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Classes Préparatoires

2ème année

Electronique
Analogique
Chapitre 3: Diode à jonction PN

Année : 2020/2021
Plan

I. Introduction aux semi conducteurs


II. Jonction PN (diode)

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I. Introduction aux semi conducteurs
1. Types des matériaux

Les matériaux peuvent être classées selon leur résistivité . Il y a trois types de
matériaux:
 Conducteur ( cuivre, aluminium….).
 Isolant ( bois…..).
 Semi-conducteur ( silicium, germanium…).

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I. Introduction aux semi conducteurs
1. Semi-conducteur intrinsèques (purs)

L’industrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degré de pureté (1 atome étranger
pour 10^11 atomes de semi conducteurs), on parle de semi conducteur intrinsèque.
Exemple:
Considérons un cristal de silicium pur (14 électrons ), afin de voir 8 électrons sur sa couche
externe, chaque atome de silicium met des 4 électrons périphériques en commun avec les
autres atomes voisins.

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I. Introduction aux semi conducteurs
2. Semi-conducteur extrinsèques

Ce sont des semi-conducteurs dont lesquels on introduit des atomes étrangers, ce que va
modifier leurs caractéristiques électriques.
C’est opération s’appelle dopage d’un semi-conducteur.

La conductivité du silicium ou du germanium peut être augmentée de façon


considérable et contrôlées par l'addition d'impuretés dans le semi-conducteur
intrinsèque (pur).

Un semi-conducteur non dopé est dit intrinsèque

Semi-conducteur dopé N
Un semi-conducteur dopé est dit extrinsèque
Semi-conducteur dopé P

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I. Introduction aux semi conducteurs
2. Semi-conducteur extrinsèques
2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type N
C’est le cas où les atomes étrangers ont 5 électrons de valence ( phosphore).Quand ces 5
électrons du phosphore sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour
réaliser des liaisons de covalences. Le 5eme électron est très faiblement lié à l’atome il se
retrouve « libre » dans la bande de conduction.

La plupart des porteurs de courant : Electrons libres (Porteurs Majoritaires)


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I. Introduction aux semi conducteurs
2. Semi-conducteur extrinsèques
2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type P
C’est le cas où les atomes étrangers ont 3 électrons de valence ( bore, indium).Dans la
liaison covalente il y a 7 électrons au lieu de 8, donc il y a une manque d 1é, et ce manque
est considéré comme une charge positive libre appelée TROU

La plupart des porteurs de courant : Trous (Porteurs Majoritaires).

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I. Introduction aux semi conducteurs
2. Semi-conducteur extrinsèques
2.1. Semi-conducteur extrinsèques de type P

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II. Jonction PN (diode)
1. Définition

Jonction PN muni de contacts conducteurs et de connexions à fils connectés sur chaque


région.

Structure de base de la diode

Le symbole de diode représente directement ces deux zones :

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II. Jonction PN (diode)
2. Polarisation de la jonction

Polariser une jonction c’est lui appliquer une certaine tension à ses bornes

2.1 Polarisation en directe

+ + - -
+ + - -
+ + - -
+ + - -

- + Polarisation
10 directe
II. Jonction PN (diode)
2. Polarisation de la jonction

2.1 Polarisation en inverse

+ + - -
+ + - -
+ + - -
+ + - -

+ - Polarisation
inverse

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II. Jonction PN (diode)
2. Polarisation de la jonction

Branchements pour la polarisation directe et inverse :

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II. Jonction PN (diode)
3. Caractéristiques électriques

Une polarisation directe permet le passage d’un courant électrique dans la jonction, alors
qu’une polarisation inverse l’empêche.
Simultanément un courant de trous et un courant des électrons se superposent, le résultat
est un courant s’exprime sou la forme:
eVD
I D  I S (e KT
 1)

K: constante de BOLTZMAN
T: température absolue
e: charge de e
Is: courant inverse de la diode

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II. Jonction PN (diode)
3. Caractéristiques électriques

Courbe caractéristique I-V complète

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II. Jonction PN (diode)
3. Caractéristiques électriques

Définition 1: tension de claquage


Elle correspond à la tension maximale qui peut supporter une diode en polarisation
inverse.

Définition 2: résistance dynamique

V
La résistance dynamique est : rd 
I

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II. Jonction PN (diode)
4. Schéma équivalent d’une diode
4.1 Modèle idéal de la diode

Simple interrupteur.
Diode en Polarisation Directe  Interrupteur Fermé (Diode Passante).
Diode en Polarisation Inverse  Interrupteur Ouvert (Diode Bloquée).

Courant direct IAV : déterminé par VPOL et la résistance RLIMITE :

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II. Jonction PN (diode)
4. Schéma équivalent d’une diode
4.2 Modèle pratique de la diode

Modèle pratique : On tient compte de V0 en négligeant la rd.

Si diode en Polarisation Directe  Interrupteur fermé en série avec une Tension


fixe (VAV) (0,7 V silicium) dont borne (+) à Anode.

Si diode en Polarisation Inverse  Interrupteur ouvert.


VAV = Vo = 0,7 V (Silicium)
VAV = Vo = 0,3 V (Germanium)
Courant direct : déterminé par :
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II. Jonction PN (diode)
4. Schéma équivalent d’une diode
4.3 Modèle complexe de la diode

On tient compte de rd et de la forte résistance inverse interne rAR.


Si diode en Polarisation Directe  Interrupteur Fermé en série avec la faible
tension fixe (VAV) et la faible résistance dynamique direct (rd).
Si diode en Polarisation Inverse  Interrupteur Ouvert en parallèle avec la forte
résistance inverse interne (rAR).
Modèle complexe de la diode au silicium, les formulent suivantes s'appliquent :
VAR = 0,7 V + IAV . rd et

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Fin du chapitre

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Fin du chapitre

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