn1 = n · d|Γn2 = 0.
Nous considérons plusieurs maillages uniformes à base d’éléments quadrilatéraux de
l’air délimité par les surfaces Γ1 et Γ2 (voir la figure (2.3)). La formulation en potentiel
scalaire électrique est adoptée pour résoudre le problème électrostatique. Dans un premier
temps, les fonctions de base nodales d’ordre 1 sont choisies pour interpoler le potentiel
électrique. Une approximation d’ordre 2 par les éléments quadratiques (nous utilisons ici
2.4. TENSEUR DE MAXWELL VS TRAVAUX VIRTUELS 23
Γ2
Fig. 2.3 : Exemples de maillages du domaine électrique. Σ est la surface utilisée dans le
modèle du tenseur de Maxwell (2.4) pour calculer la force électrique. Les surfaces Γ2 et
Σ délimitent la couche d’élément dans laquelle est intégrée la force par la méthode des
travaux virtuels.
les éléments quadrilatéraux à 8 nœuds) (voir la section (1.3.5)) du potentiel est ensuite
considérée afin d’illustrer son impact dans un calcul précis de la force avec un maillage
moins fin au voisinage du coin. La force est intégrée dans une seule couche d’éléments
entourant la surface Γ2 , la surface Σ (2.4) étant celle qui délimite cette couche (voir la
figure (2.3)).
La solution analytique de la force globale qui s’applique sur Γ2 est donnée par [Hannot
et al., 2007] : Fanal = Fx + Fy avec ||Fx || = ||Fy || = 8.803 10−12 N.
La figure (2.4) montre la variation des composantes ex et ey du champ électrique le
long des coupes [A1 A4 ] et [A2 A3 ]. Notons la variation importante du champ électrique au
voisinage du coin. Le pic constaté est d’autant plus prononcé lorsque les éléments d’ordre
2 sont utilisés.
La figure (2.5) montre la convergence de la force globale en fonction du raffinement
du maillage, les fonctions d’interpolation utilisées étant d’ordre 1 et 2. Il est clair que le
modèle des travaux virtuels converge plus vite que celui du tenseur de Maxwell. Avec les
fonctions de base nodale (ordre 1), on remarque que le deuxième modèle nécessite 3 fois
plus d’éléments au voisinage du coin que le premier pour que l’erreur relative soit en dessous
de 1%. En utilisant les fonctions de base d’ordre 2, un maillage moins fin (35 éléments
1 5
Ordre 1−Coupe suivant [A1A4] Ordre 1−Coupe suivant [A1A4]
0 4
−1
3
ex (V/m)
ey (V/m)
−2
2
−3
1
−4
0
−5
0 0.5 1 1.5 2 0 0.5 1 1.5 2
Position suivant l’axe y (m) Position suivant l’axe y (m)
1 7
0 6
−1 5
−2 4
ex (V/m)
ey (V/m)
3
−3
2
−4
1
−5
0
−6
−1
0 0.5 1 1.5 2 0 0.5 1 1.5 2
Position suivant l’axe y (m) Position suivant l’axe y (m)
Fig. 2.4 : Evolution des composantes ex et ey du champ électrique suivant les coupes
[A1 A4 ] et [A2 A3 ] (100 éléments d’ordres 1 et 2 sont utilisés près du coin).
près du coin) est suffisant pour atteindre la même précision obtenue avec les éléments
d’ordre 1 (50 éléments près du coin). Cependant, le temps de calcul (les caractéristiques
de la station utilisée sont : Intel Pentium M 2 GHz – RAM : 1 GB) est considérable avec
les éléments d’ordre 2 (voir la figure (2.6)), le nombre d’inconnues étant plus élevé dans
ce type d’éléments. Dans ce problème étudié, l’utilisation des éléments d’ordre 2 paraı̂t
avantageux. Néanmoins, le choix entre les éléments d’ordre 1 et ceux d’ordre supérieur
passe, de façon générale, par un compromis.
2.5 Illustration et validation - MEMS électrostatiques

Une configuration typique d’un MEMS électrostatique consiste en deux armatures
supposées comme des conducteurs parfaits. En appliquant une différence de potentiel élec-
trique, des forces électrostatiques apparaissent. A l’échelle microscopique de cette micro-
structure, ces forces sont à l’origine de la déformation mécanique des conducteurs. Un
calcul rigoureux et précis des forces électriques est donc indispensable pour une simulation
précise du couplage électromécanique d’un MEMS électrostatique.
Deux cas test de type MEMS électrostatiques, à savoir une micropoutre et un ac-
tionneur électrostatique de type peigne interdigité (combdrive), sont considérés. Les forces
électriques sont calculées par la méthode des travaux virtuels. Le but est d’illustrer, via une
étude paramétrique prenant en compte les différentes dimensions de ces microstructures,
2.5. ILLUSTRATION ET VALIDATION - MEMS ÉLECTROSTATIQUES 25
8 8
Travaux virtuels−Ordre 1 Travaux virtuels−Ordre 2
7 Tenseur de Maxwell−Ordre 1 7 Tenseur de Maxwell−Ordre 2
6 6
Erreur relative (%)
Erreur relative (%)

5 5
4 4
3 3
2 2
1 1
0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Nombre d’éléments au voisinage du coin Nombre d’éléments au voisinage du coin
Fig. 2.5 : Convergence de la force électrique apparaissant sur la surface Γ2 en fonction du

raffinement du maillage (les fonctions d’interpolation utilisées sont d’ordre 1 (à gauche) et
d’ordre 2 (à droite). L’erreur relative est déterminée par rapport à la solution analytique.
90 100
Ordre 1 Ordre 1
80 Ordre 2 Ordre 2
70 10
60
CPU (s)
CPU (s)
50
1
40
30
20 0.1
10
0 0.01
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0.1 1 10
Nombre d’éléments au voisinge du coin Erreur relative (%)
Fig. 2.6 : Temps de calcul de la force électrique (station : Intel Pentium M 2 GHz –
RAM : 1 GB) en fonction du nombre des éléments au voisinage du coin (à gauche) et de
l’erreur relative par rapport à la valeur analytique de la force globale (à droite).
l’impact des effets de bord sur la précision du calcul des forces et capacités électriques
[Boutaayamou et al., 2006, Boutaayamou et al., 2008f].
2.5.1 Micropoutre
Le premier cas test est l’étude d’une micropoutre de type MEMS électrostatique (voir
la figure (2.7)). La formulation en potentiel scalaire électrique est utilisée. Les paramètres
géométriques considérés sont l’écart g entre la micropoutre et l’électrode fixe, la longueur
L, la largeur w et l’épaisseur t. Ces paramètres vont être variés afin de déterminer leur
impacts sur les effets de bord et le calcul précis des forces et capacités électriques. La
différence de potentiel électrique appliquée entre les deux conducteurs est fixée à 5 V.
Nous définissons à présent le facteur d’effet de bord de la force, comme la différence
relative entre la force électrique F f calculée par la méthode des travaux virtuels et F nf
(nf : “no fringing”) la force donnée par le modèle d’un condensateur à deux plaques
L
w t
V Air
g ε0
Fig. 2.7 : Géométrie de la micropoutre.
parallèles, c.-à-d.
F f − F nf
facteur d’effet de bord de la force = . (2.23)
F nf
La force F f est obtenue en ajoutant toutes les forces calculées aux nœuds de la sur-
face de la microstructure (voir la section (2.3)). L’expression analytique de la force F nf
négligeant les effets de bord s’écrit :
1 V2
F nf = ε0 S 2 , (2.24)
2 g
où S est l’aire de la surface de la micropoutre faisant face à l’électrode fixe (c.-à-d. S = w L)
et V est la différence du potentiel appliquée.
De façon analogue à (2.23), nous définissons ensuite le facteur d’effet de bord de la
capacité comme :
C f − C nf
facteur d’effet de bord de la capacité = , (2.25)
C nf
où C nf est l’expression analytique de la capacité d’un condensateur à deux plaques paral-
lèles où les effets de bord sont négligés, c.-à-d.
S
C nf = ε0 . (2.26)
g
Les figures (2.8) et (2.9) montrent la distribution du potentiel scalaire et de la force

électrique dans un modèle 2D de la section transversale et longitudinale de micropoutres,
respectivement. Les effets de bord, et par conséquent les forces, sont plus prononcés au
voisinage des coins et arêtes des micropoutres courtes (par exemple L = 50 µm) et/ou
étroites (par exemple w = 5 µm).
Fig. 2.8 : Distribution du potentiel et force électriques dans un modèle 2D de la section

transversale des micropoutres (w = 5 µm (à gauche), w = 15 µm (à droite), g = 2 µm et
t = 2 µm).
Fig. 2.9 : Distribution du potentiel et force électriques dans un modèle 2D de la section

longitudinale des micropoutres (L = 50 µm (en haut), L = 100 µm (en bas), g = 2 µm et
t = 2 µm).
Différentes dimensions de la micropoutre sont considérées dans cette étude paramé-

trique. Pour chaque jeu de variables géométriques, des modèles 2D et 3D des micropoutres
sont obtenus. Remarquons qu’un modèle 3D est nécessaire pour tenir compte du caractère
fini des longueurs et largeurs des micropoutres et mettre en évidence les effets de bord liés
à ces dimensions.
La précision du calcul de la force électrique agissant sur la micropoutre est tout d’abord
étudiée en fonction de la finesse du maillage (voir la figure (2.10)).
Les paramètres géométriques de la micropoutre considérée sont : L = 30 µm,
w = 2 µm, t = 1 µm et g = 1 µm. La finesse du maillage est paramétrée par la variable
lc définie comme la taille moyenne des éléments au voisinage des coins et arêtes de la mi-
cropoutre. L’erreur relative de la force dans les modèles 2D et 3D est évaluée par rapport
à une force totale calculée dans un maillage très fin (ici, lc = 0.01 µm). D’après la figure
(2.10), l’erreur relative de la force peut être réduite à quelques dixièmes de pourcent pour
des valeurs de lc inférieures à 0.1 µm.
Un premier modèle 2D de la section transversale de la micropoutre est tout à d’abord
considéré. Les effets de bord liés à une longueur finie sont ainsi négligés. La longueur
L = 30 µm est prise comme référence. Le facteur d’effet de bord de la force est montré dans
les figures (2.11) et (2.12) pour différentes valeurs des rapports w/g et w/t, respectivement.
Comme prévu, le facteur d’effet de bord de la force est plus important dans les modèles
3D. Pour une valeur donnée de L, ce facteur augmente lorsque les rapports w/g et w/t
diminuent, c.-à-d. les effets de bord sont nettement dominants pour des grandes valeurs
de g ou de t en maintenant une valeur fixe de w, ou pour des petites valeurs de w pour
des valeurs fixes de g et de t.
Un deuxième modèle 2D de la section longitudinale de la micropoutre est ensuite

considéré. Cette fois-ci, ce sont les effets de bord liés à une largeur finie qui sont négligés.
Le facteur d’effet de bord de la force est montré dans les figures (2.13) et (2.14) pour
différentes valeurs des rapports L/g et L/t, respectivement. Une augmentation de g ou de
t (en maintenant une valeur fixe de L) ou de L (en maintenant des valeurs fixes de g et t)
se traduit par une augmentation de ce facteur.
80
60
40
20
Erreur relative (%)

2D :
5
3D :
3
2
1
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4
lc (µm)
Fig. 2.10 : Erreur relative en fonction de lc , la taille des éléments finis au voisinage des
coins (avec L = 30 µm, w = 2 µm, t = 1 µm et g = 1 µm) .
2D : t = 1 µm
Facteur d’effet de bord de la force (%)
10 3D : t = 1 µm
2D : t = 0.2 µm
8 3D : t = 0.2 µm
2
1
0
1 2 4 8 16 20 30
w/g
Fig. 2.11 : Facteur d’effet de bord de la force en fonction du w/g (L = 30 µm).
2D : g = 1 µm
3D : g = 1 µm
15 2D : g = 2 µm
3D : g = 2 µm
10
8
6
4
2
1
0
1 2 4 8 16 20 30
w/t
Fig. 2.12 : Facteur d’effet de bord de la force en fonction du w/t (L = 30 µm).
Dans l’analyse des résultats précédents, nous avons vu que les modèles 3D sont les
mieux adaptés pour un calcul précis des forces électriques sur la surface d’une micro-
poutre. Néanmoins, les modèles 2D peuvent donner des résultats similaires pourvu que
la micropoutre étudiée appartienne à une famille de micropoutres ayant des dimensions

spécifiques. D’après l’analyse des résultats montrés dans les figures (2.11)-(2.14), l’écart
entre les résultats 3D et 2D peut être en effet négligé dans le cas des poutres ayant, par
exemple, w = 30 µm et L ≥ 60 µm avec g ≥ 2 µm.
Nous étudions maintenant l’impact des effets de de bord sur le calcul de la capacité
électrique. Les modèles 2D et 3D de la famille des micropoutres de longueur L = 30 µm
sont considérés. La variation du facteur d’effet de bord de la capacité défini par la relation
(2.25) en fonction du rapport w/g est donnée à la figure (2.15). Comme pour la force, ce
facteur est d’une part plus important dans les modèles 3D. D’autre part, il croit avec la
diminution du rapport w/g (pour une valeur donnée de L) dans les modèles 2D et 3D.
2D : t = 1 µm
25
3D : t = 1 µm, w = 2 µm
3D : t = 1 µm, w = 30 µm
20
2D : t = 0.2 µm
3D : t = 0.2 µm, w = 2 µm
15
3D : t = 0.2 µm, w = 30 µm
10
5
2
0
1 2 4 8 16 20 30
L/g
Fig. 2.13 : Facteur d’effet de bord de la force en fonction du L/g.
2D : g = 1 µm
25 3D : g = 1 µm, w = 2 µm
3D : g = 1 µm, w = 30 µm
20 2D : g = 2 µm
3D : g = 2 µm, w = 2 µm
15 3D : g = 2 µm, w = 30 µm
10
5
2
0
1 2 4 8 16 20 30
L/t
Fig. 2.14 : Facteur d’effet de bord de la force en fonction du L/t.

