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L3_Electronique de Puissance Ch01_ INTERRUPTEURS D’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Objectifs : Connaître le principe des commutations des principaux composants d’électronique


de puissance qui sont à la base de la réalisation des convertisseurs statiques.

I- Caractéristiques idéalisées des semi-conducteurs


I.1Interrupteur idéal
Un interrupteur idéal présente deux états stables exclusifs (figure 1)
(a) Etat ouvert  interrupteur bloqué (K=0) i=0, et supporte une tension directe positive
ou négative
(b) Etat fermé  interrupteur passant (k=1) v=0 et conduit un courant unidirectionnel
Un interrupteur idéal présente deux états stables exclusifs fermé ou ouvert.

interrupteur ouvert
k=0

interrupteur fermé
k=1
c commutation à l’ouverture

Fig.1 Symbole et caractéristique statique idéale d'un interrupteur

I.2 LA DIODE
La diode est le semi-conducteur élémentaire constitué par une jonction PN. (figure2.a)
Dans l'étude des convertisseurs, on substitue à la caractéristique réelle la caractéristique idéale en
négligeant la chute de tension et le courant de fuite circulant en inverse. La diode joue alors le rôle
d'un interrupteur parfait, unidirectionnel en courant et en tension.

Structure Symbole Caractéristique statique idéale i-v

Figure 2. Symbole et caractéristique statique idéale d'une diode

La diode est un interrupteur à commutation naturelle (spontanée). C’est la configuration du circuit qui
provoque la commutation :
a)Passage bloquée à passante :
- la tension AK imposée à ses bornes tend à devenir positive pour diode idéale (> Eo tension de seuil
pour une diode réelle)
- le courant Akimposé dans sa branche tend à devenir positif
b) passage passante à bloquée :
-le courant Ak imposé dans sa branche s’annule et tend à devenir négatif
- la tension Ak imposée à ses bornes tend à devenir négative

I.3 LE THYRISTOR
I.3.1 Symbole et caractéristiques statiques (figure 3)
Le thyristor est un semi-conducteur à 3 jonctions. Outre l'anode A et la cathode K, il est muni en plus
d'une électrode appelée gâchette (G).

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Structure Symbole Caractéristique statique idéale i-v

Figure 3.Symbole et caractéristique statique idéale d'un thyristor

Ce composant unidirectionnel en courant mais bidirectionnel en tension permet de contrôler l'énergie


électrique dans différents montages rencontrés en électronique de puissance (gradateurs,
redresseurs commandés, cyclo-convertisseurs)
L'interrupteur thyristor est caractérisé par le fonctionnement suivant :
- en l'absence de courant de gâchette iG, il est ouvert quel que soit le signe de vT ;
- amorçage : lorsque vT > 0, il se ferme si on envoie une impulsion de courant iG>0 dans la gâchette.
Après l'amorçage, la gâchette perd son pouvoir de contrôle (le courant iG peut être supprimé).
- blocage (désamorçage) : une fois amorcé, l'interrupteur s'ouvre si iT = 0, quelque soit vT .
- Pour un thyristor réel des que iT≤ Ith le composant se bloque (iTh >0 courant de maintien du
thyristor)

I.4 LES TRANSISTORS DE PUISSANCE


Le transistor est un interrupteur à commutation forcée. C’est la commande qui provoque la
commutation (fermeture ou ouverture). En plus de ses électrodes principales, un transistor possède
une troisième électrode de commande sur laquelle il est possible d'agir pour provoquer son
changement d'état de façon quasi-instantanée.

1.4.1 Transistor bipolaire de puissance NPN


I.3.1 Symbole et caractéristiques statiques (figure 3)
Le transistor bipolaire est un semi-conducteur à 2 jonctions

Structure Symbole Caractéristique statique idéale i-v

Figure 4.Symbole et caractéristique statique idéale d'un transistor bipolaire de puissance NPN

Commutation forcée
- Fermeture commandée par courant de base (ib>0)
- Ouverture commandée par annulation du courant (ib<=0)

Remarque : Les transistors bipolaires sont remplacés actuellement par les transistors IGBT plus
performant.

1.4.2 Transistor MOS de puissance canal N


Il existe plusieurs technologies remplissant globalement la même fonction. Dans le cadre de ce cours,
nous ne nous intéresseront qu'aux transistors MOS (, Métal Oxyde Semi conducteur) à canal N qui a
de meilleurs caractéristiques techniques que celui du MOS à canal P.

