Electronique Analogique Chapitre 3: Diode à jonction PN
Année : 2020/2021 Plan
I. Introduction aux semi conducteurs
II. Jonction PN (diode)
2 I. Introduction aux semi conducteurs 1. Types des matériaux
Les matériaux peuvent être classées selon leur résistivité . Il y a trois types de matériaux: Conducteur ( cuivre, aluminium….). Isolant ( bois…..). Semi-conducteur ( silicium, germanium…).
3 I. Introduction aux semi conducteurs 1. Semi-conducteur intrinsèques (purs)
L’industrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degré de pureté (1 atome étranger pour 10^11 atomes de semi conducteurs), on parle de semi conducteur intrinsèque. Exemple: Considérons un cristal de silicium pur (14 électrons ), afin de voir 8 électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met des 4 électrons périphériques en commun avec les autres atomes voisins.
4 I. Introduction aux semi conducteurs 2. Semi-conducteur extrinsèques
Ce sont des semi-conducteurs dont lesquels on introduit des atomes étrangers, ce que va modifier leurs caractéristiques électriques. C’est opération s’appelle dopage d’un semi-conducteur.
La conductivité du silicium ou du germanium peut être augmentée de façon
considérable et contrôlées par l'addition d'impuretés dans le semi-conducteur intrinsèque (pur).
Un semi-conducteur non dopé est dit intrinsèque
Semi-conducteur dopé N Un semi-conducteur dopé est dit extrinsèque Semi-conducteur dopé P
5 I. Introduction aux semi conducteurs 2. Semi-conducteur extrinsèques 2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type N C’est le cas où les atomes étrangers ont 5 électrons de valence ( phosphore).Quand ces 5 électrons du phosphore sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour réaliser des liaisons de covalences. Le 5eme électron est très faiblement lié à l’atome il se retrouve « libre » dans la bande de conduction.
La plupart des porteurs de courant : Electrons libres (Porteurs Majoritaires)
. 6 I. Introduction aux semi conducteurs 2. Semi-conducteur extrinsèques 2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type P C’est le cas où les atomes étrangers ont 3 électrons de valence ( bore, indium).Dans la liaison covalente il y a 7 électrons au lieu de 8, donc il y a une manque d 1é, et ce manque est considéré comme une charge positive libre appelée TROU
La plupart des porteurs de courant : Trous (Porteurs Majoritaires).
7 I. Introduction aux semi conducteurs 2. Semi-conducteur extrinsèques 2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type P
8 II. Jonction PN (diode) 1. Définition
Jonction PN muni de contacts conducteurs et de connexions à fils connectés sur chaque
région.
Structure de base de la diode
Le symbole de diode représente directement ces deux zones :
9 209 II. Jonction PN (diode) 2. Polarisation de la jonction
Polariser une jonction c’est lui appliquer une certaine tension à ses bornes
2.1 Polarisation en directe
+ + - - + + - - + + - - + + - -
- + Polarisation 10 directe II. Jonction PN (diode) 2. Polarisation de la jonction
2.1 Polarisation en inverse
+ + - - + + - - + + - - + + - -
+ - Polarisation inverse
11 II. Jonction PN (diode) 2. Polarisation de la jonction
Branchements pour la polarisation directe et inverse :
12 II. Jonction PN (diode) 3. Caractéristiques électriques
Une polarisation directe permet le passage d’un courant électrique dans la jonction, alors qu’une polarisation inverse l’empêche. Simultanément un courant de trous et un courant des électrons se superposent, le résultat est un courant s’exprime sou la forme: eVD I D I S (e KT 1)
K: constante de BOLTZMAN T: température absolue e: charge de e Is: courant inverse de la diode
13 II. Jonction PN (diode) 3. Caractéristiques électriques
Courbe caractéristique I-V complète
14 II. Jonction PN (diode) 3. Caractéristiques électriques
Définition 1: tension de claquage
Elle correspond à la tension maximale qui peut supporter une diode en polarisation inverse.
Définition 2: résistance dynamique
V La résistance dynamique est : rd I
15 II. Jonction PN (diode) 4. Schéma équivalent d’une diode 4.1 Modèle idéal de la diode
Simple interrupteur. Diode en Polarisation Directe Interrupteur Fermé (Diode Passante). Diode en Polarisation Inverse Interrupteur Ouvert (Diode Bloquée).
Courant direct IAV : déterminé par VPOL et la résistance RLIMITE :
16 II. Jonction PN (diode) 4. Schéma équivalent d’une diode 4.2 Modèle pratique de la diode
Modèle pratique : On tient compte de V0 en négligeant la rd.
Si diode en Polarisation Directe Interrupteur fermé en série avec une Tension
fixe (VAV) (0,7 V silicium) dont borne (+) à Anode.
Si diode en Polarisation Inverse Interrupteur ouvert.
VAV = Vo = 0,7 V (Silicium) VAV = Vo = 0,3 V (Germanium) Courant direct : déterminé par : 17 17 II. Jonction PN (diode) 4. Schéma équivalent d’une diode 4.3 Modèle complexe de la diode
On tient compte de rd et de la forte résistance inverse interne rAR.
Si diode en Polarisation Directe Interrupteur Fermé en série avec la faible tension fixe (VAV) et la faible résistance dynamique direct (rd). Si diode en Polarisation Inverse Interrupteur Ouvert en parallèle avec la forte résistance inverse interne (rAR). Modèle complexe de la diode au silicium, les formulent suivantes s'appliquent : VAR = 0,7 V + IAV . rd et