Facteur d’effet de bord de la capacité (%)

2D : t = 1 µm
200 3D : t = 1 µm
2D : t = 0.2 µm
150 3D : t = 0.2 µm
100
50
0 5 10 15 20 25 30
w/g
Fig. 2.15 : Facteur d’effet de bord de la capacité en fonction du w/g (L = 150 µm).
2.5.2 Actionneur électrostatique de type peigne

Le deuxième cas test est l’étude d’un actionneur électrostatique de type peigne inter-
digité (combdrive). Une configuration typique de cet actionneur consiste en deux matrices
de peignes disposées sur un substrat (voir la figure (2.16)). L’application d’une différence
de potentiel électrique entre les deux matrices permet de générer des forces électriques
pouvant entraı̂ner la matrice de peignes mobile pour glisser dans l’autre qui est fixe. Une
description de ce genre de système est détaillée par exemple dans [Tang et al., 1990].
Point d’ancrage Ressort
au substrat
Substrat
Doigts
mobiles
Doigts
fixes
Fig. 2.16 : Exemple d’un actionneur électrostatique de type peigne interdigité (comb-
drive).
La modélisation d’une telle structure peut être limitée à la moitié d’un doigt mobile et
d’un doigt fixe tirant profit de la symétrie et de la propriété de périodicité du système. Les
plans de symétrie définissent des frontières Γd où le champ électrique est tangent, et par
conséquent une condition de type n · ds |Γd = 0 est utilisée dans (1.41). La structure étudiée
est représentée à la figure (2.17) où L, b et t sont la longueur, la largeur et l’épaisseur d’un
doigt, respectivement, g est l’écart entre les deux doigts, gz est la distance (suivant l’axe
z) entre ces deux doigts et le substrat, et L − d est la distance d’engagement d’un doigt
mobile à l’intérieur d’une cellule de deux doigts fixes. La différence de potentiel électrique
appliquée est fixée à 5 V (le doigt mobile est au même potentiel que le substrat fixé à 0 V,
le doigt fixe à 5 V).
Les figures (2.18) et (2.19) montrent des exemples de maillages utilisés dans la résolu-
tion du problème électrostatique en 2D et 3D, respectivement. Remarquons que le maillage
est raffiné au voisinage des coins et arêtes pour tenir compte des effets de bord.
La distribution du potentiel et de la force électriques est montrée à la figure (2.20).
Comme pour le cas de la micropoutre, des forces électriques importantes apparaissent aux
coins et arêtes de la structure.
t/2 d
b/2
Air ε0 g
Y
X
Z
d L
Substrat
Z
gz
X
Fig. 2.17 : Géométrie de la moitié d’une cellule de peignes d’un actionneur électrostatique
de type peigne interdigité (combdrive) (la moitié des deux doigts en haut et le substrat
(en bas)).
Les expressions analytiques utilisées pour estimer les composantes de la force suivant
les axes x et y sont telles que [Hirano et al., 1992] :
1 ntV 2 1 btV 2
Fxnf = ε0 + ε0 , (2.27)
2 g 2 d2
1 V2
Fynf = ε0 S 2 , (2.28)
2 g
où n est le nombre des doigts considérés (ici n = 2), V est la tension électrique appliquée
et S est l’aire de la partie du doigt mobile engagée à l’intérieur d’une cellule de deux
doigts fixes, c.-à-d. S = (L − d) t. Il est important de remarquer que le second terme
de la formule (2.27) tient compte de la force électrique s’appliquant sur la face du doigt
située à la distance d de l’autre doigt (voir la figure (2.17)). Ce terme est souvent négligé
dans la littérature (par exemple dans [Tang et al., 1990, Hirano et al., 1992]). Or, pour de
petite valeur de d, il devient non négligeable et doit être par conséquent pris en compte
dans l’expression totale de la force d’attraction suivant l’axe x. Par analogie à l’expression
(2.23), nous définissons le facteur d’effet de bord de la force suivant les axes x et y.
Fig. 2.18 : Maillage 2D du domaine d’étude.
Z
Y
X
Z
Y
Z
X Y
X
Fig. 2.19 : Maillage 3D de l’actionneur de type peigne (les deux doigts et le substrat (en
haut), un doigt et le substrat (en bas, à gauche) et un agrandissement au voisinage des
coins et arêtes d’un doigt (en bas, à droite)) (L = 10 µm, d = 7 µm, b = 3 µm, t = 2 µm,
g = 3 µm, gz = 1 µm).
Dans la figure (2.21), le facteur d’effet de bord de la force longitudinale (suivant l’axe
x) devient significatif lorsque b augmente ou lorsque t diminue dans les modèles 2D et 3D.
La différence entre les deux courbes (voir la figure (2.21), (en haut)) est principalement
liée au paramètre t, celui-ci n’intervenant que dans le modèle 3D.
Un autre paramètre qui n’est pas pris en compte dans le modèle 2D est gz , la distance
entre les deux doigts et le substrat selon l’axe z. Son influence sur le facteur d’effet de
bord est montrée dans la figure (2.22). L’augmentation de gz entraı̂ne en effet un facteur
important. Notons qu’il n’est pas nécessaire que gz prenne de grandes valeurs pour obtenir
un facteur significatif. A partir de gz = 2 µm (avec L = 10 µm, d = 5 µm, b = 2 µm,
t = 2 µm, g = 1 µm), le facteur dépasse déjà les 15 %.
La figure (2.23) montre également la variation du facteur d’effet de bord en fonction
de d dans les modèle 2D et 3D. Une diminution de celui-ci (c.-à-d. lorsque un doigt mobile
s’approche d’un doigt fixe) entraı̂ne un facteur important illustrant le couplage électrique
significatif constaté dans le cas des positions relatives proches entre les deux doigts.
Fig. 2.20 : Distribution du potentiel et force électriques.
3D
14 2D
Facteur d’effet de bord de fx (%)
12
10
2
1 2 3 4 5
b (µm)
20
3D
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.5 1 2 3 4 5
t (µm)
Fig. 2.21 : Facteur d’effet de bord de la force longitudinale (suivant l’axe x) en fonction
de b (en haut) et de t (en bas) (L = 10 µm, d = 5 µm, t = 2 µm, g = 1 µm, gz = 1 µm).
35
3D

30
25
20
15
10
0
1 2 3 4 5
gz (µm)
de gz (L = 10 µm, d = 5 µm, b = 2 µm, t = 2 µm, g = 1 µm).
60
3D
2D
30
10
3
2
1
1 2 3 4 5
d (µm)
de d (L = 10 µm, b = 1 µm, t = 2 µm, g = 1 µm, gz = 1 µm).
2.6 Conclusion
Le calcul des forces électrostatiques locales et globales par le modèle du tenseur de
Maxwell et celui des travaux virtuels, a été présenté dans ce chapitre. La force électro-
statique totale obtenue par la méthode des travaux virtuels converge plus vite que celle
déterminée par le tenseur de Maxwell. La précision du calcul de la force peut être améliorée
en raffinant le maillage. Pour la même précision, l’utilisation des fonctions d’interpolation
d’ordre supérieur permet de travailler avec un maillage moins fin. Néanmoins, le temps de
calcul augmente considérablement avec ce type de fonctions. De façon générale, le choix
entre les types d’éléments de différents ordres passe par un compromis.
La méthode des travaux virtuels a été choisie et implémentée pour estimer les forces
électrostatiques locales et globales. Un calcul précis et rigoureux de ces forces est en effet
important dans la résolution d’un problème électromécanique. Il a notamment permis
de mettre en exergue les effets de bord constatés au voisinage des coins et arêtes des
MEMS électrostatiques. Des modélisations 2D et 3D par éléments finis des cas tests de
type micropoutre et actionneur à peigne (combdrive) ont été analysées et comparées.
2.6. CONCLUSION 35
Cette étude paramétrique a pris en compte différentes dimensions de ces microstructures.

L’impact de ces effets de bord sur la précision du calcul des forces électrostatiques, et
par conséquent sur les déplacements mécaniques, a été mis en évidence. Cette étude a,
en effet, démontré que des forces électrostatiques considérables apparaissent aux voisinage
des coins et des arêtes d’un MEMS électrostatique et que leur connaissance précise est
nécessaire.
Chapitre 3
Couplage électromécanique
3.1 Introduction
Dans le chapitre précédent, le calcul de la force électrique dans le contexte de la modé-
lisation par éléments finis a été détaillé et validé. Dans ce chapitre, il est question d’utiliser
le résultat de ce calcul dans la simulation du problème du couplage électromécanique. La
résolution de ce couplage physique suit le schéma d’un couplage numérique faible. Celui-
ci est présenté et illustré par des exemples d’application. Plus particulièrement, l’analyse
des MEMS électrostatiques en régime statique est traité. Les grandeurs caractéristiques
associées sont calculées par cette approche et sont comparées à des valeurs analytiques.
3.2 Couplage dans les MEMS électrostatiques

Le fonctionnement des MEMS est généralement régi par un problème physique for-
tement couplé. Dans le cas des MEMS électrostatiques, des grandeurs impliquées dans
ce couplage sont par exemple de nature électrique et mécanique qui s’influencent mu-
tuellement. De façon générale, il s’agit des forces électriques d’attraction qui, lorsqu’elles
s’appliquent sur une partie mobile de ces microsystèmes, ont tendance à la rapprocher
d’une autre partie fixe. Or, plus la distance d entre ces régions diminue, plus la force
électrique augmente comme 1/d2 .
Dans le cas des MEMS électrostatiques déformables, la tension électrique d’actionne-
ment a une valeur seuil au delà de laquelle les forces électriques ne contrebalancent plus
la rigidité de la structure élastique. Ce phénomène est connu sous le nom de l’instabi-
lité de pull-in [Nathanson et al., 1967]. Le déplacement et la tension critiques associés à
cette instabilité sont appelés déplacement et tension de pull-in, respectivement. La déter-
mination précise de ces grandeurs est une étape cruciale dans la conception des MEMS
électrostatiques. Par exemple pour les microrésonateurs [Tilmans and Legtenberg, 1994a]
et les micromiroirs [Hung and Senturia, 1999], le concepteur doit éviter au maximum
possible cette instabilité ; tandis que pour certaines applications [Nguyen et al., 1998], ce
phénomène peut être exploité afin d’optimiser les performances du dispositif.
D’un point de vue simulation par éléments finis, le problème physique fortement couplé
des MEMS électrostatiques peut être résolu soit avec un couplage numérique fort ou faible.
37
38 CHAPITRE 3. COUPLAGE ÉLECTROMÉCANIQUE
Etat initial
Problème électrique
Détermination des forces
Mise à jour
Problème mécanique des coordonnées
Détermination du déplacement du maillage
du domaine électrique
Non
Convergence ?
Oui
Fin
Fig. 3.1 : Résolution d’un problème électromécanique par un couplage numérique faible.
3.2.1 Couplage numérique fort

Lorsqu’un couplage numérique fort est considéré, les variables électriques et mécaniques
sont prises en compte en même temps dans la matrice globale du système [Avdeev, 2003,
Rochus, 2006]. La résolution est ainsi effectuée simultanément au sein d’un processus
itératif convergent [Rochus, 2006]. Dans ce type de couplage numérique, la matrice globale
contient des termes de couplage entre les degrès de liberté mécaniques et électriques (en
plus des éléments diagonaux associés aux grandeurs mécaniques et électriques pures).
3.2.2 Couplage numérique faible

Dans un couplage numérique faible, les deux problèmes électrique et mécanique sont
considérés séparément. L’interaction entre les deux systèmes peut être prise en compte
par une résolution pas à pas dans le temps. Lors de chaque pas du processus itératif, le
problème électrique est résolu et les forces électriques sont calculées. Celles-ci sont par
la suite considérées comme source pour le système mécanique dont la résolution permet
d’obtenir le déplacement mécanique de la partie mobile du MEMS étudié. Ce nouveau
déplacement de la structure modifie le champ électrique. Un nouveau problème électrique
est considéré au pas suivant après avoir mis à jour les coordonnées des nœuds du maillage
du domaine électrique. Cette approche a l’avantage de travailler avec les matrices d’origine
(c.-à-d. matrices creuses et symétriques) associées à chaque problème. Le diagramme (3.1)
illustre cette approche de résolution.
3.3. DOMAINE MÉCANIQUE 39
Dans cette thèse, le couplage numérique faible est utilisé dans la simulation du couplage
électromécanique en régime statique des systèmes étudiés.
Dans les deux premiers chapitres, nous avons abordé la résolution du problème élec-
trique. Dans la section suivante, nous décrivons le problème mécanique.
3.3 Domaine mécanique

3.3.1 Elasticité linéaire
Considérons un corps élastique, isotrope et homogène occupant un domain Ω ∈ 3 R
dont la frontière Γ est constituée de deux parties complémentaires Γu et Γt (voir la figure
(3.2)). Une force volumique f = (f1 , f2 , f3 ) peut s’exercer sur Ω et une force surfacique
t = (t1 , t2 , t3 ) sur le bord Γt , les composantes fi et ti , i = 1, 2, 3, étant prises selon la
direction xi . Supposons qu’un déplacement u = ū est prescrit sur la frontière Γu .
t Ω
Γu
Γt f
n
x3
x2
x1
Fig. 3.2 : Problème d’élasticité linéaire défini pour un corps élastique, isotrope et homo-
gène occupant un domain Ω ∈ 3 . R
L’objectif est de déterminer le champ des déplacements u = (u1 , u2 , u3 ) dans le domaine
Ω ainsi que le tenseur symétrique des contraintes σ = (σij ), i, j = 1, 2, 3 qui apparaissent
dans Ω suite à l’application des forces f et t. Les contraintes σii sont dites contraintes
normales, et σij , i 6= j, contraintes de cisaillements. Dans le cadre de l’hypothèse des
petits déplacements, l’état de déformation est représenté par le tenseur des déformations
linéarisé ǫ = (ǫij ) défini par :
1 ∂ui ∂uj
ǫij = + , i, j = 1, 2, 3 . (3.1)
2 ∂xj ∂xi
Dans un milieu élastique linéaire et isotrope, la loi de comportement, ou loi de Hooke,
associe les contraintes aux déformations via la relation :
σij = µ div u δij + λ ǫij , i, j = 1, 2, 3 , (3.2)
où δij = 1 si i = j ou 0 si i 6= j, µ et λ sont les constantes de Lamé. Dans le cas d’un maté-
riau élastique, ces constantes s’expriment en fonction du module d’Young et du coefficient
E Eν
de Poisson telles que : µ = 1+ν et λ = (1+ν)(1−2ν) .
L’équilibre en régime statique se traduit par l’équation suivante :
3
X ∂σij
− = fi dans Ω , i = 1, 2, 3 , (3.3)
∂xj
j=1
avec les conditions aux limites associées :
u|Γu = ū , (3.4)
3
X
− σij nj |Γt = ti , i = 1, 2, 3 , (3.5)
j=1
où n = (n1 , n2 , n3 ) est le vecteur unitaire normal à Γ. En remplaçant (3.1) dans (3.2)
et en combinant avec (3.3), on obtient l’équation de l’équilibre en terme de la variable
u = (u1 , u2 , u3 ) [Pelesko and Bernstein, 2003] :
3 3
X ∂ 2 ui 1 X ∂ui ∂uj
−µ δij + λ + = fi , i = 1, 2, 3 . (3.6)
∂xi xj 2 ∂xj ∂xi
j=1 j=1
3.3.2 Formulation en déplacement (cinématiquement admissible)