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C’est un composant unidirectionnel en tension et en courant « commandable » par tension.

Structure Symbole Caractéristique statique idéale i-v

Figure 5.Symbole et caractéristique statique idéale d'un transistor MOS à canal N


-il se ferme pour VGS > Vth > 0 (threshold voltage ou tension de seuil). Cette tension doit être
maintenue pendant la durée de conduction du transistor mais aucun courant iG ne circule (Zin ∞).
-il s'ouvre pour VGS < Vth.
Le MOS peut être commuté beaucoup plus rapidement, mais les pertes de conduction de ce dernier
sont plus importantes, surtout pour des composants prévus pour supporter des tensions de claquage
élevées

1.4.3 Transistor IGBT de puissance canal N (Insulated Gate Bipolar Transistor).


Le transistor IGBT est réalisé par une combinaison de l’association d’un transistor MOS et d’un
transistor bipolaire à jonction.
Le transistor IGBT est un interrupteur unidirectionnel en tension et en courant.

Figure 6.Symbole et caractéristique statique idéale d'un transistor IGBT

Gamme actuelle des IGBT : 1000V 500 A, 3500V 60 A, f max » 40 kHz

Fermeture : commutation forcée par tension VGE>0 (=10V et +)


Ouverture : commutation forcée par VGE <=0
Application : Onduleur et hacheur pour la commande de moteur

VCEoff(V) IC(A) VCEon(V) tdoff (ns) Fmax(kHz)


SKM500GA12 (Semikron) 1200 500 3.1 900 15
IRGPF40F (IRF) 900 17 (100°c) <=3.2 250 10

1.6 Thyristor GTO


C’est un composant commandé à la fermeture et à l’ouverture

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Figure 7.Symbole et caractéristique statique idéale d'un thyristor GTO


Fermeture : commutation forcée (par impulsion VGK >0 Ig> 0)
Ouverture : commutation forcée (par impulsion VGK<0 Ig< 0)
I.7 ASSOCIATION D’INTERRUPTEURS
Il est possible de créer un interrupteur à 3 segments en associant un transistor (MOS ou
IGBT) ou GTO avec une diode.
- Une association série permet d'avoir une réversibilité en tension et une association antiparallèle
permet d'avoir une réversibilité en courant.
- L'association antiparallèle est appelée le transistor dual. C'est le composant utilisé dans les hacheurs
réversibles et les onduleurs de tension.

association serie association parallèle

Figure 8. Interrupteurs associés : caractéristiques statiques idéales

I.8 CHOIX DES INTERRUPTEURS


Selon le composant utilisé, la fréquence de découpage du composant (nombre d’ouverture et de fermeture en 1
seconde). En général, on cherche à utiliser la fréquence la plus élevée possible.
Cependant, plus la puissance nominale Pn d'un convertisseur est élevée, plus cette fréquence est faible.

AVANTAGES INCONVENIENTS DOMAINES


Le Thyristor très robuste très lent (temps de Domaine fortes
(fort courant, fortes tensions) commutation élevé) puissances à la fréquence
du secteur.
GTO commandé à la fermeture et à lent. Domaine fortes
l’ouverture puissances à la fréquence
du secteur
Transistor une faible chute de tension à puissance de commande non Moyenne puissance
bipolaire l’état passant et le négligeable fréquence de Remplacé par l’IGBT
pouvoir de commuter de forts travail est relativement
courants, basses.
MOSFET commandé par une tension mais c’est un composant très donc destiné aux
puissance de commande fragile applications
négligeable faible puissance haute
fréquence de commutation très fréquence.
élevée (des kHz)
L’IGBT réunit les avantages du MOS il a remplacé le bipolaire
bipolaire et du MOSFET dans les applications
de puissance moyenne

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La Figure suivante donne les performances puissances et fréquences

Figure 9. Domaines d’application des interrupteurs

9-EXEMPLES D’APPLICATIONS DE CONVERTISSEURS STATIQUES :


- Chargeurs de batteries de voitures électriques
- Variateurs de vitesses embarqués (voitures électriques, traction ferroviaire, propulsion de navires)
- Variateurs de vitesses des machines électriques industrielles
- Interconnexion des réseaux électriques
- Alimentations électroniques a découpages
- Tramway Constantine ; téléphérique Constantine,

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