Intéressons nous à présent à la formulation variationnelle du problème d’élasticité li-
néaire décrit par l’équation (3.6) et les conditions aux limites (3.4)–(3.5). Remarquons tout
d’abord que ce problème peut être ramené à un problème avec une condition aux limites
de Dirichlet homogène nulle. Avec un changement de variable u∗ = u − ū, l’équation (3.6)
est en effet vérifiée par u∗ avec u∗ |Γu = 0. Cette condition est considérée dans la suite.
En adoptant la convention des indices muets (la sommation porte sur les indices i et
j allant de 1 à 3) et en appliquant le théorème de la divergence, on peut démontrer que
[Jonhson, 1987] :
′ ∂σij
Z Z Z
′
ǫij (u ) σij dΩ = − ui dΩ + u′i σij nj dΓ , ∀u′ ∈ F0u (Ω) , (3.7)
Ω Ω ∂xj Γ
où F0u (Ω) est l’espace des fonctions test u’ qui s’annulent sur la frontière Γu c.-à-d.
F0u (Ω) = u′ = (u′1 , u′2 , u′3 ) ∈ [H 1 (Ω)]3 ; u′ |Γu = 0 .
En multipliant les membres de (3.3) par les composantes u′i de la fonction test u′ et en
combinant avec l’équation (3.7), on obtient :
′ ∂σij
Z Z Z Z
′
ui fi dΩ = − ui dΩ = ǫij (u ) σij dΩ − u′i σij nj dΓ , ∀u′ ∈ Fu0 . (3.8)
′
Ω Ω ∂x j Ω Γ
L’intégrale de surface dans (3.8) peut être limitée à la frontière Γt , la fonction-test u′

s’annulant sur Γu . En remplaçant (3.5) dans (3.8), on obtient :
Z Z Z
′
ǫij (u ) σij dΩ = ′
ui fi dΩ + u′i ti dΓ , ∀u′ ∈ F0u (Ω) . (3.9)
Ω Ω Γt
Les relations (3.1) et (3.2) sont remplacées dans (3.9) et vu que

div u δij ǫij (u′ ) = div u div u′ , on obtient la formulation variationnelle du problème
d’élasticité (3.6) :
Z h i Z Z
′ ′
λ div u div u + µǫij (u) ǫij (u ) dΩ = ′
ui fi dΩ + u′i ti dΓ , ∀u′ ∈ F0u (Ω) . (3.10)
Ω Ω Γt
3.3. DOMAINE MÉCANIQUE 41
3.3.3 Discrétisation
Le domaine Ω est maillé au sens des éléments finis. Chaque composante du déplace-
ment u = (u1 , u2 , u3 ) peut être approximée par une combinaison linéaire des fonctions de
base nodales si , i = 1, ..., N (N étant le nombre des nœuds de l’élément Ωe considéré)
définies dans le paragraphe (1.3.4). Rappelons que (s
1 , ..., sN ) forme une base de l’espace
des champs scalaires Fu0i = ui ∈ H 1 (Ω) ; ui |Γu = 0 , i = 1, 2, 3. Sous forme matricielle,

l’approximation du déplacement u dans un élément Ωe s’écrit :

   
u1 u1i si
u =  u2  =  u2i si 
u3 u3i si
 
u11
 u21 
  u31 

s1 0 0 s2 0 0 . . . sN 0 0
=  0 s1 0 0 s2 0 . . . 0 sN 0   ... 
 
 
0 0 s1 0 0 s2 . . . 0 0 sN  u1N 
 
 
 u2N 
u3N
= [S][Un ]
où [Un ] (de dimension 3N × 1) est le vecteur des déplacements nodaux dans l’élément Ωe ,
[S] (dimension 3 × 3N ) est la matrice d’interpolation des déplacements dans l’élément.
L’équation (3.10) est particularisée pour l’élément Ωe et mise en forme matricielle telle
que :
Z Z Z
′ t
[Un ] t
[B] [C] [B] dΩe [Un ]− t
[S] f dΩ− [S]t t dΓ = 0 , ∀u′ ∈ F0u (Ωe ) , (3.11)
Ωe Ωe Γt,e
où [B] = [D][S] est la matrice d’interpolation des déformations dans l’élément Ωe (dimen-
sion 6 × 3N ), Γt,e est le bord d’élément Ωe où s’applique la force surfacique t. Les matrices
[C] et [D] sont définies en mettant les équations (3.1) et (3.2) sous sous la forme matricielle
suivante :
  ∂u1   ∂ 

ǫ11 ∂x1 ∂x1 0 0
∂u2   0 ∂
 ǫ22   ∂x2 ∂x2 0   
  u1
 
 ∂u3   0 ∂ 
 ǫ33   ∂x3 0 ∂x3   u  = [D]u ,
[ǫ(u)] = 
 2ǫ23  = 
 
∂u3  =  (3.12)
 
∂u2 ∂ ∂  2
  ∂x3 + ∂x2   0 ∂x3 ∂x2  u
  
3

 2ǫ13   ∂u1 + ∂u3   ∂ 0 ∂  
∂x3 ∂x1 ∂x3 ∂x1
2ǫ12 ∂u1 ∂u2 ∂ ∂
0
∂x2 + ∂x1 ∂x2 ∂x1
    
σ11 2µ + λ λ λ 0 0 0 ǫ11

 σ22  
  λ 2µ + λ λ 0 0 0 
 ǫ22 

 σ33   λ λ 2µ + λ 0 0 0  ǫ33 
[σ] =  =   = [C][D]u . (3.13)

 σ23  
  0 0 0 µ 0 0 
 2ǫ23 

 σ13   0 0 0 0 µ 0  2ǫ13 
σ12 0 0 0 0 0 µ 2ǫ12
La relation (3.11) étant vérifiée pour toute fonction test u′ , on déduit le système linéaire
suivant, dont les inconnues sont les déplacements nodaux [Un ] :
[Ke ][Un ] = [fn,e ] , (3.14)

Z Z Z
avec [Ke ] = [B]t [C] [B] dΩ et [fn,e ] = [S]t f dΩ + [S]t t dΓ ,
Ωe Ωe Γt,e
où [Ke ] est la matrice de rigidité de l’élément Ωe et [fn,e ] est le vecteur des forces nodales
associée à l’élément Ωe .
Le problème complet est obtenu en assemblant les systèmes d’équations (3.14) associés
aux éléments de Ω, chaque nœud du maillage pouvant appartenir à plusieurs éléments. Le
système à résoudre est de type :
[K][Un ] = [fn ] , (3.15)
[K] est la matrice rigidité structurale, [Un ] est le vecteur des degrés de liberté du domaine
Ω et [fn ] est le vecteur des forces nodales.
3.4 Mise à jour du maillage électrique

Dans la modélisation du couplage électromécanique, le déplacement de la structure
mécanique élastique peut être important. L’une des solutions classiques consiste à définir
une étape supplémentaire de lissage du maillage associé au domaine électrique, le but
étant de répartir le déplacement mécanique dans cette région comme si l’air se déplace
aussi. Pour ce faire, un nouveau problème d’élasticité est défini dans le domaine extérieur
à la structure (domaine électrique). Les vecteurs déplacements servent par la suite de
conditions aux limites de type Dirichlet pour l’équation (3.6) imposées à l’interface entre
la structure et le domaine électrique. La résolution de ce problème permet de mettre à
jour les coordonnées des nœuds du maillage électrique.
3.5 Critère de convergence

La résolution séquentiel du couplage électromécanique est répétée jusqu’à ce que la
différence relative des déplacements des nœuds de la structure soit en dessous d’une valeur
seuil α, c.-à-d.
kui+1 − ui k2
6α (3.16)
kui+1 k2
où ui+1 est le déplacement courant et ui est le déplacement à l’itération précédente ti .
3.6 Illustration et validation

3.6.1 TEAM 33b
Le problème TEAM1 33b est considéré [Barré and Brochet] pour une première valida-
tion de la résolution d’un problème électromécanique par couplage numérique faible. Dans
ce problème, nous disposons de la valeur mesurée et simulée par ANSYS du déplacement
maximal de la structure mécanique sous l’effet d’un champ électrique extérieur.
1
Testing Electromagnetic Analysis Methods
3.6. ILLUSTRATION ET VALIDATION 43
1 (A)
Air
15
ε0
10
(C)
15 E ν εr
35
30
y
10 (B)
1 x
10 40
Fig. 3.3 : Géométrie d’un corps diélectrique (C) soumis à un champ électrique extérieur
crée entre deux plaques conductrices (A) et (B) (l’unité des dimensions géométriques est
en mm).
Le système étudié est représenté à la figure (3.3). Il s’agit d’un corps diélectrique (C)
dont le matériau est considéré comme isotrope. Ce corps est caractérisé par la permittivité
relative εr = 78.5, le module d’Young E = 6 MPa et le coefficient de Poisson ν = 0.5. Une
différence de potentiel électrique V = 11 kV est appliquée entre deux plaques conductrices
(A) et (B). Dans cette configuration, la structure de test (C) est soumise à un champ
électrique extérieur et des forces électriques apparaissent sur sa surface. Sous l’effet de
celles-ci, elle se déforme et se déplace vers le conducteur (A). La mesure du déplacement
maximal (au sommet de la structure) donne 0.15 mm. L’erreur relative est calculée par
rapport à cette mesure. Par ailleurs, la simulation du couplage électromécanique réalisée
dans [Barré and Brochet] avec le logiciel ANSYS estime ce déplacement à 0.1425 mm.
Connaissant la distribution du champ électrique, la force électrique locale est calculée par
la formulation suivante :
h 1 1 ε0 i
Fn = (1 − )d2n + (1 − εr )e2t n . (3.17)
2ε0 εr 2
Le maillage 2D des domaines mécanique et électrique est montré dans la figure (3.4).
Notons que le choix d’un maillage plus fin n’est pas nécessaire ici, la géométrie du corps
(C) ne présentant pas de singularités géométriques. La finesse de ce maillage est en outre
la même que celle choisie dans [Barré and Brochet]. Dans le calcul des forces électriques
locales, 47 nœuds discrétisant la surface du corps (C) sont considérés.
y(m)
0.3
0.15
-0.15
x(m)
-0.3
-0.3 -0.15 0 0.15 0.3
Fig. 3.4 : Maillage des domaines mécanique et électrique.

Le problème électrique est résolu par la méthodes des éléments finis avec la formulation
en potentiel scalaire électrique. Vu la géométrie simple du corps (C) (c.-à-d., absence de
singularités géométriques), les effets de bord n’interviennent pas dans ce cas test.
La figure (3.5) (à gauche) montre la distribution du potentiel et les force électriques
locales correspondantes sur la surface de la structure. Le problème d’élasticité avec l’hypo-
thèse des petites déformations utilise ces forces comme charges extérieures. Un déplacement
maximal apparaı̂t au sommet de la structure (3.5) (à droite).
umax
umax
Y
Y
Z X
Z X
Fig. 3.5 : Distribution du potentiel électrique et des forces locales correspondantes sur la
surface du corps (C) (à gauche) et le déplacement maximal au sommet de la structure (à
droite).
Le tableau (3.1) montre le résultat de calcul des forces électriques globales Fx et Fy ,

selon les axes x et y, respectivement. Les éléments d’ordre 2 sont ici de type éléments
hiérarchiques. Chaque force est obtenue en ajoutant toutes les forces calculées, suivant
une direction donnée, aux nœuds de la surface du corps (C).
Ordre d’éléments Fx (N) Fy (N) Fx (N) Fy (N)

(Pb. électrique) [Barré and Brochet] [Barré and Brochet]
1 −8.36 10−2 1.57 10−2 −8.07 10−2 1.39 10−2
2 −8.32 10−2 1.57 10−2 − −
Tab. 3.1 : Calcul des forces globales Fx et Fy agissant sur la surface du corps (C) en
fonction de l’ordre des éléments utilisés dans le problème électrique.
Le tableau (3.2) récapitule également les résultats obtenus en fonction de l’ordre des
éléments utilisés dans chaque problème, les éléments d’ordre 2 étant de type éléments hié-
rarchiques. L’erreur relative est calculée par rapport à la mesure. Les résultats trouvés ici
sont en accord avec la mesure et la valeur numérique donnée dans [Barré and Brochet]. Le
calcul est également amélioré lorsque des éléments d’ordre 2 (notamment dans le problème
mécanique) sont utilisés.
Ordre d’éléments umax (mm) umax (mm) La mesure

Pb. mécanique Pb. électrique [Barré and Brochet] de umax (mm)
1 1 0.1449 (3.4 %) 0.1425 (5 %) 0.15
1 2 0.1437 (4.2 %) − 0.15
2 1 0.1551 (3.4 %) − 0.15
2 2 0.1538 (2.5 %) − 0.15
Tab. 3.2 : Le déplacement maximal au sommet de la structure en fonction de l’ordre des

éléments utilisés (l’erreur relative par rapport à la mesure est mise entre parenthèses).
3.6.2 Micropoutres
Nous abordons à présent la modélisation du couplage électromécanique des poutres
de type MEMS électrostatiques. Le but est d’illustrer la méthodologie de simulation dé-
crite jusqu’à maintenant appliquée à des microstructures en déformation élastique sous
l’effet des forces électrostatiques. Des résultats analytiques seront également présentés et
comparés avec les résultats des simulations.
3.6.2.1 Micropoutre encastrée-libre

Le premier cas test de couplage électromécanique des MEMS électrostatiques est une
micropoutre encastrée-libre. Sa géométrie est donnée à la figure (3.6). Les paramètres géo-
métriques considérés sont l’écart g = 2 µm entre la micropoutre de longueur L = 175 µm
et l’épaisseur t = 2 µm et l’électrode fixe de longueur L′ = 168 µm. L’encastrement est
paramétré par r ( variant entre 1, 5 µm et 7 µm) et p = 3 µm. Une différence de potentiel
électrique V est appliquée entre les deux conducteurs. Le matériau de la micropoutre utilisé
(silicium) a comme module d’Young E = 158 GPa et coefficient de Poisson ν = 0.22.
L
p E ν t V Y
r g Air ε0 X
L′
Fig. 3.6 : Géométrie de la micropoutre (encastrée-libre).
Une étude paramétrique a été proposée dans [Lishchynska et al., 2004] illustrant l’im-
pact de la géométrie de l’encastrement (en fonction de la variable r) sur la réponse méca-
nique (la déflexion maximale de la micropoutre). Cette étude s’est basée sur des modèles
analytiques pour de simples structures de type poutres en flexion. La formule analytique
de la flèche donnée dans ce travail s’exprime par :
L − r α1
α2
F F L
umax = 1.7143 (L − r) + 10.014 g , (3.18)
Eef f t Eef f t
E
où : Eef f = 1−ν 2 est le module d’Young effectif. α1 et α2 sont deux constantes dont
les valeurs sont approchées analytiquement. Elles valent 2.9747 et 2.8797, respectivement.
L’erreur relative de la flèche sera calculée par rapport à cette valeur analytique.
Un exemple de maillage 2D du domaine électrique et mécanique est montré à la figure

(3.7), avec un agrandissement du voisinage de l’encastrement (en bas, à gauche) et des coins
de la micropoutre (en bas, à droite). Les domaines mécanique et électrique sont maillés
par des éléments quadrangulaires uniformes et triangulaires, respectivement. Le maillage
est raffiné au voisinage des discontinuités géométriques (ici, les coins) afin d’améliorer la
précision du calcul de la force électrique et prendre en compte les effets de bord. Une
transformation géométrique qui ramène un domaine non borné à un domaine borné est
également utilisée pour approximer la surface à l’infinie [Imhoff et al., 1990]. Le nombre
d’éléments et de nœuds est de 12166 et 5919, respectivement. Les problèmes électrique et
mécanique comportent alors 4964 et 3447 inconnues, respectivement.
Fig. 3.7 : Maillage 2D des domaines électrique et mécanique (en haut), avec un agrandisse-
ment de l’encastrement (au milieu à gauche) et du voisinage des coins de la micropoutre (en
bas et au milieu à droite) (L = 175 µm, t = 2 µm, L′ = 168 µm, g = 2 µm et r = 2 µm).
Une première analyse statique du couplage électromécanique de la micropoutre au

cours de la première itération a été réalisée. Les fonctions d’interpolation d’ordre 1 et 2
sont utilisées dans la résolution des problèmes électrique et mécanique, respectivement.
La formulation en potentiel scalaire électrique est adoptée pour résoudre le problème
électrique. La figure (3.8) montre la distribution du potentiel et les force électriques locales
correspondantes sur la surface de la micropoutre, avec un agrandissement au voisinage des
coins.
La figure (3.9) montre que le modèle analytique et par éléments finis donnent des
résultats similaires. Pour des valeurs de r supérieures à 4 µm, l’erreur relative atteint 3 %.
Le modèle analytique sous-estime ainsi la flèche de la micropoutre car il néglige les effets
Fig. 3.8 : Distribution du potentiel électrique et des forces locales correspondantes sur la
surface de la micropoutre (r = 2 µm, V = 10 V).
de bord dans l’expression de la densité de force électrique et ne tient en compte que d’un
modèle mécanique simplifié.
0.132
MEF : 3
0.13 Analytique :
Erreur relative de la flèche (%)
0.128 2.5
umax (× 10-1µm)
0.126
2
0.124
0.122
1.5
0.12
0.118 1
1.5 2 3 4 5 6 7 1.5 2 3 4 5 6 7
r (µm) r (µm)
Fig. 3.9 : Variation du déplacement maximale (la flèche) de la mircopoutre et son erreur
relative en fonction de r (V = 10 V).
D’autres analyses statiques du couplage ont été menées afin de déterminer la valeur
de la tension de pull-in Vpi . Pour une configuration d’encastrement définie par r = 2 µm,
nous avons trouvé Vpi = 17.75 V. Le déplacement mécanique maximal correspondant est
upi = 0.78 µm. Pour cette tension, la figure (3.10) montre la convergence de la densité de
force électrique (sa composante suivant l’axe y) apparaissant sur la surface de la micro-
poutre et de son déplacement mécanique. 10 itérations étaient nécessaires pour obtenir
une erreur relative en terme de déplacement mécanique inférieure à 2 %.
0
200
−0.1
0 −0.2
−200 −0.3
fy (N/m)
uy (µm)
−0.4
−400 it1
it1 it2
−0.5 it4
−600 it2
it4 it6
−0.6 it8
it6
−800 it8 it9
it10 −0.7 it10
−1000 −0.8
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
x (µm) x (µm)
Fig. 3.10 : Convergence de la densité de force électrique (composante y) apparaissant sur

la surface de la micropoutre encastrée-libre et de son déplacement mécanique (r = 2 µm,
V = Vpi = 17.75 V).
3.6.2.2 Micropoutre bi-encastrée

Le deuxième cas test de couplage électromécanique des MEMS électrostatiques est
une micropoutre bi-encastrée. La figure (3.11) représente sa géométrie où g = 2 µm est
l’écart entre la micropoutre (longueur, L = 200 µm, épaisseur t = 2 µm) et l’électrode fixe
(longueur L′ = 200 µm). Une différence de potentiel électrique V est appliquée entre les
deux conducteurs. Les paramètres du matériau utilisé (aluminium) est caractérisé par le
module d’Young E = 77 GPa et le coefficient de Poisson ν = 0.5.
L
V E ν t
Air ε0 g
L′
Fig. 3.11 : Géométrie de la micropoutre bi-encastrée.
Dans cette configuration, la déflexion au centre de la micropoutre sous l’effet d’une

densité de force F uniforme est donnée analytiquement par :
F L4
umax = . (3.19)
384 E I
Dans ce modèle 2D, F est une densité de force linéique dont l’expression est donnée
t3
par (2.24). I (m4 ) est le moment d’inertie exprimé par : I = w 12 , où w est la largeur de
la micropoutre (ici, dans ce modèle 2D, w = 1 m. )
Une première analyse statique consiste à étudier l’influence de la finesse de discrétisa-
tion de la microstructure sur le déplacement au centre. Le but est aussi de connaı̂tre la
densité minimale du maillage impliquant la précision voulue dans le calcul de solution. Les
domaines mécanique et électrique sont maillés par des éléments quadrangulaires uniformes
et triangulaires, respectivement. Les fonctions d’interpolation d’ordre 1 et 2 sont utilisées
dans la résolution des problèmes électrique et mécanique, respectivement. La résolution
du couplage électromécanique suit le schéma (3.1). Afin de comparer avec la valeur ana-
lytique (3.19), les résultats obtenus au cours de la première itération sont considérés. La
figure (3.12) montre que le déplacement maximal converge vers sa valeur analytique. Cette
convergence est illustrée en fonction du raffinement du maillage de la structure mécanique.
0.023
MEF :
0.022
Analytique :
0.021
10
Erreur relative (%)

0.02
umax (µm)
0.019
0.018
0.017 1
0.016
0.015
0.014
0.1
0.013
200 400 600 800 1000 1200 200 400 600 800 1000 1200 1400
Nombre d’inconnues du problème mécanique Nombre d’inconnues du problème mécanique
Fig. 3.12 : Convergence du déplacement maximal (au centre de la mircopoutre) en fonc-

tion des ddl du problème mécanique.
Nous considérons pour le reste de l’étude un maillage 2D où le nombre d’éléments et

de nœuds est de 4656 et 7727, respectivement. Les problèmes électrique et mécaniques
comportent ainsi 3220 et 6745 inconnues, respectivement.
La valeur de la tension de pull-in d’une micropoutre bi-encastrée en régime statique
peut être calculée à partir d’un modèle analytique. La validité de cette valeur analytique
découle généralement de la considération de géométries simples des systèmes étudiés. Les
hypothèses principales, sur lesquelles ce calcul est fondé, sont résumées dans [Osterberg
and Senturia, 1997].
Trois modèles analytiques de la tension de pull-in [Rochus, 2006] sont considérés. Dans
le cas particulier du cas test traité, ces modèles peuvent être ramenés à une seule formule,
c.-à-d. s
E t3 g
Vpi = A , (3.20)
ε0 L4
où A = 3.42 [Tilmans and Legtenberg, 1994b], A = 3.44 [Osterberg and Senturia, 1997]
ou A = 3.50 [Pamidighantam et al., 2002].
La valeur de la tension de pull-in calculée par éléments finis est Vpi = 66.5 V. Le tableau
(3.3) donne l’erreur relative de cette valeur par rapport à celle calculée par la formule
(3.20). L’erreur relative maximale est d’ordre 4 %. Pour cette tension, la figure (3.13)
montre la convergence de la densité de force électrique (sa composante suivant l’axe y)
apparaissant sur la surface de la micropoutre et du déplacement mécanique correspondant.
Le déplacement mécanique de pull-in est upi = 0.82 µm. Pour atteindre cette convergence
(l’erreur relative en terme de déplacement mécanique est inférieure à 2 %), 10 itérations
ont été nécessaires.
3.7. CONCLUSION 51
Vpi (V) Vpi (V) Analytique

MEF Tilman Osterberg Pamidighantam
66.5 63.7 (4 %) 64.2 (3 %) 65 (2 %)
Tab. 3.3 : Comparaison entre la tension de pull-in calculée par éléments finis et celle
déterminée par les modèles analytiques.
0
0
-0.1
−2
-0.2
−4 -0.3
fy (× 103 N/m)
uy (µm)
−6 -0.4
it1
-0.5 it2
−8 it1 it4
it2 -0.6 it6
−10 it4 it8
it6 -0.7 it9
it8 it10
−12 it9 -0.8
it10
−14 -0.9
−100 −80 −60 −40 −20 0 20 40 60 80 100 -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100
x (µm) x (µm)
Fig. 3.13 : Convergence de la densité de force électrique (composante y) apparaissant sur

la surface de la micropoutre bi-encastrée et du déplacement mécanique correspondant.
3.7 Conclusion
La résolution du problème du couplage électromécanique en régime statique a été
réalisée dans ce chapitre. L’interaction entre le système électrostatique et mécanique a été
notamment analysée. La prise en compte de cette interaction suit un schéma de couplage
numérique faible. Les deux problèmes sont ainsi traités séparément et résolus d’une façon
itérative. En effet, lors de chaque pas du processus itératif, le problème électrostatique
est résolu et les forces électrostatiques locales sont calculées. Celles-ci étant la source
du problème mécanique, la déformation de la structure mécanique est calculée. Cette
déformation modifie le champ électrostatique qui doit être recalculé après avoir déformé
le maillage du domaine électrique.
Cette approche a été validée en premier lieu sur un cas test dont l’une des grandeurs
caractéristiques a été mesurée. Un accord entre la valeur mesurée et la valeur calculée a
été constaté (2.6 % comme erreur relative). La convergence de cette méthode est ensuite
démontrée dans l’analyse en statique des poutres de type MEMS électrostatiques. La
tension de pull-in de chaque microstructure considérée a été déterminée et comparée à des
modèles analytiques. Un accord raisonnable entre les valeurs calculées et les valeurs de
référence a été également constaté (l’erreur relative ne dépasse pas 4 %).
Chapitre 4
Méthode de perturbation
4.1 Introduction
Le chapitre précédent a eu pour objet la présentation du problème du couplage élec-
tromécanique rencontré dans la modélisation des MEMS électrostatiques. La résolution de
ce problème s’est basée sur un couplage numérique faible. Cette approche a été illustrée
et validée avec succès sur des cas tests avec l’hypothèse de petits déplacements. Dans ces
exemples, un problème avec un maillage dit “élastique” a été considéré pour la prise en
compte de la déformation de la région d’air en fonction de la position de la structure mé-
canique. Néanmoins, dans le cas où la partie mobile d’un MEMS électrostatique effectue
un mouvement d’amplitude plus importante, la technique précédente conduit rapidement
à des maillages du domaine électrique ayant des éléments très distordus voire dégénérés.
Plusieurs méthodes ont été proposées dans la littérature pour traiter ce problème de
déformation critique du maillage. Par exemple, des techniques du remaillage permettent
de gérer la déformation du maillage de l’air suite à un déplacement de la structure mé-
canique. Afin d’obtenir des maillages homogènes et de qualité optimale, des algorithmes
fiables et automatisant ce remaillage sont nécessaires [Perrin-Bit and Coulomb, 1997]. Or
pour des modèles 3D de géométrie complexe, ces techniques peuvent exiger un temps de
calcul important. Une autre stratégie possible est d’utiliser une méthode hybride qui couple
des éléments frontières avec la méthode des éléments finis [Aluru and White, 1996, Farina
and Rozzi, 2001, Sabariego et al., 2003]. Le problème életrique est résolu d’une part par
la méthode des éléments frontières. Le problème mécanique est traité d’autre part par la
méthode des éléments finis. Dans cette configuration, l’interface air-structure est discré-
tisée par les éléments frontières, la discrétisation en volume de la région de l’air n’étant
plus indispensable. Le remaillage de cette région est ainsi évité. Néanmoins, la méthode
des éléments frontières implique un block plein dans la matrice du système total. La réso-
lution d’un tel système devient donc coûteuse au niveau du temps de calcul et des besoins
en mémoire, surtout lorsqu’il s’agit de traiter des modèles 3D de géométrie complexe.
Pour surmonter cette limitation, une technique d’accélération dite la méthode multipo-
laire rapide (Fast Multipole Method ou FMM) peut être utilisée [Greengard and Rokhlin,
1987, Rokhlin, 1993, Sabariego et al., 2003].
Dans ce chapitre, nous introduisons les étapes fondamentales d’une méthode originale
qui aura pour but de gérer, dans le cadre de la modélisation par éléments finis, le problème
du mouvement. Dans le cas particulier de la modélisation des MEMS électrostatiques, une
53
54 CHAPITRE 4. MÉTHODE DE PERTURBATION
telle technique permettra non seulement de s’affranchir du problème des distorsions du

maillage, mais aussi de réaliser des calculs à la fois plus efficaces en terme du temps de
calcul et plus précis.
La méthode originale proposée ici est une approche par sous-problèmes, appelée
méthode de perturbation. Elle consiste à subdiviser un problème entier en sous-
problèmes dont les solutions sont dites perturbations [Badics et al., 1997, Suhs et al.,
2002, Sabariego and Dular, 2007b, Dular and Sabariego, 2007, Boutaayamou et al.,
2007, Boutaayamou et al., 2008e]. La complexité du problème initial est ainsi diminuée
en ne se concentrant que sur les zones les plus pertinentes.
Dans le cadre du calcul d’un champ électrique avec des méthodes similaires à celle qui
est proposée ici, on peut citer l’approche de décomposition de domaine présentée dans
[Sebestyen, 2002]. Avec cette méthode, un problème global est résolu en premier lieu et sa
solution est utilisée ensuite dans un problème local. Le transfert de cette solution d’un pro-
blème à l’autre nécessite néanmoins des maillages conformes. Le maillage du domaine local
est en effet inclu dans le domaine global, tandis que la méthode de perturbation, traitée
ici, a pour objet de considérer des sous-problèmes employant des maillages complètement
indépendants entre eux.
Appliquée à un problème électrostatique, la méthode de perturbation s’inscrit dans le

schéma montré dans la figure (4.1).
Problème non perturbé Problème de perturbation

Solution source (résolution par MEF classique) + = Problème perturbé
Addition d’une région perturbatrice
Fig. 4.1 : Décomposition d’un problème électrostatique par la méthode de perturbation.
Un premier problème, dit non perturbé, est tout d’abord considéré dans le domaine
entier en l’absence de certaines régions conductrices et donc de toute finesse de maillage
qui pourrait y être associée. La taille de ce domaine peut également bénéficier d’une éven-
tuelle réduction par symétrie. Sa solution est déterminée soit par une méthode numérique
classique (par exemple, la méthode des éléments finis), soit analytiquement.
Cette première solution est ensuite utilisée comme source agissant sur le prochain
sous-problème, dit de perturbation, lorsque la région perturbatrice, au départ exclue du
domaine initial, y est ajoutée. Le sous-domaine, où cette région est définie, peut bénéficier
d’une taille réduite par rapport au domaine principal. Dans ce cas, une transformation
géométrique pour approximer la surface à l’infini de ce sous-domaine [Imhoff et al., 1990,
Henrotte et al., 1999] peut être utilisée. Le nombre d’inconnues correspondant au problème
de perturbation est ainsi minimisé. La région conductrice considérée peut être à potentiel
électrique flottant ou fixé. Notons que le résultat de l’addition des solutions respectives
des sous-problèmes, non perturbé et de perturbation, est, en fait, la solution du problème
complet, que l’on peut aussi appeler problème perturbé.
Par ailleurs, les maillages associés aux problèmes non perturbé et de perturbation sont
non seulement indépendants l’un de l’autre, mais ils sont adaptés, un maillage plus fin
étant, par exemple, utilisé aux voisinages des singularités géométriques propres à chaque
problème.
4.2. FORMULATIONS CONTINUES 55
La solution source est connue et discrétisée dans le maillage initial, c.-à-d. le support
du problème non perturbé. Sa prise en compte dans le sous-problème de perturbation
est effectuée par une méthode de projection de Galerkin [Jonhson, 1987, Geuzaine et al.,
1999]. De façon générale, cette méthode de projection permet d’interpoler une grandeur
locale, initialement discrétisée dans un maillage “source”, dans un autre maillage différent
du premier, dit “cible”.
Pour des positions relatives proches entre les régions source et perturbatrice, le cou-
plage électrique entre ces régions peut être significatif. Afin de calculer la solution totale,
une résolution itérative est mise en œuvre [Boutaayamou et al., 2008c,Boutaayamou et al.,
2008d]. Dans ce cas, les solutions des problèmes, non perturbé et de perturbation, sont
transférées tour à tour d’un maillage à l’autre pour tenir compte des corrections adé-
quates apportées par chaque sous-problème. Une succession de solutions perturbées est
ainsi calculée. La somme de ces résultats partiaux donne la solution totale lorsque la
convergence du processus itératif est atteinte. Dans le même contexte, deux techniques, le
procédé ∆2 d’Aitken [Weniger, 2000,Hautot, 2002a] et les approximants de Padé [Hautot,
2002a, Hautot, 2002b], sont considérées pour accélérer cette convergence.
La méthode de perturbation itérative est ensuite considérée pour une résolution plus
efficace et originale des systèmes électrostatiques en mouvement. L’objectif ici est d’ex-
ploiter les résolutions antérieures plutôt que d’entamer un nouveau calcul pour chaque
nouvelle position d’une région perturbatrice mobile. Pour ce faire, la source du problème
de perturbation associé à cette région lors de sa position courante, est calculée non seule-
ment en fonction de la solution du problème source mais aussi en tirant profit de toutes les
corrections déjà calculées dans la position précédente de cette région mobile [Boutaayamou
et al., 2008a].
Toutes les régions mobiles considérées dans cette thèse, sont supposées se déplacer avec
des faibles vitesses en l’absence de tout champ magnétique. L’hypothèse d’un problème
électrostatique est ainsi conservée.
La description de la méthode de perturbation itérative est présentée et détaillée dans

les sections suivantes. Les deux techniques d’accélération de la convergence, mentionnées
ci-dessous, sont également étudiées. L’analyse des systèmes électrostatiques contenant des
parties mobiles sera ensuite abordée dans le cadre de la modélisation par la technique de
perturbation itérative. Des cas tests, 1D, 2D et 3D, sont en outre traités afin d’illustrer et
valider la méthode proposée.
4.2 Formulations continues

4.2.1 Problèmes non perturbé et de perturbation
R
Soit le domaine Ω de 3 introduit précédemment dans la section (1.3.1). Un problème
électrostatique décrit par les équations de Maxwell (1.27)–(1.28), la loi de comportement
(1.29) et les conditions aux limites (1.30)–(1.31), est défini dans Ω. Rappelons également
la relation (1.32) qui exprime le champ électrique e en fonction du potentiel scalaire v,
c.-à-d. e = −grad v.
Dans ce chapitre, les indices u et p font référence respectivement aux grandeurs non
perturbée (en anglais : “unperturbed”) et perturbée ainsi qu’à leurs domaines associés.
Un premier problème électrostatique, dit non perturbé, est tout d’abord défini dans Ω
excluant la région conductrice Ωc,p. Utilisant la solution du problème non perturbé comme
source du problème de perturbation, celui-ci est résolu dans un domaine Ωp de frontière
Γp = Γe,p ∪ Γd,p incluant la région Ωc,p , dite perturbatrice. L’introduction du domaine Ωc,p
dans la configuration initiale perturbe en effet le champ électrique extérieur. La figure 4.2.1
montre, de façon schématique, les sous-problèmes considérés au sein de la méthode de
perturbation.
Γ = Γe ∪ Γd
Γp = Γe,p ∪ Γd,p
n
n Ωp
Ω
Γc,p
εu Ωc,p
εp
Γc v, e, d
vu , e u , d u
Ωc
n
Ω
Γc,p
Ωc,p
Γc
vp , e p , d p
Ωc
Fig. 4.2 : Définition des sous-problèmes non perturbé dans Ω (en l’absence de la région
perturbatrice Ωc,p ) et de perturbation dans Ωp . Les régions source Ωc et perturbatrice Ωc,p
appartiennent aux sous-domaines Ω et Ωp , respectivement. Le résultat de l’addition des
solutions respectives des sous-problèmes, non perturbé et de perturbation, est la solution
du problème complet (c.-à-d. le problème perturbé).
D’un point de vue discretisation, des maillages différents sont utilisés. Le domaine
source Ω est discrétisé tout à fait indépendamment de la région perturbatrice Ωp . Chaque
problème, non perturbé et de perturbation, bénéficie ainsi des maillages adaptés et donc
d’une réduction de la taille de ces maillages par comparaison à celle qu’aurait le problème
complet résolu avec les techniques classiques (par exemple, la méthode des éléments finis).
4.2.2 Problème de perturbation

En particularisant les équations et relations (1.27)–(1.29) aux problèmes non perturbé
et perturbé, nous obtenons les relations suivantes :
rot eu = 0 , div du = 0 , du = εu eu , (4.1a-b-c)

rot ep = 0 , div dp = 0 , dp = εp ep . (4.2a-b-c)
4.2. FORMULATIONS CONTINUES 57
Les équations (4.1b) et (4.2b) supposent qu’il n’y a pas de densité de charges électriques
dans les domaines considérés. La soustraction du système (4.1) de celui de (4.2) implique
les relations suivantes :
rot e = 0 , div d = 0 , d = εp e + (εp − εu ) eu , (4.3a-b-c)
avec e = ep − eu et d = dp − du . Vu la forme du système (4.3), il est clair qu’il s’agit

d’un modèle électrostatique classique. Défini par les champs dits de perturbation e et d, le
système (4.3) caractérise donc le problème de perturbation. Notons que celui-ci est défini
dans le domaine Ωp .
En outre, les sources du problème de perturbation sont calculées directement à partir

du problème non perturbé. Elles sont données par :
es = eu , ds = du . (4.4a-b)
Afin que le problème de perturbation soit entièrement défini, des conditions aux limites
doivent être ajoutées au système (4.3). Pour ce faire, il suffit de considérer uniquement la
composante tangentielle de es et la composante normale de ds . Les conditions aux limites
locales du système (4.3) sont ensuite obtenues par l’opposé des termes sources précédents,
telles que :
n ∧ e |Γe,p = −n ∧ es , n · d |Γd,p = −n · ds . (4.5a-b)
Sur la surface extérieure délimitant le domaine Ωp , les conditions aux limites (4.5a-b)
sont homogènes, c.-à-d. n ∧ es = 0 et n · ds = 0. Pour une région Ωc,p ayant les propriétés
d’un conducteur parfait, une condition aux limites du type Dirichlet non-homogène (4.5a)
est appliquée sur sa frontière Γc,p afin de tenir compte de la solution du problème non
perturbé, c.-à-d.
n ∧ es |Γc,p = n ∧ eu . (4.6)
Cette condition implique une condition de Dirichlet non-homogène sur le potentiel de
perturbation v. Celle-ci s’exprime en fonction du terme source vs telle que :
v |Γc,p = −vs avec vs = vu |Γc,p . (4.7)
Dans les régions où εp 6= εu , une source supplémentaire venant du problème non
perturbé, (εp − εu ) eu , doit être prise en compte dans (4.3c).
Dans le cas où la région Ωc,p est un conducteur parfait et les domaines Ω et Ωp ont
les mêmes permittivités électriques, εp et εu sont égales et seront notées ε. En combinant
(4.4b) et (4.5b), nous obtenons dans ce cas :
n · d |Γd,p = −n · du . (4.8)
Remarque :
Pour comprendre pourquoi le signe (−) est utilisé dans la relation (4.7), nous considé-
rons la relation qui permet de calculer le potentiel perturbé, c.-à-d. vp = vu + v.
Sur la surface Γc,p , cette relation s’écrit : vp |Γc,p = vu |Γc,p +v |Γc,p . Or, d’après (4.7),
nous obtenons :
vp |Γc,p = vu |Γc,p +v |Γc,p
= vu |Γc,p −vu |Γc,p +Cte
= Cte ,
où vp |Γc,p = Cte, est le potentiel fixé sur la surface Γc,p (condition de type Dirichlet
homogène). On voit clairement que le signe (−) permet de compenser le potentiel vu |Γc,p
lorsqu’on s’intéresse à calculer vp |Γc,p .
4.3 Formulations faibles

4.3.1 Formulation en potentiel scalaire du problème non perturbé
La formulation en potentiel scalaire d’un problème électrostatique, précédemment pré-
sentée dans la section (1.3.2), est utilisée ici pour calculer la distribution du champ élec-
trique non perturbé dans le domaine Ω. Cette formulation faible, particularisée au problème
non perturbé, s’écrit :
(−ε grad vu , grad v ′ )Ω − hn · du , v ′ iΓd = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) , (4.9)
avec Fv0 (Ω) est l’espace des fonctions-test v ′ (voir la section (1.3.2)). Le terme d’intégrale
de surface dans (4.9) peut être associé à une contrainte globale en terme de la charge
électrique ou utilisé pour fixer une contrainte naturelle sur une partie Γd de la frontière Γ.
4.3.2 Projection de la solution source

La formulation faible (4.9) nous a permis de calculer la solution du problème non
perturbé vu dans le domaine Ω. Maintenant, il s’agit d’évaluer cette solution dans le
domaine Ωp , le but étant de déterminer la source du problème de perturbation vs (4.7).
Pour ce faire, la méthode de projection de Galerkin, présentée dans [Geuzaine et al., 1999],
est utilisée. Cette approche permet en effet de projeter un champ appartenant à un espace
fonctionnel discret ou continu sur un espace fonctionnel discret en utilisant la méthode de
Gauss pour l’intégration numérique du champ considéré.
Dans le cas d’une région perturbatrice Ωc,p ayant les propriétés d’un conducteur parfait,
la projection de vu peut se limiter à la frontière Γc,p telle que :
hgrad vs , grad v ′ iΓc,p − hgrad vu , grad v ′ iΓc,p = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Γc,p ) , (4.10)

avec Fv0 (Γc,p ) est l’espace fonctionnel contenant vs et les fonctions-test associées v ′ . Au
niveau discret, vs est approximée dans l’espace des éléments finis nodaux W 0 .
Afin d’assurer l’unicité de la solution de (4.10), il est nécessaire d’imposer une condition
de jauge. En pratique, cette condition consiste à fixer la valeur d’un nœud appartenant à
Γc,p à une valeur arbitraire.
Par ailleurs, la projection de vu doit être étendue à tout le volume de Ωc,p dans le cas
d’une région perturbatrice ayant les propriétés d’un diélectrique. Notons également que
l’on considère directement la projection de grad vu afin d’assurer un meilleur comporte-
ment numérique. L’opérateur agissant sur les inconnues dans les équations caractérisant
le système, est en effet un gradient.
Il est important de noter que la projection (4.10) est effectuée sans fixer de conditions
particulières sur les propriétés de la source vu . Sa forme discrétisée générale est considérée.
Sa discrétisation peut être notamment réalisée avec des éléments d’ordres supérieurs.
4.4. CALCUL DES SOLUTIONS PERTURBÉES SUCCESSIVES 59
4.3.3 Formulation en potentiel scalaire du problème de perturbation

La formulation faible du problème de perturbation n’est autre que la formulation faible
classique d’un problème électrostatique défini dans le sous-domaine Ωp avec les grandeurs
de perturbation v et d, telle que :
(−ε grad v, grad v ′ )Ωp − hn · d, v ′ iΓd,p = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ωp ) , (4.11)
avec la prise en compte de la condition au limite de type Dirichlet non-homogène (4.7) et

les conditions aux limites (4.5a-b) sous leur forme homogène.
Lorsque l’on souhaite accéder à la valeur du champ électrique non perturbé

eu = −grad vu dans une région volumique du maillage associé au problème de perturba-
tion, la projection (4.10) de vu doit être étendue à cette région. Dans le cas où Ωc,p est un
conducteur parfait, cette projection est limitée uniquement à une seule couche d’éléments
finis entourant Γc,p dans Ωp \Ωc,p . Cette projection restreinte à une couche de transition
offre l’avantage de réduire le nombre d’inconnues mises en jeu impliquant un temps de
calcul minimisé. Le fait de connaı̂tre à la fois eu et e dans cette couche permet d’y dé-
terminer directement le champ électrique perturbé ep . Les charges et forces électriques,
apparaissant sur la surface Γc,p peuvent être ainsi calculées. Un exemple d’une telle couche,
qu’on notera pour la suite Ωl,p , est représenté à la figure (4.3).
Ωl,p
Ωc,p
Fig. 4.3 : Couche d’éléments finis qui touchent Γc,p dans Ωp \Ωc,p .
4.4 Calcul des solutions perturbées successives

Pour des positions relatives proches où le couplage électrique est significatif entre les
régions source et perturbée, la solution totale est obtenue par un processus itératif calculant
des solutions perturbées successives. Chaque solution est projetée tour à tour d’un maillage
à l’autre a fin de calculer la source agissant sur le prochain problème de perturbation et
calculer la perturbation correspondante.
Pour chaque itération i (i = 1, 2, . . . , N ), la distribution du potentiel scalaire électrique
v1,i est déterminée dans Ω, avec v1,1 = vu (notons que l’indice 1 dans v1,i fait référence aux
solutions calculées dans Ω). La projection de cette solution à partir de son maillage sur
celui associé au conducteur Ωc,p donne une source vs2,i pour le problème de perturbation,
avec vs2,1 = vs . La résolution de celui-ci permet de calculer un potentiel électrique v2,i et
la charge électrique correspondante contenue sur la surface Γc,p , avec v2,1 = v (notons que
l’indice 2 dans v2,i fait référence aux solutions calculées dans Ωp ). Ces grandeurs servent
à équilibrer le potentiel et la charge électriques sur la surface Γc .
Pour l’itération i + 1, une nouvelle source vs1,i+1 agissant sur la configuration initiale
est calculée à partir de la projection de v2,i depuis son maillage sur celui associé à Ω. Cette
projection peut être limitée à une seule couche d’éléments finis, notée Ωl , entourant Γc
dans Ω\Ωc , c.-à-d.
(grad vs1,i+1 , grad v ′ )Ωl − (grad v2,i , grad v ′ )Ωl = 0 , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ωl ) . (4.12)
Un problème de perturbation électrostatique, dont l’inconnue est v1,i+1 , est ensuite

défini dans Ω tel que :
(−ε grad v1,i+1 , grad v ′ )Ω − hn · d 1,i+1 , v ′ iΓd = 0 , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) , (4.13)
avec les conditions aux limites non-homogènes de types Dirichlet v1,i+1 = −vs1,i+1 |Γc , et
Neumann n · d1,i+1 = −n · d2,i |Γd . Notons que cette dernière condition n’est pas connue
sous une forme forte.
Par ailleurs, l’intégrale de surface de l’équation (4.13) peut être calculée grâce à la
formulation faible du problème {2, i} défini dans ce cas dans Ωl , tel que :
hn · d 1,i+1 , v ′ iΓd = −hn · d 2,i , v ′ iΓd

= −(−ε grad v2,i , grad v ′ )Ωl
= −(−ε grad vs1,i+1 , grad v ′ )Ωl , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ωl ). (4.14)
Le calcul du terme d’intégrale de surface hn · d1,i+1 , v ′ iΓd exploite ainsi la projection

de v2,i , déjà effectuée dans (4.12), impliquant l’évaluation de vs1,i+1 .
Le processus itératif traitant une succession de problèmes de perturbation est illustré

dans le diagramme (4.5). Les étapes de ce schéma sont réitérées jusqu’à l’obtention de la
convergence de la grandeur locale du potentiel électrique. La solution totale se présente
ainsi sous forme de la somme d’une série dont le terme global est une somme partielle de
solutions perturbées. Le calcul du potentiel électrique total est donné par :
vp = v1 + v2
N
X N
X
= v1,i + v2,i . (4.15)
i=1 i=1
La figure (4.4) montre le résultat de l’application de l’approche proposée dans le cas de

deux sous-problèmes, le sous-problème p = 1 étant choisi comme le problème de référence
(ou le problème source).
Intéressons-nous à présent à la définition d’un critère d’arrêt du processus itératif
indiquant que la convergence est atteinte. A partir de la série (4.15), nous considérons la
somme partielle approximant la solution totale (par exemple dans Ωp ) à l’étape i, c.-à-d.
i
X i
X
vp,i = v1,i + v2,i , i = 1, 2 . . . , N. (4.16)
j=1 j=1
Nous considérons que l’approximation vp,i+1 est suffisamment proche de la solution vp

si le résidu relatif, défini ci-après, est en dessous d’une valeur seuil εerr , c.-à-d.
v
p,i+1 − vp,i

6 εerr (4.17)
vp,i+1

4.4. CALCUL DES SOLUTIONS PERTURBÉES SUCCESSIVES 61
+ v1,1 + v2,1
+ v1,2 + v2,2
+ v1,3 + v2,3
+ v1,4 + v2,4
Convergence
vp = v1 + v2
N
X N
X
= v1,i + v2,i
i=1 i=1
Fig. 4.4 : Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées dans chaque sous-problème et
la solution totale vp du problème complet (après convergence). Le sous-problème d’indice
{1} est ici choisi comme le problème de référence (ou le problème source).
Ω\Ωc,p Ωp
v2,1 |Γc,p = −vs2,1 avec vs2,1 = v1,1 |Γc,p

it1 : v1,1 = vu v2,1 = v
v1,2 |Γc = −vs1,2 avec vs1,2 = v2,1 |Γc

it2 : v1,2 v2,2
v1,3 |Γc = −vs1,3 avec vs1,3 = v2,2 |Γc

it3 : v1,3 v2,3
Fig. 4.5 : Calcul des solutions perturbées successives.
4.5 Calcul des charges électriques

Comme nous l’avons introduit dans le paragraphe (1.3.3), l’utilisation du terme d’inté-
grale de surface de la formulation faible (4.11) entraine une définition naturelle de la charge
électrique et permet de la calculer en post-traitement. Pour ce faire, nous considérons une
fonction-test v ′ égale à l’unité sur la surface Γc,p et variant continûment vers la valeur
zéro dans la couche d’éléments Ωl,p entourant Γc,p dans Ωp \Ωc,p . Le calcul de la charge
électrique est réalisé par l’intégrale volumique (4.11) limitée à la couche de transition Ωl,p ,
tel que :
Qp = Qu + Q
= −(−ε grad vs , grad v ′ )Ωl,p − (−ε grad v, grad v ′ )Ωl,p . (4.18)
Notons que le calcul de la charge Qu utilise le potentiel source vs . La projection de vu

était donc nécessaire dans la couche d’éléments finis Ωl,p afin d’y moyenner vs .
Dans le cas d’un processus itératif, la charge totale sur la surface Γc,p peut être calculée
en sommant les charges élémentaires obtenues lors de chaque itération i. Cela est possible
car la charge dépend linéairement du potentiel électrique. Nous obtenons ainsi une série
dont les termes sont des charges et la limite est la charge totale, c.-à-d.
N
X N
X
Qp = Q1,i + Q2,i . (4.19)
i=1 i=1
4.6 Calcul des forces électriques

Le calcul local des forces électriques apparaissant sur la surface des régions conductrices
est réalisé par la méthode des travaux virtuels décrite dans la section (2.3).
Si l’on s’intéresse par exemple à calculer ces forces sur la surface de Ωc,p , le champ
électrique associé doit être tout d’abord calculé. Comme nous l’avons vu précédemment,
4.7. ACCÉLÉRATION DE LA CONVERGENCE 63
le champ électrique perturbé ep peut être déterminé dans la couche de transition Ωl,p
entourant Γc,p dans Ωp \Ωc,p . La connaissance de ce champ dans une seule couche d’éléments
finis permet de calculer la force. Nous rappelons ci-après la contribution d’un élément Ωe
dans l’estimation de la force électrique locale dans la direction d’un déplacement virtuel
r, c.-à-d.
ε ∂J ∂|J|
Z
Fr = (−2 ep J −1 ep + ep ep ) dΩe . (4.20)
Ωe 2 ∂u ∂u
Dans le cas d’un processus itératif, la force électrique totale ne peut pas se calculer
par simple sommation de forces élémentaires déterminées à chaque itération i, comme
c’est le cas pour la charge électrique totale. La force dépend en effet du carré de ep . Cette
dépendance est donc non linéaire. Il est donc nécessaire de calculer tout d’abord un champ
électrique total avant de pouvoir appliquer (4.20). A l’itération i, ce champ correspond à
la somme partielle suivante :
i
X i
X
ep,i = e1,i + e2,i , i = 1, 2 . . . , N. (4.21)
j=1 j=1
Lorsque ep,i est remplacé dans (4.20), on obtient la force électrique locale Fr,i évaluée
aux nœuds de la surface Γc,p à l’itération i. La force globale est obtenue en sommant les
forces calculées dans tous les nœuds de Γc,p.
4.7 Accélération de la convergence

4.7.1 Introduction
Un processus itératif est généralement utilisé au sein de la méthode de perturbation
afin d’améliorer la précision de la solution totale. Notons par (Sn )n∈N0 la série construite
lors des calculs successifs des solutions perturbées, le terme générale Sn étant défini comme
la solution du problème perturbé à l’itération n. Lorsque l’on s’intéresse par exemple à
déterminer le potentiel électrique total dans Ωp , celui-ci est obtenu comme la limite de la
série dont les sommes partielles sont définies par :
n
N0 ,
X
Sn = si , ∀n ∈ (4.22)
i=1
où : si = v1,i + v2,i (i = 1, 2, . . . , n). Et si l’on s’intéresse à calculer la charge électrique sur
la surface de Ωc,p, il s’agit de déterminer la limite de la série précédente avec si = Q1,i +Q2,i
(i = 1, 2, . . . , n). Une relation équivalente peut être définie pour le champ électrique.
Considérons dans ce paragraphe cette série (Sn )n∈N0 représentative de l’ensemble des
solutions locales et globales du problème électrique considéré. On suppose ici qu’elle est
convergente et sa limite est notée S (c.-à-d. vp , Qp ou ep ). Comme nous l’avons mentionné
précédemment, plusieurs itérations sont parfois nécessaires pour obtenir une solution suffi-
samment précise (voire correcte) lorsque la région perturbée est proche de la région source.
Une procédure d’accélération de convergence est alors considérée. Une telle technique se
base sur l’idée d’une procédure d’extrapolation en définissant une transformation de suites.
Elle consiste en pratique à transformer la série (Sn )n∈N0 en une nouvelle suite (An )n∈N0
qui converge plus rapidement vers la même limite S. Parmi les transformations traitées
ici, le procédé ∆2 d’Aitken et les approximants de Padé.
4.7.2 Procédé ∆2 d’Aitken

Le procédé ∆2 d’Aitken est une méthode d’accélération non linéaire. Etant donnée
la série (Sn )n∈N0 , il consiste à la transformer en une nouvelle suite (An )n∈N0 telle que
[Weniger, 2000] :
2
An =
Sn · Sn+2 − Sn+1
Sn+2 − 2Sn+1 + Sn
, ∀n ∈ 0 . N (4.23)
Ce procédé conserve la limite de la série de départ. Par ailleurs, une des classes de
séries présentant des propriétés favorables pour être accélérées par la technique d’Aitken,
appartient au noyau de transformation suivant :
Sn = S + c λn , c 6= 0 , |λ| =
6 0, ∀n ∈ N0 . (4.24)
Dans le cas où l’on considère que (Sn )n∈N0 est convergente, |λ| doit être inférieur à 1.
Dans (4.24), le procédé ∆2 d’Aitken se présente comme une méthode d’extrapolation par
une exponentielle. Il considère les trois termes consécutifs Sn , Sn+1 et Sn+2 et calcule leur
meilleur ajustage par (4.23).
4.7.3 Approximants de Padé

Soit f une fonction définie dans R à valeurs dans R. Considérons le développement en
série de Maclaurin de f , c.-à-d.
f (x) = a0 + a1 x + a2 x2 + a3 x3 + . . . (4.25)
Le problème posé par Padé est de trouver une approximation de f sous forme de
fractions rationnelles dépendant de la variable x. Un tel approximant, noté [l/m], peut
s’écrire comme suit [Hautot, 2002a] :
b0 + b1 x + · · · + bl x l
[l/m] = , (4.26)
c0 + c1 x + · · · + cm xm
avec bl 6= 0 et cm 6= 0. Les coefficients bi et ci sont tels que le développement de
[l/m] en série de Maclaurin coı̈ncide avec celui de f (x). Cette propriété se traduit par
[l/m] − f (x) = O(z l+m+1 ) et implique le système suivant :
X m
ak−i ci = −bk si k = 0, . . . , l,





i=0
X m (4.27)



 ak−i ci = 0 si k = l + 1, . . . , l + m.

i=0
La détermination des approximants de Padé de f revient alors à résoudre le système

(4.27). Les premiers approximants de Padé sont présentés dans la table (4.1).
Notons que le calcul de tous les éléments de la table (4.1) n’est pas nécessaire. Les
approximants diagonaux [l/l] et paradiagonaux [l ± 1/l] sont suffisants. En effet, ces ap-
proximants accélèrent en pratique le mieux la convergence de la série de départ [Hautot,
2002a].
Revenons à présent à la série (Sn )n∈N définie précédemment et intéressons-nous à la
façon avec laquelle les approximants de Padé peuvent être exploités pour accélérer sa
4.7. ACCÉLÉRATION DE LA CONVERGENCE 65
l\m 0 1 2 3 4
0 [0/0] [1/0] [2/0] [3/0] [4/0]
1 [0/1] [1/1] [2/1] [3/1] ...
2 [0/2] [1/2] [2/2] ... ...
3 [0/3] [1/3] ... ... ...
4 [0/4] ... ... ... ...
Tab. 4.1 : Les premiers approximants de Padé.
convergence. Pour ce faire, on considère tout d’abord une suite (un )n∈N [Rhoades-Brown
et al., 1980] définie par :
u0 = S0 ,
ui = Si − Si−1 , i = 1, 2, . . . , n. (4.28)
Utilisant les termes de la suite (un )n∈N , une série (Pn (x))n∈N est construite telle que :
n
X
Pn (x) = ui xi . (4.29)
i=0
Par construction, la somme partielle Sn est obtenue en additionnant les n+1 termes de
la série (Pn (x))n∈N évaluée en x = 1, c.-à-d. Sn = Pn (1). L’accélération de la convergence
de la (Sn )n∈N revient donc à considérer les approximants de Padé du polynôme Pn (x),
d’ordre n, évalué en x = 1.
Remarques :
• Il est intéressant de remarquer que la première ligne de la table des approximants
de Padé (c.-à-d. [l/1]) peut être obtenue par application du procédé ∆2 d’Aitken à
la suite [l/0]. On démontre en effet que [Hautot, 2002a] :
[l + 1/0] [l − 1/0] − [l/0]2

[l/1] = (4.30)
[l + 1/0] + [l − 1/0] − 2 [l/0]
avec la condition initiale [−1/0] = 0.
• L’algorithme QD de Rutishauser [Hautot, 2002b] peut être utilisé afin d’ex-
traire la suite des approximants de Padé diagonaux et paradiagonaux, c.-à-d.
[0/0], [0/1], [1/1], [1/2], . . . Nous rappelons ci-après les propriétés de cet algorithme.
Considérons le développement en série (4.25) de la fonction f . L’application de l’al-
gorithme QD permet d’établir la relation suivante :
∞
X a0
f (x) = ai xi = (0)
(4.31)
q1 x
i=0 1− (0)
e x
1− 1
(0)
q2 x
1−
(0)
e x
1− 2
..
1− .
Le développement en série du terme de droite coı̈ncide ainsi, lorsqu’il converge, avec
(n) (n)
celui de f aussi loin que possible. Les termes qk et ek sont calculés récursivement
par l’algorithme QD, avec :


e0(n) = 0 , n = 0, 1, . . .
(n) an+1 (4.32)
q1 = an , n = 0, 1, . . .

(n) (n+1) (n+1) (n)
ek = ek−1 + qk
 − qk , k = 0, 1, . . . ; n = 0, 1, . . .
(n+1)
(n) ek (n+1) (4.33)
qk+1 =
 (n)
ek
qk , k = 0, 1, . . . ; n = 0, 1, . . .
4.8 Prise en compte du mouvement

Dans cette section, nous présentons une extension de la méthode de perturbation ité-
rative pour des résolutions efficaces et originales des systèmes électrostatiques avec du
mouvement. La solution, qui sert de source aux problèmes de perturbation dans chaque
nouvelle position des parties mobiles, est maintenant calculée non seulement en fonction
de la solution du problème de référence, mais aussi en exploitant toutes les corrections
déjà calculées lors des positions précédentes. La procédure itérative est ainsi accélérée
[Boutaayamou et al., 2008a].
Dans le cadre de la modélisation du problème de mouvement par la méthode de pertur-
bation itérative, la position de la région perturbatrice Ωc,p à chaque instant t est donnée
par exemple pour une trajectoire connue au préalable, ou bien par la résolution d’un pro-
blème mécanique calculant les déplacements de Ωc,p. Dans ce dernier cas, un problème de
couplage électromécanique est considéré. Dans cette thèse, la résolution d’un tel problème
est réalisée par un couplage numérique faible (voir la section (3.2.2)). Par ailleurs, les
problèmes électrostatiques considérés ici sont traités par une procédure pas à pas dans le
temps. Il s’agit d’un schéma itératif en θ employant la méthode d’Euler pour la résolution
des systèmes d’équations différentielles. Selon la valeur de θ, ce schéma est dit explicite
(θ = 1), implicite (θ = 1) ou de Crank-Nicholson (θ = 1/2) [Dular, 1996, Leconte, 2002].
A l’instant initial t0 (c.-à-d., à la position initiale), un problème de type (4.1a-c) est

considéré comme le problème de référence ou le problème source. Sa solution v1 , calculée
dans Ω par une relation analogue à (4.15), sera exploitée comme décrit ci-après.
A l’instant t1 = t0 + ∆t, le conducteur Ωc,p se déplace et la solution précédemment
calculée (à t0 ) améliore la source du problème de perturbation défini dans Ωp à l’itération
i = 1 tel que :
v2,1 |Γc,p = −v1 . (4.34)
Dans (4.34) la source v1 est clairement améliorée puisqu’elle tient compte de tous les
calculs précédemment réalisés au cours de la première position. La solution du problème
de perturbation {2, 1} bénéficie dès lors de toutes ces corrections adéquates déjà déter-
minées. Le nombre d’itérations nécessaire pour la convergence de vp est par conséquent
considérablement réduit.
Nous considérons ensuite le problème de référence à l’itération i = 2. La solution v1 qui
a servi de source au problème de perturbation précédent, doit être compensée à cette ité-
ration. La condition aux limites de type Dirichlet non-homogène du problème de référence
doit être en effet corrigée telle que :
v1,2 |Γc = −v2,1 − (v1 − v1,1 ). (4.35)

4.8. PRISE EN COMPTE DU MOUVEMENT 67
où v1,1 est la correction calculée à l’itération i = 1 à t0 .
Démonstration
Les exposants t0 et t1 font référence dans la suite aux potentiels calculés lors des
positions initiale et courante, respectivement.
Afin de démontrer (4.35), nous considérons la solution perturbée vpt1 dans le domaine
Ω à l’itération i = 2. D’après (4.15), nous avons :
vpt1 = v1t1 + v2t1

t1 t1 t1
= (v1,1 + v1,2 ) + v2,1 , (4.36)
t1
où v1,1 = v1t0 , dans Ω.
Considérons ensuite la valeur de vpt1 sur la frontière Γc . D’après (4.36), elle est donnée
par :
t1 t1 t1
vpt1 |Γc = (v1,1 |Γc +v1,2 |Γc ) + v2,1 |Γc
= (v1t0 |Γc +v1,2
t1 t1
|Γc ) + v2,1 |Γc . (4.37)
Par ailleurs, grâce à (4.15), nous savons que :

N
X
v1t0 |Γc = t0
v1,i |Γc
i=1
N
X
t0 t0
= v1,1 |Γc + v1,i |Γc . (4.38)
i=2
t0
Or, vpt1 |Γc et v1,1 |Γc font référence au même potentiel qui a été imposé sur la surface
Γc comme condition de type Dirichlet homogène. Ces deux potentiels sont donc égaux sur
Γc . La relation (4.37) devient :
N
X
t1 t1 t0
v1,2 |Γc = −v2,1 |Γc − v1,i |Γc . (4.39)
i=2
En combinant (4.38) et (4.39), nous obtenons la condition (4.35) recherchée, c.-à-d.

t1 t1
v1,2 |Γc = −v2,1 |Γc −(v1t0 |Γc −v1,1
t0
|Γc ) .
Dans les prochaines itérations i ≥ 2, les problèmes de perturbation considérés sont ré-
solus de façon analogue. Le procédé itératif est réitéré jusqu’à l’obtention de la convergence
pour une tolérance donnée.
Ces étapes de la résolution restent les mêmes pour les prochaines positions de la région
mobile Ωc,p (c.-à-d. les prochains pas de temps).
4.9 Illustration et validation

Un exemple simple d’électrostatique à une dimension est tout d’abord traité pour une
première illustration du principe de la méthode de perturbation itérative. Elle sera ensuite
validée sur un problème 2D. Par ailleurs, le processus itératif est utilisé pour améliorer la
précision de la solution avec une technique d’accélération de convergence (par exemple,
procédé ∆2 d’Aitken, approximants de Padé).
4.9.1 Cas test 1D

x
V0 = 1V
Vc = 0V
∞ d ∞
Air ε
d1
0
V0′ = −1V
Fig. 4.6 : Conducteur à potentiel fixé (région de perturbation) entre deux électrodes d’un
condensateur (régions source).
Le système étudié est représenté à la figure (4.6). Il s’agit de deux électrodes infinies
parallèles séparées d’une distance d et fixées à une différence de potentiel ∆V = 2V (l’une à
V0 = 1V et l’autre à V0′ = −1V). Entre les deux plaques, un conducteur long, à potentiel
fixé à Vc = 0V , est placé à une distance d1 de l’électrode fixée à V0′ . Cet exemple se ra-
mène à un problème unidimensionnel dans l’intervalle x ∈ [0, d]. Les grandeurs électriques
considérées sont ainsi calculées selon la direction x.
Pour appliquer la méthode de perturbation, on décompose le problème total en deux
sous-problèmes. Le premier est défini dans un système composé des deux plaques seules en
l’absence du conducteur. C’est le problème non perturbé. Le deuxième est défini dans un
sous-domaine comportant la région perturbatrice, le conducteur soumis au potentiel Vc .
C’est le problème de perturbation. L’objectif est de déterminer la répartition du potentiel
et champ électriques perturbés pour tout x dans [d1 , d]. Les mêmes démarches de résolution
sont appliquées pour trouver les solutions perturbées dans l’intervalle [0, d1 ].
La distribution du potentiel non perturbé est tout d’abord calculée entre les deux
électrodes pour tout x dans [0, d], c.-à-d. le conducteur perturbateur est exclu. Cette
solution est ensuite évaluée à la position x = d1 (c.-à-d. la position qu’occuperait le
conducteur si le problème complet était considéré) et permet d’obtenir la source pour le
problème de perturbation. Celui-ci n’est qu’un problème d’électrostatique défini dans un
sous-domaine qui entoure le conducteur. Dans ce problème, nous considérons que la surface
à l’infini est fixée à un potentiel nul. Par ailleurs, la précédente source (au signe près) est
appliquée comme condition aux limites de type Dirichlet non-homogène sur la surface du
conducteur perturbateur. Une fois calculée, le potentiel de perturbation, est évaluée à la
distance x = d (la position de l’électrode au potentiel V0 ) corrigeant ainsi la configuration
initiale. Ce schéma itératif de résolution est illustré dans le diagramme (4.7).
x
Γc,1
V0
Γc,p
Vc = 0 V
d
d1
0
V′ 0
v2,1 |Γc,p = −vs2,1 = − dd1 V0

it1 : v1,1 = xd V0 v2,1 = − dd1 V0
d1
v1,2 |Γc,1 = −vs1,2 = d V0
v2,2 |Γc,p = −vs2,2 = −( dd1 )2 V0

it1 : v1,2 = x d1
d d V0 v2,2 = −( dd1 )2 V0
v1,3 |Γc,1 = −vs1,3 = ( dd1 )2 V0
v2,3 |Γc,p = −vs2,3 = ( dd1 )3 V0

it3 : v1,3 = xd ( dd1 )2 V0 v2,3 = −( dd1 )3 V0
Fig. 4.7 : Calcul des solutions perturbées successives pour un problème électrostatique
unidimensionnel ( x ∈ [d1 , d]).
Le problème complet a la solution analytique suivante :

x − d1
v(x) = V0 , ∀x ∈ [d1 , d] . (4.40)
d − d1
D’après le diagramme (4.7), nous constatons que la résolution du problème par la

méthode de perturbation itérative conduit à la série de potentiels électriques suivante :
hx d i h x d1 i h 2 x d1 i
1
v(x) = V0 + − V0 + r V0 + − r V0 + r V0 + − r 2 V0 + . . .
d d d d d d
∞
x − d1 X
= V0 ri , ∀x ∈ [d − d1 , d] (4.41)
d
i=0
avec r = dd1 . Notons que c’est une série géométrique de raison r. Puisque r = dd1 6 1, la
convergence est assurée. Remarquons également que sa limite, v(x) = x−d d−d1 V0 , coı̈ncide
1
avec la solution analytique (4.40). Pour la suite, l’erreur relative est calculée par rapport
à la solution analytique (4.40).
La figure (4.8) montre le potentiel électrique perturbé, vp , calculé sur la surface de

l’électrode (la région source) et sur celle du conducteur perturbateur lors de chaque itéra-
tion i. L’évolution de la composante ex du champ électrique perturbé est également montré
dans la figure (4.9). Pour des positions relatives proches entre les deux conducteurs consi-
dérés, un couplage électrique significatif est constaté et plusieurs itérations sont nécessaires
pour atteindre la convergence (c.-à-d., l’erreur relative est inférieure à 1%). Par exemple
le nombre d’itérations est 43 lorsque d1 = 0.9 d.
0.8
0.6
V (V)
Electrode (région source)
0.4 Conducteur (d1 = 0.1 d)
0.2
0
1 2 3 4 5 6 7
Itérations
1
0.8
0.6
V (V)

0.2
0
1 3 5 7 9 11
Itérations
0.8
0.6
V (V)

0.2
0
1 10 20 30 40 50 60
Itérations
Fig. 4.8 : Convergence du potentiel électrique perturbé suivant la position relative du

conducteur, fixé au potentiel Vc = 0V , par rapport à l’électrode fixée à V0 = 1V .
Par ailleurs, la somme partielle de la série (4.41) donnée par :

n
x − d1 X
vn (x) = V0 ri , i = 0, 1, . . . , n, (4.42)
d
i=0
peut se mettre sous la forme suivante :
vn (x) = v(x) + c λn , (4.43)

x−d1
avec v(x) = d−d1 V0 , c = − x−d
d V0 et λ = r ∈ [0, 1].
1
10
d1 = 0.1 d
ex (V/m)
d1 = 0.5 d
d1 = 0.9 d
1.11
1
1 10 100
Itérations
100
d1 = 0.1 d
d1 = 0.5 d
Erreur relative de ex (%)
d1 = 0.9 d
10
0.1
1 10 100
Itérations
Fig. 4.9 : Convergence de la composante ex du champ électrique perturbé crée entre

l’électrode, fixée à V0 = 1V , et le conducteur fixé à Vc = 1V (en haut) et l’erreur relative
(en bas) en fonction du nombre d’itérations.
La série (4.41) est donc de type (4.24) et se prête bien pour être accélérée par le procédé
∆2 d’Aitken. L’application de cette technique a permis par exemple d’obtenir une erreur
relative inférieure à 1% de la solution dès la 3ième itération au lieu de 43 pour d1 = 0.9 d.
4.9.2 Cas test 2D

Le deuxième cas test considéré pour valider et illustrer la méthode de perturbation
itérative, est l’étude d’un conducteur, à potentiel fixé, plongé dans un champ électrique
extérieur. Le système étudié est représenté dans la figure (4.10). Afin de valider les résultats
obtenus avec la méthode de perturbation, l’erreur relative associée est calculée par rapport
aux résultats de calcul par éléments finis du problème complet.
Le problème non perturbé Ω est défini dans le domaine délimité par les deux électrodes
Ωc d’un condensateur. La longueur et la distance entre les armatures sont identiques et
égales à 200 µm. Une différence de potentiel électrique ∆V = 1 V est appliquée (l’électrode
supérieure est au potentiel 1 V et l’inférieure à 0 V).
Le problème de perturbation est défini dans un domaine Ωp contenant le conducteur et
son voisinage. Il s’agit d’un conducteur carré de côté égal à 20 µm et dont sa distance par
rapport à l’électrode au potentiel 1 V est notée d. Contrairement au cas test précédent, la
géométrie du conducteur perturbateur est choisie pour mettre en valeur la prise en compte
V = 1V
d
A1 M1 A2
M2
X
A4 A3
Vc = 0.7 V
Air
ε0
V = 0V
Fig. 4.10 : Conducteur à potentiel fixé (région de perturbation) entre deux électrodes
d’un condensateur (régions source).
Z X
Fig. 4.11 : Maillage de Ω (à gauche) et un maillage adapté de Ωp (à droite).
des effets de bords par la méthode proposée. En outre, ce conducteur est fixé au potentiel
0.7 V.
La figure (4.11) montre des exemples de maillages des problèmes non perturbé et de
perturbation. La finesse de chaque maillage est adaptée au problème associé. Par exemple,
un maillage plus fin au voisinage des coins du conducteur perturbateur est utilisé afin de
tenir compte correctement des effets de bords. Notons également que toute intersection
entre les frontières de chaque sous-problème est autorisée, leurs maillages associés étant
générés complètement indépendamment l’un de l’autre.
La figure (4.12) montre la suite des solutions mises en jeu dans la méthode de pertur-
bation appliquée à un problème électrostatique, à savoir : les champs non perturbés vu (a)
et eu (c), les champs de perturbation v (b1 ) et e (d1 ), et les champs perturbés vp (b2 ) et
ep (d2 ).
(b1 ) (b2 )
(a)
(d1 ) (d2 )
(c)
Fig. 4.12 : Champs non perturbés vu (a) et eu (c) ; champs de perturbation v (b1 ) et e
(d1 ) ; champs perturbés vp (b2 ) et ep (d2 ).
La résolution d’une suite de problèmes de perturbation est réalisée pour la position

d = 20 µm. L’erreur relative de vp et celle de ep,y , la composante y de ep , sont calculées
au voisinage du côté [A1 A2 ] du conducteur. La figure (4.13) montre l’évolution de cet
écart lors des itérations successives i. Le calcul de vp et ep,y a convergé (c.-à-d., erreur
relative inférieure à 1%) après 8 et 12 itérations, respectivement. Le procédé ∆2 d’Aitken
est ensuite considéré. Avec cette technique, le processus itératif converge plus rapidement
moyennant seulement 4 itérations (voir les figures (4.14)). Un résultat similaire est obtenu
par le calcul des premiers approximants de Padé pour vp et ep,y (voir les figures (4.15)).
Notons que l’approximant [1/1] coı̈ncide avec le résultat à l’itération 3 lorsque le procédé
∆2 d’Aitken est appliqué. Par ailleurs, la précision de ep,y est plus améliorée, au voisinage
du conducteur Γc,p , avec l’approximant [1/2] qu’avec le procédé ∆2 Aitken à l’itération 4
(voir la figure (4.17)).
Le calcul de la charge Qp et la force électriques Fp apparaissant sur la surface du
conducteur est ensuite considéré. Fp désigne ici la force totale obtenue par la somme des
forces électriques calculées aux nœuds de [M1 A2] ∪ [A2 M2 ], M1 et M2 étant les milieux des
côtés [A1 A2 ] et [A2 A3], respectivement (voir la figure (4.10)).
La figure (4.16) montre la convergence du Qp et Fp en fonction des itérations i. Le
calcul de Qp et Fp a convergé (erreur relative inférieure à 1%) après 13 et 14 itérations,

respectivement. Notons que Qp et Fp convergent pratiquement en même temps que ep .
Par ailleurs, l’utilisation du procédé d’Aitken permet de réduire le nombre d’itérations
nécessaire pour atteindre cette convergence pour le ramener à 4 et 5, respectivement.
10 it = 01
it = 05
Erreur relative de vp (%) 5 it = 07
it = 08
0.1
-40 -20 0 20 40
Position selon x (µm) (coupe suivant la ligne passant par [A1A2])
50
Erreur relative de ep,y (%)
it = 01
it = 08
it = 11
5 it = 12
0.5
0.3
−40 −20 0 20 40
Fig. 4.13 : Erreur relative de vp (en haut) et de la composante y de ep (en bas) calculée
lors des itérations i.
Ensuite, on résout le problème de perturbation pour plusieurs positions relatives d du

conducteur. On considère que le processus itératif a convergé lorsque l’erreur relative de vp ,
eu , Qp et Fp est en dessous de 1%. Dans la table (4.2), le nombre d’itérations requises pour
atteindre la convergence avec (chiffré entre parenthèses) et sans application du procédé
∆2 d’Aitken est indiqué.
Comme prévu, la convergence est plus lente (plus d’itérations sont nécessaires) lorsque
le conducteur est proche de l’électrode au potentiel 1 V. Notons également que eu , Qp
et Fp convergent pratiquement en même temps pour chaque position d. L’application du
procédé ∆2 d’Aitken permet en outre d’accélérer le calcul plus rapide.
5
1 Aitken−it = 3
Aitken−it = 4
Erreur relative de vp (%)

0.1
1e−5
−40 −20 0 20 40
6
0.1
Aitken-it = 3
Aitken-it = 4
5e-3
-40 -20 0 20 40
Fig. 4.14 : Application du procédé ∆2 d’Aitken au calcul itératif de l’erreur relative de

vp (en haut) et de la composante y de ep (en bas).
d(µm) vp (V) ep (V/m) Qp (C) Fp (N)

5 20(5) 31(5) 31(6) 35(6)
10 13(4) 19(5) 20(6) 22(6)
20 8(3) 12(4) 13(4) 14(5)
50 1(-) 3(3) 10(4) 4(4)
Tab. 4.2 : Nombre d’itérations pour atteindre la convergence sans/avec l’utilisation du

procédé ∆2 d’Aitken (entre parenthèses) en fonction de la position relative d entre le
conducteur au potentiel 0.7 V et l’électrode potentiel au 1 V.
4.9.3 Modèle 2D d’un actionneur électrostatique de type peigne

L’analyse du mouvement au sein d’un actionneur électrostatique de type peigne (voir
la section (2.5.2)) est traité dans ce cas test par la méthode proposée. Le système étu-
dié est représenté à la figure (4.18). Il s’agit d’une cellule composée d’un doigt mobile
et d’une électrode fixe où L = 10 µm, b = 2 µm et g = 2 µm. Le repère (O, x, y) est ici
lié à l’électrode fixe. L’application d’une différence de potentiel électrique entre les deux
conducteurs permet de créer des forces électriques entraı̂nant le doigt mobile à l’intérieur
de l’électrode fixe suivant la direction x. Ce déplacement est ici paramétré par l’abscisse x
10
5
1
Erreur relative de vp (%)

0.1
1e−4
[0/0]−it = 1 [1/1]−it = 3
[0/1]−it = 1 [1/2]−it = 4
−40 −20 0 20 40
50
10
0.1
0.01
0.001
[0/0]-it = 1 [1/1]-it = 3
[0/1]-it = 1 [1/2]-it = 4
-40 -20 0 20 40
Fig. 4.15 : Approximants de Padé accélérant la convergence de vp (en haut) et de ep,y

(en bas).
Qp
70 Qp−Aitken
Fp
Fp−Aitken
Erreur reative (%)
10
0.1
0.02
1 3 5 7 9 11 13
Itérations
Fig. 4.16 : Convergence de Qp (la charge sur la surface du conducteur perturbateur) et

de Fp (la force totale calculée sur [M1 A2] ∪ [A2 M2 ]) lors des itérations i.
du point A1 (x, b/2) appartenant au doigt mobile, l’instant initial t0 correspondant à x = 0.

La différence du potentiel est en outre fixée à 5 V (le doigt mobile est au potentiel −2.5 V
et l’électrode fixe à 2.5 V). La surface extérieure approximant l’infini est fixée à 0 V.
10

0.1
0.01
0.001
[1/2]-it = 4 [1/1]-it = 3
Aitken-it = 4 Aitken-it = 3
-40 -20 0 20 40
Fig. 4.17 : Comparaison entre les résultats obtenus avec l’approximant [1/2] et le procédé
∆2 d’Aiken à l’itération 4.
Y Electrode fixe
Doigt mobile g
A1
b 0 X
L A2 L
Air ε0 b
Fig. 4.18 : Modèle 2D d’une cellule de peignes d’un actionneur électrostatique avec un
doigt pouvant se déplacer dans la direction x.
Le problème de référence est défini dans le domaine Ω contenant l’électrode fixe (c.-
à-d., Ωc ). Un deuxième problème est ensuite considéré dans le domaine Ωp contenant le
doigt mobile (c.-à-d., Ωc,p ). Des exemples de leurs maillages associés sont montrés dans la
figure (4.19). Notons que ces maillages sont raffinés au voisinage des coins afin d’améliorer
la précision du calcul de la force électrique. Ils sont également indépendants l’un de l’autre.
L’intersection entre leurs frontières est donc autorisée. Les distorsions des éléments discré-
tisant Ωp sont par conséquent évitées dans le cas des déplacements critiques de Ωc,p . Par
ailleurs, les effets de bords sont pris en compte dans la résolution par l’approche proposée
vu la géométrie de ces conducteurs.
Dans la suite, l’erreur relative des résultats obtenus avec la méthode proposée est cal-
culée par rapport à ceux déterminés par la modélisation classique par éléments finis du
problème complet (où il est question de remailler le domaine électrique entier pour chaque
déplacement du doigt). Nous considérons également que la convergence du processus ité-
ratif est atteinte lorsque l’erreur relative du potentiel électrique (4.17) est inférieure à
1 %.
Les figures (4.20) et (4.21) montrent les résultats de l’application de l’approche propo-
sée pour deux positions successives du doigt, x = 0 µm (c.-à-d., à l’instant t0 ) et x = 1 µm
Y
Z X
Fig. 4.19 : Maillages adaptés pour Ω (à droite) et Ωp (à gauche) avec une transformation
géométrique pour approximer la surface à l’infini [Imhoff et al., 1990,Henrotte et al., 1999].
(c.-à-d., à l’instant t1 ), respectivement.

A l’instant t1 et à l’itération i = 1, la solution v1,1 (voir la figure (4.21)) qui va servir de
source pour le problème de perturbation {2, 1}, tient compte des calculs déjà réalisés à t0 .
v1,1 est en effet égale à v1 , la solution totale du problème de référence (c.-à-d. le problème
associé à l’électrode fixe) calculée à t0 (voir la figure (4.20)).
Par ailleurs, la solution totale v1 calculée précédemment à t0 doit être compensée à
l’itération i = 2 en considérant le problème de référence à cette itération. Pour ce faire, la
condition aux limites de type Dirichlet non-homogène (4.35) est utilisée dans le problème
de référence. Sa solution v1,2 , calculée à t1 , est montrée à la figure (4.21).
Les charges électriques sont tout d’abord calculées sur les surfaces des deux conducteurs
(c.-à-d., Γc et Γc,p ) et sur la surface extérieure du Ω (la surface approximant la surface à
l’infini du problème de référence).
Nous considérons les charges calculées lors de trois instants successifs t0 (x = 0 µm),
t1 (x = 1 µm) et t2 (x = 2 µm) sur les surfaces Γc (voir la figure (4.22) (en haut)) et Γc,p
(voir la figure (4.22) (en bas)). On voit clairement que les calculs réalisés à t0 (à t1 ) sont
exploités à t1 (à t2 ).
Les charges sont ensuite calculées dans chacune des positions, x = 1, 2, . . . , 8, 9 µm
(voir la figure (4.23) (à gauche)). Un accord par rapport aux résultats obtenus par la
méthode des éléments finis classique est constaté (l’erreur relative ne dépasse pas 3% ;
voir la figure (4.23) (à droite)). La conservation de la charge pour le système total est
également assurée.
Les forces électriques apparaissant sur la surface du doigt mobile sont ensuite calculées.
Afin de valider ces résultats, nous considérons la force totale fx obtenue par la somme des
forces calculées aux nœuds sur une partie [A1 A2 ] de la surface Γc,p (voir la figure (4.18)).
Dans chaque position de Ωc,p, la valeur de cette force est similaire à celle déterminée par
la méthode des éléments finis classique (l’erreur relative est inférieure à 3%).
YZ YZ
0 1.25 2.5 X -4.72 -2.36 0 X
+ v1,1 + v2,1
YZ YZ
-0.0013 1.62 3.24 X -2.57 -1.28 0 X
+ v1,2 + v2,2
YZ YZ
-0.000656 0.859 1.72 X -1.36 -0.679 0 X
+ v1,3 + v2,3
(0.5) (0.5)
YZ YZ
-0.00264 4.64 9.29 X -10.1 -5.05 0 X
= v1 + v2
v
YZ
-2.5 0 2.5 X
= v1 + v2
Fig. 4.20 : Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées dans la position initiale du
doigt (x = 0 µm), les solutions totales v1 et v2 des deux sous-problèmes et la solution
totale vp du problème complet. 8 itérations étaient nécessaires pour la convergence (les
résultats des itérations 4, . . . , 8 ne sont pas montrés).
YZ YZ
-0.00264 4.64 9.29 X -10.2 -5.1 0 X
+ v1,1 + v2,1
YZ YZ
-0.264 0.283 0.829 X -0.639 -0.32 0 X
+ v1,2 + v2,2
YZ YZ
-0.000189 0.192 0.384 X -0.319 -0.159 0 X
+ v1,3 + v2,3
(1) (1)
YZ YZ
-0.00416 5.29 10.6 X -11.4 -5.72 0 X
= v1 + v2
v
YZ
-2.5 0 2.5 X
= v1 + v2
Fig. 4.21 : Distribution des corrections v1,i et v2,i calculées au cours de la deuxième
position du doigt (x = 1 µm), les solutions totales v1 et v2 des deux sous-problèmes et la
solution totale vp du problème complet. 5 itérations étaient nécessaires pour la convergence
(les résultats des itérations 4 et 5 ne sont pas montrés).
x=0 µm
x=1 µm−Sans exploitation des calculs précédents
5 x=1 µm−Exploitation des calculs précédents
Charges (× 10−10 C) − Electrode fixe

x=2 µm−Sans exploitation des calculs précédents
x=2 µm−Exploitation des calculs précédents
2
1 3 5 7 9 11 13 15 17
Nombre d’itérations
−1
x=0 µm
−1.2 x=1 µm−Sans exploitation des calculs précédents
−1.4 x=2 µm−Sans exploitation des calculs précédents
Charges (× 10−10 C)−Doigt mobile

−1.6
−1.8
−2
−2.2

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These M.boutaayamou 2009

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Université de Liège

Faculté des Sciences Appliquées

Thèse présentée en vue

Méthode de Perturbation pour la Modélisation par

Je tiens tout d’abord à remercier mes promoteurs le Professeur Patrick Dular et le

Liège, novembre 2008 Mohamed Boutaayamou

2 Calcul des forces électrostatiques dans les MEMS 15

3.2.1 Couplage numérique fort . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

1.1 Conditions de transmission. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.16 Exemple d’un actionneur électrostatique de type peigne interdigité (comb-

3.1 Résolution d’un problème électromécanique par un couplage numérique faible. 38

3.13 Convergence de la densité de force électrique (composante y) apparaissant

4.1 Décomposition d’un problème électrostatique par la méthode de perturbation. 54

4.34 Evolution de la composante x de la force électrique totale calculée sur la

4.1 Les premiers approximants de Padé. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

Le chapitre 3 concerne l’étude du problème du couplage électromécanique. Deux

Le développement et la mise en œuvre d’une approche originale, la méthode de

1.2 Modèles électromagnétiques

1.2.2 Lois de comportement des matériaux

où µ est la perméabilité magnétique et ε est la permittivité électrique du matériau. Dans

où σ est la conductivité électrique ( Ω−1 m−1 ).

1.2.3 Forme intégrale

où n est le vecteur unitaire normale à la surface Γ et orienté vers l’extérieur de Ω.

1.2.4 Conditions aux limites

Fig. 1.1 : Conditions de transmission.

• Antisymétrie, c’est-à-dire une symétrie géométrique avec des excitations symétriques

1.2.4.2 Conditions de transmission

n ∧ (h2 − h1 )|Σ = js , (1.18)

Les relations (1.19)–(1.20) montrent que la composante tangentielle de e et normale

1.2.4.3 Conditions globales

1.3 Modèle électrostatique

liées à la différence de potentiel V (1.24) et la charge électrique Q (1.25), le rapport VQ

Afin d’assurer l’unicité du champ e, le potentiel v doit satisfaire à une contrainte ou

− div (ε grad v) = ρ . (1.33)

v|Γe = constante (Cte) , (1.34)

sur chaque composante connexe de Γe .

1.3.2 Formulation faible

(d, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = hn · d, v ′ iΓ , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) , (1.36)

où a, b ∈ L2 (Ω), l’espace des scalaires de carré sommable dans Ω, et a, b ∈ L2 (Ω),

Notons que pour la partie de la frontière Γ s’étendant vers l’infini, la condition de

b · grad a + a div b = div (ab), ∀b ∈ H 1 (Ω) et ∀a ∈ H 1 (Ω) ,

et au théorème de la divergence, et s’écrit :

(d, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = 0 , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.38)

(div d − ρ, v ′ )Ω = hn · d, v ′ iΓ , ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.39)

Maintenant, nous prenons comme variable de travail le potentiel scalaire électrique v.

(−ε grad v, grad v ′ )Ω + (ρ, v ′ )Ω = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.40)

(−ε grad v, grad v ′ )Ω − hn · ds , v ′ iΓd + (ρ, v ′ )Ω = 0, ∀v ′ ∈ Fv0 (Ω) . (1.41)

1.3.3 Conditions globales

1.3.4 Discrétisation par la méthode des éléments finis

Elle vaut 1 en i et 0 aux autres sommets. Notons l’identité suivante :

L’ensemble des fonctions de base (de degré 1) si , ∀i ∈ N , forme un espace vectoriel

où vi est la valeur du potentiel v au nœud i.

1.3.5 Précision de l’approximation

Calcul des forces électrostatiques

[Barbour et al., 1997], l’aéronautique et le spatial (microgyroscope, micro-accéléromètre,

Dans ce chapitre, nous abordons le calcul des forces électrostatiques. La détermination

Plusieurs méthodes de calcul de la force électrique sont citées dans la littérature

2.2 Méthode du tenseur de Maxwell

2.3 Méthode des travaux virtuels

La dérivation de l’énergie électrique par rapport à un déplacement virtuel r d’un point

2.3.2 Formulation en potentiel scalaire

Considérons l’interpolation (1.44) du potentiel électrique v dans un élément Ωe appar-

tenant au maillage du domaine Ω, c.-à-d.